반도체 용어

ABIOS(Advanced Basic I/O System) [반도체]
PC의 실모드 BIOS는 유사한 루틴들의 집합이고, ABIOS는 보호모드로작동되도록 설계된 것이다.

Abrasive [반도체]
성형완료된 PKG나 리드프레임에 잔존하는 수지 피막을 제거하기 위해 사용된 연마제.

Absorption Constant(흡수 상수) [반도체]
매질이 빛을 흡수하는 정도를 나타낸 고유값.

Absorption Dichroism(흡수 이색성) [반도체]
축성(軸性)액정에 있어서 광의 편광 방향에 의해 광의 흡수 정도가다른 현상으로 직선 편광의 진동 방향의 차이에 의해 흡수 계수가 다른 직선 이색성 또는 선광성(旋光性)을 나타내는 용액 등에 있어서 좌우 원편광의 흡수 계수가 다른 원편광이색성 등의 종류가 있다.

Accel Mode [반도체]
이온 주입시 가속에너지를 가해준 상태에서 주입하는 형태(에너지 범위 32-200KeV).

AC Characteristic [반도체]
Device가 동작시 갖고 있는 특성중 입출력 파형의 Timing과 관련한 여러 가지 특성들을 말함.

Access [반도체]
메모리 Deive에 Data를 저장하거나, 저장된 Data를 읽어내기위하여 Device의 외부에서 미리 약속된 방식으로 Signal을 가하여 메모리의 특정 번지를 찾아가는 행위.

Acceptable Quality Level 합격품질수준. [반도체]
Sampling에서, 만족할 만한 공정 평균으로 생각할 수 있는 Lot 혹은 Batch내의 최대 변동수(variant unit)를 말한다. 변동수(variant unit)라는 말은 이상정도 또는 결함(불량)정도라는 보다 더 국한된 의미의 단어로 대체할 수도 있다.

Acceptance Number(Attributes) 계수치. [반도체]
검사 Lot 또는 Batch의 합격을 위해서 요구되는 Sampling내의 최대변동수를 의미한다.

Acceptance Sampling [반도체]
제품 혹은 재화의 합·부판정을 위한 Sampling 검사 즉, Sampling검사에 의거하여 합·부판정을 하는 절차에 관한 방법을 말한다.

Acceptance Tests(인수시험) [반도체]
공급자가 구매자간에 제품을 인수할 것인가를 동의하거나 결정하는데필요한 테스트.

Acceptor [반도체]
3가의 불순물을 실리콘에 주입하면 공유결합에 의해 홀(Hole:정공)을 만드는데 이때 3가의 분순물을 Acceptor라 한다.

Acceptor Level(Acceptor 준위) [반도체]
반도체속에 불순물로서 혼입한 원자에 의해서 호울(Hole)이 생겨 반도체가 P형으로 되는 불순물 원자를 억셉터 라고 하며 이 상태를에너지대의 그림으로 나타냈을때 억셉터에 의해서 금지대속에 생긴 에너지 Level을 Acceptor Level이라고 한다.

Access Time(호출시간) [반도체]
기억장치에 있어서 지령(판독, 기록)과 어드레스의 제어신호가 주어진후 실제로 그 동작이 시작되기까지의 시간

ACI(After Cleaning Inspection) [반도체]
식각공정중 건식, 습식 및 감광액 제거후 현미경 및 측정장치 등을이용해 식각의 정확성, 이물질의 잔존, CD(Critical Dimension : 임계치수) 등을 검사하는 작업.

Active Matrix Drive(능동 매트릭스 구동) [반도체]
주사 전극과 신호 전극의 매트리스 교점부 화소마다 스위칭 소자와 필요에 따라 축전지를 축척하여 contrast나 response 등의 소자 성능을 향상시키는 구동방식으로 스위칭 매트리스 구동이라고도 한다. 이 방식은 각 수위칭 소자에 연결된 화소전극을 서로 독립시킨 것으로 잔상 현상을 방지하고 다음 프레임까지 신호 전하가 축전지에 의하여유지된다.

Accumulation [반도체]
MOS의 Gate에 가해지는 Bias에 따라서 silicon surface Gate아래에 Majority Carrier(즉, Substrate와 같은 Carrier)와 Density가 증가하는 경우가 있는데 이를 일컬음.

Accumulator [반도체]
수치연산에 있어서 Data나 연산결과를 일시적으로 저장.

Accuracy [반도체]
정확도·측정값이 얼마만큼 참값에 가까운가를 나타내는 척도.

Active Element(능동소자) [반도체]
비선형 부분을 적극적으로 이용하는 소자. 진공관과 트랜지스터가 대표적이다.

ADART(Automatic Distribution Analysis in Real Time) [반도체]
자동분석 Program, 파라메타 검사결과의 분포를 나타내는 것.

A/D Converter(Analog to Digital Converter) [반도체]
연속계량적으로 변화하는 신호를 계수형 신호인 "1"과 "0"으로 바꾸는 장치, 흔히 ADC라고도 한다.

Additive Process(애디티브工法 : 附着工法) [반도체]
동박이나 동박이외의 부분의 표면에 선택적으로 전도성 물질을 부착시킴으로서 회로를 형성시키는 工法.

Address Pre-Decoder [반도체]
Row/Column Address De-coding의 편리를 위하여 Address Buffer로부터의 Internal Address AN, / AN를 받아들여 Decoding을 하는 회로이다.

Addressing Technique(어드레스 기술) [반도체]
액정 표시 소자에 원하는 표시를 나타내기 위하여 전극형성과 전극이 형성된 액정표시소자를 구동시키는 기술로 LCD-Addressing 방법이라고도 한다.

Adhesion [반도체]
접착력 특히 WF에 도포된 감광액과 WF기판간의 접착력(각 막질간의 접착력).

ADI(After Development Inspection) [반도체]
사진 공정중 현상이 끝난후의 형성된 감광액, Pattern의 정확성, CD등을 검사

Agitation(교반) [반도체]
습식 식각시 식각율을 높이거나 식각 균일도를 좋게 하기위해 WF를 식각액에 넣은 상태에서 흔들어 주는 것.

AGV(Automatic Guided Vehichle, 자동 반송 시스템) [반도체]
intra-bay내에서 cassette를 반송하는 6축 이동로보트이다. LCD 공정에서 다량의 기판 유리를 제조시 lot의 중량 및 결점발생을 고려하여 공정 단계별로 기판 유리를 이동시킬 때 자동으로 운송시켜주는 시스템.

AH(Absolute Humidity) [반도체]
공기중의 절대습도를 말한다.

AHU(Air Handling Unit 空調機) [반도체]
공기를 일정온도, 습도로 조절하고, 공기중 Particle를 제거하여 실내에 그 정화된 공기를 공급하는 기계.

AI (Artifical Intelligence) [반도체]
인공지능

Air Gun [반도체]
압축공기를 이용, 이물질 또는 찌꺼기 등을 불어내는 기구.

Air Shower [반도체]
FAB Line 출입시 방진복, 방진화에 부착된 먼지나 이물질을 제거하기 위한 장치로서 밀폐된 Box에 깨끗하고 강한 공기를 불어서 먼지를 제거함.

Aignment [반도체]
사진공정중 전 단계에서 WF에 형성된 회로에 새로 형성할 Mask의 회로를정립시키는 작업. 이러한, 작업을 하기 위한 장비를 Aligner(정렬노광기) 라고 한다.

Alignment(정렬) [반도체]
이미 pattern이 형성되어 있는 wafer 표면위에 또다시 다른 pattern을맞추는 것. LCD 제조공정에서 앞 유리 기판과 뒷 유리 기판의 패턴을정확히 맞추는 작업

Alignment Mark [반도체]
중복되는 Align 공정에서 정확한 Align을 위하여 표시된 기준점을 말한다.

Alloy [반도체]
Si와 Al의 접촉을 좋게 하기 위하여 합금시키는 것을 말하며확산로를 이용함.

ALPG(Algorithmic Pattern Generator) [반도체]
메모리 Device 시험에 사용되는 Data의 읽기, 쓰기를 시험하기 위한 instruction을 Coding하는 장치.

Alpha-particle [반도체]
방사능 물질의 붕괴시 방출되는 이중으로 이온화된 He원자핵으로서 자체에 있는 U 및 Th 원소로부터 trace contamination되어 IC에 존재할 수 있는데, silicon과 전기적으로 상호작용하여 에너지를 잃으면서 지나는 경로를 따라 hole-electron pairs를 생성하면서 Soft error를 발생시킨다.

Al-Target [반도체]
Wafer 표면에 Al을 증착하기 위한 Al 덩어리.

Alternative Hypothesis(H1) [반도체]
대립가설 귀무가설이부정되면 대립가설이 받아 들여진다. 대립가설을 선택할 때 한쪽 검정을 선택할 것인지 양쪽검정을 선택할 것인가를 결정해야 한다.

ALU(Arithmetic Logic Unit) [반도체]
2진 연산을 실행하기 위한 논리회로로 구성.

AM 방송 (진폭변조방송) [반도체]
방송주파수의 폭을 음성 전파로 변조시켜 방송하는 것을 말한다.

Ambient [반도체]
확산 또는 침적 공정을 진행할 때 주위의 Carrier Gas 종류를 말함(N2, O2, H2O 등).

AMLCD(Active Matrix Liquid Crystal Display) [반도체]
화면을 수만에서 수십만 개로 분할하여 각 화소에 구동소자를 제작하고 그의 스위칭 특성을 이용해 화소의 동작을 제어하는 방식을 말함.

Amorphous [반도체]
어떤 고체가 반복적 원자배열 상태인 결정을 이루지 않고 있는 상태 즉 비정질 상태를 말하며, Silicon의 경우 제한된 생성조건을 만들어 주면 비정질 상태가 될 수 있다.

Amplification [반도체]
(반도체 소자를 이용하여) 미약한 신호를 원하는 수준의 신호로 증폭시키는 전기적인 작용을 말함.

Analog [반도체]
연속적인 숫자나 값을 나타내는 것.

Analog IC [반도체]
디지탈 IC에 반대되는 말로서 아날로그 신호를 취급하는 집적회로를 말한다.

Analog Memory [반도체]
아날로그량을 기억하는 메모리.

Analysis of Variance(ANOVA) [반도체]
분산분석 추정한 분산성분이나 모형의 변수 에 대한 가설을 증명할 목적으로 총변동량을 특별한 변동요인과 관련된 의미있는 성분으로 분해하는 기법을 말한다.

Analyzer [반도체]
전자석을 이용해서 Wafer 내에 주입시키고자 하는 이온을 분석하는 장비.

AND [반도체]
IC내의 회로망중 논리적 회로로서 모든 입력단자(보통 2개)에 입력이 되어야만 출력이 나오는 논리회로.

Anelva [반도체]
금속(Al, Cu Ti 등)을 증착, 산화막 등을 식각하는 장비를 제조하는 일본의 반도체 장비업체.

Angstrom(Å) [반도체]
파장을 재는 단위로 1Å=1×10-8㎝의 길이. H+ = 0.0592×10-8Å

Anicon [반도체]
LTO(Low Tempercture oxide) deposition 장비 이름.

Anisotropic Etching [반도체]
이방성 식각·식각반응이 한쪽방향(수직)으로만 진행되는 식각형태≠Isotropic Etching (등방성 식각)

Annealing [반도체]
열처리를 의미하며, 주로 Si과 반응치 않은 N2나 Ar gas 분위기하에서 이루어지며 Oxide의 quality나 Bulk silicon의 defect 감소 및 이온 주입후 damage 같은 것을 cure하는데 이용됨.

Annular Ring(둥근고리) [반도체]
홀주변을 전도성물질이 완전하게 둘러쌓고 있는 部分.

Anode [반도체]
음이온이 끌려오는 전극, 즉 양극.

ANSI(American National Standards Institute) [반도체]
미국 공업표준 협회. 표준규격을 직접 제정하지 않으나, 공인된 단체의 표준 규격을 심사,승인하여 국가 규격으로 채택.

Antimony Wafer [반도체]
제조 공정에 사용되는 불순물로써, N-형 불순물에 해당하며,기호는 Sb이다.

Anti Reflect [반도체]
Polycide 구조에서 silicon의 굴절율이 11.0이상으로 photo 공정에서 pattern 형성에 문제가 발생할 수 있다. 따라서 굴절율이 낮은 SiO2나 TiN 등을 silicide층위에 형성시켜 pattern 형성의용이함을 꾀하는 TiN를 ARC라 한다.

Antistatic [반도체]
정전기 방지.

AOQ(Average Outgoing Quality) [반도체]
계수 선별형 검사에서 다수의 lot가 선별형 검사를 받았을 때검사를 통과한 다수의 lot의 평균품질을 보증함을 말한다. 평균 품질보증(AOQ)=lot불량율
×lot가 합격으로 될 비율

AOQL(Average Outgoing Quality Limit) [반도체]
평균 출검 품질 한계 : AOQ 곡선의 최대치.

Application Test [반도체]
실장(實裝)테스트라고도 불리우며, 반도체 신제품의 생산시 실제적으로 해당제품이 사용되는 시스템에 장착후 고객이 테스트하는 조건과 동일하게 실시하는 테스트를 일컬음.

APCVD Atmospheric Dressure CVD(Chemical Vapor Deposition) [반도체]
화학적 기상도금 또는 화학증착이라고 하는 고순도 고품질의 박막을 형성하는 기술로 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(Vapor)과 고온에 가열된 도금할 고체와의 접촉으로 고온분해, 고온반응하고 여기에 광에너지를 조사시켜 저온에서 물체표면에 금속 또는 금속화합물층을 석출시키는 방법으로 화학 Gas들의 화학적 반응 방법을 이용하여 막을 증착시키는데 이때 Chamber 상태가 대기압 조건에서 이루어지는 증착.

APD(Avlanche Photo Diode) [반도체]
실리콘의 PN 접합에 브레이크 다운 전압에 가까운 고전압을 가하여 전자사태 효과에 의한 전류증배의 작용을 갖게한 Photo Diode다.

APPC(Advanced Program-to-Program Communication) [반도체]
동일기종 혹은 이 기종에서의 프로세서들이 서로 통신할 수 있게 하는 IBM사의 SNA(System Network Architecture)의 일부분.

API (Application Programming Interfaces) [반도체]
사용자가 시스템을 access하기 위해 응용프로그램을 쓸 수 있도록 제공하는 routines(s/w tools)을 말한다.

AQL(Acceptable Quality Level) [반도체]
계수 조정형 Sampling 검사로 합격으로 할 최저한의 lot의 품질을 말하며,이 수준보다 좋은 품질의 lot를 제출하는 한 거의 다 합격시키는 것을 판매자 측에서 보증하는 것이다.

ARC 파일 [반도체]
SEA(System Enhancement Associates)에 의해 발표된 ARC 파일을 압축프로그램에 의해 사용된 파일형태.

Arc Chamber [반도체]
Ion을 생성시키는 사각형으로 된 상자.

Arc Current [반도체]
Plasma상태에서 Beam전류를 생성시키기 위하여 필라멘트와 Arc Chamber 양단에 가해주는 전류.

Ar [반도체]
ARGON의 원소기호 및 그 Gas.

Area Marketing [반도체]
전국을 동일한 성질의 하나의 시장으로 보고 전개하는 Marketing수법에 대응하는 개념으로 각 지역의 특성을 파악하여 그에 알맞는 치밀한 수법을 통틀어 일컫는 말.

Arithmetic Mean [반도체]
산술평균.(Arithmetic Average)

μ-모평균(Population Mean)  [반도체]
관측치의 합계를 관측수로 나눈 것으로서 중심적 경향이나 위치를 나타냄. (note : 평균에는 산술평균, 기하평균 등 여러가지가 있으나 일반적으로 평균이라 말할때는 산술평균이다. 이것은 공정의 중심치를 평가하는 척도로서 사용된다.)

ARL(Acceptable Reliability Level) [반도체]
허용 신뢰성 수준 또는 합격 신뢰성 수준.

Array [반도체]
기능상으로 각각 독립된 여러개의 회로 또는 디바이스를 한 장의 기판위에 규칙적으로 배열하여 상호 배선한 집적회로군 또는 Device군을 말한다.

Array Logic [반도체]
FILP-FLOP, NAND, NOR, Diode 등의 Logic Circuit을 Array 모양으로 배열한 것으로 반복구조에 의해서 소망의 논리(함수)를 실현하는 Device다.

Artwork Master [반도체]
작업용 源Film을 제작하는데 쓰이며 배율이 정확하게 1:1인 회로의 형태.

As [반도체]
비소의 원소기호(Arsenic).

ASAC(Asian Standards Advisory Committee) [반도체]
아시아 표준화 자문위원회.

Ashing [반도체]
건식식각, 습식식각이나 이온주입 등에 의해 굳어진 감광액의 건식 제거(Dry Strip) 또는 습식제거작업.

ASIC(Application Specific IC) [반도체]
특정용도 집적회로(特定用途 集積回路)·전자 제품의 경박단소(輕薄短小)추세에 따라 범용성이 높은 표준 IC와는 달리 고객이나 사용자가 요구하는 특정한 기능을 갖도록 설계, 제작된 IC를 말한다.

Aspect Ratio [반도체]
Step Coverage나 평탄화 등에 연관된 용어로써 이미 鍍金된 홀의 직경에 대한 홀의 길이와의 比率.

Assembly [반도체]
실장품 부품들이나 보조실장품들이 조합을 이루어 결합되 있는 것.

ASRP(Automatic Spreading Resistance Probe) [반도체]
Silicon Wafer의 지점별 불순물 농도 분포를 연속적으로 측정하는 설비.

Assignable Cause [반도체]
변동의 분포를 구성하는 요소들 중 원인을 규명할 수 있는 것.

ASTM(American Society Testing & Materials) [반도체]
미국 재료시험 학회

ATE(Automatic Test Equipment) [반도체]
전자 소자들을 소프트웨어를 이용하여 Test할 수 있는 장비를 일컬음.

Attributes, method of 계수치(속성). [반도체]
units가 얼마나 많은 품질속성을 가지고 있는가 (또는 가지고 있지 않은가)units속에 얼마나 많은 事象이 발생하는가 그 리고 각 unit에 어떤 특성이 존재하는가 등의 계수치 (attribute)에 의한 품질평가.

Au-Bond(Gold ball Bond) [반도체]
금선을 사용한 Bonding 방법.

Audio RAM [반도체]
정상적인 DRAM에 비하여 불량 BIT 수가 규정갯수 이내로 존재하는 제품을 나타내는 것으로, Audio RAM을 활용하는 시스템은 일반적으로 자동응답 전화기 및 HDD 대용으로 사용되고 있다.

Auto-Doping [반도체]
불순물이 높게 주입되어 있는 상태에서, 다른 공정을 진행할 때 진행공정의 목적과 함께 또는 별개로 불순물이 다른 지역으로 확산되는 것을 말함.

Auto Loader 반도체 제조(FAB, TEST, ASS'Y) [반도체]
어떤 공정에서든 공정이 진행될 때 시작되는 것이 자동적으로 진행되는 것을 말함.

Automatic Loading System [반도체]
Carrier에 담긴 Wafer를 한 개씩 주입할 수 있는 곳까지 운반하는 장치.

Auto Transfer [반도체]
Wafer를 Boat에서 기계로 Loading 또는 Unloading하는 기구 로써 제조공정에서 사용한다.

Auto Transport System(자동반송 시스템) [반도체]
자동화 공장에서 물량 반송을 Computer System의 제어하에 자동으로 목적지까지 행하는 총괄적인 System.

Av Voltage Gain [반도체]
전압 증폭도.

AV TFT-LCD(AUDIO-VIDEO, TFT-LCD) [반도체]
오디오, 비디오용 디스플레이에 사용되는 판넬로 고화질의 TFT-LCD 칼라화가 요구되며 1. 1인치 이하의 화소수 12만 정도의 캠코더용 디스플레이 판넬이 대표적이다.

Avalanche Breakdown [반도체]
Pin Diode에 역전압(reverse bias)를 크게 가해주면 breakdown이 되면서 급격히 큰 전류가 흐르게 되는 것으로, Zener breakdown mechanism과 달리 저농도로 doping된 Junction에서 transition region의 강한 Field에 의해 electron이 결정격차와 충돌하여 electron-hole pairs를 생성하는 impact ionization mechanism을 반복하면서 carrior수가 급격히 증가되어 Breakdown에 이르는 현상을 말함

Avalanche Injection Diode [반도체]
고저항 게르마늄 펠렛의 한쪽면을 인듐납으로 합금하여 P+영역을 만들고 다른쪽 면에 금 안티몬 선을 본드하여 N+영역을 형성한 구조의 Diode다.

Avalanche Transistor [반도체]
전자사태 TR이라고도 하며 TR에 낮은 전압을 가했을 때에는 OFF 상태이며 높은 전압을 가했을 때에는 Avalanche Breakdown을 일으켜 충분히 낮은 저항의 ON 상태로 되는 스위칭용의 부성 저항소자이다.

AV 시대 (Audio-Video, 오디오-비디오 시대) [반도체]
음성(AUDIO)과 영상(VIDEO)을 함께 즐기고자 하는 최근의 경향을 말한다.

Average Outgoing Quality Level(AOQL) 평균출검품질한계. [반도체]
주어진 Sampling 검사에 있어서, 입고검사품질에 대해 허용 가능한 최대 평균출하품질(AOQ)수준을 말한다.

AWD(Actual Working Day) [반도체]
실작업 일수.

AWH(Available Workng Hour) [반도체]
작업가능시간(가용시간)

A.W.W(Acid Waste Water) [반도체]
산폐수로서 약품중 산을 사용하는 장비에서 배출 되는 폐수를 말함.

Axial Fan 방식 [반도체]
대형 축류 Fan을 사용하여 Clean Room에 공기를 공급, 순환시키는 방식.

Backward Current [반도체]
PN 전합에 역방향 전압을 걸었을 때 흐는는 전류를 말한다 (Reverse Current라고도 한다).

Back Flow Effect(배류 효과) [반도체]
네마틱상에 대한 배향 벡터가 시간적으로 변동 할 때 액정 분자의 흐름을 유기하는 현상을 말한다.

Back Grind(뒷면 연마) [반도체]
Wafer 뒷면의 불필요한 두께를 갈아내는 것을 말하며, 이는 Fab.공정이 완료된 후 행해지는 공정임

Back Plane [반도체]
한쪽면에서는 솔더링을 하지 않고 접속시키는 터미날이 있고 다른면에는 일정부분간을 전기적으로 연결시키는 연결소켓이 있는 기관.

Back Panel [반도체]
Fab. Line에서 Bay간 또는 Room간 차단벽으로 주로 많이 사용되는 것으로 PVC Back Panel이 있다. 이는 공조의 흐름을 유도시키거나 Particle의 유입을 막아 Room별 청정도 유지를 목적으로도 사용된다.

Back Seal Oxide [반도체]
뒷면 실링 산화막, Wafer내에 포함되어 있는 고농도 불순물에 의한 Outdoping을 감소시키려는 목적으로 Wafer 뒷면에 성장시켜 주는 산화막. Back Side Grind 뒷면 연마. Wafer의 뒷면을 다이아몬드 휠로 연마시키는 작업으로서 조립 공정으로 일정한 두께의 Wafer를 보내기 위한 목적과 Gettering 목적을 동시에 수행함.

Back Side Marking [반도체]
Device의 Marking시 Lot의 Fab. Site Lot# 등을 기록하기 위해 Device 밑면에 표시하는 Marking.

Back-Annotation [반도체]
반도체 설계시 layout 작업까지 마친후 layout에서 발생된 기생소자들(캐패시터 및 저항)의 실제값을 추출하여 이 값들을 포함하여 simula-tion하는 작업을 말한다.

Back-Up System [반도체]
저장탱크에 저장된 액체상태의 질소, 산소 등이 기화기를 거쳐 기화한 후 Gas 상태로 공급될 수 있도록 갖추어진 설비.

Baffle [반도체]
확산 Gas의 흐름을 Control해 주는 치공구.

Bake [반도체]
Wafer를 열을 이용하여 굽는 것으로 Pre-Bake, Hard-Bake, Soft-Bake가 있다.
1) Pre-Bake : Wafer에 Resist를 도포하기 전에 Wafer 표면의 습기를 제거하여 150±10℃의 Oven에서 Wafer를 굽는 것.
2) Hard-Bake : Etch전 Wafer 표면의 Resist를 굽는 것.
3) Soft-Bake : 적외선을 이용하여 Photo-Resist를 굳혀 주는 것.

Bank [반도체]
XT의 경우 1Byte의 Data를 구성하기 위해 256K×1 Memory 8EA와256K×1 Memory 1EA로 9BIT를 구성하는데 이 경우 1Bank는 256KB의 용량 이 된다. AT의 경우는 1개의 Bank는 두개의 소 Bank로 구성되며 각각의 소 Bank(홀수/짝수)는 9BIT로 구성되어 결국 1개의Bank는 18BIT로 구성되며 2BIT의 Parity BIT를 포함한다. 256K ×1DRAM으로 구성시 1개의 Bank는 512KB의 용량이 되며 1M×1DRAM으로 구성하면 2MB의 용량이 된다.

Base Array [반도체]
ASIC Process중의 일부이며 이는 미리 회로의 기본이 되는 Gate 회로(2 Input Nand gate or 2 Input Nor gate)를 userable gate수별로 array상에 배열한 LSI를 만들어 주는 것을 말한다.

Base Line Spec [반도체]
반도체소자 제작시 동일한 특성을 얻기 위해 그 소자의 특성에 맞게 process flow를 설정하고 제어하기 위한 지침서.

Base Line [반도체]
공정 연구소 공정 개발실에서 공정개발이 완료되어 FAB운영실로 이관된 공정.

Base Material(기초제) [반도체]
표면에 회로를 형성시킬 수 있는 비전도성 물질.

BASIC(Beginner's All-purpose Symbolic Instructon Code) [반도체]
초심자용 회화용 프로그램 언어

Basic Dimension(기본위치) [반도체]
어떤 홀이나 부품의 위치를 이론적으로 정확하게 표현한 수치.

Batonnet [반도체]
등방성 액정상에서 온도를 떨어뜨려 스메틱 봉상(棒狀)의 이방성 액정을 석출시키는 말이다.

Battery Back Up [반도체]
정전시에 대응하여, 전원의 공급원으로서 battery를 준비해 두는 것. 예를 들면, C-MOS에 건전지로 전력을 보급하는 경우 등이다. 또한, Computer System에서는 일련의 cut down 조작이 가능한 시각(5-10분)을 충전지에서 전력을 공급하고, 치명적인 data파괴를 피하는 대응이 취해져 있다

Battery Back-Up Circuit [반도체]
휘발성 메모리 제품(DRAM/SRAM)의 데이타를 보관하기 위한 밧데리 회로로서 시스템의 동작시에는 OFF 상태이나, 시스템의 전원이 꺼졌을때는 정상적으로 동작하는 회로. 게임기의 "GAME PACK" 및 "소형 계산기" 등에 활용한다.

B/B Ratio(Book to Bill Ratio) [반도체]
수주 대 출하 비율 최근 3개월 평균 수주액을 3개월 평균 출하액으로 나눈값.

BC(Bay Controller) [반도체]
STC와 SECS에 의하여 통신하며 STC에 반송 지령을 주며 그 결과를 받는 일련의 process를 관리한다.

BC(Buried Contact) [반도체]
POLY1을 N+ Active에 연결하는 contact으로 POC13 doping을 이용한다.

BCD Technology [반도체]
Bipolar, CMOS, DMOS 트랜지스터를 동일 칩상에서 구현하는 기술로서, 주로 Bipolar 트랜지스터는 고속논리회로 및 아날로그회로, CMOS는 digital logic 및 DMOS의 출력구동에 사용된다. (BCD 기술은 설계의 융통성(filxibility)을 증가시키고 여러개의 분리된 칩을 한 개의 칩으로 구현함으로써 system의 reliability를 증가시킬 수 있으나 공정단가가 높은 단점이 있다.)

BCG Approach(Boston Consulting Group Approach) [반도체]
보스톤 자문단법, 전략산업단위(SBU)를 성장율과 점유율의 2가지 기준에 따라 평가, 검토하여 성장·점유 매트릭스에 분류하여 표시하는 방법.

BCR(Bar Cod Reader) [반도체]
Bar Code를 읽어내는 장치

Beam Line [반도체]
Source에서 생성된 Ion Beam이 통과통로.

Beam Mask [반도체]
초기에 생성된 사각형의 Beam의 형태를 원형으로 형성시켜, Wafer에 주사되게 차폐 역할을 하는 탄소관.

Beam Spectrum [반도체]
분자 혼합물의 상태에서 전자와 충돌시켜 양 이온을 생성, 마그네틱 전류의 증감에 따라 각각 따른 이온이 분석되어 좌감축에 나타낸 상태.

Behavioral Description [반도체]
System의 기술방법으로 input과 output사이의 관계를 computer language와 같이 서술하는 방법이다. 서술언어는 VHDL(very high speed hardware descripition language), HDL 등이 있다.

Bench Test [반도체]
특정한 모양으로 만들어 놓은 Test Pattern이나 실제 Die를 DC 측정용 계측기를 이용하여 Probing을 하면서 여러 가지 Electrical Parameter를 측정하는 일.

Bent Lead(경사리드) [반도체]
약 45도로 휘어져 있는 리드.

Bias [반도체]
치우침. 측정치나 검사결과의 평균과 참값(비교치) 사이의 차이를 나타내는 Systemic error(bias component).

Bias [반도체]
TR에서 미리 순방향의 직류전압을 가해주어 신호입력이 0인 상태에서도 어느정도의 전류가 흐르게하여 무신호시의 동작점을 미리 어떤 위치로 옮겨와 직류와 겹침으로써 0의 상태로부터 벗어나게 하는 것을 Bias라고 한다.

Bidirectional Buffer [반도체]
외부 signal에 대한 voltage level을 소자 내부에 맞게 받아들일 수 있고, sense AMP에서 증폭된 data를 external load를 drive하기 위해 사용될 수도 있는 Buffer.

BI-MOS [반도체]
바이폴라와 MOS를 조합하여 하나의 Chip위에 만든 회로이다

Binary Number System(2진법) [반도체]
한자리를 0과 1의 두 수만으로 나타내는 수의 표시방법.

B/I(Burn-in) [반도체]
고온에서 어떤 특정 길이의 시간(예를 들면 83℃, 63시간)동안 회로를 동작시켜 초기 수명 또는 초기 고장이 심사되는 부품 검사의 단계.

Bin [반도체]
검사한 결과에 따라 양품과 불량 또는 동작속도를 나누는 기준.
예) Bin 1-양품, Bin 13-기능불량, Bin 15-Parameter 불량 등.

Bin 1 Check [반도체]
Test된 양품의 동작속도 상태를 점검하는 작업.

Binary [반도체]
우리가 흔히 사용하는 10을 기준으로 한 10진법과 달리 2를 기준으로 한 2진법 숫자로 "1"과 "0"으로 숫자나 문자를 나타내는 것.

Bin Grade Down [반도체]
Test 각 Step을 진행중 Good Device의 speed나 power 소모도가 변화되어 나쁜 영향으로 변환된 제품.

BIOS(Basic Input Output System) [반도체]
컴퓨터와 주변장치사이에서 대화를 조작 하는 운영체제의 프로그램 및 부프로그램. PC의 핵심이라 할 수 있으며 PC호환성에 있어서 가장 중요한 요소들 중의 하나이다. System의 전원을 ON시켰을 때 또는 Reset 시켰을 경우 시스템 내부의 모든 장치들을 초기화하는 기능을 수행한다. 내부에는 POST 기능을 포함하고 있으며 Memory Test에서 시스템에 내장된 모든 장치의 기능 Test, 유무를 Check하는 역할을 수행한다.

Bipolar [반도체]
전자(Electron)와 정공(Hole) 두 종류의 전기매개체가 동원되어 동작되는 형태(또는 이것에 의해 동작되는 Transistor를 말함).

BIT(Binary Digit) [반도체]
2진수의 자리수의 단위이다. 즉, 2진법의 1011은 4자리 4BIT이다

Bit Line [반도체]
Memory에서 Data를 저장시키거나 Data를 뽑을 때 Data가 이동되는 통로로서 사용되는 도선.

Bit Map [반도체]
Memory의 기본동작을 Check하여 Memory내의 각 Data의 저장 Cell이 바로 동작하고 있는지를 표시한 도표(죽은 Cell을 찾아내어 분석하기 위해 사용됨).

Bit Mapper [반도체]
제조공정이 완료된 반도체의 동작특성 유, 무를 판별하고 Fail Point의 Address 및 Fail 특성을 제공하여 주는 F/A용 Tool.

Bit성 Fail [반도체]
Device Test 결과 Random한 Address의 Cell이 Fail된 경우.

Black & White SPOT [반도체]
셀 내부에 이물, 먼지 등이 들어가거나 마스크의 pinhole 등으로 인하여 seak제나 트랜지스터제가 면내에 인쇄되어 포지티브형은 흑점으로 네가티브형은 백점으로 나타나는 현상.

Black Hole [반도체]
제조기술부에서 F/A시 사용하는 용어로 Contact 부위에서 Contact Pattern과 그 위의 Poly or Metal Pattern과의 Misalign이나 또는 Over Etch로 인하여 Contact Overap이 부족하여 Contact Edge에 Chemical이 침투하여 Contact을 부식시켜 생겨난 Defect.

Black Stripe SM [반도체]
칼라 액정 디스플레이에서 빛의 투과가 일어나지 않는 트랜지스터나 축전지부분을 검은색의 물질로 덮어서 빛의 간섭을 막아 화질을 높이는데 쓰이는 물질.

Blade Wafer [반도체]
절단시 사용되는 톱날로서 다이아몬드와 니켈의 합금.

Bleeding(번짐) [반도체]
鍍金된 홀이 보이거나 갈라짐으로 인하여 변색된 것. 또한 인쇄에서 잉크가 없어야 될 곳에 잉크가 번져 들어간 형태

Blister [반도체]
밀착된 기초재층들간의 부분적인 들뜸이나 기초재와 표면전도체 막과의 부분적 들뜸.

Block [반도체]
한 단위로 취급하는 연속된 단어의 집합

Block Factors [반도체]
Block 인자. Block 인자들은 실험 공간을 Block으로 구분하기위한 근거로 제공된다.

Blow Hole [반도체]
개스가 분출됨으로써 발생된 땜납(Solder) 보이드.

BN Wafer [반도체]
Boron이 매우 높게 주입되어 있는 Wafer로서 Boron을 주입하려고하는 Wafer와 마주보게하여 확산공정을 진행할 때 사용하는 Wafer.

BN 보관로 [반도체]
BN Wafer를 보관하는 Tube로 375℃의 온도가 유지되며 N2가 흘러들어감

Boat [반도체]
확산로에 Wafer를 넣을 때 사용되는 것으로 석영이나 SiC 재질로 만들어져 있으며 Wafer가 한 장씩 세워지도록 홈이 파져 있음.

Boat Holder [반도체]
Boat가 외부 물질에 닿지 않도록 받쳐주는 것으로 석영 또는 Poly-Si 재질로 되어 있음.

Body Effect [반도체]
MOS Transistor에서 source와 substrate간의 reversebias에 의해 Threshold voltage가 shift되는 현상으로 substrate 농도에 관계한다.

BoH(Begining on Hand) [반도체]
작업초 갖고 있는 재고.

Bonding [반도체]
주로 wire bonding이라고 일컬어 지며 반도체 제품의 조립시 chip의 PAD와 외부단자를 도선으로 연결하는 작업임

Boiler 1 Ton [반도체]
100℃의 물 1000kg을 1시간 동안에 전부 100℃증기 1000kg으로 만들 수 있는 능력을 말하며 Boiler 용량표시의 척도가 된다

Bond Diode [반도체]
반도체 표면에 금선을 용접하고 전기펄스에 의해 접합을 형성하는 것.

Bonding Layor(접착증) [반도체]
다층기판의 밀착시 각각의 층들을 접착시켜서 결합시키는 층.

Bonding Pad [반도체]
Chip에 Wire를 Bonding 할때 본딩할 부분에 증착한 알루미늄 등의 금속 증착피막 부분을 말한다.

Bond Strength(접착력) [반도체]
기판의 인접한 두층을 분리시키는데 필요한 단위면적당 수직으로 작용하는 힘의 크기.

Boomerang Effect [반도체]
선진국이 개발도상국에 제공한 경제원조나 자본투자 결과 현지 생산이 이루어지고 이어서 그 생산제품이 현지 시장수요를 초과하게 되어 선진국에 역수출됨으로써 선진국의 해당산업과 경합하는 것.

Booting [반도체]
프로그램을 입력하는 방법의 하나로서 최초에 명령을 Read하기 위한 간단한 조작을 해두면 그 다음부터는 그 명령의 Reading을 순차적으로 행하여 최종적으로 완전한 프로그램이 기억장치내에 수용되도록 만들어진 루틴(절차).

Bottom Up Design [반도체]
트리구조를 아래에서 위로 구성해 나가는 방법으로써 Primitive Cell을 기본으로 Circuit Level, Logic Level, Architechure Level순으로 진행하는 IC 설계방식.

Boulder [반도체]
FAB 공정중 침적 또는 Diffusion 공정시 정상성장이 되지않고 비정상 성장이나 결정 덩어리에 의해 생겨난 비정상적 성장결정체.

Bow(휨) [반도체]
wafer 또는 wafer위에 증착된 flim의 인장력을 측정하기 위해 사용되는 휨정도를 의미함.

BPSG (Boron Phosphorus Silicate Glass) [반도체]
평탄화의 수단으로 사용하는 열에 대한 flow성(850℃에서 Viscosity가 급격히 변하는) 이 좋은 막질임. Oxide Film에 B, P 등의 불순물을 첨가시켜 낮은 온도에서 평탄화되도록 하는데 사용되는 절연막임.

BPT(Bond Pull Test) [반도체]
본드 인장력 시험으로서의 bondability 측정의 한 방법으로 GRAM weight gauge를 사용하여 ball과 stitch 중간을 들어올려 bond의 인장강도를 측정하는 시험.

Bread Board [반도체]
IC화 하기전에 개별부품을 사용하여 목적하는 IC회로와 동등한 기능을 갖는 회로를 만들어 그 IC회로의 모의 설계를 하는 것.

Break-Down [반도체]
PN 접합에 역방향 전압을 가하고 그 전압을 차츰 높여 가면 어떤 전압에서 역방향 전류가 급격히 증가하는 이른바 Breakdown의 현상이 일어난다. 이러한 현상이 일어나는 것은 공간 전하 영역의 전계 강도가 매우 커지기 때문이며, 그 기구로는 avalanche breakdown과 zener breakdown이 있다.

Breakdown Voltage [반도체]
P-N접합 Diode에서 두 접촉영역 사이로 역방향의 큰 전압을 걸어주면 역방향으로 많은 전류를 흐르게 되며 이때 가해 주는 전압을 Break-down 전압이라 한다.

Break-up [반도체]
Half Cutting된 Wafer를 Full Cutting 시키는 작업.

Bridging [반도체]
회로들간의 사이가 전도물질에 의하여 붙어버린 형태.

Broken(깨어짐) [반도체]
Wafer나 Quartzware가 깨어짐을 말함.

BSI(Business Survey Index) [반도체]
기업실사지수. 경기에 대한 기업가들의 판단, 장래의 전망 및 대비계획 등을 기업가들로부터 직접 조사, 지수화 함으로써 전반적인 경기동향을 파악하고자 하는 지표를 말한다.

BT Stress(Bias & Temperature Stress) [반도체]
소자의 신뢰도를 측정하는 방법의 일종으로 Bias(전압)인가와 동시에 온도를 높여서 하는 Stress 인가 방식.

BT Test(Bias and Temperature Test) [반도체]
TR, Diode 등의 반도체 소자를 고온에서 Bias를 건 상태로 해두는 시험이다.

Bubbler [반도체]
순수한 물(D-I Water)이 흘러나와 넘치면서 질소가 바닥으로부터 분출되어 Wafer 표면을 헹구어 주는 장치.

Bubble Memory [반도체]
합금, 석류석 등에 자계를 걸어주어 여러개의 거품같은 모양을 만들어 놓은 기억소자.

Buffer [반도체]
어떤 논리회로와 다른 논리회로를 결합할 때 그 직접결합에 의한 나쁜 영향을 피하기 위해 단간에 삽입하는 회로를 말한다.

Buffer Memory [반도체]
2개의 장치사이에서 동작속도가 다를 때 그 중간에 마련하여 양자의 속도, 시간의 조정 등을 하는 메모리를 말한다.

Build-up [반도체]
건물전체를 한 공조기로 하고 그 내부에 팬, 코일 및 필터를 설치하고 공기조화 하는 것.

Buried Layer [반도체]
Transistor에서 Collector 저항을 줄이기 위하여 Collector 하부에 형성하는 낮은 저항 영역.

Buried Via Hole [반도체]
완전히 관통이 되지 않고 중간이 막힌 비아홀.

Burr [반도체]
절단, Trim 공정시 발생하는 불량의 한 항목으로 Lead 끝이나 몸체에 혹처럼 찌꺼기가 붙어 있는 것.

Burn in [반도체]
제품의 잠재적인 불량을 초기에 발견하기 위하여 제품에 고온(85℃∼ 125℃)으로 Device에 열적 Stress를 인가하여 Test하는 것이며, IC가 실제 사용할 때 사용가능하도록 신뢰성(Reliability)를 높여주기 위해 실제 사용상태보다 높은 전압, 전류 등의 Parameter를 가하여 장시간 Over Stress를 행하는 Test.

Burner [반도체]
고압의 공기 또는 증기를 사용하여 고점도의 액체 연료를 무화시킨 후 분사시키는 장치.

Burnt [반도체]
Burn-in 중 Device 결함 혹은 외부의 과도한 전기적 Stress로 인하여 High Current가 Device내부를 흐름으로 인해 Device가 고온으로 가열되어 깨어지거나 변색되는 현상.

Bus [반도체]
정보전달 장치 사이에서 정보가 전달되기 위한 길.

Bus Clock [반도체]
Slot에 장착되는 기존의 ADD-ON Card에 호환성을 유지하기 위하여 I/O Channel에 공급되며, 24MHz의 주파수를 3분주시켜 8MHz를 Bus Clock으로 사용하고 있다.

BVcob(Collector-Base Breakdown Voltage with Emitter Open) [반도체]
에미터 단자 Open 상태의 콜렉터-베이스간 역전압, 에미터 회로를 개방하고 Collector와 Base 단자사이에 Breakdown이 일어나기 전까지 가할 수 있는 최대 역방향 바이어스 전압.

BVcer(Collector-Emitter Breakdown Voltage With Specified Resistance) [반도체]
베이스 단자와 에미터 단자간 일정한 저항을 연결한 상태에서의 콜렉터-에미터간 역전압.

BVces(Collecter-Emitter Breakdown Voltage With Emitter Short-Circuited to Base) [반도체]
베이스-에미터간을 Short한 상태에서의 콜랙터-에미터간 역전압.

BVcev(Collector-Emitter Voltage with Specified Reverse Voltage Betweem Emitter And Base) [반도체]
에미터-베이스간 역전압인가 상태에서의 콜렉터-에미터 전압.

BVebo(Emiitter-Base Breakdown Voltage With Collector Open) [반도체]
Collector 단자 open 상태에서의 에미터-베이스간 역전압.

Byte [반도체]
보통 8개의 Bit를 1Byte라 하며 Computer에서 한개의 숫자나 문자 또는 부호를 나타내는데 쓰이며 Word의 한 단위로 사용된다.

CAD(Computer Aided Design) [반도체]
컴퓨터에 기억되어 있는 설계 정보를 그래픽 디스플레이장치로 출력하여 화면을 보면서 설계하는것(컴퓨터을 이용하여 설계를 하고 도면을 그려내는 것).

CAD Software [반도체]
반도체 제품의 설계  및 개발업무에 관련된 CAD  Program을 총칭한다.

CAE(Computer Aided Engineering) [반도체]
CAD로 만든 모델의 성능을 컴퓨터 내에서 상세하게 검토하여 그 데이터를 토대로 모델을 수정하는  System(컴퓨터를 이용하여 모의 실험(Simulation)을 하는 Tools).

CAI(Common Air Interface). [반도체]

CAI(Computer Assisted Instruction) [반도체]
교재나  학습용 프로그램을 바탕으로 컴퓨터를 통해 대화식으로 학습하는 것을 말함.

Calibration [반도체]
최고 정도의 국가표준원기와의 소급성(Trace ability)유지를 위하여  하위급의 표준기기 또는 정밀 계측기기를 정밀한 정밀측정 절차에 따라 비교검사하여 하위계측기기의 정밀, 정확도에 대한 편이를
검출, 조정하고 수정하는 행위를 말함(교정).

Calibration Interval [반도체]
계측기기의 주어진 정밀, 정확도를 유지하기 위한  교정 유효 기간으로  교정일로부터 차기 교정일까지의 기간을 말함(교정 검사 주기).

Calibration Master Standard [반도체]
2차급 이하의 교정검사 기관 및 산업체가 유지 해야 할 표준기로써 공장용 기준기  및 정밀계측기기의 교정 및 검증에  사용되는 표준(교정 검사용).

CAM(Computer Aided Manufacturing) [반도체]
컴퓨터 이용에 의한 제조방법으로서, CAD System으로 설계한 설계도의 데이터를 토대로 NC(Numerical Control: 수치제어)공작 기계 등의 생산  설비를 제어하여 제품을 생산하는 장비.

Capacitance [반도체]
전하를 축적할 수 있는 용량.

Capatiance Voltage Characteris [반도체]
MOS 구조에 있어, 반도체 기판의 상태, 산화막 속의 오염상태, 반도체 기판과 산화막과의 계면상태  등을 알기 위하여 사용되는 용량과 전압의 특성. MOS 구조에 있어서는,  금속전극에 가한 전압에 의해, 산화 silicon막 아래의 반도체 표면상태가  축적상태, 공핍상태, 안정상태로 변화한다.

Capacitor [반도체]
전하를 저장할 수 있는 제품(콘덴서).

Capillary [반도체]
Wire Bonding 공정에서 Chip과  Lead Frame의 Load를 Wire로 연결시키는 도구.

CAPS(Computer Aided Publishing System) [반도체]
컴퓨터 출판 시스템.

Capture Center [반도체]
캐리어를 일시적으로 잡아두는 금지대 속의 에너지 준위.

Carrier [반도체]
전류를 구성하는 기본적인 주체(전자, 전공).

Carrier [반도체]
Wafer를 담는 용기로 25장을 담을 수 있는  홈이 있다. 종류로는 청색 캐리어(Blue Carrier), 흑색 캐리어(Black Carrier), 백색 캐리어(White Carrrier), 금속 캐리어(Metal Carrier)가 있다.
1) Blue Carrier : Poly Propylene 재질로 되어 있으며, 색은 청색임.                               화공약품에는 강하나 열에 약함.
2) White Carrier : Teflon 재질로 되어 있으며, 색은 백색임.
화공약품과 열에 모두 강하며 가격이 비싸고 무거움.

Carrier Generation [반도체]
열평형 상태에서 반도체에 있는 carrier들은  주위 온도에 대응하는 평균 열에너지를 가진다. 이 열에너지는  Valence Electron들중 일부를  Conduction Band로의 천이과정 속에서 Electron과 Hole의 쌍을 생산하게 된다. 이 과정을 Carrier Generation이라고 한다.

Carrier Handler [반도체]
Wafer를 취급하는 도구.

Cart  Wafer [반도체]
strage box를 운반하는 도구.

Cascade [반도체]
3단으로 되어 있는 작은 폭포로써 순수한 물(D-I  Water)이 흐르면서 바닥으로부터 질소가 분출되도록 만들어져 있어 Wafer를 헹구는 장치.

CASE  Computer Aided Software Engineering. [반도체]

Cash Memory [반도체]
Main memory와 CPU 사이에서 마련한 고속의 기억장치.

CAT(Category) [반도체]
Bin과 같은 개념임.

CATV(유선텔레비젼) (Cable Television) [반도체]
난시청을 해소하기 위한 대책으로 개발된 것. 동축 케이블 등으로 국과 가정을 연결하여 양질의 채널을 확보함으로써 방송 및 기타 정보 서비스에도 자주 이용된다.

Cavity [반도체]
금형내에 PKG를 형성하게끔 만드는 PKG 모양의 동공.

Cavitation [반도체]
운전중인 pump에서 물의 온도에 의하여 증기압보다 낮아져 물 속의  공기, 수증기가 분리, 기포가 발생하여 공동을 만드는 현상.

CBIC(Cell Based IC) [반도체]
MASK를 제작하여 공정을 거치게 하는 설계방식으로써 CAD software를 이용하여 Library를 배치·배선한다.

CBR(CAS Before RAS) [반도체]
RAS가 Low 되기전에 CAS가 Low되어 Refresh가 일어난다.

CC(LIM Central   Controller) [반도체]
STC로부터 공정간 반송  지령을  받아서 stocker간의 cassette 반송을  제어한다.

C&C(Computers and Communications) [반도체]
컴퓨터 기술과 통신기술의 완벽한 조합.

CCD(Charge Coupled Device)  전하결합소자(電荷結合素子). [반도체]
미국 벨연구소가 개발한 새로운 반도체 소자이다.  종래의 트랜지스터  소자와 달리 신호를 축적(기억)하고 전송하는  2가지 기능을 동시 갖추고 있다. 사람의 눈(目) 역할을  하는 전자 눈으로도 각광을 받고 있다.

CCM(Cell Control Manager) [반도체]
Factory Automation System에서 Host Level의 program군(群)으로서 일련의 공정들을 제어한다.

CCST(Constant Current Stress Time) [반도체]
Dielectric Film의  Life time을 측정하는 방법을 TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)라 하는 데  이는 일정한 시간을 측정하는 방법이다.  그 중 CCST는 보통 단위 면적당 100mmA/㎠ 의 일정한 전류를 Plate Poly에 가해 Dielectric  Film의 Breakdown이 일어나는 시간을 측정하는 방법.

CCTV(페쇄회로 텔레비젼 Closed Circuit Television) [반도체]
동축 케이블이나 마이크로 웨이브 링크(Micro Wave Link)등 제어접근이 가능한 다른 전송매체만을 방송신호로 사용하는 텔레비젼.

CD(Critical Dimension) [반도체]
사진공정과 식각공정을 진행한 후 규정된 규격에 의해 공정이 진행되었는지 점검할 때 사용.
1) ADI(After Develop Inspection) : Wafer 현상후 현상부위의 폭이나 가격을 잰값.
2) ACI(After Clean Inspection)   : Wafer 식각 및 Strip 후 식각부위의 폭이나 가격을 잰값.

CD-ROM(재생전용 Disk : Compact Disk Read Only Memory) [반도체]
CD(광디스크)처럼 공장에서 제조시 기록한 정보만을 읽을 수 있는 Disk.

CDI(Collector Diffusion Isolation)   바이폴라 IC에 필요한 분리법으로  IC의 집적도를 높이기위해  분리에 필요로 하는 면적을 되도록 작게 하는 방법이다. [반도체]

CDP(Career Development Plan) [반도체]
파벌이나 인간관계에 기초한 인사이동이 아니라 사원의 자기실현에 대한 희망, 장래의 목표 등을 듣고 능력이나 경험을 정확히 파악한 다음 계획적으로 직장의 훈련이나 연수를 진행시켜 가는 제도.

CDP  Compact Disk Player. [반도체]

Cell [반도체]
RAM이나 ROM 등 IC의 가장 작은  기억소자를 말하며 보통 Transistor,  Capacitor, Resistor 등으로 구성되어 있고 1Bit의 정보를 저장할 수 있다.

Cell [반도체]
급. 히스토그램의 축을 따라서 관측된 개별 값들을 정해진 경계치내로 집단화한 것을 말한다.

Cell Boundaries [반도체]
급경계. 급 내에 포함될 모든 값들을 포함하는  급의 양단 값을 말한다. 일반적으로 급경계치는 그려질 data 보다 더 중요한 의미를 갖는다.

Cell Deviations(d)  급간 편차. [반도체]
계산을 쉽게하기 위해, 보통  모든 급의 중심치로부터 상수 A를 빼는  방법에의해 data를 부호화하는 것이 바람직하다.  A와  같도록 선택된 급의 중심치 Xm은 급의 중앙을 나타낸다. 모든 다른  급들은 그들이  중앙 급으로부터 떨어져 있는 급의 수로 나타낸다. 중앙  급은 Xm=A이기 때문에 그 거리 d=o이다. A보다 큰 값을 갖는 급은 '+', A보다 작은 값을 갖는 급은 '-' 값을 갖는다.

Cell GAP [반도체]
LCD의 액정이 주입되는 앞  유리기판과 뒷 유리기판 사이의 폭, 즉 액정층의 두께를 의미한다.

Cell IMP [반도체]
Mask  ROM에 있어서  한 Bit의  저장정보 상태를  결정하여 주는 Implant 공정을 말하며, P-Well의 경우 Boron을 주입하여 TR을 compensate시켜 문턱전압을 상승시킴

Cell Interval(i) [반도체]
급 구간(간격). 급경계 사이의 거리를 말한다.

Cell Library [반도체]
고유의 function을 갖는 primitive cell인 NAND, NOR, XOR 등을 지칭하는 것으로서 각각의 Cell에는 Logic Symbol, Electrical data와 Layout이 한 조로 구성되어 있다.

Cell Midpoint(Xm)  급 중심치. [반도체]
두 급 경계치 사이의 평균값을 말한다. 일반적으로 급에서 관측된 모든 값들의 중심값을 말한다.

Ceramic [반도체]
비금속의 비정질 재료를  칭하는 것이나 일반적으로 유리를  포함하지 않는 것이 보통이다.

Cer-DIP(Ceramic Dual In-Line Package) [반도체]
재질이 Ceramic이며 Lead 배열이 양쪽인 PKG.

Certification [반도체]
교정된 계측기기가 주어진 기준치와 일치됨을 인정하거나 측정값을 보증하는 행위를 말함(검증).

Centeral Line  중심선. [반도체]
관리도상에서 오랜기간 동안의 평균을 표시하거나 관리도 위에 찍히는 통계적 측정치들의 기준이   되는 값.

Central Processing Unit(CPU) [반도체]
중앙처리장치.

CG(Computer Graphics) [반도체]
컴퓨터 그래픽스. 컴퓨터에 의한 화상처리.

CGA(Color Graphics Adapter) [반도체]
IBM PC용으로 제공된 최초의 2개의 디스플레이 보드들 중의  하나이다. (나머지  하나는 흑백 디스플레이/프린터 어댑터(MDA)) 최고 640*200그래픽스(흑백)를 가지고 있어 기껏해야 80행*25열의 텍스트만을 표현할 수 있다.

Chance Cause(Random Causes)  우연원인. [반도체]
일반적으로 다수이며, 개별적이고, 상대적으로 덜 중요한 요소이지만 산포에 영향을 끼치는 원인을 규명할 수 없는 요소들.

Chance Variation(Random Variation)   [반도체]
우연원인에 기인한 변동.

Channel [반도체]
MOS Transistor의 Gate아래 부분으로 다수 반송자를 형성하여 전류가 흐른 길.  P-Channel, N-channel 두가지가 있다.

Characterization Testing [반도체]
특성 분석을 의미하며, 제품이 전기적 규격을 만족하는지 여부보다 실제 측정치가 전압, 온도 등에 따라 어떠한 특성이 있는지 분석 시험하는 것을 말한다. 따라서  test time은 크게  부각되지 않으며,  가장 정확한 data를 얻는 것에 주안점이 있다.

Charge   [반도체]
전하.

Charge Coupled Device(CCD)   [반도체]
전하 결합소자.

Chip [반도체]
전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어있는 작은(한변길이  0.5-10㎜정도) 포장되기 직전의 얇고 네모난 반도체 조각(Die와 같다). 수동소자, 능동소자, 또는 집적회로가 만들어진 반도체.

Chip Select [반도체]
많은 LSI 칩중에서 특정의  칩하나를 선택하는데 사용되는 LSI의 입력단자나 신호.

Chip-Set [반도체]
System을 구성하는 다수의 component(TTL, Controller, PLL 등)를  여러개 혹은 하나의 chip으로 구현한 것. 따라서 chipset은 그에 맞는 다수의 system solution 및 software와 함께 제공되어진다.

Chiral [반도체]
거울에 비친 분자의 상이 원래의 상과 다른 것을 의미한다.

Chiral Nematic Phase [반도체]
액정상으로는 콜레스테릭 액정과 같은 것의  별칭이다. 당초 이 종의 액정상에는 cholestric 유도체 특징이 보임에 따라  콜레스테릭상이라는 명칭이 이용되었지만 그 후 네마틱상을 주는  화합물과 유사구조의 카이랄 화합물이 같은 콜레스테릭상을 주는 데서 명칭이 붙었다.

Chiral Pitch   네마틱 액정에 카이랄제를 첨가하면 분자 배열 나선 구조를 갖는다. 이 나선의 주기를 말한다. [반도체]

Chokralsky Method  Chokralsky가 고안한 단결정 반도체 제조방법. [반도체]

Chromaticity(色度) [반도체]
색 평가는 일반적으로 색상, 명도, 채도의 3요소로서  행해지지만, 이것들을 총칭해서 색도라고 부르고 있다.

Chrome Mask [반도체]
Mask의 한 종류로 유리 원판위에 chrome(금속) 박막으로 회로가 인쇄된 Mask.

Chuck [반도체]
공작 기기에서 작업물 또는 공구를 고정하기 위한 장치를 말하며,  반도체 공정에서는 Wafer Test시 Wafer를 고정시키고 적절한 온도를 가해주는 원형으로된  Prober의 특정부분을 의미한다.

Chuck Table [반도체]
절단작업을 하기 위하여 Wafer를 올려놓는 치구를 말함(진공으로 고정시킬 수 있게 되어 있음)

CHW(Chilled Water) [반도체]
냉동기에서 열을 빼앗겨 차거워지는 냉수로서 공기조화에 사용됨.

CIM(Computer Integrated Manufacturing) [반도체]
제조업체 있어서  기술, 생산, 판매의 제기능을 경영전략하에서 통합하는 정보시스템이다.

CIQ  Customs Immigration Quar의 약칭, [반도체]
출입국 때 반드시 쳐야 하는 3대  수속.

CISC(Complex Instruction Set Computer) [반도체]
여러 명령어가 복합적으로 존재하는 상태에서 동작이 전개되는 컴퓨터로서 종래부터 전통적으로 쓰여오고  있는 컴퓨터.

Clad [반도체]
비교적 얇은 금속층이 양쪽면에 결합이 된 기본재(Base Material)의 상태.

Claim [반도체]
수입업자가 상대방인 수출업자에 대해 계약을 완전하게 이행하지 않았다는 이유로 지불거절, 지불연기 또는 손해배상 등을 요구하는 것을 말한다.

Clamp Pressure [반도체]
조임쇠 압력, 상하 금형을 맞 물리는데 필요한 압력.

Clean Class(청정도) [반도체]
청정실내에 공급되는 공기중의 Particle 관리정도에 따라 등급을 정한것.  1M DRAM의 청정실은 0.1㎛의 Particle를 기준으로 결정.  통상 0.5㎛이상의 공중입자가 1ft3 체적내에 있는 Particle의 수를 말함.

Cleaness [반도체]
청정도. 먼지나 오염물질의 오염정도를 표시하는 기준.

Cleaning [반도체]
Wafer나 Carrier 등을 화공약품 및 순수한 물(D.I  Water)을 이용하여 깨끗하게 하는 것을 말함.

Clean Paper  먼지가 발생하지 않는 종이. [반도체]

Clean Room(청정실) [반도체]
공기의 온도, 습도 및 Particle이 작업공정에 적합하게 인위적으로 조절 관리되는 실내공간.

Clearance Hole [반도체]
기판기본재에 형성이 되어 있는 홀과 동일한 축을 형성하고 있으나  크기는 더 큰 전도성회로층에 형성되어 있는 Hole.

Clinched Lead [반도체]
기관의 홀속에 삽입되어 솔더링이전에 부품이 떨어져 나가는 것을 방지하는 역할을 하는 리드.

Clock Pulse [반도체]
논리회로에서 일정한 주기의 펄스를 게이트의 1개  입력단자에 가해두고  이 펄스와 AND를 잡음으로써 시간의 규제와 파형의  정형을 하는 경우가  많은 데 이와 같은 펄스를 Clock Pulse라고 한다.

Cluster [반도체]
터미날 또는 컴퓨터화된 시스템으로부터 일반적인 통신통로를 분배하는  입출력 장치들의 집단. 이것은 컴퓨터와 클러스터간의  설비사이에 정보의 흐름을 관리하는 로칼 클러스터 콘트롤러에 의해 운영된다.

C-MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) [반도체]
N Channel, P Channel의 두 MOS Transistor가 합해서 기능을 발하는 복합체로써  낮은 전력소모와 높은 Noise Margin 기타 신뢰성에 잇점이 있다.

C2MOS   [반도체]
Clocked CMOS. 시계용 CMOS.

C-Mos 외검 검사표 [반도체]
Lot 크기의 단위 및 불량 항목을 나타내는 표.

CMS(Central Monitoring System)  중앙 감시장치. [반도체]

Coating [반도체]
감광막, 절연막 또는  금속막을 Wafer 표면에 균일하게  증착하는 (바르는)과정.

COB(Chip on Board) [반도체]
PCB Board에 Die를 붙인 것.

Cob(Collector Capacitance) [반도체]
콜렉터 용량 Collector- Base 간의 PN접합 용량.

CO2 Bubbler  Wafer [반도체]
고압 세정시 정전기 발생을 억제하기 위하여 CO2를 공급하는 장치.

CO-Processor [반도체]
Main processor에서 제공하지 못하는 특정용도의  instruction을 가진  processor. Main processor와 함께 사용되어, floating-point 연산을  하는 match-coprocessor, graphic 기능을 하는 graphic coprocessor 등이 있다.

CODEC(Coder and Decodr) [반도체]
ADC와 DAC를 one chip화한 IC.

COG(Chip On Glass) [반도체]
액정 패널의 유리기판위에 드라이버  대규모 집적 회로를 직접 내장하는 방식으로, 초박형, 경량화로 인해 접속피치의 미세화에 대응하는  새로운 실장방식이다.

Cold Solder Joint(콜드솔더결합) [반도체]
불충분한 가열 및 솔더링의 불충분한 세척이나 솔더의 오염으로 인하여  솔더표면이 젖고 균일하지 못하며 구멍이 많은 상태의 솔더 결합.

Cold Test [반도체]
제품을 강제로 저온상태에서 검사하는 것 (-18℃ 이하).

Collector [반도체]
접합 Transistor에서 출력이 나오는 부분.

Collet [반도체]
Chip을 Lead Fram에 접착시키는데 Expanding Tape에 접착된 Chip을  Lead Frame에 붙이는 도구.

Color [반도체]
적(R) 녹(G) 청(B)의 색소를 가지는 표시체를 가리킨다. 각 화소가  0 또는 1의 무계조 혹은 저계조이면 multi 칼라라고  부르고, 계조수가 영상을 표현할 정도로 많으면(64 level이상) full 칼라라고 한다.

Column [반도체]
액화된 공기를 비점차에 의해 질소와 산소,  아르곤 등으로 분류시키는 정류탑.

Column성 Fail [반도체]
Device Test결과 일정한 Y Address, 변화하는 X Address를 갖는 Cell들이  연속적으로 Fail된 경우.

Combinational Circuit(조합회로) [반도체]
기본 게이트인 NAND, NOR 등을 조합한 비교적 기본적인 Digital 회로.

Common [반도체]
전기를 공급시키는 단자중 접지되는 공통단자를 의미함(Ground).

Comparator [반도체]
두 개의 입력을 받아서 그 진폭의 크기를 비교하여 요구되는 신호를 선정하는 비교증폭기.

Complementary Circuit(상보형 회로) [반도체]
바이폴라 또는 유니폴라로서 극성이 반대인 TR을 접속하여 하나의 기능을 갖게하는 회로를 말한다.

Compound [반도체]
선 연결된 반제품을 포장하고 성형 재료로서 화합물인 수지에  각종  배합제를 가하여 성형가공하기 쉽게 만든 열경화성 수지.

Compound Semiconductor  화합물 반도체. [반도체]

Component(컴포넌트) [반도체]
개개의 부품을 뜻함. 혹은 함계 결합되어지면 일정한 기능을 수행할 수  있는 부품들의 조화된 상태를 말함.

Component Density(컴포넌트 밀도) [반도체]
기관의 단위면적당 부품의 양.

Component Lead Hole(컴포넌트 리드 홀) [반도체]
부품단자를 전기적으로 연결시키거나 부착시키는 역할을 하는 홀.

Component Pin(부품핀) [반도체]
부품으로부터 연결이 되어 기계적이나 전기적인 연결을 한다.

Component Side(부품면) [반도체]
인쇄회로기판 중 대부분의 부품들이 실장되는 면.

Compound Device [반도체]
하나의 케이스속에 2개 이상의  회로소자를 포함하는 것을 복합부품이라고 한다.

Compressor  공기압축기. [반도체]

Computer Network  컴퓨터 네트워크. [반도체]
복수의  컴퓨터 혹은 1대의 초대형기와 다수의 단말기를 통신회선으로 연결하여 효율적인  데이터 전송을 하기 위한  통신망.

Computer Virus  컴퓨터 바이러스. [반도체]
정상적인 컴퓨터 내에  침입해 데이터나 파일을 파괴하거나  다른 프로그램을 못쓰게 만들어 버리는 악성 프로그램.

Condenser(콘덴서) [반도체]
기본적으로 2장의 전극사이에 유전체를 둔 구조.

Conductance [반도체]
저항의 역수로서 도전도라고 하며 전류가 흐르기 쉬운 정도를 말한다.  교류회로에서는 어드미텐스 Y가 Y-G-jB로 표시되는데 이식의 G가 컨덕텐스이다. 병력 컨덕텐스위 합성치는 각 컨덕텐스의 합이 되므로 병렬회로의 계산에 이용하면 편리하다.

Conduction Band(전도대) [반도체]
결정이 갖는 전자의 에너지  상태를 에너지대로 표현했을 때 가장  에너지 값이 작은, 즉 맨위에  있는 에너지대로서 수용 가능한 수의 전자로 충만되어 있지 않은 상태에 있는 에너지대.

Conductivity(전기 전도도) [반도체]
전기가 통하기 쉬운 정도를 나타내는 양으로 전기 저항의 역수이다.

Conductor(도체) [반도체]
전기가 통하는 것(비저항이 10E -6 ∼ -4㎝ 정도의 범위).

Conductor Side(회로면) [반도체]
단면 인쇄기판 중 회로를 포함하는 면.

Conductor Spacing(회로간격) [반도체]
회로면에 있어서의 회로와 회로의 간격.

Contact(TEST) [반도체]
통상 Continuity Test라고 칭하며, tester interface와 device  사이의 접촉 혹은 연결이 정확히 되었는가를 확인하는 것이다.  이 Test는 보통 각 IC pin의 protection diode에 순방향으로  전류를 인가하고 전압을 측정함으로써  가능하다.

Contact Potential(접촉전위) [반도체]
일반적으로 두 종류의 금속을 접촉시키면 한쪽에서 다른쪽으로 전자가  이동하여 두 금속간에 전위차가 생기는데 이 접촉 자체로부터 유기되는 두 물질간의 전위차를 접촉전위라고 한다.

Contrast Ratio [반도체]
디스플레이상에서 일정 조건의 빛을 조사할  때 액정 표시기의 밝은 부분과 어두운 부분의 정도의  명암의 대조를 의미한다. 즉  화면의 백과 흑 각각의 경우의 광의 투과량의 비에 의해 정의된다.

Concuctor Width(회로폭) [반도체]
기판의 위에서 회로를 내려다 보았을 때의 가장 넓은 부분.

Conformal Coating [반도체]
기판의 부품결합이 완전히 끝난상태에서 표면을 절연체로 실시하는 코팅.

Confounding [반도체]
교략. 타인자나 Block 인자 또는 교호작용에 의한 효과와 인자간의 미소한 효과나 인자의 주효과가 구분되지 않고 결합(혼합)되는 것을 말한다.

Connector Area(단자부) [반도체]
외부와 전기적으로 연결될 수 있도록 사용되는 부분.

Console [반도체]
컴퓨터 시스템의 일부분으로서 관리자 또는 조작원과 컴퓨터 사이에 대화(연락)을 할 수 있는 장치.

Contact Resistence [반도체]
Metal과 Wafer표면 접합부의 전기적 저항 크기.

Contact Spacing(접촉간격) [반도체]
인접단자 각각의 중간선 간의 거리.

Contact Spiking [반도체]
Al이 P/N 접합면과 Alloy 되었을 때 Junction이  매우 얇은  Junction을 침범하여 Spike 모양으로 Alloy된 현상을 말한다.

Contamination  오염. [반도체]

Control Chart [반도체]
공정이 통계적 관리상태 인지 아닌지를 평가하기 위한 도식적인  방법으로 관리한계와 통계적 측정치를 비교하여 관리상태를 판단한다.

Control Chart-Standard given  해석용 관리도. [반도체]
관리도상의 점들에 대해 적용 할 수 있도록 채택된 기준값을 근거로 한 관리한계선을 가지고 있는 관리도.

Control Gate [반도체]
2  Polysilicon Stacked   Structure를 가지는 Non-Valatile Memory중 실제적 Gate 역할을  하는 전극으로서, 이 Electrode의  Bias 상태에  의하여 소자의 Program과 Erase가 수행되어 진다.

Control Limit [반도체]
관리한계. data가 안정상태인가 아닌가를 판단하는 기준으로 또는 어떤 조치가 필요한지의 기준으로 사용되는 관리도상의 한계.

Continuous Sampling Plan [반도체]
연속 Sampling법. 개별단위체의  합·부판정을 포함하고 전수검사의  선택적 주기와 검사제품의 품질에  따라 sampling을 적용하는 개별 제품단위의 연속체에 적용하기 위한 sampling 계획을 말한다.

Conventional Memory [반도체]
DOS에 의해 인식되고 관리될 수  있는 Memory 영역을 말하며  640KB로 제한되며   Base  Memory라고도 한다.  그 이상의   영역은  Expanded Memory와 Extended Memory를 동시에 사용할 수 있다.

Converter [반도체]
1) 주파수 변환의 동작을 하는 회로.
2) 직류의 전압을 바꾸는 장치.

Cooker Test [반도체]
용기속에 물을 넣고 거기에 TR, Diode, IC 등을 함께 넣어서 뚜껑을 밀폐하여 가열하는 시험.

Coplanar Structure [반도체]
트랜지스터 공정에서 게이트와 소오스드레인 전극이 활성층의 위에 있는 구조.

Core [반도체]
Embedded IC에서 Micro-operation과 ALU 등의 CPU기능을 하는 핵심  Block을 주변회로(Peripherals)에 대응하여 Core라 한다.

Correlation [반도체]
검사장비의 상태를 점검하고 검사되는 제품이 정확히 검사되는지를  확인하기 위하여 점검하는 시점을 기준으로 그 이전의 장비상태를 비교하는 방법.

Correlation Coefficient 상관계수. [반도체]
두 변수들 간의 직선관계의 정도로 -1에서 1사이의 숫자로 나타난다.   +1이나 -1의 상관계수는 두 변수가 완전히 직선관계임을 나타내고  r=0이면 상관 관계가 전혀 없음을 나타낸다.

Corrosion(부식현상) [반도체]
Al식각 후 Etchant Gas에 의해 Al2O2가 되어 Metal이 부식되는 현상.

Cosmetic Appearance(외관 규격) [반도체]
액정 패널의 외관성의 규격을 결정하기 위한 것으로 액정 표시소자의  응용분야 및 고객의 요구 정도에 따라 A급, E급, B급 으로 나누어진다.  A급은 자동차용 Instrument panel 등 주요고객, E급은 산업용
(Car-audio), B급은 Game기용 등이다

Covalent Bond(공유결합) [반도체]
몇 개의 원자가 모여서 분자를 이룰 때 양쪽 원자에서 전자가 하나씩 쌍을 이루어 결합하게 되면 매우 안정하고 강한 결합력을 가지게 된다.  이것은 서로 상대방의 원자가 갖는 전자를 공유하는 결합상태이므로 공유결합이라 한다.

Covariance  공분산. [반도체]
(σxy는 모집단들, sxy는 시료들 사이의 공분산) 두변수들 사이의 상관관계 정도.

Cooling Water [반도체]
냉동기에서 냉매의 압축열을 흡수하는 냉각수(CW).

CP/M(Control Program For Micro-Computer) [반도체]
8비트 및 16비트  개인용 컴퓨터의 표준운영체제.

CPM(Central Particle Monitoring System) [반도체]
중앙집중식 먼지관리 System.

CPO(Customer Product Operation) [반도체]
소비자 요구 수준 만족을  위한 Device의 특수 Test를 말하며 이는 Customer의 Special Spec을 적용함.

CPS(Characters Per Second) [반도체]
1초간에 전송할 수 있는  숫자수, 주로 프린터가 1분간 프린트할 수 있는 능력(속도) 나타낸다.

CPU(Central Processing Unit) [반도체]
Computer의 일부분으로서 명령을 수행하기 위한 지시나 제어, 연산기능을  갖고 있는 부분으로 인간의 두뇌에 해당하는 부분.

Crack [반도체]
금감. 즉, 절단시 충격, 또는 Stress차에 의한 Chip, 막질 혹은  PKG 몸체에 금이 가는 현상.

Cradle [반도체]
Chip Mount를 연속적으로 하기위해 사용하는 금속 리본을 말하며 베이스 리본, 콘 따위와 같은 것이다.

Crazing [반도체]
밀착된 기초재의 내부에서 화이버교차시 교차부분에서 화이버가 분리되는 상태.

Critical Energy [반도체]
Ion 주입시 Beam Energy의 크기가  높아 불순물이 Mask막질을 투과하여 Implant되는 위험 Energy를 말함.

Cross Section(절단면) [반도체]
절단면을 말하며, 여러 가지 Layer로 형성된 Pattern의  모양을 관찰하기 위해 Layer의 수직방향으로 잘라놓은 단면모양.

Cross Talk [반도체]
시그날회로 사이에서의 에너지로 서로 영향을 미쳐 방해를  일으키는 상태.

Cross-over [반도체]
IC가 복잡해지면 배선을 입체적으로 교차시키는 것을 말한다.

Crow Feet [반도체]
WF 표면의 새 발자국 형태의 결함.

Crystal Osillator [반도체]
수정 진동자의 안정성과 압전현상을 이용하여 전자회로의 발진기를 형성시키는 것.

CTN(Complementary TN) [반도체]
각 화소의 액정분자에 두 가지 상반된  방향을 주어 보다 넓은 시야각을 가능케한 특수 유형의 LCD 결정.

CUM GRAPH(Cumulative Grapth) [반도체]
임의의 data를  통계적으로 관찰하기 위해 전체 data의 수를 정규화하고  data의  값에 따라 누적하면서  도식화한 그림.  Wafer내의 각 die에  관한 정보와 같은 행열 구조의 data를 통계적으로  관찰하기 위해 동일 위치의 die(element)의 data를 누적하여 전체  행열(wafer)의 분포를 볼 수 있게 한 그림.

Cumulative Frequency Distribution [반도체]
누적 도수분포. 특별한  급경계치보다 크거나 작은 발생 빈도를 갖는 개별 관측치들의 조합을 말한다.

Cure [반도체]
경화, 즉 PKG를 인쇄후나 성형후에 단단하게 굳히는 작업.

Custom IC [반도체]
고객(Custom IC)의 주문에 의한 사양으로 작성되는 IC.

Customer Layer [반도체]
ASIC process의 일부로서 수많은 gate를 array상에 배열하는  base array  process가 완료된 후  이를 user가 요구하는 기능에 맞추어 각 gate를 연결하는 배선 process라 할 수 있다.

CUT-OFF Frequency [반도체]
액정 소자가 어느 이상의 주파수로 인해 교류 구동으로 추종할 수 없게 되는 한계 주파수를 의미함.

Cut Stroke   [반도체]
절단범위.

CV(Cleaning Vacuum) [반도체]
청소용 진공으로서 라인내 청소시 사용된다.

CV(Count Variance)  수량차이. [반도체]

CVD(Chemical Vapor Deposition) [반도체]
APCVD 상압증착, LPCVD  저압증착방식 등으로 분자기체를 반응시켜  Wafer  표면위에 Poly나 Nitride, PSG,  BPSG, LTO 등의 막질을 형성시키는 공정.

C-V Plot(Capacitance Versus Voltage Plot) [반도체]
Wafer의 정전용량 특성을 도면화하여 산화막의 막질평가, 오염도(정전용량, 두께, 문턱전압,  농도)를 파악하는 기법.

CVST(Constant Voltage Stress Time) [반도체]
절연막의 신뢰성을 측정하는 한 방법으로 일정한 전압을 인가하여  절연막이 깨질때까지의 시간을 말함.

Cycle [반도체]
Function Test에서 패턴이나 벡터를 Device에 인가하고 다음번 패턴이나 벡터를 인가하기까지의 시간.

Cycle Time [반도체]
주기적으로 일어나는 연속동작의 최소시간 간격을 말한다.

CRT(Cdthode-Ray Tube) [반도체]
가장 고전적인 화상 전달방법으로 브라운관으로 알려져 있다.

Cryo-Pump [반도체]
고진공 펌프로써 극 저온에 의한 Gas 흡수 및 흡착식 펌프.

CQ(Conditional Qualification) [반도체]
조건부 양산 승인.

CT(Cardless Telephone) [반도체]

CTE(Coefficient of Thermal Expansion) [반도체]
열팽창 계수.

CTM(Clean Tunnel Module) [반도체]
천정  전체를 Hepa Filter를 사용하여  최적의 Clean Room을 유지시킬  수 있는 공조방식으로 A Class까지 유지할 수 있다. 풍속은 약 0.3m/s  정도이며 환기 회수는 약 700회/h정도이다. 바닥  Grating사용으로  Down Flow로 하는 것이 가장 좋은 Clean 유지를  할 수 있고, 그 외  수평형이나 Hepa Box를 사용한 난류형으로도 사용된다.

CTS(Computerized Typesetting System) [반도체]
전자식자 조판 시스템으로  설명되며 출판물의 제작에 있어  편집과  조판과정을 표준화하고 전산화하여  편집부와 조판부, 인쇄부를 컴퓨터로 연결하는 것이다.

CU(Control Unit) [반도체]
Timing, 제어신호를 생성.

Culvert [반도체]
용역동과 각 라인 및 기타동에 유틸리티를 공급.

D(Demerit) [반도체]
Quality score의 가중치를 얻기 위한 수단을 제공하기 위해서 사건이나 사상의 구분을 위해 정해놓은 가중치.

D-A 변환기(Digital to Analog  Converter) [반도체]
디지탈 신호를  입력으로 하여 Analog신호를 출력으로 꺼내는 회로를 말한다.

DA(Die Attach) [반도체]
Die를 Lead Frame에 접착시키는 공정.

DAC(Digital to Analog Converter) [반도체]
Digital 신호를 Analog  신호로 변환하는 변환기.

D. C Characteristic [반도체]
Device의 Status에 따라 흐르는 Current 특성을 말하며,  Device 동작 Status별로 구분되어 있음.

DAD(Digital Audio Disk) [반도체]
오디오 신호를 디지틀로 변화시켜  기록한 Disk를 말한다.

DAE(Dynamic Asian Economies) [반도체]
한국, 대만, 홍콩, 싱가포르 등 아시아 신흥 공업 경제권이란 말 대신 경제협력개발기구가 새롭게 사용한 용어이다.

Daisy Chain [반도체]
복수의 주변 LSI에 입력요구가 동시에 발생할  때 우선순위를 결정하는 회로.

Dambar [반도체]
PKG Lead의 상단 부분을 연결하는 가로축 Bar.

Dark Current(암전류) [반도체]
무신호시에 흐르는 전류로서 차단전류와 같은 것이다

D.A.T.A. [반도체]
미국 Derivation And Tabulation Associates Inc.에서 발행하고 있는  규격 일람표.

Data [반도체]
모든 정보 숫자, 문자 등으로 통신기기나 Computer에서 처리되는 자료.

Data Base [반도체]
데이터를 저장하는 곳으로써 주로 disk storage가 사용되며 저장하는  방법과 저장된 데이터를 꺼내는 방법에 따라 여러가지 DB가 있으며  오늘날 많이  사용되는 DB는 relational  data base나  object
oriented data base다.

Data Base Management system [반도체]
데이터 베이스를 관리해 주는 S/W 시스템을 말한다.

Data Compression [반도체]
영상이나 음성 등의 실제 데이터는 그 모양이 매우 크므로 저장이나 통신하기에 어려움이 있다. 그런 데이터의 양을 줄이는 기법을 일컬으며  그 방법에는 원래 데이터에 전혀 손실을 주지 않는 data lossless  compression과 사람의 시각이나 청각의 한계를 최대한 이용하여  눈과 귀가 인식 못하는 범위내의 데이터를 없애서 압축효과를 나타내는 data losssy compression이 있다.

Data Line [반도체]
매트리스 배열에  입력되는 신호가 들어가는 라인으로  어드레스선과 함께 화소의 on-off 구동한다.

Data-Log [반도체]
검사 진행중에 항목별 내용을 나타내는 것을 말함.

Data Retention Mode [반도체]
휘발성 메모리(DRAM/SRAM)에 데이터를  저장하는 형태로, 일반적으로 시스템  power-off 직후  battery  back-up circuit에 의해 데이터가 메모리 제품이 기억될 수 있도록 하는 최소한의 입력 조건의 상황.

DAT Recorder(Digital Audio Tape Recorder) [반도체]
Compact Disk에 못지 않게 완벽한 원음을 Digital로 Tape에 기록, 재생해  듣는 기기. CDP와는 달리  녹음이 가능하다.

DBF 파일 [반도체]
애쉬톤 테이트의 DBASE 프로그램들에 의해 사용되는 파일상태.

DBP(Deutsche Bundespost). [반도체]

DC(Document Control)   [반도체]
표준 사무국.

DC(Direct Current) [반도체]
반도체 소자의 직류 전압특성.

DC Characteristic [반도체]
Device의 Status에  따라 흐르는 current 특성을  말하며, Device 동작 Status별로 구분되어 있음.

DC Parametric Testing [반도체]
Steady state test로서 OHM의 법칙을 기본으로 하여 전기적 특성이  결정되는 것을 의미한다. 보통 주어진 전압/전류를 인가하고 전류/전압을  측정한다. DC test에는 소모전류(ICC),  누설전류(leakage test), 입력전압(VIL, VIH), 출력전압(VOL, VOH) 등이 있다.

DC PDP(Direct Current Plasma Display Panel) [반도체]
음극과 양극 사이에 프라즈마 가스(Ionized Neon-Argon Gas)를 봉합하고, 양 전극 사이에 직류를  가하여 프라즈마를 발광시켜 신호를 표시하는 소자.

DCW(Dry Cooling Water) [반도체]
FAB에서 순환되는 공기의 온도를 미세하게 조절하기 위하여  Cooling Coil내로 흐르는 물.

DD(Double Die) [반도체]
이중 Die.

Debug [반도체]
불량품, 불합격품을 제거하는 작업 일반.  Debugging, Screening, BURN-IN 이라고도 한다.

Debugging [반도체]
Test Plan에 의해 제시된 내용과 실제 소자에서 나타나는 차이점을  줄여 나가기 위한 일련의 작업이다.

Decay Time [반도체]
네가티브 표시의 경우 최대  콘트라스트비가 100%에서 10%까지  변화하는데 걸리는 시간.

Decel Mode [반도체]
가속에너지를 가하지  않고 추출전압만으로 Ion을 주입하는  형태(에너지 범위0-33kev).

Decoder [반도체]
2진법의 수를 해독(Decode)하여 특정의 출력(10진법의 수)을  선택해내는 회로를 2진-10진 Decoder이라 한다 ↔ Encoder.

DECT [반도체]
(Digital European Cordless Telephone).

Defect(결함) [반도체]
product나 service에 목적한 사용기능을 만족시키지 못하는 심각한 원인이  발생하여 제품의  특성이 목적한 수준이나 상태에서  벗어남. defect는 심각한 정도에 따라 다음과 같이 분류한다.
Class 1 매우심각 : 매우 심한 손상이나 대단히 큰 경제적 손실을 직접 초래
Class 2 심    각 : 중대한 손실이나 경제적 손해를  직접 초래
Class 3 중요결함 : 사용목적을 고려할 때 주요 문제점들과 관련된 결함
Class 4 미세결함 : 사용목적을 고려할 때 하찮은 결함

Deflash  Compound  [반도체]
찌꺼기 제거.

Defocus(촛점불량) [반도체]
사진 공정에서  사용되는 용어로써  감광 원판과 감광물질 (P/R)과의 형상이 불일치되는 촛점의 부정확도.

Delamination(층간들뜸) [반도체]
다층기관의 층간의 들뜸이나 표면동박과 내부기초재간의 들뜸.

Deming Prize [반도체]
미국의 품질고문인  W. EDWARDS DEMING의 이름을  따서 창설된 일본에 있어서의 품질관리상. 이 상의  선정기준은 품질통제방법에 대하여  구체적으로 정해져 있으며 그 기준은 '일본 학자  및 기술자 연합' (JUWSE)에 의해 정해진다.

Delay Time [반도체]
TR의 Switching특성을 스위칭 시간으로 나타낼  때 베이스에 입력 펄스가  가해진후 콜렉터에  흐르는 전류의  출력 펄스가  최대진폭(최종값)의 10%에 도달하기까지의 시간.

Demo [반도체]
미보유  장비에 대한  공정특성을 분석하기  위해  장비가 있는  곳으로  wafer를 반송하여 공정을 진행한 후, 반입하여 공정특성을 분석하는 행위.

Demultiplexer [반도체]
멀티플렉서와 반대로 직렬로 입력된 Data를 제어입력(선택입력)에 의해  Control하여 병렬로 변환해서 출력으로 꺼내는 회로이다.

Dent [반도체]
동박두께를 크게 손상시키지 않으면서 약간 짓눌려진 상태.

Depletion Device [반도체]
MOS FET의  일종으로  Gate 전압을   가하지 않아도 Channel이 형성되어 있는 반도체 장치.

Depletion Layer(공핍층) [반도체]
PN 접합에 역방향 전압을 걸면 P측에 있는  Hole과 N측에 있는 전자는  접합부분에서 멀어진다. 그리고 접합부근에는 캐리어가 매우 적은 부분이 생기는데 이것을 공핍층이라고 한다.

Depletion Mode [반도체]
전계효과 TR의 사용법 중 채널을 약하게 하는 방향으로 게이트에 Bias를 가하는 방법.

Depletion Type [반도체]
Channel을 Deplete하는  방향. 즉  약하게 하는  방향으로도 Channel 전류를  제어할 수 있는 형을 말한다.

Deposition [반도체]
상압  또는 저압상태에서  주로 CVD  방법에 의해,  Si 기관위에  Film(막)(Oxide, Nitride 등)을 성장시키는 것.

Deprocess [반도체]
공정을 끝마친 소자를 공정 순서와 반대로 한 층씩  strip back해가며 defect site를 분석하는 과정.

Descum [반도체]
현상 작업후 제거되지 않고  남아있는 미량의 감광액 찌꺼기(Scum)를  추가로 건식 제거하는 작업.

Design of Experiments [반도체]
실험계획법. 진행할 실험순서를 배열하고, 실험에 포 함될 하나 혹은  다수의 인자들의 수준을 선택한다.

Design Kit [반도체]
Electrical/Physical로  구별되며 ASIC  제품 설계시  전기적으로  Modelling과 Layout 정보를 포함한  Database를 이용하여 설계하는  Electrical Design Kit를 말한다.       (예 : Mentor Design Kit, Verilog Design Kit 등)

Design Rule [반도체]
반도체의 설계과정에서 공정능력과  설정된 제조방법의 한계성을 고려하여  반드시 지켜져야만 하는 설계규칙으로서 각 기능 부위 및 기능부위 간의 물리적 거리가 그 내용으로 포함된다.

Develop [반도체]
Mask를 Align한 후 자외선에 expose  했을 때 Pattern 모양에 따라  노광된 부분과 노광되지 않은 부분으로 화학반응이 일어난 것을  이용해 화공약품으로 현상하는 것.

Development [반도체]
현상, 사진 공정에서 감광액 도포 및 노광후 필요한 Pattern만을 남기고  불필요한 부분의 감광액을 제거하는 작업.

Device   [반도체]
품명(품종) (제품).

Dextrotatory(石示性) [반도체]
빛의 진행방향에 대해 관측자 쪽에서 본 경우 매질을 통과하는  빛의 편광면이 시계 회정방향으로 회전하고 있는 것.

Dewetting [반도체]
용해된 솔더가 표면에 도포되어 움푹들어가거나 들떠서 불쑥튀어  나온 상태이나 원래의 금속표면은 노출되지 않음.

DF(Die Fabrication) [반도체]
Wafer mount 공정부터 dicing saw 공정을 말함.

DGP(Data Gathering Panel) [반도체]
정보를 이송하는 단말이송장치.

Dichromated  Gelatin [반도체]
빛의  편광  상태에  따라  통과하는  파장이  다른  Dichromated  Gelatin 층을 통과할 때 채색이 되도록 하여 광을 착색하는 방법.

Dicing [반도체]
편도 절단이라고도 하며 Wafer 절단 방식의 하나로 단일 방향으로 절단하는 방식(왼쪽에서 오른쪽으로만 절단)

Dicing Saw [반도체]
Wafer를 절단하여 Die(Chip)를 분리하는 Diamond Wheel.

Die Attach [반도체]
각 Die를 Lead Frame에 붙이는 작업.

Die Business [반도체]
Probe Test 완료후  package를 하지 않고 Good  Die를 wafer 형태나  wafer를 자른후 Good Die만을 판매하는 것을 말함.

Die Bonder(다이본더) [반도체]
다이는 칩(Chip)을 말하며,  트랜지스터나 IC를 제조할 때 칩을 스템 또는 리이드 프레임에 붙이는 것을 다이본드  또는 본딩이라하며 이에 쓰이는 기계를 다이본더라고 한다.

Die Bonding [반도체]
IC를 제조할 때 Chip을 스템 또는 리이드 프레임에 붙이는 것을  다이본딩이라고 한다. 펠렛마운트, 마운트라고도 한다.

Die Coating [반도체]
Die위에 보호막을 씌우는 작업.

Die Collet [반도체]
Die 접착을 하기 위한 도구로서 진공으로 Die를 흡착 운반하여 접착하며 재질은 텅스턴 카바이드로 내마모 및 내열성이 요구됨. 모양은 피마밋 형.

Die Pocket [반도체]
이송 콜렛에 부착된 Die를 예방정열시키는  장소. 재질은 스텐레스스틸.

Die Sawing [반도체]
Wafer의 각 Chip을 조립하기 위하여 톱으로 자르는 작업.

Dielectric Constant(유전 상수) [반도체]
유전 분극의 강한 정도를 나타내는  계수로서 유전율이 이방성을 표시하면  전기장에 평행하려고 하는 유전율이 수직하려고 하는 유전율보다 클수록 액정입자가 일어서는 속도가 빠르다.

Dielectric Isolation [반도체]
반도체 IC의 분리방법의 하나로서 소자간의  저항이 높은 절연물로  Electrical하게 분리하는 것을  말한다. 절연재료로는 이산화규소(SiO2), Poly-Si, Ceramic 등이 있다.

Diffused Resistor [반도체]
불순물의 Diffusion에 의한 영역이 저항으로 사용되는 것.

Diffusion [반도체]
농도차에 따라 액체나 기체가 고농도에서 저농도쪽으로 이동함을  말하는  것으로 확산로 속에서 반도체  소자(Wafer)에 높은 온도를 가해 불순물  B(붕소)나 P(인) 등을 확산시키는 것을 말하며 반도체 특성을 결정하기 위한 것임.

Diffusion Capacitance [반도체]
Diffusion에 의해 형성된 Junction에서 생겨난 기생 Capacitor의 용량.

Diffusion Current [반도체]
외부 E-field의  영향없이  순수 농도차에  의해 흐르는 Current 농도가  높은 영역에서 낮은 영역으로 Carrier가 확산되면서 발생됨.

Diffusion Furnace [반도체]
확산 또는 산화에 필요한 고온의 확산로.

Diffusion Length [반도체]
Carrier가 주입되면 확산해 가는  도중에 상대의 Carrier와  재결합하여  차례로 소멸되어 가기 때문에 시간이 지나면 Carrier의 농도는 감소하게 된다. Life Time 동안 Carrier가 이동해간 확산거리를 Diffusion Length라고 한다.

Diffusion Pump [반도체]
기름을 가열하여 증발된 기름의 냉각시 진공내 gas를 흡수하는 방식의 고진공 펌프.

Diffusivity [반도체]
불순물의 확산도를 나타내는 단위.

Digital(DIC) [반도체]
Analog에  대응되는 말로  "1"과 "0"으로  표시될 수  있는 것(Digital IC).

Digitizing [반도체]
Mask를 만들기 위해 설계된 도형의 좌표를 결정해 주는 것.

Digital Memory [반도체]
디지탈량을 기억하는 메모리·보통 메모리라고 하는 경우는 이 Digital  Memory을 가리킨다.

Dimenrization(이량체화) [반도체]
두 개의 분자가 중합 또는 분자간의 힘에 의해  일체가 되어진 것.

Dimension   [반도체]
칫수.

DIMM(Dual In-Line Memory Module) [반도체]
PC에 사용되는 Memory module의 종류로 PCB 前面과 後面의 pin수는  같으나 pin들이  기능을 달리하는 제품을 말함.

Dimple [반도체]
Wafer표면 불량으로 오목하게 패인 결함.

Dimensional Stability(칫수안정성) [반도체]
온도, 습도, 화학적  처리, 외부의 압력에 의해 변화된 크기.

Dimensioned Hole(칫수홀) [반도체]
인쇄기판에 있어서 홀의 위치가 반드시 그리드 상에 위치하지 않고 좌표값에 의해 위치가 결정되는 홀.

DIN [반도체]
Deionized water로서 초순수를 말한다.

Diode [반도체]
di-electrode를 따서 만든 단어로 2극 소자를  말함. 진공관에서도 2극관을 다이오드라 하며 검파, 정류작용은 가지나, 증폭 작용은 없으며,  따라서 수동소자로 분류함.

Diode Array [반도체]
여러개의 다이오드를 하나의 펠렛에 조합하여 복합시키는 것.

Diode Ring Structure [반도체]
다이오드를 링 구조로  연결 순방향 특성을 이용한 구조.

DIP(Dual Inline Package) [반도체]
가장 보편적인 IC 포장의 한 형태로  직사각형 모형이며, 내부 회로(Chip)와의 연결도선이 옆면에 수직으로 붙어 있는 포장 형태.

Discolor Wafer [반도체]
육안 검사시 불량 항목의 하나로 FAB  공정중 또는 절단할 때 발생하는  Pad 변색.

Discrete [반도체]
집적회로(IC)에   반대되는 말로서  개별전자부품을  가리킨다. TR, Diode, 저항, 콘덴서 등의  부품은 각각 개별부품으로서의 기능밖에  가지고 있지 않으므로 이들은 모두 Discrete 부품이 된다.

Discretional Array Method [반도체]
LSI를 만드는 방법의 하나로서 웨이퍼속에 포함되는 수 10에서 수 100의  단위회로(Cell 또는 Unit Cell이라 부른다)의 모두를 검사하고 양호한  Cell만을 골라내어 그것을 상호배선하는 방법을 말한다.

Discrete Device [반도체]
단순한 개별소자로서 저항, Transistor 또는 Diode 같은 것.

Discrete Product [반도체]
개별소자는 diode, Transistor,  정류기(Rectifier), 트라이스터(Thyristor)등을 일컬으며, 이러한 소자들의 결합으로 구성된 집적회로에 대응하는 말.

Discretionary Wiring-Approach [반도체]
Wafer 내의 모든 기능 단위의 양·부를 미리 판정 기억하고 양품을  선택적으로 결선한 다음 그 Wafer를 이용하여  최종 상호배선 Pattern을 설계함으로써 LSI 등을 제작하는 방식을 말함.

Display Device [반도체]
숫자, 문자 등을 표시하기 위한 숫자.

DIW(Deionized Water) [반도체]
초순수로서 설비에서 복잡한 공정을  거쳐 수중의 이온 및 오염물질을 전부 제거한 순수. 생산라인의  Wet공정을 비롯하여 반도체 제조공정에서 광범위하게 사용됨.

D-I Water(De Ionized Water  또는 Semiconductor grade Water) [반도체]
이온이 함유되지 않은 물이란 뜻으로, 불순물을 제거시킨 순수(純水),  Wafer 세정 및 절단시 용수로 사용됨.

DLM [반도체]
2층 구조의 Metal  Layer를 갖도록 공정을 진행시켜  집적도를 향상시킬 수 있음. 1층 금속은 Power 및 Routing Line으로 사용하고 2층 금속은 Routing Line으로 사용하는 소자간의 배선기술.

D-MOS(Double Diffusion-Metal Oxide Semicondcutor) [반도체]
연속적으로 확산공정을 두 번 진행함으로써 channel length를 짧게 하고 이에 의해 고전압, 고전류를 인가하는데 장점을 갖는 MOS를 일컬음.

DMA(Direct Memory Access) [반도체]
주변장치와 주기억장치에서 CPU를  거치지 않고 직접 기억장치로 Data를  입출력할  수 있게 하는 것으로  DMAC(8237A)에 의하여 DMA 기능에 제어되며 고속으로 Data를 전송을 할 수 있다.

Domain [반도체]
동일 액정 cell내에 있어서, 기본이 되는 액정 분자의 배향 벡터가 하나의 모양으로 이어져 있는 액정의 영역이 복수로 존재하고 있는 상태.

Donor [반도체]
반도체 소자의 특성을 N-type으로 만들기  위하여 전도대에 자유전자를 주입하는 불순물 원소로 P, As, Sb 등이 있다.

Donor Level [반도체]
반도체 속에 불순물로서 혼입한  원자에 의해서 자유전자가 생겨 반도체가  N형으로 되는 불순물 원자를 Donor라고 한다. 이 상태를 에너지대의 그림으로 나타낼 때 도우너에 의해서 금지대(Forebidden band) 속에 생긴 에너지 level을 Donor Level이라고 한다.

DP(Dew Point) [반도체]
노점온도를 나타내며 공기중의 수증기가 응결되는 온도를 말한다.

Dopant [반도체]
Dope시 주입되는 불순물을 Dopant라 한다.

Dope [반도체]
반도체속에 불순물을 주입(확산, ION IMPLANTATION 등에 의해서)하는 것을  Dope라고 한다.

Doping [반도체]
반도체 재료(Wafer)에 불순물을 주입하여 P-type 또는 N-type의 반도체 특성을 만드는 것으로 박막이나 실리콘 기판에 불순물을 주입시켜 전도특성을 향상시킬 때 사용함.

Dope Oxide [반도체]
Doping된 layer위에서 성장된 Oxide.

DOS(Disk Operating System) [반도체]
컴퓨터를  제어하는 모니터나 프로그램 루틴 또는 라이브러리 등의  운영체제가 모두 자기 디스크에 의해 이루어지는 System.

Dosage [반도체]
불순물의 양을 말하는 것으로서  단위 면적당 투입되는 불순물  갯수를  나타냄.

Dose [반도체]
Ion Implantation  등 충격에 의해서  반도체에 불순물을 주입하는  것을  Dose라고 하며, ㎠당 불순물 갯수로 표현.

DP(Dew Point) [반도체]
이슬점을 말함.

DPM(Defect Per Milion)   [반도체]
Percent(%)×106

Dot-Clock Signal [반도체]
디스플레이 시스템에서 화소 비를 조절하는 신호.

DPLL(Dull Phase Locked Loop) [반도체]
PLL은 입력신호에  대해 주파수와 위상이 같은 신호를 발생시키는  폐회로로서, 무선통신에서  수신과 송신을 동시에 수행하기 위해  2개의 PLL을 사용하는데 이러한 두 개의 PLL  구조를 DPLL이라 하며,
이는 Digital PLL과는 구별된다.

DRAM(Dynamic Random Access Memory) [반도체]
Capacitor의 정전용량을  이용한 Cell 모양의 Device로써 읽기와 쓰기가  자유로우며 CAP.에 Charge를 시켜주기 위해 Refresh Cycle이 필요함.

Drain [반도체]
전계효과 TR(FET)의 전극의하나, 드레인은 주회로  전류가 흘러들어 가는 전극이며 통상의 사용법인 소오스  접지 방식에서는 출력을 꺼내는 전극이  된다. 따라서 드레인은 보통의 TR, 즉 접합형 TR의 콜렉터에 상당하는 전극이라고 할 수 있다.

DRC/ERC/LVS [반도체]
DVP-Circuit과  Layout의 내용의  일치성 및  Design Rule, 전기적 특성의 이상유무를 검사하는 작업.
가. DRC(Design Rule Check) - Layout Data의 규칙(Metal의 선폭, 등등)을  Check
나. ERC(Electrical Rule Check) - 전기적인 특성을 Check
다. LVS(Layout vs Schematic) - Layout Data와 Circuit의 차이점을  비교 출력.

Dressing  Wafer [반도체]
절단용 톱날(Blade)을 다듬어 주는 행위를 Dressing이라 함.

Drift [반도체]
주로 직류 증폭기에서 문제가 되며 입력 신호가 "0"인데도 출력전압이 변동하는 것을 말한다.

Drift Current [반도체]
균일하게 분포한 Extrinsic Semiconductor에서 외부 E-Field가 가해졌을 때 흐르는 Current Carrier의 Drift Velocity는 v=μE(μ:Moblity, E: Electric Filed)로 정의된다.

Drive-In [반도체]
Deposition된 B(붕소)나 P(인)을 Wafer 내부로 더 깊이 침투시키는  것을 말하며 확산로(Furnace)를 이용함.

Driver [반도체]
Device에 전압, 파형 등을 인가하는 전자 장치.

Driving Frequency [반도체]
액정 소자를 구동시키기 위해 인가하는 교류 전압의 프레임 주파수.

Driving Voltage [반도체]
액정 소자를 구동시키기 위해 인가하는 교류 전입의 피크 값.

DRO(Destructive Read-Out) [반도체]
파괴판독. 메모리 소자에서 기억내용을 판독할 때 이 판독 조작에 의해서  기록된 기억내용이 소멸되는 것을 말한다.

Dross(찌거기) [반도체]
용해된 솔더의 표면에 떠있는 오염물질.

DRT(Device Reliability Test) [반도체]
"신제품 신뢰성 시험"으로서 신제품에 대한 품질 인정검사(Quality Approval Test)를 말함.

Dry Etch [반도체]
건식 식각. 용액성 화학물질을 사용치 않고  활성화 된 Gas(Plasma)를 이용하는 식각 방법.

Dry Process [반도체]
플레이너 TR, IC 등의 사진식각기술에 있어서 가스플라즈마나  이온 beam을 에칭에 이용하는 방법.

DST(Die Share Test) [반도체]
Die 접착력 시험으로서 Die Attach 공정을 거친 중간  제품에 대해 Die와 Frame pad 접착 정도를 판정하기 위한 시험.

DT(Down Time) [반도체]
작업이 중단되는 시간.

DTAD [반도체]
Magnetic Tape을 이용하고 있는 Analog 음성 저장방법 대신에  Memory  chip과 Codec 등을 이용하여 Tape를 없앤 Digital Tapeless  Answering Device.

DTP(Desk Top Publishing) [반도체]
책상 위에서 책이 만들어진다는 뜻으로 PC를 이용해 원고의 작성에서부터  편집, 인쇄까지 일괄적으로 처리하는 형태.

Dual Gate MOS FET [반도체]
고주파용 MOS FET로서 2개의 Gate를 가진 것이다.

Duct [반도체]
공기(가스)의 이송시 사용하는 장비로서 직사각형 및 원통형으로 제작되고 이송하는 공기의 종류에 따라 아연도금철판, 스테인레스 및  PVC 등을 사용한다.

Dummy Frame [반도체]
금형을 세정하기 위해 사용되는 Chip이 붙어 있지 않는 상태의 Lead Frame.

Dummy Wafer [반도체]
Tube내에  공정의 Uniformity를  좋게 하기  위해 사용하는 Wafer 또는  생산 Wafer와 함께 투입되어 생산 Wafer의 제품특성의 균일성을 도모하기  위해 쓰이는 Wafer.

Dumping [반도체]
시장에서의 점유율을 높이기 위하여 정상이하의  염가로 상품을 판매하는 행위. 해외시장에서의 염가판매로 인한 손실을 국내시장에서의  초과이윤으로  메꾸어야하므로 수입품으로 부터의 국내 시장보호 필요에 따라서 덤핑은 수입제한 조치를 전제로 한 수출확대 정책.

Dumping-ZIG [반도체]
한쪽 Carrier에 담긴 wafer를 다른 carrier에 한꺼번에 옮겨 담을 수 있도록 하는 치공구.

Duplication [반도체]
유사한 조건하에서 1회 이상의 Treatment를 실행하는 것을 말한다.                                                  Note) 반복과 비교했을 때, Duplication은 실험의 단일요소로 언급된다.

DUT(Device Under Test) [반도체]
검사되고 있는 제품.  Test를 하기 위해 장착한 소자를 말하고, 이를 위해서는 DUT Board가 필요함.

Duty Cycle [반도체]
스크린상에서 각 화소를  재표시하는데 걸리는 시간으로 refrersh  rate가 60Hz 미만이 되면 인간이 깜박임을 인지할 수 있다.

Duty Ratio [반도체]
주기신호 체계에서 일정  주기에 대한 선택 신호가 발생하고  있는 기간의 비.

Dyed Poryides [반도체]
폴리이미드(polyimide) 기판에 색소를 녹여서 착색된 층에 빛을 통과시킴으로 착색하는 방법.

Dynamic Shift Register [반도체]
MOS 특유의 회로로서  동적으로 항상 동작하고 있는 Shif Register를 말한다.

Dynamic RAM(DRAM) (Dynamic Random Acccess Memory) [반도체]
용량성 충전(Capapcitance  Charge) 여부에 의하여 "1"  또는  "0"의 정보를 저장할 수 있는기억장치으로 재충천시켜야 기능을 유지함.

Dynamic Scattering Mode(동적 산란 모드) [반도체]
전기유체 역학적 불안정상태로서 네마틱상에 전계를 인가하면 전기유체 역학적 불안정성에 의해서  대류가 발생한다. 전계가 증가하면 잇달아  새로운 대류구조가 생겨 최종적인 난류로 변화한다. 난류상태가 되면 액정은 그 광학적 이방성과 유체운동에 의해 강하게 빛을 산란시킨다.

Dynascope  Wafer [반도체]
육안검사용 현미경의 하나로, 보통의 현미경과 다른 점은 투영기가 평면 유리로 되지 않고 디스크라고 하는 직경  0.1㎜의 미소렌즈가 무수하게  배열된 것을 사용하므로서, 선명하고  보기 쉬운 특징이 있다.
(육안의  피로가 적음) 절단 높이, 깊이, 전단 웨이퍼 두께 및 웨이퍼 외간 측정 등에 사용됨.

DW(Diffused Wafer)   [반도체]
확산 웨이퍼.

E/Post Simulation [반도체]
Simulation의 시행절차상에서 layout전에 estimated wire capacitance를 사용해서 실시하는  것을 Pre  Simulation이라 하고,  layout후에 actual wire capacitance를 사용해서 실시하는 것을 Post Simulation
이라 한다.

EA(Exhaust Air) [반도체]
공정중 장비에서  발생하는 GAS를 배출시키는 배기가스로 그 종류는 산, 일반, 유기, 비소, 가열, 열 및 긴급배기 등이 있다.

EAROM(Electrically Alterable ROM) [반도체]
EPROM의 일종으로 전기적인 자극으로 정보의 내용을 바꿀 수 있는 장치.

EBE(Electron-Beam Evaporation) [반도체]
전자 Beam으로 증착시키고자 하는 금속 덩어리를 녹여 금속입자를 Wafer(기판)상에 입히는 방법.

EBR(Edge Bead Removal) [반도체]
wafer 가장자리의 감광막을 제거시켜 particle 발생현상을 제거시켜주는 공정.

ECC(Error Check & Correction) [반도체]
ROM device의 repair에서 모든 column과 row는 각각 다르게 program되어  있어, RAM에서와 같은 Redency를  사용할 수 없다. 따라서  logic을  사용하여  프로그램된  column이나 row를  제작하여 fail된  column이나  row를 대체하는 기술이다. 시스템 동작시 발생되는 오류를 자동으로 체크 및 수정할 수 있는 기능을 말하며, MASK ROM 및 DRAM Module 제작시 사용됨.

ECC(Error Correction Code) (Error Checking Code) [반도체]
전송로,  기타 외부로부터의 간섭에 의해 부호구성이 어렵거나 부호 잘못이  생길 때  그 부호가 원부호와는 다른 잘못된 부호인 것을 판별 혹은 정정할  수 있도록 구성된 부호.

ECC Mode(Error Catch & Correction Mode) [반도체]
Memory  Module의 Parity Bit를 2 Bit로  구성하여 전송중 발생되는  Error를 찾아 수정  가능하도록 한 Memory Module 구성의 한 방식.

ECL(Emitter Coupled Logic) [반도체]
CML(Current Moded Logic)이라고도 불리어진다.  Bipolar 구조의 Transistor를 이용하는 논리소자(論理素子)의  일종.  Transistor의 구성원리인 Emitter가 복수연결되는 구조로 되어  있기 때문에 Emitter Coupled Logic이라고도 한다.

ECMA(European Computer Manufactures Association) [반도체]
유럽 컴퓨터 제조업자협회.

Edge Board Connector [반도체]
연쇄회로기판의 가장자리의  접점과 외부전선과의 사이에서 필요시  분리 가능토록 고안된 단자.

Edge Definition(회로요철도) [반도체]
작업용 film과 얼마나 유사하게 회로의 가장자리가 일직선으로  재생되었는가의 정도.

E/D MOS(Enhancement-Depletion MOS) [반도체]
Enhancement형 MOS에 Depletion형 MOS를 부하로한 기본 셀을 갖는 회로.

ED [반도체]
(Electronic Data Interchange)

Editing [반도체]
CAD System을 이용하여 CRT상으로  확인을 하면서 Layout 작업을 하거나 잘못된 부분을 수정하는 일련의 작업.

EDO(Extened Data Output) [반도체]
DRAM의 data access 방법중 fast page mode의 개선을 위하여 나타난 것으로  일반적인 동작방법은 /CAS signal이  inactive high로 전환시 valid data가  다음 /CAS signal의 low  active 전까지 data가 출력되도록 설계되었음.  이러한 동작특성은 fast page  mode의 전체적인 tPC(fast page mode cycle)를 줄일 수 있으므로 speed 개선효과를 얻을 수 있음. 일반적으로 비디오  카드 성능개선에 적용되고 있음.

EDPS(전자자료 처리조직)(Electronic Data Processing System) [반도체]
컴퓨터에 의하여 사무, 관리, 경영, 과학, 기술 등에  관한 자료를 처리하는 시스템체계.

EDS [반도체]
완성된 Wafer내의 소자의 전기적인 동작상태를 가려내는 작업.

EDS Test [반도체]
Wafer상에 있는 칩(Chip)의 전기적 특성을 검사하는 것.

EDS Yield [반도체]
EDS Test시 양품의 수율 : (Good Die/ Net Die)×100.

EECA(European Electronic Component Manufacturers Association) [반도체]
유럽 전자부품업자 협회.

E-E PROM(Electrically-Erasable PROM) [반도체]
전기적으로 소거와 쓰기가 가능하며 전원 전압이  OFF되어도 Data가 보존된다.   Parallel로 Data를  주고 받는 Intel Type과 Serial로 Data를 주고 받는  NEC Type으로 나뉜다. Tunneling을 이용하여 전기적으로 Erase와 Programming이  가능하기 때문에 사용자가 In-System 에서 정보 변경이 가능하다. 그러나 2개의  Transistor로서 1 cell을 구성해야 하기 때문에 EPROM에 비하여 면적이 크고 고가이다.

EIA(Electronic Industries Association) [반도체]
미국내 전자기기 메이커들로  구성된 단체로서 전자부품으로부터 항공,  우주, 군수용 전자에 이르기까지 폭 넓은  분야를 다루고 있다.

EIAJ(Electronic Industries Association of Japan) [반도체]
일본 전자 기계 공업 협회의 약칭.

Eight Nines [반도체]
9가 8개 있다는 뜻으로 반도체 결정순도를 나타낼 때 사용되는 용어이다. 즉 99.999999%를 뜻한다.

Effective Channel Length [반도체]
MOS의 Source와 Drain간의 실제 유효 channel 거리를 말하며 일반적으로 Gate length보다 적음.

EL(전계발광)  (ELECTRO-LUMINECENCE) [반도체]
물질에 전계를  가하여 빛을 내게하는 것으로 루미네센스의 일종. 1936년에 DESTRIAU가 형광층을 2장의 전극 사이에 끼워서 교류전압을  가하여 발광하는 것을 발견하고 이 현상을 엘렉트로 루미네센스라고 부름.

ELD(Electro Luminescent Display) [반도체]
PDP와 마찬가지로 자발광 소자인데, COLOR 및 동작전압 개선중인 소자임.

ELD [반도체]
형광체가 전기장에 의해서 일어나는 직접 여기에 의한 발광 현상을 이용하는 표시원리.

Electroless Deposition(무전해 부착) [반도체]
전류에 의하지 않고 자동촉매 도금용액에 의해 회로가 형성됨.

Electric Field [반도체]
전압이나 전류의 인가에 의하여 영향을 받고 있는 영역.

Electrical Test [반도체]
Process된 Wafer를 Passivation전 Test Pattern을 사용하여  Test하는 맨 첫 번째의 전기적 Test (즉 Wafer Mapping)

Electron Beam  Exposure System [반도체]
전자  Beam을 사용하여  mask 등에 pattern을 그리는 system·종래, mask의 제작에는 광학적으로 pattern을 발생하는 pattern generator가 사용되었으나, 미세화가 진전된 현재, 모든 묘화기에서 실행할 수 있다.  LSI의 pattern  data는 묘화기의 algorithm에  의해 변환되며, EBMT (묘화기용 자기 tape)가 되어  주사하는 전자  Beam을  on/off하거나,   aperture를 변화시켜   pattern을 그린다.  최근에는 ASIC의   보급으로,  소량의 sample을 단기간에 만드는 needs가 높아지고 있다. 따라서, 일일이  mask를 만들지 않고 직접 wafer상에 Beam으로 그리는 방식이 실용화되고 있다.

Element(소자) [반도체]
품 또는 장치를 하나의 기능체로서 본 경우 그 기능체를 구성하는 단위를  말한다.

Ellipsometer [반도체]
Thin Film 두께 측정장비로 박막표면에서 입사광과 반사광의 편광 (Polarization) 상태차이를 측정해 두께나 굴절율을 구하는 방식.

Electron Beam Exposure(전자비임 노광) [반도체]
현미경과 같은 원리로서 빛(자외선)을 이용한 Photolithography 기술이 한계점에 도달했기 때문에 파장이  짧은 전자비임을 사용하려는 것이다.

EM(Electromigration) [반도체]
높은 전류 및  온도로 Metal의 Quality를 특성화하기 위하여 사용되는 시험.

Emitter [반도체]
NPN, PNP 등 접합형 Transistor에서 최초로 신호가 입력되는 반도체 부분.

Embedded Controller [반도체]
시스템 제어를 위한 내장형 controller.

EMMI(Emission Microscope  Multilayer  Inspection) [반도체]
Electron과   Hole의 recombination에 의해 발생한 photon을 인식하여  leakage current의 경로를 점검하는 FA 장비의 한 종류.

Emulsion Mask [반도체]
Mask의 한 종류로, 유리원판 위에 Emulsion(유제)  박막으로  회로가 인쇄된 Mask.

EMS(Expanded Memory Specification) [반도체]
EMS에서는 MS-DOS의 기본 메모리 640KB의 한계성을 넘어 Expanded Memory와   Extended Memory에 대한 서비스를 해줄 수 있으며, DOS 응용프로그램에  Data처리 공간을 확장시켜주는 장점이 있다.

Emulator [반도체]
어떤 컴퓨터를 마치 다른 컴퓨터처럼 사용할 수 있게 하는 Software.

Encoder [반도체]
Decoder에 반대되는 말로서 특정의 코우드를 다른 코우드로 변환하는 회로이다(10진수→2진수로 변환하는 회로따위).

End Point Detection [반도체]
Etch공정이 진행되고 있는 동안에도 wafer의 상태  또는 plasma 상태를   maintain하여 변화가 감지되는  시점에서 Etch 공정의  stop reference로 활용하는 방법.

End Seal [반도체]
LCD에서 유리 기판사이에 액정을 채워 넣은후 액정 주입구를 봉하는 공정.

End Station [반도체]
Ion 주입을 위해서 Wafer를 담아서 대기하는 곳.

Endurance [반도체]
Data를 Program 및 Erase할 수 있는 횟수.

Energy Band [반도체]
반도체 제조의 기본 이론으로서 불순물들의 Energy 상태와 전도 이론을 설명하기 위한 개념적 이론설명 띠.

Energy Gap [반도체]
전도대와 충만대 사이에 전자를  취할 수 없는 금지대를 Energy  Gap이라고 한다.

Energy Level [반도체]
물질을 형성하고 있는 것은 원자와 이 원자핵 주위를 그 원자에 특유한 개수의 전자가 돌고 있다고 생각된다. 각 전자는 몇 개의 궤도로 나뉘어서  돌고 있으며 그 궤도의 크기에 대응하는 에너지 상태에 있다. 그래서  세로축에 에너지의 크기를 잡고 그 전자의  에너지에 상당하는 곳에  가로줄을 그어서  이것을 에너지 레벨 또는 에너지 준위라 부르고 있다.

Enhancement Device [반도체]
Gate에 전압이 인가되어야 Channel이 형성되는 MOSFET.

Enhancement Mode [반도체]
전계효과 TR(FET)의 사용법중 채널을 증대하는  방향으로 Gate에 Bias를 거는 방법을 말한다.

Entity(엔티티) [반도체]
공정을 진행하기 위한 장치 또는 장비를 총칭한다.

EOH(Ending on Hand) [반도체]
계산상에 있어야 할 실재고(이월될 계산상 재고).

EOTC(European Organization on Testing and Certification) [반도체]

EOP(End Of Point) [반도체]
식각 공정진행時 원하는 박막만을 식각시키기  위해 다른 박막이 드러날 때 plasma 분위기가 변하는 점.

EPD(Etch Pit Density) [반도체]
1) 결정결함의 일종인 Etch Pit의 밀도.
2) End Point Detect의 약자로 막질의 Etch시 Etch 상태를 파악하기 위해   Etch 되는 막질과 다른          막질이 드러나는 시점을 찾아내는 것.

Epi(Epitaxial Layer) [반도체]
반도체 소자 제조시 기판위에 단일결정의 반도체 박막을 형성한 것.
Bipolar Transistor는 보통 Epitaxial Layer내에 형성됨.

Epitaxial [반도체]
EPI-TAXIAL을 연결해서 만든말로써  "결정축을 따라서"라는 뜻이다.  Substrate위에 가스상태로부터 반도체 결정을 석출시키면 Substrate의  결정축을 따라서 결정이 성장 석출되는 현상을 말한다.

Epitaxial-Growth(에피성장) [반도체]
적절한 결정구조를 가진 동형의 혹은 다른  유형의 Substrate위에 단결정층을 성장시키는 방법.

EOS(European Quality System) [반도체]
유럽 품질시스템 평가인정위원회.

EPM(Electric Parameter Monitor) [반도체]
반도체 공정 진행후 소자의 전기적 특성 및 공정 진행 상태를  파악하기 위해 test pattern에 삽입된 단위 능동, 수동  소자의 특성을 측정하는 공정.

EPM Key Parameters [반도체]
각 생산  제품별 공정  및 특성에  따라 EPM  담당 Engineer가 선정한  중요 Parameter로써 통상 Tr 관련해서 VTN(P), ISATN(P),  DL2N(P)와  저항관련해서는 P1∼P4, N+(P+) Rs 및 CHN 저항 등을 말함.

EPM Standard Sub Program [반도체]
제조기술 담당  부서에서 EPM 업무와 관련하여 규격화시킨 측정 이론 및 측정기술 표준.

Epoxy [반도체]
Chip을 Lead Frame에 접착시키기 위한 전도성 수지.

Epoxy Dispenser [반도체]
일정한 공기압력으로 Epoxy를 내보내는 장치.

EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory) [반도체]
ROM의 일종으로서 사용자가 기억장치속에 저장된 정보의  내용을 지우거나 다시 넣을 수  있는 기억장치.

EPS(Experimental Plan Sheet) [반도체]
S/N을 발행할 때 RUN SPLIT 실험의 내용과 목적이 상세히 기록되어  있는 양식.

EQS(Equipment Server) [반도체]
Data 자동화와 관련된 사항으로  각 장비에서 발생한 Data를 자동적으로  Host에 올려보내주는 Program(오타의  위험제거 → Data 신뢰성 확보)

Equip(Equipment)  기계장비. [반도체]

Erase [반도체]
EPROM이나 EEPROM에서 Floating Gate에 Tunneling을 통하여 주입된 전자의 존재유무 상태에 따라 해당  Bit의 저장상태를 구분하는  상태이다.  EPROM에서는  Floating  Gate로부터 전자가 discharge된  상태를  말하며 EEPROM에서는 반대로 Floating Gate로 전자가 주입된  상태를 말한다.

Erase  Gate [반도체]
3  Polysilicon  Split  Gate를  가진  Flash  E(E)PROM에서 Erase시  interpoly-oxide간의  F-N Tunneling을 이용하여  Erase를  시키는 데 사용되는 Gate  Electrode.

ERC(Electrical Rule Check) [반도체]
전기적인 특성을 Check하는 것을 말함.

ERC(Electrical Rule Check) [반도체]
Layout상에서 전원의 함선, 단락 및 개별소자와  전원과의 연결상태를  점검하는 것.

ES(Expert System) [반도체]
전문가 시스템.

ESD(Electro Static Discharge) [반도체]
정전기 수준을 나타내는 말로써 정전기에 대해 어느정도까지  견딜 수 있는지의 정도를 나타냄.

ET Part(Extended Temperature Part) [반도체]
일반적인 Memroy Device의 사용온도 범위는 0℃∼70℃이나 산업용이나  실외에서 사용하는 Device -40℃∼85℃의 더 큰 온도 범위를 요구한다.

Etch Back [반도체]
홀의 내벽으로부터 일정깊이의 비금속부분을 제거하는 공정이며, 이것은 레진의 스메어를 제거하고 적절한 정도로 내부회로를 노출시킨다.

Etch Bias [반도체]
Photo 공정을 거친후 etch 공정을  행할 때 pattern 전사시의 손실 정도를 뜻함.

Etchant [반도체]
에칭(Etch)하는 약품.

Etching [반도체]
식각. Silicon  Wafer에 필요한 부분만을  남겨놓고 불필요한  부분을  chemical 또는 Gas로 녹여 내는 제작과정.

Etching Selectivity(식각 선택비) SX [반도체]
서로 다른 종류의 박막을 동일한 프라즈마(Plasma) 조건하에서 식각을  해 나갈 때 각각의 박막에  대한 식각 속도의 상대적인 비를 말한다.

Etch Factor(에치팩터) [반도체]
회로에 에칭된 측면의 크기에 대한 에칭깊이의 비율.

Etch Rate [반도체]
식각률. 단위시간당 식각되는 양으로, 통상Å/min 단위를 사용.

ETSI(European Telecommunications Standards Institute) [반도체]

E-Test(Electrical Test) [반도체]
Process된 Wafer를 passivation전 Test pattern을  사용하여 Test하는  맨 첫번째의  전기적 Test(i.e. Wafer mapping).

EUCATEL [반도체]
(European Conference of Associations of Telecommunications Industries).

EUREKA(European Research Coordination Agency) [반도체]
유럽 첨단기술연구 공동체 기구.

EVA-Chip(Evaluation Chip) [반도체]
실제 Main Chip의 검증용으로 Tool 및 Demo  Board 제작용으로 사용.

Evaporation [반도체]
Wafer 표면에 Al, Au(금) 등을 진공을 이용하여 증착시키는 것.

Evaporator [반도체]
전자 Beam이나 열저항 방식 등에 의해 금속박막을 Wafer상에 입히는 장치.

Event(이벤트) [반도체]
Entity에서  발생가능한  사건을 일컫는  말로서  Start, End,  Maintenance 등을 의미한다.

Evolutionary Operation(EVOP) [반도체]
진화적조업법. 정규 생산공정에서 생산을 진행시켜 최적의 공정조건을 찾기 위한 실험계획법을 말한다.

EWS(Engineering Work  Station) [반도체]
제품의  설계를 위하여  제공되는 CAD Design Tool들을 하나의  system에서 작업을 할 수 있도록 준비된 System.

EWS TFT-LCD [반도체]
엔지니어 워크 스테이션에 장착되는 디스플레이 패널로 12인치 이상의  판넬 크기에 화소수는 1024x768,  1024x1354, 1152x900, 1280x1024 등이 중심이고 피치 크기는 0. 21-0. 24mm, 20-60Hz의 표시 주파수를 갖는다.

Excess Electron(과잉전자) [반도체]
열평형 상태의 분포로 정해지는 전도 전자이 수보다 여분으로 생긴 전도전자를 과잉전자라고 한다.

Excite(여기) [반도체]
반도체 레이저에서는 레이저 발진을 일으키기 위해 캐리어의 방전 분포를  만들 필요가 있다. 이때 캐리어를 높은  에너지 준위로 천이시켜 방전분포를 만드는 것을 여기 또는 Pumping이라고 한다.

Exclusive Effect [반도체]
유한한 크기의 2개의 물체는 동시에 같은 장소를 점유할 수 없음으로  어떤 물체는 그 주위에 다른 물체를 들어오지 못하게  하는 영역을 갖고  있다. 이 영역의 체적을 배제체적이라 한다. 물질의 구성요소인 원자 분자 등은 서로 배제 체적속에 들어가지 않도록 하는 집단 상태만을 형성하는  효과를 말한다.

Exclusive or Circuit [반도체]
논리회로에 있어서 입력의 하나가 다른 "1", 다른하나가  "0"인 경우에 한해서 출력이 "1"이 되는 논리회로.

Expanded Memory [반도체]
DOS응용 Program  등이 사용할 수 있는  640KB이상의 Memory 영역을  말한다. 예를  들면, LOTUS  1-2-3, SYMPHONY  등 응용 Program의  Data영역으로 사용할 수 있다.

Expending Tape [반도체]
Wafer를 집착시킬 때 사용되는 테이프로 늘어남이  360°균일한 Tape임.

Expert System  Application Program using know-ledge base. [반도체]
오늘날 전문가 시스템은 오랜 경험과 전문성이 요구되는 분석이나 진단을  하는 데 많이 응용되고 있으며 Manufacturing에서도 scheduling, planning,  quality control 분야에서 연구 및 응용되고 있다.

Expose(노광) [반도체]
P/R이 도포된 wafer  위에 pattern을 형성하기 위해  aligner를 이용하여  빛을 노출하여 감광막의 구조를 변화시켜 주는 것을 말함.

External Visual Inspection [반도체]
반도체 제품의 외관상태를 육안검사하여  불량품을 제거하는 작업.

Esposure [반도체]
노광, 감광액을 도포한 WF 표면에 회로가 구성되어 있는 Mask를 정렬시켜  자외선 등을 쬐는 작업. 이후 현상작업에 의해 Mask의 pattern이 형성됨.

Extended Memory [반도체]
Computer의 Read Mode에서 동작하는 범위를 넘어서  실제 존재하는  Memory보다 더 많은 Memory를 사용하는 것처럼 할 수  있는 가상  메모리 기법. 1MB Memory 이상의 영역으로 Protected Mode에서 사용될  수 있는 직선적인 개념으로 메모리를 더하여 주는 Memory를 말한다.

Extraction Voltage [반도체]
Ion Source에서 Ion Beam을 추출하기  위하여 가해주는  전압.

Extrinsic Semiconductor [반도체]
진성 반도체(Intrinsic Semiconductor)과 상반되는 말로서 진성 반도체에  불순물(3가, 5가 그밖의 다른 원소)을 가첨가하여 전기적 특성을 변화시킨  반도체.

Eylet [반도체]
부품리드나 전기적 접촉을 기계적으로 지지하기  위하여 터미날이나 인쇄 기판에 삽입된 빈튜브.

F(Frequency)   [반도체]
주파수.

FA(Factory Automation) [반도체]
Factory Automation(공장자동화)란  사람이 하는 일을 기계(computer, robot, conveyer 등등)로 하도록 함으로써 생산성 향상, 품질향상 및 성력화를 가져오는데 목적이 있으며 남은 인력은 다른 분야에 투입내지는 활용함으로써 인력난을 해소하여 산업발달에 기여하는데 또 다른  목적이 있다.

FAB(Fablication) [반도체]
웨이퍼(Wafer)의 가공을 의미함.

2nFactorial Experiment [반도체]
2원배치법. 실현하고자 하는 n개의  인자의 수준수가  2인 Factorial 실험법을 말한다.

FAB Process(Fabrication 공정, 제조공정) [반도체]
고청정 상태에의 Wafer 가공, 또는 제조공정을 말하며 크게  Diffusion, Thin Film, Photo, Etch  4공정을 大分할 수 있다.

Factor [반도체]
인자. 실험결과에 영향을  미치는 원인으로 다른 수준의  인자들이 실험 내에 포함된다.
Note) 온도, 속도, 전압과 같은 계량 인자와 재료 및 촉매의 종류, 장비의 유형 등과 같은 계수 인자가      있다. 실험에 적용될 인자들을 "주요인자(Principal  Factor)라 부른다.

Version or Level of a Factor [반도체]
인자의 수준. 실험을 하기 위해 주어진 조건의 수를 말한다.
Example) 촉매의 유·무에 따라 2수준으로 구분한다. 가열 온도가 100℃,  120℃, 140℃, 160℃인      경우에는 4수준이라 한다.

Factorial Experiment(General) [반도체]
요인실험. 2수준이상의 두  개이상의 인자로부터 가능한 모든 실험 조합들을  구성하여 주효과 및 교호작용을 추정하기  위한 실험법을 말한다.

Fail Memory(페일 메모리) [반도체]
메모리 Device의 Function  Test時 Device에서 측정된 결과를 Device에  인가한 패턴과 동일한 스피드로 보관할 수 있는 테스터 메모리

Failure Limit(실격한계) [반도체]
TR 등의 전자부품을 수명시험할 때 불량이라고 판정할 수 있는 규격의 한계.

Failure Mode [반도체]
불량유형. Failure에 영향을 끼치는 결함의 종류.

Falg [반도체]
필드의 경계를 나타내기 위해 문자나 단어에 묻어 있는 정보 비트. 어떤  조건이 나타난 프로그램의 뒷부분을 설명하기 위해 쓰이는  지시어.  여러 가지 혼합된 집합에서 같은 종류임을 구별하기 위해 사용하는  식별자 단어표시와 같이 식별을 위해 상용되는 기호로서 태그(tag)와  비슷한 뜻으로 사용된다.

Fall Time(하강 시간) [반도체]
TR의 스위칭 특성을 스위칭 시간으로 나타낼 때 베이스의 입력이 OFF로  되어 Collector에 흐르는 출력전류가 ON상태일 때의 90%에서 10%로  되기까지의 시간.

Fan Coil Unit [반도체]
Coil내로 냉수 또는 온수를 통수시켜 사용목적에 적합한 온도를 유지시켜 주는 설비.

Fan Out Capability [반도체]
Device가 Data 출력시 Current Drive 능력을 말함.

Fan-in [반도체]
스위칭의 논리회로에서 입력측에 접촉할 수 있는 게이트의 수.

Fan-out [반도체]
논리회로에서 입력측에 접속 가능한 부하의 수.

Fast Page Mode [반도체]
컴퓨터 시스템이 데이터를 access하는 방법으로 가장 보편적으로 활용되고 있는/CAS signal의 toggling에 따라 데이터가 access 되는 방식.

Farad [반도체]
정전용량의 단위. 1F의 콘덴서에  걸리는 전압이 1volt/sec의 변화를 할  때 1A의 전류가 흐른다.

Fault Coverage [반도체]
Simulation 실시후 전체 Simulation Vector가 전체회로중 몇 %를 access하여 output 단자로  그 결과를 반영하는지를 수치로  나타낸 것으로서  얼마나 충실하게 Simulation Vector가 작성되었나를 나타내주는 지표.

FCC(Federal Communication Commision) [반도체]
전국연방통신위원회

FCU(Fan Coil Unit) [반도체]
송풍기, 냉, 온수 및 필터  등으로 함께 만들어진 실내용 공기 조화기.

FDD(Floppy Disk Driver). [반도체]

FDM(Function Data  Module) [반도체]
품명의  기능을 점검하기   위해 기능데이타(Function Data)를 실행시키는 Module.

FDMA(Frequency Division Multiple Access) [반도체]
주파수 분할 다원접속.

Feedback [반도체]
자기수정 또는 자기제어의 목적으로 기계, 처리 또는 시스템으로부터  출력되는 일부를 다른 위상(Phase)으로의 입력으로 컴퓨터에 되돌려  보내는 것.

Fermi Enery [반도체]
고체내의 전자는 모두 전자가  같은 energy를 가지고 있는 것이 아니라  여러 가지의 energy 값을 가지고 있다. 이 전자가 갖는 energy 상태를  페르미-디랙 분포라 하는데 이것은 확률분포를 하고 있다. 이  분포는  물질과 온도에 따라서 정해지는데 전자의 점유확률이 정확히 1/2로 되는   에너지 값을  페르미 에너지라고 하며 기호는 F로 나타낸다.

Fermi Level [반도체]
절대온도 0°K에서 전자가 점유할 수 있는 가장 높은 Energy  준위.  반도체에서 T〉0°K일 경우 전자의 점유확률이 ½되는 Energy 준위.

Fermi-Dirac 통계 [반도체]
개개의 Particle을 구별하지 않고 Pault  배타원리(한 State에 1Particle만 존재)를 적용한 통계방식. 이 통계는 Low Concentration과 High  Temperature일 경우, 고전 통계인 MaxWell-Boltzmann 통계와 같은 형태로 나타난다.

FET(電界效果 Transistor : Field Effect Transistor) [반도체]
전기전도(電氣傳導)에 기여하는 Carrier의 역할을 전자 또는 정공(正孔)의  어느 하나가  담당하는  Transistor. 전자도  정공도  Carrier의 역할을  하는  Bipolar에 대하여 Unipola(單極) Transisor라고 불리운다.

FFU(공조방식) [반도체]
Fan Filter Unit 공조방식. Fan과 Filter의 일체형으로 Filter상부에  설치된 Fan이 공기를 Clean에 공급.

Field oxide [반도체]
Active와 Active를 절연시켜 주는 산화막.

FIFO [반도체]
First in, First out 선입 선출.

FIL(Filament) [반도체]
이온 생성을 위해 전자를 방출시키는 소재.

Fill Factor [반도체]
어떤 주어진 시간에 조사되는 디스플레이 전체 면적의 백분율.

Filter(여과기) [반도체]
먼지 및 불순물 등 필요한 것 이외이 것을 걸러내는 장치.

Filter Paper [반도체]
Sawing 후 Wafer를 Break-Up할때 Chip을 보호하기 위해 Freon에 적셔 사용하는 여과기.

Final Test(조립/Class Test) [반도체]
조립된(Package) 제품에 대해 제품출하전 마지막으로 전기적 특성을  검사하는 것.

Finger Coat [반도체]
Wafer취급시 인체에 의한 오염을 방지하기 위하여 손에 착용하는 것.

Fire Damper(F.D) [반도체]
화재발생시 Duct를 통하여 화재의  확산방지용으로 설치된 Damper로써  기류온도가 70℃이상이면 날개지지용 Fuse가 녹아 자동적으로 기류를  폐쇄하는 Damper.

Firm Ware [반도체]
장비 제조회사가 그 장비에만 응용되게 특별히 고안한 Software이며  보통 ROM(Hardware) 속에 들어있는 경우가 많음.

First Article(사전검사) [반도체]
양산작업전에 사전에 작업조건을 점검하기  위해 부품을 결합하여 성능을 시험함.

First Bond [반도체]
금선의 볼이 형성된 것으로 캐필러리의 Inside Chamber에 의해서  Chip Pad에 형성된 Bond.

First Minimum [반도체]
Gooch & Terry 곡선에서 첫번째 투과율이 0이 되는 곳을 말한다.

FIT(Failure in Time) [반도체]
Life Test를 통하여 X2 분포를 이용, %/khr의 불량률과 109 device hour의 곱을 의미한다.

Fixture [반도체]
개별 소자의 수동 검사를 위한 기구.

Fixed Oxide Charge(Qf) [반도체]
Oxidation 분위기, 온도, Cooling 온도  및 Silicon 결정방향에 관계하는 Oxide내 Charge.

Flange [반도체]
Blade<웨이퍼 절단용 톱날>을 Spindle에 정착시키는 치구로서  이것의  외경이 Blade의 길이를 결정 지음.

Flat Pack [반도체]
IC의 겉모양에 따른 포장형태로 납작한 형태 IC형태를 말하며, 거의  평면과 동일하게 기판위에납땜을 할 수 있음.

Flat-Zone Aligner [반도체]
Carrier에 Loading되어 있는 wafer 평면(Flat-Zone)을 위로  맞추는 기계.

Flash EEPROM [반도체]
한 개의 트랜지스터로 이루어져 셀 면적이 작은 EPROM과 전기적 소거가 가능한 EEPROM의   장점을 조합하여  EPROM의  프로그램  방법과 EEPROM의  소거방법을 수행토록 만든  소자로서, EPROM, EEPROM과  유사한  설계와  공정을 거쳐 생산됨. 외부에서 고전압을 가해 데이터를 기입하며 전기적인
소거도 Memory Device 전체  또는 Block별로 가능하다.  이 Flash Memory는 NOR형, NAND형으로 대별되며 NOR형 EEPROM은  Hot Electron을 주입하는 기입방식을 적용하고, NAND형은 터널현상과  페이지 동작회로 기술을 조합하며 프로그램 속도가 빠르다. 기억된 정보는 전원이 꺼지더라도  없어지지 않아 비휘발성 메모리라 불리운다. 최근 Memroy 시장에서  hard disk를 대체할  소자라서 기대되고 있다.

Flat Zone(평평한 부위) [반도체]
Wafer의 방향 및 종류를 표시하기  위해 일정 방향으로 cut해 놓았는 데  그 면을 지칭.

FLC [반도체]
층상으로 분자 배열하는 스메틱 액정을 이용해서 강유전성 기능을 가진 것.  쌍안정상태의 메모리 기능과 스위칭 속도가 매우 빠르다. 크로스 토크가  없고,  시야각이 넓으며, 단순 매트릭스 구동이 가능하다.

Flexible Printed Circuit [반도체]
구부러질 수 있는 인쇄기판.

Flexural Strength [반도체]
휨. 강성.

Flip-Flop [반도체]
2진수(Binary)를 기억할 수 있는 기초 전자회로로서, 두가지의 안정 상태(ON 또는 OFF)을 갖고 있으며, 논리회로나 기억장치구성의 기본회로임.

Flicker(플리커) [반도체]
텔레비젼의 수상화면이나 형광 등의 깜박임과  같은 광도의 주기적인  변화가 시각으로 느껴지는 것을 말함.

Floating Gate [반도체]
MOS TR의 게이트 절연층 속에 매입된 금속 또는 다결정 실리콘으로 된  전극을 말하며 전기적으로 떠있으므로 Floating Gate라고 한다.

Floor Plan [반도체]
반도체 설계시 Chip을 Layout하기 전에 각 Block의 layout을 전체적으로 배치하여 layout상에 block의 위치와 배선을 결정하는 작업.

Flux [반도체]
금속을 솔더와 잘 접속시키기 위하여 물리적이나 화학적으로 활성화시키는  물질.

FMS(Facility Monitorng System) [반도체]
중앙집중식 환경관리 System으로 Line내의 온·습도, Particle,  Hepa filiter에 흐르는 공기의 속도(유속), 순수의  순도등을  측정하는 System.

Foot Print [반도체]
PCB와 Component를 납땜할 수 있도록 만들어 놓은 자리.

Forbidden Band(금지대) [반도체]
전자가 취할 수 있는 에너지의 폭이 띄엄띄엄이고 그 사이에는 전자가  취할 수 없는 에너지 폭이 있다. 이 전자가 취할 수 없는 에너지 값의 범위를 금지대라고 한다.

Forming Die  Forming I.C. [반도체]
lead frame의  lead를 요구하는 현상 즉, curl, Z form 등이 있으며,  clie Punch를 요구형상으로 제작하여 그 사이에 lead frame을 위치시켜  곡선을 따라 꺽는 작업을 말하며 이와 같은 금형을 포옴 다이라고 한다.

Forming Gas [반도체]
1) Die Attach 및 Wire Bonding시 재료의 산화를 방지하고 환원을  목적으로 H2와 N2를 일정비율로         혼합한 Gas.
2) FAB 제조공정(확산, 식각)에서 본래의 공정이 정상적으로 잘 진행하기 위하여 사용하는 분위기         Gas.

Forward(순방향) [반도체]
PN접합의 P쪽에 +, N쪽에 -의 전압을 가하는 방향을 순방향이라고 한다.

Forward Current(순방향 전류) [반도체]
PN 접합에 순방향  전압을 가했을 때 흐르는 전류를 말한다.

Forward Voltage(순방향 전압) [반도체]
PN전합에 순방향으로  전류가 흐르고 있을때 그 PN 접합의 양단에 걸려있는 전압을 말한다.

Four Layer Diode(4층 Diode) [반도체]
PNPN의 4층 구조를 갖는 Diode.

Four-Point Probe [반도체]
막질의 sheet 저항을 측정하는 장비.

FOX(Fast Oxidation) [반도체]
고압(0∼25기압)에서 증기 산화방식을 이용하여 산화막 성장속도를  빠르게 하는 장치로서 Hipox라고도 함. (High Presure oxidation)

FP(Flost Point)  이슬점. [반도체]

FPGA(Field Programmable Gate Array) [반도체]
미리 program할 수 있도록 제작된 chip에 사용자가 CAD를 이용하여  로직을 구현할 수 있도록 한 제품.

FPO(Finish Process Order) [반도체]
동일  품종의 Lot를 동일수준의 품질을  가지고 있다고 판단하여  여러 Lot를 1개의  Lot로 묶어 공정 flow  시키는 경우, 하나로 묶은 Lot를 FPO Lot라 한다. 작업능률 향상을 위해 사용.

FQ(Full Qualification) [반도체]
Customer의 요구조건을 충분히 만족시킨후 양산.

FQA(Final Quality Assurance) [반도체]
최종 품질 보증, 제품의 제품 창고 입고전이나 출하직적 실시하는  검사공정을 총칭하며, 불량제품의 사전 검출에 그 목적을 둠.

FR(Failure Rate) [반도체]
"제품의 불량율"로서 제품을  계속해서 사용했을 때 불량이  발생할 가능성을 나타냄.

Fractional Factorial Design [반도체]
일부실시법. 완전 Factorial 실험법에 필요한 조합의 적절히 선택된 분수.  Frame  Reticle/mask를 alignment할 수 있게 공정용 pattern 및 process상 필요한  item들을 sawing할 수 있는 scribe  line에 삽입하여 alignment할 수 있게  만든 형틀이다. 설계된 제품의 노광을 위해 한 번에 노광한 제품을 배열한  형틀로서 제품과  제품사이의 scribe  line내에는 노광장비에서  사용할  align   key 및  process inspection용 pattern을 포함하고 있다.

Frame Time [반도체]
화소의 데이터가 들어오는 시간 간격으로 Refreshing time과  같다.

Frame Ring [반도체]
Wafer를 완전 전달하기 위해 Tape에 접착시킬 때 지지하여 주는 틀.

Free Election(자유전자) [반도체]
전자중에 결합력이 약하여 결정  격자의 구성에 관여하지 않고  결정속에서 전계에끌려 자유로이 움직일 수 있는 전자.

Freon [반도체]
고열이 발생하는 부분의 열을 냉각시켜 주기 위하여 사용되는 냉각제.

Freedericks (전이) [반도체]
자화율 이방성이 양인 네마틱상에서 자계를 인가하면, 액정분자를  자계방향으로 배향하려고 한다. 그러나 표면에서의  액정의 배향을  일정하게 규제하는 것 같은 처리를 행한 기판의 평행한 유리기판에
액정을 넣고 기판의 배향 속박력에 의해서 액정분자를 일정한 방향에서  배향된 샌드위치  셀을 만들고 수직 자계를 가한 경우 Hc에서 자계 방향으로 배향이 일어나는 것을 말함.

Frequency Distribution [반도체]
도수분포. 개별 관측치 및 그  값이 시료나 모집단에서 발생한 빈도수를  나타낸 것을 말한다.

Frnak의 탄성정수 [반도체]
배향 벡터의 찌그럼짐에 관한 곡률 탄성의 탄성 정수.

From/To chart [반도체]
inter-bay 및 intra-bay의 작업 진행을  simulation하기 위하여 공정 진행 예정표를 작성하는 chart.

FSTN(Film Super Twist Nematic) [반도체]
DSTN과 유사하게 칼라  보상 액정셀 대신 폴리머된 매우 얇은 막을  사용한다. FSTN은 DSTN에 비해서 콘트라스트는 떨어지지만 큰 시야각이라든지 저 소비력이라는 큰 장점을 갖고 있다.

FTA.(Fixed To Aattempt Ratio) [반도체]
한 Wafer의 Repairable  소자들에 대해  Fuse Cutting 한후 양품화되는  소자의 수를 백분율로 환산한 값을 말한다.

FT(Current gain Band with product) [반도체]
차단 주파수.

Full-Auto [반도체]
장비가 HOST의 통제를 받으면서 AGV가 CST LOAD/UNLOAD를 수행하는 상태 및 그 표시.

Full Bar GOI Pattern [반도체]
GOI 측정을  위하여 ISO (Active) MASK와 PAD(Repair) MASK를 사용해서  단순히 Poly/Oxide(or ONO)/P-SUB 구조의 Capacitor를 형성시키는 공정 진행 과정.

Full Custom 제품 [반도체]
자동화된 tool을 사용하지 않고 원하는 chip의 특성에  맞게 설계하는  IC 설계방법. 회로설계시 MOS transister level부터 시작해서 회로구성,  simulation, optimization을 실시한 후 chip 전체의 area를 최적화하기  위해 수작업으로 layout하여 완성된 반도체 제품.

Full Cutting [반도체]
완전 절단. 테이프 절단(Tape Cutting)  과 같은 말로 Wafer를 완전 절단(95∼100%)함을 말함.

Fume(증기) [반도체]
화공약품의 증기를 말함.

Function Test [반도체]
Device의 동작이 진리표에 명시한 대로 동작하는지를 검사하는 것으로  테스터에서 패턴이나 벡터를 Formater나 Device를 통해 인가한다.

Furnace(확산로=tube) [반도체]
확산실에서 Deposition, Drive -In, Oxidation 혹은 Alloy를 하는 데  사용되며 긴  원형의 QZ를 이용하여 450℃에서 1250℃까지의 온도공정을  진행할 수 있으며 횡형과 종형이 있음.

Fazzy 이론 [반도체]
Fuzzy라는 의미는 '이해하다', '보호하다'는 의미로서 기존의  컴퓨터가  '0' or  '1' 또는  'Yes' or 'No'라고  극단적으로 판별밖에  할 수 없으나  Fuzzy이론을 활용하면 그 중간단계도 판별이 가능하며 인공지능의 역할에  접근하게 될 수 있다.

FW(Filter Water) [반도체]
일반 정수처리된 물.

F.W.W(Flouric Waste Water) [반도체]
불산폐수로서 약품중 불산을 사용하는 장비에서 배출되는 폐수를 말함.

G-Line Stepper [반도체]
사진공정시  사용되는 가시광선의   광원중 자외선  영역의  436nm 파장을 갖는 사진 장비.

GaAs(Gallium Arsenide) [반도체]
화합물 반도체로서 초고속 장치에 사용되며, 고주파에서의 이득과  대역폭 특성이 양호하여 차세대에 Silicon 대신 많이 이용되는 물질.

Gallium Phosphide(칼륨인) [반도체]
주기표 제Ⅲ측에 속하는 칼륨(Ca)과, 제Ⅴ족에 속하는(P)의 금속간 화합물로서 반도체로서의 성질을 가지고 있으므로  금속간 화합물 반도체라고 한다.

Gas Scrubber [반도체]
공기나 Gas중의 불순물 또는 분진을  물의 분사나 수막에 의하여 씻어 내리는 장치.

Gate [반도체]
1) 논리회로에서 몇 개의 Transistor를 조립하여 만든 계수형회로를  말하며, 2진 정보가 입력의          조합에 의해 형성되는 논리 회로.
2) 반도체 장치에서 MOS  Transistor에 입력을 가하기  위한 단자로서  Bipolar Transistor의          Base에 해당하는 단자.

Gate Array [반도체]
논리소자인 NOT-Gate,  AND-Gate,  OR-Gate,  NOR-Gate, NAND-Gate 등의  구성이 되어있거나,  구성할 수 있도록 Transisitor가  필요한  양만큼 만들어져 있는 Logic 소자로서 주문형 소자로 많이 사용됨.

Gate oxide [반도체]
TR이 형성되기 위한 제 2의 요소, insulator 역할을 하며,  MOS TR의 Gate 밑의 유전체로 사용.

GD Mark(Good Design Mark) [반도체]
우수 디자인 마크.  Gel  고분자 용액과 콜로이드 용액이 고화되어  제리상의  탄성을 갖는 고체로 된 것을 말한다.

Gel Time [반도체]
프리프레그레진이 가열되어 고체에서  액체상태를 거쳐 다시 고체로  변환되는데 소요되는 시간을 초로 표시한 것임.

Germanium [반도체]
게르마늄. 잘 알려진 반도체 재료중의 한가지.

Gettering(게터링) [반도체]
소수 캐리어의 수명개선, 접합에서의 누설전류를 줄이는 것,  Si-SiO2계 면에서 여러 가지 전하의  영역을 줄이는 것들을 말하며 아직 제대로  이해되지 않은 영역이다.

GIDL(Gate Induced Drain Leakage) [반도체]
얇은  gate oxide를 사용한 소자에서 breakdown voltage 이전에서  drain과 substrate간에 leakage current가  발생되는 것이 관찰되는 데 이는, gate와 drain 사이의  field에 의해 drain 부위가 deep
depletion되면서 band의 급격한 휨이 일어나게 되고, 전자의 band간  tunneling에 의해 drain junction을 빠져나간후 inpact ionization에  의한 EHP를  생성시켜 전자는 drain에 hole은 substrate로 빠져나가  leakage current를 형성하게 된다.

GIGO(Garbage In Garbage Out) [반도체]
컴퓨터  또는 Data Base에 과다  의존하는 것에 대한 경고의 의미로  Input Data가 좋아야 좋은 분석이나 결과를 얻을 수 있음을 나타낸다.

Glass Substrate [반도체]
아몰퍼스 실리콘용 트랜지스터 기판에는 무알칼리 유리가 이용된다.  알칼리이온에 의한 트랜지스터의 오염을 방지하기 위해서다.

Gm(Transconduction) [반도체]
Gate와 Source 사이의 전압 변화에 대한 Drain 전류의 변화 정도를  나타내는 양으로, Bipolar Tr의 증폭도(β)에 해당함.

GN2(General N2) [반도체]
용역동에서 생산되어  라인 장비에 직접  공급되는 N2 주로  Purge용으로 사용됨.

GO/NO-GO TEST [반도체]
제품검사시 각 항목이 규격에 합격(pass)인지 불합격(fail)인지 판정하여  다음항목을 검사하고(GO), 불합격이면 다음검사를 하지 않고 (NO- GO) 끝나는 검사방식으로 주로  양산검사시 많이 사용한다. Wafer에서의  Die나 Package를 이용하여 그 Device의 양/불량을 판단하는  Test를   말한다. 일반적으로 이때 사용하는 Test Program은 생산용 Program이다.

GOI(Gate Oxide Integrity) [반도체]
Gate Oxide의 품질정도를  말하며, 전압을 증가하면서 누설전류가  파괴전류가 될 때의 전압(BV, 파괴전압)으로 나타내다.

GOI 측정 [반도체]
System으로는 In-Line Diffusion 공정中 Oxidation 공정(ex: Init Ox,  Sac Ox, Gate Ox. . . etc)에 대한 Tube, Recipe, W/S 등의  상태를  점검하기 위하여 측정하는 Electrical  Stress Test로써  통상  HP System   또는 Kethley 236  System 등으로 구성된다.

GOI BV   Test [반도체]
일련의  GOI  측정 방법으로써   Voltage Forcing,  Current  Measuring으로 Gate Oxide Break Down Voltage를 측정한다.

GOI CUM Graph [반도체]
GOI측정 Data를  Normalized Gaussion 분포 Graph에  올려서 분석하는 통계적 분석용 Graph.

GOBI(Get off Burn-in) [반도체]
Infant mortality의 일정 goal을 설정하여 그 goal을 만족하였을 경우의 burn-in을 말함.

Grade Junction [반도체]
PN 접합은 하나의 반도체 단결정 속의 P형으로부터 N형으로 바뀌는 부분이다. 이 P형에서 N형으로 바뀌는 모양의  불순물 농도가 P형에서  N형으로 완만한 경사를 가지고 변화하는 것을 경사상 접합이라고 하며  확산형 접합이 이것에 해당한다.

Graeco-Latin Square [반도체]
그래코 Latin 방격. 4인자중의 어느  한 인자의 수준과 다른 세 인자의  수준의 조합들이 한번에 하나씩만 발생하도록 구성된  4인자 실험 계획법을 말한다.

Grain(미세입자) [반도체]
결정을 구성하는 가장 기본적인 조직을 의미한다.

Grating [반도체]
Clean공조방식 중 Down Flow Laminar Unit의  공조 흐름 유도용으로,   Floor에 구멍을 뚫어 공기가 빠져 나가도록 한 것. 이는 Access Floor 형식의 바닥구조에서 쓰일 수 있음. 일반 바닥 겔러리와는 다르므로  구별되어야 함. 또한 이것은 Aluminum으로 되어 있어 정전기를 방지함.  실내의 차압을 유지시키고 공기 유동을 원활하게 한다.

Grid [반도체]
인쇄기판상에 어떤 지점의 위치를 표시하기 위하여 직교되는 선.

Ground Gate(게이트 접지) [반도체]
전계효과TR(FET)에는 트랜지스터나 진공관과 같이 3가지 접지방식이  있으며 GATE를 입출력의  공통전극으로 하는 회로를 공통 게이트 (Common GATE)라고 한다. 공통 전극은 보통 교류적으로  접지하기 때문에 이것을 게이트 접지라고도 한다.

Grown Junction Diode(성장접합형 Diode) [반도체]
성장접합에 의해서 PN  접합을 형성시킨 접합형 다이오드의 일종이다.

GSP(Group Sampling Plan) [반도체]
소량 lot를 합쳐 대 lot로 구성하여 Sampling하는 제도.

Guard Ring(가아드 링) [반도체]
PNP 실리콘 TR을 플레이너  구조로 만들 때 P형 콜렉터 표면의 일부가  N형으로 변화하는 채널의  현상이 있어서 보호작용이 불완전해지는  결점이 있어 MOTOROLA사가 이 문제를 해결하기 위해 정규의 콜렉터·베이스 접합의 바깥쪽을 환상의 P형 영역으로 둘러싸서 콜렉터에  채널이 생성되는 것을 차단하는 방법을 고안해냈다. 이 P형 영역은  매우 높은 농도로 확산함으로써 이 부분에 채널이 생기지 않도록 하기때문에 트랜지스터로서 동작하는 부분은 완전히 산화피막의 아래에  들어가 버려 노출하지 않게 된다.  이 방법을 가이드링 또는 밴드 가아드(BAND GUARD)라고 부른다.

Guard Rings [반도체]
CMOS 경우 기생적으로 형성하는 Latch- up 현상 발생을 억제시켜주기  위해 넣어주는 pattern으로  둘레를 따라 Ring처럼 만들어 준다.

Guest-Host Effect [반도체]
액정 재료에 다색 색소를  혼입한 것은 액정 분자가 전계 인간에 의해  그 배열 방향이 바뀌는  것을 이용해서 색소 분자의 배향을 바꿀  수 있다. 이것에 의해 전계 인가로 액정 셀의 색을 변화시킬 수 있다.
액정 재료를 호스트, 색소를 게스트라 한다.

GUI(Graphical User Interface). [반도체]

Gunn Effect [반도체]
N형 GaAa 결정의 양단에 OHMIC 접속을하여 이 단자간에 직류전압을 가하고  그 전계를 차츰 증가시켜 가면 전류와 전계의  관계는 직선에서 벗어나  구부러지기 시작하며, 전계가 3000V/Cm 정도의 한계값을 넘으면 갑자기  전류가 진동을  하기 시작하여 마이크로파를 발진하는 현상이 일어난다.
이것을 Gunn Effect라 한다.

GY(Grave Yard)   [반도체]
야간 근무.

H2  Hydrogen  [반도체]
수소가스.

HA(홈 오토메이션 Home Automation) [반도체]
약칭 HA로 홈  일렉트로닉스(HOME ELECTRONICS)라고도 한다. 전자기술과 마이크로 컴퓨터를 가정생활의 모든 면에 보급시켜 괘적한 생활환경을 조성하고자 하는 시스템.

H.A.L(Hot Solder Air Leveling) [반도체]
P.C.B 표면 도금방법의 종류.

Handler [반도체]
Package화된  다량의 소자를  동시에 Test하기   위해 소자와 Test System과 연결시켜 주는 장비.

Handling [반도체]
(조작, 조작한다)

HDTV Projection [반도체]
TFT-LCD  고화질 TV의투사형 디스플레이로 최저 120만 이상의 화소수를 가지며 콘트라스트는 100:1이상의  고정세화, 풀칼라화된 디스플레이다.

Half Cutting [반도체]
Wafer를 70∼80% 절단함을 말함.

Halide [반도체]
Halogen 원소와 이보다 전기 음성도가 작은 원소와의 2원 화합물. 플로오르.

Hard Fail [반도체]
시험공정에서 규정된  여러조건에 관계없이 불량이 나는  경우 보통 defect에 의한 경우가 대부분이며 이와 같은 불량현상을 말한다.

Hardware [반도체]
물리적 형태를 가진 또는 그  일부를 지칭하는 것으로, Computer에서 Software와 대응하는 기능을 말하는 기계구조 자체를 의미함.

HB(Heater Block)  열전판. [반도체]

HCT(High Speed C-MOS TTL) [반도체]
고속의 C-MOS TTL이며 기존의 LSTTL 제품이 지니는 단점(고 소비전력)을 보완한 것으로서, Comuter  및 Computer 기술을 필요로 하는 각  전자부품내의  CPU, Memory, 주변기기 주요 IC들과  함께 내장되어 각 기능을 상호 연결시켜 주는 역할을 수행하는 제품.

HDD(Hard Disk Drive). [반도체]

H/D(Handler) [반도체]
조립(Package)된 제품을 검사하기 위해 Tester와  연결되는 설비.

Heat Sink Plane(방출판) [반도체]
기판표면이나  내층에서 열에 민감한  부품들로부터 열을 제거하여 주는 역할을 하는 평면.

Hepa Box [반도체]
Clean 공조의 말단에 Room내에 Hepa Filter를 장치한 Box.

HEPA Filter(High Efficiency Particulate Air Filter) [반도체]
Clean Room에 설치된 고수율정밀 filter로서 기류가 수직방향으로 흐른다. (0.1㎛-99.9995%)

HEMT(High Electron Moblitty Transistor) [반도체]
고전자 이동도 트랜지스터.

Hermetic seal [반도체]
기밀 봉지라고도 하며  공기나 습기가 들어가지 않도록  밀폐한 용기.

Hetero Junction [반도체]
하나의 반도체 결합속에서 P형으로부터 N형으로 바뀌어 가는 부분이 있을 때 그 접합 부분을 PN Junction이라고 한다. 대부분의 경우 P형부분이나 N형부분 모두 같은 종류의 반도체로 되어 있다.  그러나, 하나의 단결정이면서 2개의  종류가  다른 반도체를  포함하는  경우가 있는 데   이것을 HETERO Junction이라고 한다.

Hertz [반도체]
주파수의 단위로서 cycle/second를 나타내며 Hz로 표시한다.

High Power Inspection [반도체]
wafer 가공상 생긴  die 표면과 각 회로상의 불량을 고배율 현미경을 사용하여 검사하는 작업.

Hfe(DC Current Gain) [반도체]
Emitter접지 상태에서 직류 전류 이득.

HGC(Hercules Graphics Card) [반도체]
MDA를 에뮬레이트하고  동일한 흑백 TTL 디스플레이에서 실행되지만  CGA보다 높은 해상도를 가진  흑백 그래픽 기능들을 추가.

Hidden Refresh [반도체]
CBR과 같은 Refresh 형태이며 Data를 보면서 Refresh가 가능하다.

Hierarchy [반도체]
LSI Design시 주요 뼈대부분부터 세밀한  부분까지 차례로 Design 해 나가는 방법.

High Pressure Cleaner [반도체]
절단된 Wafer 세정  장비로서, CO2가 함유된 고압의  D-I Water로 세정하는 것.

Hillock [반도체]
산화막 위에 금속 박막을 증착시켜 열처리 할 때 열팽창 계수차에 의해  생겨나며 상어 등 지느러미 모양의 솟아 오른 형태를 가짐.

HMDS(Hexa Methyl Di Silazane 처리) [반도체]
감광액과 Wafer 표면의 접착력을 높이기 위해 감광액 도포전 Wafer에  주는 Primer(접착강화제) 중의 대표적인  한  종류.

H-MOS(High-performance MOS) [반도체]
단자 소자의 크기를 줄임으로서 MOS IC의 속도를 증가시키는  고성능  N-NOS 제조기술  또느 이것으로  이룩된 고성능  MOS.

Hold Time [반도체]
기준 신호에 대하여 Data가 최소한 유지되어야 하는 시간으로 기준 신호에 따라 tCAH(Column Address  Hold Time) tRAH(Row  Address Hold Time), tDH(Data Hold Time) 등이 있다.

Hole [반도체]
반도체 속에서 가전자대에 있는 전자의  이동으로 생기는 비어 있는 전자의  준위를 말하며 정공이라고 함.

Hole Density(홀밀도) [반도체]
단위면적당의 홀의 개수.

Hole Pull Strength(홀인장력) [반도체]
도금된 도통홀을  홀의 수직방향으로 끌어당겨서 찢어내는데 소요되는 힘.

HOPL(High Temperature Operating Life Test) [반도체]
"고온동작 수명시험"으로서, 125℃ Oven속에서 7.5(V)  Bias, 1000시간을 가하여 시험하는 "수명시험"을 말함.

Host Computer [반도체]
주 컴퓨터 또는 전체 컴퓨터를 제어하며 데이터 교환을 규제하는 Software를 가지고 있는 컴퓨터.

Hot Carrier [반도체]
gate 및 Drain 등에 의한 electric field로 인해 가속된 Carrier들의  연쇄적 충돌로 발생된 보다 높은 Energy를 가진  Carrier를 말한다.

Hot DI Water [반도체]
뜨거운 D·I Water(85℃). 웨이퍼(Wafer) 세정시 사용.

Hot Electron [반도체]
결정에 전계를 가하면 결정속의 전자가  전계해서 에너지를 얻는다.  보통의 상태(전계가 그다지 강하지 않은 상태)에서는 전자가 얻은  에너지를 결정을 구성하고 있는 원자에 줌으로  전자와 결정의 원자는
같은 정도의  에너지를 갖게 된다. 그러나 전계가 강해지면  전자는  얻은 에너지를 원자에  나누어 줄 수 없게 되어 결정보다 전자에  에너지쪽이 높은 상태로 된다. 이러한 상태에 있는 전자를  Hot Electron이라한다.

Hot Press [반도체]
실 프린팅(Seal Printing)과 액정 주입후 앞과 뒷 유리를 붙이기  위해서 상온하에서 가압하는 것. 상판 유리와 하판 유리를 정착시키는 것을 말함.

Hot RUN [반도체]
RUN(LOT)들 중에서 특별한 목적을 위해 다른 RUN에 우선해서 진행시켜야 하는 것들이 있는데 이를 가르키는 것으로 작업의 신속화를  위해 Normal RUN보다 빨리 공정을 진행함이 요구되는 RUN.

Hot Test [반도체]
제품을 고온상태에서 검사하는 것.

HP4145 [반도체]
Wafer Level 반도체의 DC 특성을 여러 가지 조건을 변화시켜 주면서  그 결과를 Graphic 또는 도표로 표시하여 주는 Bench Test tool.

H/S(Heat Sink) [반도체]
방열판, 즉 PKG에 붙어  있어 열을 방출시키는 작용을 하는  판.

HSPICE [반도체]
Unix Language를 이용한 Analog 회로 Simulatior로써 Berkly SPICE,  ASPEC 및 기타 Simulator들을 기초로 만들어졌으며, Steady State,  Transient 및 Freguency 등에 대한 전기회로들을 Simulation 할 수  있는 Tool.

HTO(High Temperature Oxidation) [반도체]
고온산화. 실리콘 표면에  산화막을 형성하는데 있어서 가장 많이  쓰이는 방법의 하나이다. 고온도속(900℃)에서 Si웨이퍼를 넣고  이것에 산소, 수증기와 같은 산화성가스를 보내서 Si  웨이퍼 표면을 산화하여 SiO2를 만드는 방법.

HTRB(High Temperature Reverse  Biase) [반도체]
"고온  역 Bias  시험"으로서 Device에 Bias를 인가하여 고온의  Oven 속에서 진행되는 시험을 말함.

HTS(High Temperature Storage) [반도체]
"고온  보관 시험"으로서, 고온(125℃)의 Oven속에서 Device를 저장하는 환경 시험을 말함.

HUB [반도체]
제어패널 또는 플러그 보드 위의 소켓으로, 신호를 전송하기 위해  전기 단자나 플러그 와이어를 연결할 수 있으며 특히 신호를 여러  다른 선으로 분산시켜 내보낼 수 있는 기기.

Humidity  습기, 습도. [반도체]

HVAC Heating Ventilation and Air Conditoining(空氣調和  시스템) [반도체]
실내공기의 온·습도 조절 및 통풍(순환)을 포함한 공기처리 시스템.

Hybrid-Circuit [반도체]
한 기판 위에 여러 종류의 능동조사,  수동소자 또는 집적회로  등을 부착시킨 전자회로를 말하며, 혼성집적 회로라고도 함.

Hybrid I. C [반도체]
반도체 기술과 박막(THIN FILM)  또는 후막(THICK FILM) 기술의 양쪽을  혼성하여 만들어지는 I. C를 말하며 반도체  기술에 의해 다이오드나  트랜지스터 등을 만든 기판위에 다시 절연층을 만든후 박막기술 및  후막기술에 의해 배선이나 저항, 콘덴서 부분 등을 만들어내는  혼성형 I. C를 말함.

I-Line Steeper [반도체]
사진 공정시 사용되는 가시광선의 광원중, 자외선  영역의 365㎚의 파장을 갖는 사진 장비.

Iagc(AGC Current)   [반도체]
AGC 전류.

Ib(Base Current)   [반도체]
베이스 전류.

IC(Collector Current)   [반도체]
콜렉터 전류.

IC Memory [반도체]
종래의 자성체 대신에 바이폴라 TR이나  MOS TR로 F-F를 구성하여 기본 Memory(Cell)를 만든 IC 회로.

IC 카드(Integrated Circuit Card) [반도체]
집적회로(IC)를 내장한 카드의 명칭. 종래의 카드에 비해 기억용량과  안전성이 한층 향상되어 금융, 유통, 의료 등 응용분야가 넓고  다기능적인 역할을 가진 다음 세대의 카드로 기대된다.

Icc(Circuit Current)  제품공급 전류. [반도체]

ICCE(International Conference on Consumer Electronics) [반도체]

ICE(In Circuit Emulator) [반도체]
Program 개발시 전 Debugging 과정을  통제하는 H/W System.

ICOT(Institute for new Generation Computer Technolgy) [반도체]
일본에서 82년 차세대 컴퓨터를 개발하기 위해 설립한 연구소.

IC Tester(집적회로 검사장치 Integrated  Circuit Tester) [반도체]
출하직전  IC의 전압이나 저항 등의 전기적  특성을 검사하고 불량품을  제거하는  장치. 불량품과 양품(良品)을 자동적으로 구별하는  ATE(Automatic  Test Equipment=전자동검사장치)가 주류를 이루고 있음.

ID-TV(Improved Definition TV) [반도체]
현행 TV  방식에서 수상기만을 개조하여 고화질을 추구한 방식.  가격  경쟁력이 없어 향후 제품으로서의  방향은 불투명한 상태임.

IDP(Integrated Data Processing) [반도체]
EDPS(전자정보처리시스템) 방식을  더욱 발전시켜 지역적으로 분산해서  발생하는 데이터를 집중처리하는 방식.

I·D Card(Indentification Card) [반도체]
(소지인이 누구인가를 가리키는) 신분 증명서.

Ids [반도체]
MOS TR에서 동작시 Source와 Dran간에 흐르는 전류.

Ie(Emitter Current) [반도체]
에미터 전류.

IEC(International Electrotechnical Commission) [반도체]
국제전기 표준회의.

IEC(Integrated Equipment Computer) [반도체]
앞으로의 집적회로가 지향하는 추이로서, 모든 장비의 기능이  하나의 반도체 집적회로로 구성되는 것.

IEEE(Insitute of Electrical and Electronics Engineers) [반도체]
미국의 전기 전자 공학회로서 전세계에 회원이 분포되어 있고, 각종 학술관계 간행물을 발간하고 있음.

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors). [반도체]

IGFET(Insulated-Gate-Field-Effect-Transistor) [반도체]
(MOSFET의 다른 명칭).

I2L(Integrated Injection Logic) [반도체]
저항 대신 Bipolar Transistor 형태의 구조인 PNP형 Transistor 부하와  역 동작을 하는  NPN형 Transistor를 이용한 논리회로로 전력소모가  적고 속도가 빠름.

I3L(Isoplanar Integrated Injection Logic) [반도체]
I2L의 개량된 기술로 이루어진 논리회로로, 각 소자사이를 산화막으로 격리시켜 집적도를 상승시킨 것.

ILT(Infant Life Test) [반도체]
초기수명시험(신뢰성) 48시간 Burn In과 같음.

Image Sticking(잔상) [반도체]
동일 화면을 장시간 켜 두었을 때 화면이 바뀌어도 상이 남아있어 오랜동안 없어지지 않고 남아있는 것을 말하며, ghost 효과라 한다.

IMO(Inter Metal Oxide) [반도체]
Multi Level Metal Process를 적용하고 있는 공정에서, 각 Metal  Layer간의 절연을 위하여  사용되는 Oxide를 말함.  주로 Low  Temperatare에 의한 PECVD Oxide(TEOS 및 SiH4계)가 사용.

Impact Ionization [반도체]
고체격자 내에서 Electric field에 의해서 가속된  electron과  atom이 충돌하여 electron-hole Pair를 생성시키는 현상을 말함.

Implanter(이온 주입기) [반도체]
불순물을 강제로 Wafer에 주입시키는 장치로써 고전류,  중전류, 저전류 이온 주입기 등 3 종류가 있다.

Implanting(이온주입) [반도체]
Wafer 내부로 B(붕소)나 P(인) 등을 Implanter를 이용해 주입시키는 것을 말함.

Impurity [반도체]
반도체의 전기흐름에 기여하는 각종 원소를 말하며,  P형과 N형 불순물로 나눔.
P형 : B, Al, Ga, In 등
N형 : P, As, Sb 등

Incomplete Block Design [반도체]
불완비 Block 계획법. 실험공간이 실험의 반복 수행에 필요한  실험단위가 모두 포함되어  있지 않은 Block 상태로  분리되어 있는 실험계획법을 말한다.

In-Control Process [반도체]
평가되고 있는 측정치가 통계적 관리상태에 있는 공정.

Index Feeding [반도체]
작업대 위에서 작업을 하거나, 작업이 종료된 Lead Frame이나  이송되는 자재를 이동시키는 것.

Index Register [반도체]
메모리내의 Address를 지정하기 위한 Register.

Induced Cholesteric Phase [반도체]
네마틱상에  액정상을 갖는 광학 활성인  카이랄 분자를 가하면  콜레스테릭상이 나타난다. 이를 유도 콜레스테릭상이라 한다.

Induced Smectic Phase [반도체]
혼합 액정에 있어서 제각기 성분  단독으로 스메틱상을 만들지 않는  경우에도 혼합계에서는 어떤 성분비의 범위로는  스메틱상을 만드는 데, 이를 유도 스멕틱상이라 한다.

Indum arsenide  InAs, [반도체]
Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중의 하나임.

Initial Oxide [반도체]
Si과 Nitride가   상이한 열팽창계수를 갖고  있어  이로 인한  Tensile Stress(1×109 DYNE/㎠)로 인해 이후 열처리 공정에서  결정결함의 발생 확률이 높으며, 이의 방지를 위해  사용하는   Buffered Oxide의 구실을 한다.  또, 이 Oxide의 두께는  향후 Bird's Beak에 영향을 끼치기도 한다.

Injection(주입) [반도체]
PN 접합면에 있어서 각 영역의 다수 캐리어가 반대쪽 영역으로  소수 캐리어로 되어 흘러 들어가는 현상.

Ink [반도체]
불량을 표시할 때 사용도는 액체.

Inker [반도체]
Wafer 검사시 불량품에 Ink를 찍는 장치.

Inking [반도체]
Package 공정에서 양품의 제품에 대해서만 Package하도록 Wafer 상태에서 불량인 제품에 대해 Inking을하여 양품과 불량품을 나누는 공정.

Inorganic Filter [반도체]
특별한 파장의 빛에 광학적 간섭이 강하게 나타나도록 무기물을 사용하여 얇은 막을 만들어서 광을 통과시켜 착색하는 방법.

Inprocess Inspection [반도체]
공정중의 결함(defect) 유무를 검사.

Input Buffer [반도체]
외부 Signal에 대하여 반도체 소자내부의 Voltage Level에 맞도록 조정하여 받아들이는 회로. Logic Level이 결정되는 Logic Low라고 인식하는 최고 전압이 가능한 높은 전압을 갖는 것이 바람직하다.

Input Level [반도체]
Device에 가해주는  외부 파형들의 전위로서 Device가  특정상태(High, Low)를 인식하게 딘다.

INSEC(International Semiconductor Cooperation Center) [반도체]
반도체 국제 교류센터(일본).

Inspection(Normal) [반도체]
보통검사. 공정이 합격품질수준 또는 그보다 다소 나은 상태에서  진행되었을 때, sampling법에 의해 적용되는 검사를 말한다.

Inspection(100Percent) [반도체]
전수검사. Lot 혹은 Bath 내의 모든 단위체를 검사한다.

Inspecion(Rectifying) [반도체]
선별형 검사. 불합격 판정된 Lot이나 Batch에서, 특정 수 또는 모든  단위체에 대한 검사를 실시하는 동안 불량품의 교체 및 제거하는 검사를 말한다.

Inspection(Tightened) [반도체]
까다로운 검사. 정규(보통) 검사에서 적용했던  기준보다 더 엄격한  합격판정 기준을 사용하는  sampling 검사방법을 말한다. 까다로운  검사(Tightened Inspection)는 제시된 품질수준이 상당히 나쁠 때,  불합격 Lot의 확률을 증가시키기 위한 보호수단으로 사용된다.

Insulator   [반도체]
도체와 도체를 연결시켜 주는 부도체 물질을 말함.

Interaction    [반도체]
교호작용. 하나이상의 인자의 각 수준들에 있어서, 한 인자의 각 수준에 대한 결과를 세밀히 비교하기 위한 측정치(방법)를 나타내는 말이다.

Inter-bay [반도체]
Bay와 bay간 물류이동을 말하며 clean way(AGV,  Track)가 많이 사용되고 있다.

Interface [반도체]
Amp 및 Computer 등에 사용되는 것으로서, 주변기기를 서로 연결할 때  동일한 조건으로 상호 교류가 가능하도록 해주는 일종의 신호변환 장치.

Interface Trap Charge(Dit or Qit or Nit) [반도체]
Silicon과 SiO2 계면 사이에 존재하는 State로써 불순물이나 Radiation  Damage, Lattice 격자 결함 등에 의해 발생된다. 이 Charge들을  Fast Surface State라고도 한다.

Interlaced Scan [반도체]
모니터 혹은 TV 등의 화면 Scanning에 관한 주사방식으로 주사할 화면에  대하여  상단부터 하단까지 홀수 화면과 짝수 화면으로 구분하여 주사하는 방식. (참조 : Non-Interlaced)

Interleave  Mode [반도체]
메모리  사용속도를  높이기  위해  사용하는   메모리  Read/Write에  대한 방식이며 System 전체의 성능을 향상시킨다. 이 방식은 2개 이상의  메모리 Access가 이루어지는 동안 다른   Bank는 Rrecharge  Time동안  RAS  신호를 Active시켜   메모리 Access함으로써 메모리 사용속도를
높인다.

Inter Metallic Compound(금속간화합물) [반도체]
두종류 이상의 금속이 결합하는 일종의 화합물로서 그 결합비율이  일정한(MOL)비로 되는 점이 합금과 다르다.

Internal Clock Switching [반도체]
CPU에 공급되는 CLK의 Speed를 High에서 Low로 Low서 High로  전환하는  것으로  Seat CHIPSET에서는  CLK 2IN과  AT CLK에서 하나를 CLK  Source로 선택 사용하여 CLK 주파수를 변환시킨다.

Internal Memory(내부 메모리) [반도체]
전자계산기에 있어서 사람의 손을 거치지 않고 자동적으로 이용할 수  있는 메모리. 레지스터, 콘트롤 메모리, 메인 메모리를 가리킨다.

Intra-bay [반도체]
Bay 안에서 장비간 물류이동을 뜻하고 AGV나 track이 사용된다.

Intrinsic [반도체]
P형 혹은 N형의 전기적인 성질을 나타내지 않는 것을 나타내며, 이러한 영역에는 P형 혹은 N형의 불순물이  없거나 동일한 양의 불순물이  있어  서로 상쇄되어 전기적인 성질의 나타나지 않는 영역을 나타냄.

Inversion [반도체]
MOS FET에서 Gate전압에 의해서 생긴 P→N-type 변환이나 N→P-type 변환을 말함.

Inversion Wall(반전벽) [반도체]
열 평형 상태에서도 질서상이 체계 전체에 걸쳐  존재 하지 않고,  어느 정도 축된 상태가 공존하여 존재하는 경우가 많다. 이러한 상태간의 경계를 벽이라 하는데, 여기의 좁은 뜻으로는 위상 만큼 차이나는  상태간의 벽을 의미한다.

Inverted Staggered(역적층) [반도체]
비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 주로 이용되는 구조로 게이트  전극이 제일 밑에 있고 소오스와 드레인 전극이  활성층 위에 존재하는 구조를 말한다.

Inverter [반도체]
Digital Circuit에서 1→0, or 0→1로 변환시키는 회로.

I/O(Input Output) [반도체]
정보를 전달하거나 수신하는 곳 또는 입출력 장치를 말함.

Ion Beam Lithgraphy [반도체]
기존의 Optic, X-ray, electron beam을 이용하는 방법보다 더 발전된  형태의 Lithography  방식으로서 보다 정밀한 해상도를 얻을 수 있음.

Ionizer [반도체]
이온,  이온을 순차적으로 발생시켜 대기중에 발생된 정전기를  제거하는 장치(대전물에 존재하는 이온을 중화시킴).

Ion Implantation [반도체]
반도체 소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록  반도체 기판 위에  필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을 물리적으로 주입하는 것.

Ion Injection [반도체]
Silicon 등에  확산법에 의해 불순물을  넣어 주는 것이  아니라  Ion을 쏘아서 원하는 깊이, 원하는 갯수만큼의 불순물을 주입하는 것.

Ion Shell(이온각) [반도체]
최외각 전자를 제외한 나머지 전자와 원자핵의 결합.

Ionization Energy(이온화 에너지) [반도체]
원자를 이온화하는데 필요한 Energy.

I·R Oven [반도체]
적외선 오븐.

IPA(Iso Propyl Alcohol) [반도체]
세정하거나, 휘발성을  이용하여 건조시킬때 사용되는 화학물질임.

IPO(Inter Poly Oxide) [반도체]
도체인 Poly Si과 Poly Si 사이의 절연을 위한 oxide.

ISA(Industry Standard Architecture) [반도체]
원형 PC와 AT 컴퓨터에서 사용되는 버스신호와 Timing에 관한 것.

IS/B(Secondary Breakdown Current) [반도체]
2차 항복 전류.

ISDN(Integrated Services Digital Network) [반도체]
전기통신망(電氣通信用)의 장래  형태로서 전기, Facsimile, 화상, Date,  전보, Telex 등 복수 서비스를  제공할 수 있는 종합적인 Digital 교통망을 ISDN(=Digital 종합 통신망)이라고 부른다.

ISO(International Standardization Organization) 국제 표준기구. [반도체]

ISO-Planar [반도체]
Planer 보다 평탄하게 형성시킬 수 있는 기술.

Isolation [반도체]
반도체 집적회로는 한 Chip속에 TR, Diode, 저항 등의 회로소자를 조립해 넣으므로 이들 소자를 먼저 각각 분리하여 고립된 상태를  만들어 놓는 데 이를Isolation이라 한다.

Isolation Diffusion [반도체]
일반적으로 N형의 Epi층을 통하여 P형 Substrate까지 통하도록 진행함.  같은 유형의 Epi층 위에서 다른 전기적 성질을  갖는 영역들을 고립시키도록 하는 목적으로 사용됨.

Isolation in IC [반도체]
반도체 집적회로에서 소자끼리 전기적으로 영향을 받지 않도록 하는 것.

Isotropic [반도체]
물질의 성질이 방향에 따라 다르지 않는 것. 액정 물질은 TNI 온도이상이 되면 등방성이 된다.

Isotropic Etching [반도체]
등방성 식각. 식각  반응이 수직 및 수평(측면)양  방향으로  진행되는 식각 형태.

Isotropic Phase(등방상) [반도체]
물질이 거시적인 물리적 성질이 방향에  따르지 않을 경우, 그 물질은   물리적 성질에 대해 등방적이라고 하며, 외부의 장이 존재하지 않고  열 평행 상태에 있는 모든 물리적 성질에 대해 등방적일 때, 그 상태를  등방상 이라 한다. 이는 가늘고 긴분자 구조에서 분자의 축 방향과  직각 방향에서 물리적 성질을 달리하기 때문이다.

Isotropic Texture(등방성 조직) [반도체]
일정한 수직 배향구조의 네마틱상이나 스메틱 A상 등은 편광 현미경하에서  광학적으로 마치 등방성과 같이 보이기 때문에 그와 같은 배향 구조의  조직을 등방성 조직이라 한다.

ISU(Internatinal System of Units) [반도체]

ITO(Indium Tin Oxide) [반도체]
전기 전도성을 가진 투명도전막. 인듐과 산화 주석의 화합물 (In2O3, SnO2)로 된 막으로 주로 스파터링 방법으로 만듬.

ITR(Inspection Trouble Report) [반도체]
공정상의 Monitor를 통하여 일정한 Criteria 이상으로  발생하였을 경우, 이 Report가 issue되며, 그와 관련된 공정을 Shut-down하여  Corrective action이 완료된 후 정상 가동 가능.

ITU(국제전기통신연합 International Telecommunications Union) [반도체]
국제연합의 전기통신  전문기관, 범세계적으로 주파수 할당, 무선방송의 규제 표준화된 통신절차 및 규격을 정하기 위해 설립.

IV Group Element [반도체]
원소 주기표에서  원자가가 4가인 원소, 게르마늄, 실리콘  등.

IWS(Intel Workmanship Standard)  Operator의 Visual 작업표준. [반도체]

JEDEC(Joint Electron Device  Engineering Council) [반도체]
반도체 제품의 Pin 및 Package 등의 제품설계 spec.을 정하는 위원회.  미국 EIA(Electronic  Industries Association)의 산하기관이며 미국의  전자업체 및 반도체 메이커로 조직 되어 있는 단체로서 업계 품종을 결정한다.

JEIDA(Japan Electronic Industry Developement Association) [반도체]
일본 전자공업표준 협회.

JESSI(Joint European Submicron Silicon Initiative) [반도체]

J-FET(Junction FET) [반도체]
Depletion Mode만을 사용하며 Source-Drain 영역사이에 Ion 주입 혹은 확산 공정에 의한 Gate 전극을 만들고 Gate에 걸어주는 전압 에 의한 Drain 전류를 제어하는 FET(Field Effect Transistor)를 일컬음.

Jig [반도체]
제품별로 검사 또는 작업을 하기 위해 조사 및 작업 조건환경에 맞게 만들어 주는 장치이며, 제품과 검사 장비간에 연결기능을 가짐.

JIS(Japan Industrial Standard) [반도체]
일본공업규격. 합격품에는 JIS 마크가  붙여진다. 1980년부터 외국제품에 JIS 마크를 인정키로 했다.

JIT(Just In Time) [반도체]
생산시점과 구매시점에서의 부품  필요량을 일치시켜 재고를 최소화하기 위한 재고 및 생산관리시스템.

JPEG(Joint Picture coding Experts Group) [반도체]
정지화상처리 국제표준스펙을 정하는 국제 단체.

Junction [반도체]
하나의 단결정속에 물리적 특성이 다른 부분의 접합면을 JUNCTION이라고 한다.

Junction Depth(Xj) [반도체]
Silicon 표면에서부터 Diffused Layer의 농도가 Background 농도와  같은 지점까지의 거리를 말한다.

Junction Diode [반도체]
PN접합을 이용한 Diode.

Junction Transistor(접합형 TR) [반도체]
3층 구조(PNP 또는 NPN)으로 된 TR.

Junction spiking [반도체]
Metal-Silicon contact에서 Metal이 Silicon을 파고 들어가는  현상을 말함.

Jungle-Box [반도체]
확산로 내로 필요한 Gas를 필요한 양만큼 주입시키기 위하여 Gas  Flow meter(MFC)가 부착되어 있어 Gas량을 조절할 수 있도록 한 것.

Kerf   [반도체]
절단 자국(흔적).
Blade로 절단하였을 때 절단된 자국의 폭을 의미.

Keying Slot [반도체]
인쇄기판이 해당장비에만 삽입되고 기타의 장비에는 삽입될 수 없도록 고안된 슬롯.

Know-How [반도체]
어떤 사람이 그가 가지고 있는  기술을 최고의 조건하에서 실시하는데 필요로 하는 지식.

KS(Korean Standard) [반도체]
공업표준화를 위해 제정된 공업규격.

Kurtosis [반도체]
분포의 뾰족한 정도. γ2가 양이면 분포는  정규분포보다 더 긴꼬리를  갖고 반대로 음이면 정규분포보다 짧은 꼬리를 갖는다. 정규분포에서  γ2=0이다.

Labelling(명명) [반도체]
Wafer에   RUN번호를 기록하거나   확산 Tube에   번호를 Diamond pen으로 기록하는 것을 말함.

Laevoratatory(左示性) [반도체]
빛의 진행방향에 대해 관측자  쪽에서 본 경우 매질을  통과하는 빛의 편광면이 시계 회전 반대방향으로 회전하고 있는 것.

Laminar Flow [반도체]
공기가 유동하면서 서로  충돌하지 않고 일정한 유선을 그리는 층류이동.

Laminar Flow Station [반도체]
먼지를 제거한 순수한 공기만이 흐르게  되어 있는 작업대를 말하며, Filter를 통해 공기가 정화유입됨.

Laminate Vold [반도체]
정상적으로는 레진이 있어야 할 곳에 레지니 없는 상태.

LAN [반도체]
Local Area Network(Ethernet, Arcnet, Token ring, …)

Laptop [반도체]
TFT-LCD  기본적으로 전지를 포함, 중량 3.5kg 이하의 포터블 PC인  Laptop PC에 장착되는 디스플레이 판넬로 보통 8-14인치의 540x600  또는 640x480의 그래픽 모드를 가지며 pitch 0.24, 0.33㎜정도이다.

LASER   [반도체]
(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation).

Laser Diode [반도체]
반도체  레이저에서 레이저 발진을  일을키는 하나의 방법으로서  PN접합에 큰 전류를 흘려서 소수캐리어를 다량으로  주입하는 방법이  있다. 이것을 반도체 접합형 레이저 또는 주입형 레이저라 하며  이것에 쓰이는 PN접합을 레이저 다이오드라 한다.

Laser Interference Method [반도체]
Etch 공정시 Wafer 표면에 주사시키는 Laser의 반사파를 추적하여  반사파의 파장이 노출되는 박막의 종류에 따라  변화되는 신호를 기준점으로 활용하는 방법.

Laser Recrystallization [반도체]
엑시머 레이저를  이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로  재결정화 시키는 방법을 말한다.

Laser Repair [반도체]
반도체 제품에서 Data 저장소의 일부(혹은 회로일부)가 제조공정 에 의해 그 기능을 제대로 발휘하지 못할 경우 LASER를 사용해서  일정부분의 회로를 끊어 다른 Data 저장장소(혹은 다른회로)로 대체하여 제품기능에 이상부위를 정상으로 동작할 수 있도록  회로를 교체해 주는 것.

Laser Scriber [반도체]
반도체 Wafer로부터 Die를 잘라내는데레이저 광선으로 금을 긋는 장치를 Laser Scriber 또는 Laser Cutter 이라고 한다.

Laser Test [반도체]
Yield 향상을 위해 Fuse를 Laser로 끊어내는 작업.

Lasera [반도체]
유도 방출에 의한 빛의 증폭.

Latch [반도체]
신호의 일시 기억용으로 사용되는 회로.

Latch Up [반도체]
CMOS 구조에서 외부의 전압, 변동이나, 전기적 잡음 또는 ionizing  radiation 등으로 Turn on되어 소자의 동작을 방해 또는 파괴시키는  동작을 말한다.

Latin Square [반도체]
Latin 방격. 세 인자중의 한 인자의 수준수와  다른 두인자의 수준수의 조합이 한번에 1회씩 나타나는(발생하는) 실험법을 말한다.

Lawer Cutter  [반도체]
LASER SCRIBER.

Layer [반도체]
반도체 IC를 만들기  위해서는 Si-Wafer위에 순차적으로  층(Insulator,  Conductor 등)을 쌓아가면서 Photo/Etch 공정을 거치면서 원하는 Pattern을 형성하게 되는데 이러한 층들을 의미한다.

Layout [반도체]
Simulation을 통하여 축출된 Circuit을 실제의 제품생산을 위해 Design  Rule 및 공정 조건에 의하여 그린 설계 도면.

Layout Plot [반도체]
Layout을  육안 검사하기 위해  전체 혹은 일부를  배율조정해서  Hard Copy로 출력한 도면으로 C-MOS  LSI 등에 있어, 어떤 특정한  상태에서 기생하는 THYRISTOR 또는 TRANSISTOR가 도통하고 전원단
자간에 대전류가  흐르며, 회로 동작이 고장상태가 되기도 하여,  IC가 전류에 의해 파괴되는 현상을 말한다. C-MOS에서는 미세화에  따르지 않는 이상동작이 문제가 되고 있다.

L/B(Loadboard) [반도체]
Test System에서 사용되는 일종의 Jig.

LC(Local Controller) [반도체]
공정간 반송에서 vehicle에 주행지시를 한다.

LC(Liquied Crystal) [반도체]
물질이 가열되어 고체에서 액체로 변화될  때의 어떤 특정의 유기재료에  나타나는 중간상태를 가리킨다. 이  상태에서는 고체처럼 분자가 어떤  특정한 질서를 갖고 배열하며  점성이 낮은 액체와 같은 유동성을  겸비하고 있다. 이것이 액상결정 즉 "액정"이다.

LCD(Liquid Crystal Display) [반도체]
액정(liquid crystal)을 이용한  문자나 숫자 표시판으로, 두 개의  유리판 사이에 액정을 넣고 전압에 의하여 원하는 문자를 표시하도록 한 장치.

LCL(Lower Control Limit) [반도체]
하한관리 한계선.

LD(Laser Diode) [반도체]
초소형화시킨 레이저로서 가장 높은 효율을 보이며 P-N 접합을 형성시켜  전류주입으로 레이저에 필요한 이득을 얻는다. LD로 얻을 수 있는  Power는 1W이하가 대부분이며 10mW급이 통상적으로 사용되고 있다.

LDD(Lightly Doped  Drain) [반도체]
Doping이 낮게   되는 영역(N-)을  이용하여 Device의 동작 전압을 향상시킬 목적으로 사용하는 공법.

LDMOS(Lateral Diffused  MOS) [반도체]
고전압 회로에  응용하기  위하여 기존 MOSFET를 변형한 구조로  Source와  Drain 확산 사이가  채널영역과 표동영역(drift region)으로 분리되어 높은 항복전압 특성을 나타낸다.

Lead Finishing [반도체]
반도체 제품의 Lead 표면을 대기중 산화와 부식으로부터 보호하고  납땜 신뢰도를 높히기  위해 주석도금(Tin), 납땜(Soldering) 혹은  납 도금(Soler Plating)하는 공정.

Lead Frame [반도체]
TR,  diode, I.C 등의  반도체 제품을  조립시 Sawing된 Die를  Attach 시키는 머리빗 모양으로  정형된 얇은 금속판. 재질별로  Alloy 42, Copper, Kovar, Steel  등으로 구분되며 형태별로는  IDF와 TTT형이 있음.

Leak [반도체]
세그먼트와 세그먼트 사이 또는 pin과  pin 사이에 도전성을 지닌 이물질 등에 의해 이상전류가 흘러  불량이 일어나는 상태.

Leak Current [반도체]
누설전류라고도 하며 원래 전류가 흐르지 않아야 할 곳에 전류가  흐르는 것을 말한다.

Leakage [반도체]
보통의 input나 tristated output은 open circuit같이 high impedance로서 표현될 수 있다. leakage는 규정된 voltage가 인가되었을 때  input과 triasted  output에 누설되는 current양를 말하며,   input leakage와 triasted leakage가 있다.

LED(Light Emission Diode) [반도체]
반도체 소자로서 전류가 통과할 때만 빛을 발산하는 Diode(PN 접합형 반도체).

Legend(식자) [반도체]
정상적으로 작동할 수 있도록 기판상에 글자나 숫자나 기호를 표시하여  부품의 위치를 표시하는 것.

LF(Lead Frame) [반도체]
Chip을 접착시킬 수 있는 금속.

LG(Leader Girl)   [반도체]
조장.

LG(Letter of Guarantee). [반도체]

Library [반도체]
Gate Array와 Standard Cell 방식으로 제품을 설계시 배치 배선의 효율성을 높이기 위해 미리 준비된 각종 논리블록의 집합체.

LIM(Liner Induction Motor) [반도체]
일반형 유도 전동기를 축에 따라서 분리하여 1차측 고정자, 2차측 회전자 및 공극을 가각 직선으로 펼친 비회전형 motor이다.

Life Time  Carrier 주입후의 수명. [반도체]

Limited Calibration [반도체]
제한교정. 계측기기의 본래의 정밀도  보다 낮거나, 기능상의 일부분만 교정 검사하는 것.

Linear IC(L-IC) [반도체]
계수형 IC(Digital IC)에 반대되는 것으로, 입력의 크기에 따라 출력이  선형적으로 변화하는 집적회로로, 증폭기, 정전압기 등이 있음. Analog형 증폭을 말함.

Linear Circuit [반도체]
입력에 비례한 출력이 얻어지는 회로이며 Analog 회로라는  용도도  이것과 같은 뜻이다.

Linear regression equation [반도체]
직선회귀  방정식. 두변수들 사이의  직선관계를 나타내는 식.

LIPAS(Line Item Performance Against Schedule) [반도체]
계획대비 항목별 달성율.

Liquid Crystal(액정) [반도체]
액체의 유동성과  결정의 광학적 성질을 겸비한  액체나 고체의 중간적 성질을 갖는 물질이다.

Liquid Phase Epitaxy(액상 에피택셜) [반도체]
주로 화합물 반도체에 사용하는 에피택셜법이다. 고온도속에서  Ga,  Sn 등의  용매  금속에 화합물 반도체(이를테면 GaAs 등)를 용해시켜 두고 다음에 이것을 과포화 상태로하여  기판위에 단결정을 성장시키는 방법이다.

Lithography [반도체]
IC, LSI 등의 Micro Fabrication에 쓰이는 기본적인 기술로서 석판인쇄술이라고 한다.

LN2(Liquified N2) [반도체]
액화된 N2 GAS, 저온을 필요시 사용.

Load [반도체]
카드 리더나 디스크 장치 등의 주변장치로부터 Program이나 Data를  중앙 처리장치 내의 내부 Memory에 기억시키거나, 내부  Memory에 기억되어 있는 명령 Code나 Data를 중앙처리장치 내의 Resistor에 기억시키는 것.

Loader [반도체]
Stocker의 공정간(입출공정간) 반송 정지 station 사이에서 cassette를 주고 받는데 사용되는 Unit.

Load Circuit [반도체]
Test시 Device에 실제 Application과 유사한 환경을 인위적으로  조성하기 위해 출력단에 저항, Capacitance를 가해 주는 Circuit.

Loading [반도체]
Wafer를 Carrier 혹은 Boat에 Tweezer 또는 기계를  사용하여 담는 것을 말함.

Loading Effect(전계효과) [반도체]
식각 공정시에 발생되는 문제로 Pattern 밀도의 차이 및 Pattern 크기에 따라 식각 속도가 달라지는 현상.

Loading fixture [반도체]
Lead Frame을 성형할 때 편리하도록 만들어진 기구.

Local [반도체]
Line에 있는 장비를 operator가 직접 Control하는 상태.

Local Oxidization of Silicon [반도체]
선택산화.  산소나 수증기의 확산에 대하여 큰 저지효과를 갖는 막 (예를들면 질화 silicon막)을 남긴 영역과  제거한 영역들을 동일 silicon 기판상에 형성하고, 이들 영역에서의 열산화막 성장속도의
차이를 이용하여 선택적으로 특정영역에만 두꺼운 산화 silicon막을  형성하는 방법으로, 일반적으로 질화 silicon막의 아래에는 변형에 의한 결정결함이 발생하는 것을 방지하기 위하여 산화 silicon막이
설치된다.

LOCOS(Local Oxidation of Silicon) [반도체]
PHILIPS사에 의해서 개발된 것으로 Si2N4을 산화마스크에 사용하는 것이다. Cell간의 절연을 목적으로 사용된다.

Log [반도체]
기록대장. 즉 현장에서 전달사항 및 Data를 기록해 높은 Note.

LO2Gas(Liquid Oxygen Gas) [반도체]
액체 산소 가스.

Logic Analyzer [반도체]
Hardware의 functionality를 조사하는데 사용하며 Hardware의 logic level을 검색할 수 있는 장비.

Logic Circuit(논리회로) [반도체]
취급신호를 전압이 높은 상태와 낮은 상태만으로하여 이것을 2진수로   대응시켜 논리연산, 기억, 전송, 변환 등의 조작을 하는 것이다.

Logic Unit [반도체]
AND, NAND, OR, NOR회로에 있어서  논리 동작을 하는 회로의 기본단위를 말한다.

Logistics [반도체]
군사용어로서 병참학이라고 한다. 기업의  생산에서 판매에 이르기까지 원재료 및 완제품을 합리적으로 관리하기 위한 운송, 보관하는 것을  일컫는 용어이다. Material Tracking(Tracking, Trackout).

Logic Simulation [반도체]
IC 설계과정중의 하나로 functionality를 검증하기 위해  logic value 값을 이용하여 수행하는 실험절차.

Logic  Synthesis [반도체]
HDL로  기술된  Netlist를  입력으로하여  Logic  level schematic를 합성하는 설계의 한 방법. 설계하려는 시스템의 구성을 하드웨어 기술언어의 일종인 VHDL을 이용하여 기술하여 주면 Logic이 생성된다.

Login [반도체]
사용자가 시스템에 등록하는 절차로서 사용자 확인, 등록 관리, 사용자와  시스템간의 네트워크 정보의 교환 등의 처리절차.

Loopback Test [반도체]
EQS를 띄우기 전에 HOST와 장비간의 통신을 Simulator하는 방법.

Loss(6大) [반도체]
① 고정정지로스 : 폭발적, 만성적으로 발생되고 있는 고장정지에  수반되는 시간적인 로스
② 작업준비·조정로스 : 준비작업 기종대체에 수반하  는 시간적인  로스. 생산을 정지하고 나서          다음 품종으로  대체, 최초의 양품이 되기까지의 정지시간
③ 공전·순간정지 로스 : 일시적인 트러블에 의한 설  비의 정지 또는 공전에 의한 로스
④ 속도 저하로스 : 이론 사이클  타임과 실제 사이클 타임과의 차를 로스로써 포착한다
⑤ 불량로스 : 공정중에 불량이 되는 물량적 로스
⑥ 초기유동관리 수율로스 : 초기생산시에 발생되는 물량적 로스
(태업시나 작업준비 기종대체시에 발생되는 로스)

Lot [반도체]
Sampling 목적으로, 균일한 조건하에서 누적되는 재료나 제품의 정의된 량.

Lot [반도체]
Wafer의 한 묶음.

Lot-by-Lot [반도체]
Inspection  개별검사. 일련의 Lot들로 제공된  제품의 검사를 말한다.

Low Power  Part [반도체]
정상적인  Power 소모량보다  월등히 소모전력을  줄인 Device로서 Portabel형 장비에 많이 사용됨.

Low Tolerance Limit(LTL) [반도체]
products나 service의 개별단위에  대한 적합기준의 낮은 쪽의 경계를 정의한 허용한계.

LP(Lens Paper) [반도체]
Lens 세척용 종이.

LPCVD(Low Pressure CVD) [반도체]
상압보다 낮는 압력에서 Wafer  위에 필요 물질을 Deposition하는 공정에서 사용반응 Gas들의 화학적 반응방법을 이용하여 막을 증착시키는 방법으로서 확산공정에서 사용.

LRR(Lot Reject Rate) [반도체]
Gate에서의 lot reject 비율.

LSB(Least Significant Bit) [반도체]
최소 유효자리 비트(바이트)↔MSB의 반대.

LSI(Large Scale Integration) [반도체]
논리 회로의  기본 소자인 Transistor 100개 이상으로 형성된 집적 회로.

LSIC(Large Scale Integrated Circuit) [반도체]
소자 수 1,000개 이상,  Gate수 100개 이상의 고집적회로.

LTO(Low Temperature Deposition of Oxide, 저온 산화막 증착) [반도체]
LPCVD 방식으로 400∼450℃의 비교적 저온에서 산화막을 증착하는 방법.

LTP(Low Temperature Passivation) [반도체]
일본 HITACHI사에서 발표한 Silicon TR의 제조법.

LTPD(Lot Tolerance Precent Defective) [반도체]
Lot 허용 불량율. 계수 선별형 Sampling 검사로서 Lot 품질 보증이란, 개개의 Lot의 품질을  보증하는 것으로, 그렇게 하기 위해서는 미리 받아 들이고 싶지 않은 Lot(Sampling 검사에서 불합격으로 하고 싶은 Lot)의 한계 불량율을 정하여 둘 필요 가 있음. 이 한계 불량율을  Lot 허용 불량율이라고 하고, 기호로서 Pl 또는 Pt로 쓰기도 함.

LTS(Low Temperature   Storage) [반도체]
"저온  보관시험"으로서  저온(-40℃)의 Oven속에서 Device를 시험하는 환경시험.

Lumieuous Effciency [반도체]
시스템에 들어간 전력에 대해 빛의  출력으로 사용되는 전력의 단위를 말함. 단위 입력  전력당 출력되는 Lumen(광도의 단위)의  값으로 얼마만한 전력이 빛을 내는데 순순히 사용되었는가 하는 효율을 나타낸다.

Luminescence [반도체]
고온의 상태에 있는 물질은 그 온도에 특유한  스펙트럼을 가진 파장의 빛을 복사하는데, 온도에  의해서 정해지는 스펙트럼과 다른  파장의 빛을  나타내는 현상.

LVS(Layout Versus Schematic) [반도체]
Layout이 회로 설계도와  동일하게 그려졌는지의 여부를 점검하는 것.

Lyotropic LC [반도체]
물 또는 유기용매의 혼합에 의해 특정 용액에서 액정상이 출현하는 액정으로 생체 조직에 관계 있음.

Lyotropic Nematic [반도체]
농도에 의해서 등방상·네마틱상의 상전이를  일으키는 액정을 말한다.

Macro Cell [반도체]
기본적인 논리회로를 금속배선을 구현한 Library로서 회로의  내부에 사용되는  Core Macrocell과  외부와의 Interface에  사용되는 Input/Output  Macrocell로 구분된다.
(Inverter, NAND, NOR, TTL Input buffer)

Macro Function [반도체]
Macrocell의 집합체로 Macrocell보다 복잡한  기능을 수행하며 고정된  Library로  구성된 것이  아니라  CAD software를   사용하며 기존의 Library를 조합해서 사용하는 Library.

Macro Loading Effect [반도체]
Wafer 전체  표면적에서 etch해야 하는 면적의  비에 의해 크게 영향을 받는 것을 말함.

Magazine [반도체]
Lead Frame을  한 Strip씩  받아 넣어 취급시  안정하게 보호하는  Carrier로서 재질은 알류미늄.

Magneto Diode(자기 Diode) [반도체]
전기적 특성이 외부에서 가해지는 자계에 의해서 변화하는 Diode.

Main Effect [반도체]
주효과. 실험에서 다른 인자의 모든 수준에  대해 평균화된 각 인자의 순주에 대한 결과를 비교하기 위한 측정치를 나타내는 말이다.

Main Frame [반도체]
⑴ 크기와 기억용량이 큰 컴퓨터
⑵ 컴퓨터 회로판
⑶ 컴퓨터의 중심부분으로서 중앙처리장치, 주기억장치, 입출력 장치와  파워팩(Power Pack)으로          구성되는 것.

Main Memory [반도체]
어(語)마다 어드레스(번지)가 붙여지며 CPU(중앙제어장치)로 붙어  직접 Read, Write를 할 수 있는 Memory를 말한다.

Maintenance Mode [반도체]
BC 및 operatator로부터의 반송 지령에 따라서 stocker의  입·출고 및 공정내 반송을 실행하지 못하며 독립 운전을 행한다.

Magnetic Ink(자기 잉크, 자성 잉크) [반도체]
자석에 붙는  성질을 가진 Ink, TR이나 IC 등을 Wafer의 상태로  특성체크를 할 때 양품과 불량품을 구별하여 이 잉크로 표시를  해두었다가 스크라이브해서 분리할 때 이 표시에 의해서  불량품을  폐기한다.

Magnetic Memory(자기 메모리) [반도체]
자기 메모리는 자화가 비교적 용이하고 또한 전류자기를 안정하게 유지할 수 있는 자성 재료를 써서 메모리를 구성시킨 것이다.

Major [반도체]
경결점. 재생시킬 수 있는 불량.

Majority Carrier(다수 캐리어) [반도체]
불순물 반도체에서 전기전도의 역할을 하는 캐리어인 전자와 정공의  어느 한쪽의 수가 많다. 이  많은 수의 캐리어를 다수 캐리어라 한다.

Manual Station [반도체]
Handler로  검사하지 않고  수동으로 제품을 검사하기  위해  Tester에 부착된 장치.

Mask [반도체]
반도체 소자 혹은 집적회로의  구조를 크롬이 칠해진 유리판위에  형성한  것으로, 사진술을 이용하여 유리판의 구조를 복사하여 반도체를 제조하기 위해 반도체 소자 회로가 인쇄된 유리 원판.

Mask Epitaxial Method [반도체]
반도체 기판에 필요한 부분만을 선택해서 단결정층을 성장시키는 것을 Mask 에피택설법이라고 한다.

Mask Layout [반도체]
집적회로용 Mask를 만드는데 있어서 소자, 재료, 분리개소, 도통 개소 등의 크기, 형태, 위치 등을 전기적,  자기적, 열적 및 기타 여러가지 면에서 고려하여 가장 효과적인 배치가 되도록 마스크를 설계하는 것을 말한다.

Mask ROM [반도체]
일반적으로 Memory는 user가 read/write하는데  사용하지만, 반도체 메이커가 미리 내용을 write하는  memory를 제조할 때 사용하는  Mask에 ROM 정보를 심어넣어 제작하기 때문에, 이러한 이름이 붙었다.  Mask를 특별히 제작하기 때문에 개발하는데는 많은 비용이 들지만,  일반적으로는 제품을 대량으로 생산하기 때문에 1개당 가격은 낮아진다.  한자 ROM 등 범용성이  있는 대용량 ROM에 사용된다.

Mask Tooling Information [반도체]
Reticle/mask 제작을 위한  Information으로서 내용으로는 PG Data 정보,  Frame 구성 및  PIE 좌표 Scrbe  Line내에 포함된 Align Key에 대한  Information을 포함하고 있어 Vendor에서는  이 정보에 따라 제작한다.

Mass Cylinder [반도체]
눈금이 새겨진  원통형의 용기로써 용액의 부피를  측정하는 데  사용.

Mass Globalization   [반도체]
NEC 국제화 전략의 기본이념으로써, 面의 국제화에 의한  세계적 관점에서의 생산, 공급 구도 전략임.

Master Drawing   [반도체]
전도성이나 비전도성 부품들의 위치,  크기, 형태, 홀의 위치 등을 포함하여 기판상의 모든 부품의 위치 및 기판의 크기를 나타내는 문서.

Maxwell-Boltzmann  [반도체]
통계   개개의 Particle이  구별되며 어떤  P/T도  같은  State(Energy 준위)에 존재할 수 있다는 고전통계방식. P/T가 적고 온도가  높을 경우 이 통계를 따른다.

MBE(Molecular Beam Epitaxy)   [반도체]
각종 파라미터를 정밀하게 제어한  고급 진공 증착법.

MBPS(Mega Bits Per Second)   [반도체]
초당 비트의 전송속도.

MCA(Micro Channel Architecture)   [반도체]
ISA를 대체하기 위해 IBM사가 내놓은  Bus Architecture이나 기존 카드와의 비호환성과 로얄티 문제로 인하여 제한적으로 수용되고 있다.

MCC(Motor Control Center)   [반도체]
Motor의 기동, 정지를 손쉽게  하고, Motor이  상시 사전 차단시켜 소손을 방지키 위한 목적으로 설치한 Panel.

Mcdonnell Switch(맥도넬 스위치)   [반도체]
저수위 차단장치. Boiler의 수면이 위험수위보다 낮아져 전열면이 화염 또는  고온 Gas에 노출되었을 때  과열되어 일어나는  사고를 미연에 방지하기 위해서 Boiler가 위험수위에 도달하기  전에 신호를 발신하는 장치.

MCM(Multi Chip Module)   [반도체]
다중칩 모듈이라고도 불리고 있는 이 모듈은 각기  다른 기능을 가지고 있는 여러 개의 칩들이 한 개의  플라스틱내에 패키화된 것을  말함. MCM의 목적으로 시스템의  면적 축소, 가격절감과 스피드  개선을 위하여 만들어졌으나, 칩동작시 발생되는 과도한 열발생을  감소시키기 위한 노력이 시도되고 있다.

MCU(Micro Controller Unit)   [반도체]
특정 시스템을 제어하기 위한 전용 프로세서.

MDA(Monochrome Display   Printer Adapter)     [반도체]
PC의 원형   Display Option들 중의 하나다. 2개의 디스플레이 강도로 높은 잔상율의  TTL 흑백 모니터를 사용하는 MDA는 80*25 텍스트를 표현한다.

MDS(Microcontroller Development System) [반도체]
MICOM응용 Program의 개발을 위해 지원되는 모든 종류의 Tool.

MDSS(Management Decision Support System)    [반도체]
경영의사결정 지원 시스템.

ME 혁명(Microelectronics Revolution)   [반도체]
IC(집적회로) 등 반도체기술의 진보에 의해 초래된 정보혁명의 제2단계를 가리킨다.

Measling   [반도체]
기판내부의 섬유성분이 교차하는 부분에서  글라스화이버가 분리되는  형태.

Mechanical Pump   [반도체]
저진공에 사용되는 진공 펌프로서 고정체에  대한 회전체의  회전에 의해 밀폐된 공간으로부터 Gas를 뽑아내는 장치.

Median(Med)   [반도체]
중앙치. 홀수 개수인 units를 크기 수으로 나열했을 때의 중앙앙치. x1, x2, x3 일때 Med=x2 짝수개수를 나열했을 때 Median은 두개 중앙치이 평균이다. x1, x2, x3, x4 일때 Med=(x2+x3)/2이다.

Mega Cell   [반도체]
RAM, ROM 등의 Memory 블록과 PC  주변연결회로인 82 Series와 같이 크기가 큰 Logic을 Macrocell과 같은 Library. (counter)

Mega Function   [반도체]
Megacell과 같은 기능을 수행하는 Library를 Macrofunction과 같이 CAD software를 사용하여 조합하는 Library로서 Megafunciton Libr-ary를 사용하면 Disk의 공간을 줄이고 사용자가 원하는 형태로 만들 수 있다.

Memory Cell   [반도체]
Memory IC에서 Data 정보를 축적한 부분. RAM에서는 SRAM,  DRAM, SRAM Cell은 Latch로 구성되며,  DRAM은 Condenser에 의하여 구성된다. SRAM은   구조가 복잡하여  대용량 제품을   만드는데 어렵지만,  반대로  Access, 사용방법의 용이함 등의 장점을 갖는다. DRAM은 Condenser의 전하유무를 Bit 정보로 하고 있다. 구조가 간단하기 때문에 대용량화가 가능하다. 전하가
Leak 등으로 방전되기 때문에, 수시로 Data를 읽어내어 Rewrite하는 조작(Refresh)이 필요하며, 그것을 위한   회로가 필요하다. ROM에서는   Transistor의 유무 (MASK ROM), Transistor의 Th-reshold 전압의 고저, Bit Line으로서의 접속유무로 정보를 기억한다.

Memory Effect   [반도체]
액정 표시에 있어서 전기 광학 효과 등에 의한 표시 상태가 外場을 제거한 후에도 유지되는 현상을 말한다.

Memory Module [반도체]
단일 Memory를 여러개 조합하여 보다 큰 Memory 제품을  말함. (주로 Byte Wide 및 Memory 확장에 응용)

Memory [반도체]
데이터나 프로그램의 명령 등을 정보로 기억하는  장치로서 반도체 메모리, 플로피 디스크, 카세트 데이프 등이 있다.

Mesogen [반도체]
액정 분자에서 중간상 형성 분자.

Metal Gate [반도체]
게이트 전극으로 금속(Al을 주로 사용)을  사용한 절연게이트형  전계효과 TR로서 일반적으로 흔히 볼  수 있는 MOS FET 또는 그와 같은 MOSFET을 소자로 하는 IC를 말한다.

Metallization [반도체]
반도체 소자와 소자를 전기적으로 상호 연결시켜 주는 것.

Metering Pump [반도체]
CH3OH와 H2O를 원료로 혼합된 수소연료를 일정량 수소발생 장치로 이송시키는 Pump.

Methanol Crackng Method [반도체]
Methanol과 Deionized Water를 Mixing하여 촉매에 의해 고온 고압의  상태에서 순수한 수소 Gas를 생성하는 방법.

Method of Least Squares [반도체]
최소제곱범.   e2의 값을 최소화하기 위한  변수의 추정기법을 말한다.  여기서 e는 측정값과 가상모형으로부터의 추정값 사이의 차이를 나타낸다.

MFC(Mass Flow Controller) [반도체]
가스 유량 제어장치.

Micro Bridge [반도체]
Pattern과 Pattern 사이에서 생긴 Bridge로 아주 미세하여 일반 Scope를  이용하여 볼 수 없을 정도이며, 일반적으로 Current level 보다는 Scope상에서의 크기를 기준으로 함.

Micro IC [반도체]
마이크로파 영역에서 동작하도록 설계된 집적 회로.

Microemulsison [반도체]
양친매성 분자의 수용액에  기름(탄산수소)을 가용화시킨 계,  또는 양친매성 분자의 수용액에 물을 가용화시킨 계.

Micron [반도체]
Micrometer 길이의 단이로 1/1,000,000meter를 의미함.

Microprocessor [반도체]
Computer의 CPU에 해당하는 기능을 수행하는 1개의 집적회로(Chip)

Microscope(현미경) [반도체]
Wafer, Chip 상태, 방제품 또는 완제품  외관검사를 검사할 때 사용함.

Midrange [반도체]
범위의 중앙치. 관측치 중 가장 큰수와 가장 작은수의 산술평균.

Mil [반도체]
길이의 단위 1/1,000Inch. 약 25.4㎛.

Mil-Std-202 [반도체]
미군용  표준의 하나로서  'Test  Methods for  Electronic and  Electrical Component Parts'의 표제가 있는 것이다. 개정판이 나올 때마다 뒤에 알파벳의 첨자가 붙는다.

Miller Capacitance [반도체]
MOS 구조에서  Source 및 Drain의 Gate  Overlap 으로 발생되는  Capacitance이다.

Minority Carrier(소수 캐리어) [반도체]
불순물 반도체에서 전자나 정공중에  작은 쪽의 캐리어를 소수 캐리어라 한다.

MIPS(Million Instructions Per Second) [반도체]
컴퓨터가 1초간에 몇 백만개의 명령을 실행할 수 있는가의 처리속도를 나타내는 단위.

MIS(Metal Insulator Semiconductor) [반도체]
금속·절연막·반도체의 구조로 되어있으며 금속성 전극에 전압을  가하고 절연물을 통해서 반도체의  표면을 제어하는 Device의 총칭임.

MIS(경영정보시스템 Management Information System) [반도체]
경영의 내외 전반에 관한 정보를 통합적으로 확보하여 각 분야에서의 의사결정을  신속히 수행하는 동시에 기업을 종합시스템으로 통합관리 운영하는데 필요한 정보를  산출하여 의사결정과 의사 조정을 유기적으로  관련시키는 시스템.

Mis-Align [반도체]
감광 원판(mask)의 형상과 wafer의 형상간에  부정확한 정열이  이루어진 것.

Mixing Pump [반도체]
수소 제조에 필요한  원료인 CH3OH와 H2O를 63.5%:36.5%로  혼합시키는 두개의 Head로 구성된 Pump.

MLM(Multi-Layer Metal) [반도체]
IC의 집적도가 증가함에 따라 metal 1 layer의 배선으로는 무리가 생긴다.  따라서 절연층을 사이에 두고 금속 배선을 2중, 3중으로 하여 집적도를  증가시키는 배선 기술을 다층 배선이라 한다. 금속배선이 2중인 것을 DLM(Double  layer  Metal), 금속배선이  3중인  것을 TLM(Triple-Layer  Metal)이라 한다.

MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) [반도체]
마이크로파 대역의 회로를 wafer상에 집적시킨 IC로서 기판상에 Inductor,  Capacitor, 저항, Transistor 등 을 만들어 마이크로파용 배선으로 상호연결하여 제작한다.

MO Tape(MASK ORIGINAL TAPE) [반도체]
설계가 완료되어 실제 mask를 제작한 data를 말한다.

Moble Ionic Charge [반도체]
Mobile Charge의 대부분을 Na+이며, 다른  유동 양이온인 Li+, K+도 비슷한 효과를 나타낸다. MOS Capacitor에서 Na+의 존재는 고온에서 Bias를 준 상태에서 Shift하는 C-V PLOT의 이동으로 알 수 있다.

Mobility [반도체]
기체, 액체, 고체 속의 전자, 음이온, 양이온 등이 전계의 작동에 의해서만 이동할 경우 단위전계강도 10/ m당의  평균속도이며 이동도라고도  한다. 단위기호는 ㎡/vs이다.

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) [반도체]
MOVPE라고도 부르며 Epi층을 성장시키는 장비이다. 원리는 성장에 필요한  source들을 함유한 기체를 열분해시켜 반응물질을 기판에 달라붙게하는  것으로서 통상적으로 원자 5층 이하의 두께까지 조정이 가능하다.

Mode [반도체]
최빈수. 변수중 가장 빈번히 나타나는 수.

Mode  하나의 기계, 장치, 회로, 시스템 등이 Operation의 방법에 따라서 다른 상태가 되는 것. [반도체]

Model Parameter [반도체]
회로 Simulation하기 위한 목적으로서  공정을 통해 제작된 소자의  전기적 특성을 추출하여 계수화한 값의 집합.

MODEM(Modulator와 Demodulator) [반도체]
데이터 전송용으로 사용되는 변조장치와 복조장치의 총칭.

Module [반도체]
규칙성과 분리성을 가진 몇개의 부품 또는 소자로  구성되며 어떤 정해진  기능을 다하는 단일 부품단위로 간주되는 조립회로이다.

Module 공정 [반도체]
제품특성을 분석하기 위하여 특정 단위공정을 연속적으로 하는 공정.

Molding [반도체]
성형을 말하며 플라스틱을 일정한 형틀(금형)에서 성형하여 제품을  만드는 것이다. 반도체 공정에서는 Wire Bonding된  각각의 제품을 플라스틱 몰딩 컴파운드(성형재료)로 성형하는 공정이며 package
성형시  컴파운드는 고주파가 열기로 예열시킨 후 사용.

Molding Compound [반도체]
Wire Bonding된 반제품을 성형하는 성형재료로서, 고분자 화합물인  수지에 각종 배합제를 가하여 쉽게 만든 열 경화성 수지.

Molding Die [반도체]
규격치 모형에 형을 만들어 놓고 열 경화성 합성수지를 압입시켜  경화된 형 모형에 제품을 만들어 내는 틀.

Monitoring [반도체]
공정 흐름을 감시 및 점검하는 업무.

Monolithic IC [반도체]
1개의 반도체 결정핀으로 된 회로를 가리킨다.

MOP(Metal Oxide Passivation) [반도체]
금속 산화막에 의한 표면 안정화.

MOP(Master Operating Program) [반도체]
Computer 운용체계 Program. Program의 실행을 제어하고 입출력 제어,  컴파일, 기억영역 할당, Data 관리 및 디버그 등 제반 Service등 제공하는 Software.

MOS(Metal Oxide Semiconductor) [반도체]
반도체 위에 산화막을 형성하고 그 위에 도선(금속)을 입힌 것으로,  N-MOS와 P-MOS등이 있음.

MOS FET(Field Effect Transistor) [반도체]
전계효과 TR중에서 절연막을 산화막으로 형성시킨 절연 게이트형 FET의  대표적인 것이다.

MOS IC [반도체]
MOS FET를 사용한 IC.

MOS TR [반도체]
Metal-Oxide Semiconductor로  구성되어 있으며, Oxide  절연체를  통해 전압을 인가해 줌으로써 Channel 전류를 억제하는 Transisiter.

Mosaic Array(모자이크 배열) [반도체]
칼라를 특징짓는 R G·B 화소의  배열 방식으로 각 화소에 해당하는  트랜지스터 및  칼라 필터의 화소 배열을 1단씩  어긋나게 교대 반복하여 배열하는 방식.

Movement [반도체]
한 RUN이 하나의 단위공정으로 진행된 것을 1 MOVEMENT라 한다.

MPEG(Moving Picture coding Experts Group) [반도체]
동화성 처리 국제표준스펙을 정하는 국제 단체.

MPT(Marking Permanency Test) [반도체]
인쇄  지워짐  검사,  인쇄의 경화(Curing) 상태를 판정하는 검사.

M-Pyrol [반도체]
금형내에 존재한 수지찌꺼기, 이 형체의 성분, 기타 유지성분 등을  제거하기 위하여 사용되는 화공약품.

MPU(Micro Processor Unit) [반도체]
마이크로 컴퓨터의 중앙제어기능을 수행하며 그 구조에 따라  해당  시스템에 가장 적합한 궁극적인 응용분야를 결정한다.

MRB(Material Review Board) [반도체]
제품의 신뢰성을 통하여 일정한 Criteria로부터 벗어날 경우,  제공 및 Stock된 제품  등을 포함하여 전반 공정의 Shut-Down을 의미하여, 24hr이내 Corrective Action을 요구.

MRP Ⅱ [반도체]
Management Resource Planning은  수주에서 출하하기까지 resource를 관리 계획하는 System이다.

MRP System(Material Requirement Planning System) [반도체]
협의의 MRP는 자재 소요량 계획으로 직역할 수 있지만 최근에는   원재료부터 최종 제품에 이르는 모든 사물의 흐름을 종합적으로  관리하는 Total 정보 관리 시스템으로 광의의 해석을 택하고 있다.    MRP System은 계획 중심의  시스템인 동시에 Formal한 시스템이며  Just in Time 시스템이기도 하다.

MSB(Most Significant Bit) [반도체]
컴퓨터의 1워드를 구성하는 비트  중 가장 비중이 큰 Bit 즉 가장 왼쪽에 있는 Bit.

MS-DOS(Micro Soft  Disk Operationg   System) [반도체]
8086을 기반으로 한 CP/M 클론인 86-DOS(SEATTLE COMPUTER PRODUCTS사)에 그 기원을 두고 있다.

MSI(Medium Scale Integration) [반도체]
100개  이하  또는  10개  이상의 논리 Transistor로 구성된 집적회로.

MT(Magnetic Tape 자기 테이프) [반도체]
Computer의 보조기억장치인 Disk에 있는 Data를 반영구적으로 보관하기  위한 매체.

MTO(Medium Temperature Deposition of Oxide) [반도체]
LPCVD 방식으로 약 800℃ 정도의 온도에서 산화막을 증착하는 방법.

MTBF(Mean Time Between Failure) [반도체]
고장이 발생하기까지의 평균시간을 나타내며, 불량율(FR)의 역수가 됨.

Multi-Chip [반도체]
복합소자나 집적회로(IC)를 만들 때 2개 이상의 Chip을 사용한 것을 Multi-Chip이라 한다.

Multi-Bit Test Capability [반도체]
고집적화된 Memory의 각 Cell의  이상유무를 파악시 장시간이 소요되는 것을 해결하기 위해 여러개의 Cell들을 Parrallel로 Test 하여 Cell의 이상유무를 파악할 수 있는 특별 기능.

Multi-Processing [반도체]
여러 개의 마이크로 프로세서가 한 개의 시스템에 장착되어 각각 서로  다른 일을 독립적으로 시행하는 상태를 말함.

Multiple Diode [반도체]
하나의 케이스속에 2개 이상의 Diode를 포함한 것.

Multiplex [반도체]
공용 통신로를 각각의 통신로를 구성하는 좁은 대역에 송신 주파수대역을 분할하거나(주파수 분할) 또는  각각의 간헐적인 통신로를  구성하기 위해서 순차 분배하는(시분할 다중) 등 둘 이상의 통신로로 사용하는 것.

Multiplexer [반도체]
병렬로 입력된 데이터를  제어입력(선택입력)에 의해 Control하여  직렬로 변환해서 출력으로 꺼내는 회로이다.

Multi Port [반도체]
Random Access Port에 Serial Access Port를 추가한 Memory, Frame Buffer 등의 표시용 Memory로서 사용된다. 일반적으로  Dynamic  RAM으로 Frame Buffer를 구성했을 경우, 표시를 위한 Read 기간중에는  묘화를 위한 Access는 불가능하다. Dual Resister에게로  한 번 Data를  전송해  버리면, Data를 표시하고 있는 동안에 묘화를 위한 Access가  가능하다.  그만큼 묘화속도의 향상이 가능하다. 64K × 4Bit 구성  제품에서는 1회의 RAS에 1024Bit를 내부의 Serial 입출력용 Register에
전송할 수 있다. Dual Port Memory 제어기능을 추가한 Graphic Controller LSI에는   87286(인텔),  TMS34010(TI),  AM95C60 (AMD) 등이 있다.

Myelin Figure [반도체]
스메틱A상의 상태에 있는 어떤 양친매성 분자의 2 분자층이 원주상 구조로 되어 있는 구조체 조직.

N+ [반도체]
N형 반도체에 있어서 특히 도우너 불순물의 농도가 높은 부분이 있다는 것을  나타낼 때 N+를 사용한다.

N- [반도체]
N형 반도체 영역에 있어서 불순물 농도가 특히 낮은 부분을 나타낼 때 쓰인다.

Nail Heading [반도체]
다층기판의 내층회로에 있어서 홀드릴에 의하여 회로가 퍼진  상태.

NAND [반도체]
논리회로중 논리 부정 회로와 AND 논리적 회로를 하나로 만든 것.

Nano [반도체]
단위(10의 -9승).

Nano Line [반도체]
빛의 간섭효과를 이용하는 것으로 입사광의 파장변화에 따른 반사광의 Intensity를 측정해서 박막의 두께 및  반사도를 측정하는 장비.  Wafer의 CD 값을 측정하는 기구로써, 사진이나 식각 공정에서 사용

Nano Spec [반도체]
Wafer위에 입혀진 물질의 두께를  측정하는 장비로서, 확산, 박막, 사진, 식각공정에서 사용.

Narrow Width  Effect [반도체]
MOSFET의 TR   width가 작아지면서  Threshold voltage가 증가하는 현상을  말하며, 이는 Gate  induced space charge의  일부가  fringing field에 의해 작아지므로 같은 양의  depletion charge를
얻기 위해서는 voltage가 증가해야 하는  것과 channel stop dopant  및 bird's beak에  의해  activeedge쪽 gate 아래 substrate가  상대적으로 high density, thick gate oxide 양상을 보이는 것으로  설명될 수 있다.

National Reference Standard [반도체]
원기에 의하여  교정되는 표준기기로 2차급의 표준기기를 교정하는 데 사용되는 것.

National Standard [반도체]
계측 분야별 7개 기본 단위·유도단위 및 기타 특수단위에 대하여 최고 정도를 갖는 국가의 현시용 및 유지용 표준기기.

Navigation TFT-LCD [반도체]
LCD의 일종으로 항법 장치에 사용되는 디스플레이로 경량, 박형이며  인명에 관계된 것이기 때문에 고신뢰성이 요구된다.

N- Channel [반도체]
P형 기판에 확산 영역을 형성한  절연게이트형 FET에 있어서 소오스, 드레인간을 흐르는 전류의 통로인 채널이 전자에 의해서 형성되는 것을 N-Channel이라고 한다.

NC(No Connecton) [반도체]
아무것도 접속하지 않는다는 것을 나타냄.

Neat Phase [반도체]
일반적으로 물을 그다지 함유하지 않은 표면 활성제, 비누, 복합지질 등의 계가 두 개의 분자층사이에 균등하게 물을  함유한 Lamella 구조의  상태를 말함.

Necking [반도체]
Interconnect line이 가늘어지는 현상.

Negative LCD [반도체]
Normally black라고도 하며 검은바탕에 흰문자가 나타난다.

Negative Resistance [반도체]
전압을 증가시킨 경우 전류가 감소하는 특성이  있을 때 Negative Resistance라고 한다. 지금까지  알려진 부성저항은 어떤  한정된 전압  범위에서 발생하며 전압을 계속 증가시킨다고 해서 전류가 계속 감소하는 것은 아니다.

NEMA(National Electrical Manufacturer Association) [반도체]
미국 전기 제조자 협회. EIA(전자공업회)와 합동으로 JEDEC 설립.

Mematic LC [반도체]
분자의 장축을 대개  일정방향으로 배향하고 분자의 중심이 랜덤하게 분포되어 있는 역동성(易動性)을 가진 액정.

NET(Normes Europeennes de Telecommunications) [반도체]
유럽 전기통신규격.

Net Die [반도체]
Wafer 內에서 실제로 만들어지는 Total Die 수.

Netlist [반도체]
회로 설계가 끝난후 Simulation 혹은 layout을  하기 위해 그려진 회로도에서 사용된 소자 종류, 크기, 소자와 소자의 연결상태, 그리고  Signal  name이 추출되어 수록된 file.

Nibble [반도체]
4Bit로 이루어진 단어.

Nibble Mode [반도체]
컴퓨터 시스템이 데이터를 Access하는 중 Past fage mode의 변형형태로서  스피드 개선을  목적으로 만들어짐.  시스템이 1개의 데이터  Access  signal을 발생시 4개의 데이터가 연속적으로 출력되는 상태를 말함.

N-Butyl Acetate [반도체]
Rinse 용액으로 현상(Develop) 후 녹은  감광액을 없애는데 사용.

N-CH Field Implant [반도체]
Field Region의 VT를 증가시켜 Cell과 Cell간의 절연성을 높이기 위하여   Field Oxide가 성장할 부위와 같은 종류의 ION을 주입한다.

NICS(Newly Industrializing Conntries) [반도체]
신흥공업국 또는 중진국. 1970년대를 통해 개발도상국 가운데 금속한  공업화를 이룩하여 GNP에서 차지하는 공업점유율이 25∼45%로 거의  선진공업국에 가까운  비율에올라선 나라를 통칭하는 말이다.

NF(Noise Figure) [반도체]
잡음지수.

Nitride [반도체]
유전상수 및 밀도가 높은 Amorphous 상태의 절연막으로 실리콘의 PN 접합 표면을 안정화하는 방법의 하나. 반도체 용어로는 주로 질화 실리콘(Si3 N4)을 가리킨다.

Nm3 [반도체]
0℃, 760mmHg 때의 가로 1m, 세로 1m, 높이  1m 크기의 기체의 부피.

NMI(Non-Maskable Interrupt) [반도체]
NMI는 메모리에 문제가  발생할 경우 CPU에서 처리를 요구하는 신호이며  Interrupt  Mask의 영향을 받지 않는 가장  높은 우선 순위있는  Interrupt이며 Parity Error 발생시 NMI가 발생된다.

No  Calibration Required [반도체]
교정검사가 요구되지 않은 계측기기.

Node   [반도체]
마디.

Nodule [반도체]
작은 돌출부·평탄해야 할 Si표면에서 Si이 석출되어 위로 올라온것.

Noise(Useless Signal)  불필요한 신호(잡음). [반도체]

Noise Test [반도체]
잡음, 어떤 System이나 회로 등에 정규의 신호(원하는 신호) 이외에 혼입하는 모든 신호(전압, 전류) 성분을 말함.

Noise Immunity(잡음 여유도) [반도체]
논리 진폭에 대한 잡음  여유의 크기를 %로 나타낸 것.

Noise Margin(잡음 여유) [반도체]
논리회로에서는 전압의 고저에 따라서 1과 0을 정하고 있는데 잡음이  발생하면 전압 Level이 변동하여 '1'과 '0'이 바뀌고 말기 때문에  이것을 방지하기 위하여  논리전압이 여유 (Margin)를 갖게할 필요가
있는데 이를 잡음여유라 한다.

N-MOS [반도체]
MOS TR의 한 종류로서, 음전하인 전자에 의해 Channel 전류가 형성되는 반도체.

Nonconformity [반도체]
불일치. product나 service가 요구규격을 만족하지 못하므로서  목적한 수준이나 상태로부터 품질수준을 벗어남.

Non-Pass. Test [반도체]
보호막을 입히기 전에 행하여지는 EDS Test(Non passivation Test).

Non-Volatile(불 휘발성) [반도체]
Memory를 기억 유지한다는 점에서 분류하면 불휘발성(Non-Volatile)과  휘발성(Volatile)으로 나눌 수 있다. Non-volatile이라 Memory의 power가 off되어도 기억내용이 소멸되지 않고 유지되는 성질을 말한다.

Non-Volatile Memory [반도체]
전원을 끊어도  지워지지 않는   Memory. 반도체의 Memory에 기억했던  data는 일반적으로 전원을 끊으면  지워져버린다. 그렇기 때문에,  data를 지우지 않기 위해서는 hard disk나 floppy disk 등의 다른  media로 옮기든가 반도체의 memory를 battery로 back up 해두어야 한다.  그러나, 특수한 구조(NMOS 등)로 하면 전원을 끊더라도 지워지지 않는   Memory가  가능하다. 그것을 불휘발성 Memory라고 한다.  NMOS Transistor에서는 두가지 level의 threshold 전압 Vth을  갖고 있어서 전원을 끊더라도  VTH는 변화하지 않기 때문에, "1", "0"을  두 개의 VTH에 대응시켜 기억한다. 전자 Tunner에서의 최적 주파수기억 등에 사용되고 있다.

Nonzero Fixed Oxide Charge [반도체]
MOS  System의 MS 다음으로 가장 중요한  Nonideal Effect로 Oxide-Semiconductor의 Interface에서   주로 Positive  Charge으로  존재한다.  이것은 Oxidation Process 자체에 의해 생성된 것으로 Oxidation후에  남아 있는 Silicon  Dangling Bond의 영향이다. Dangling  Si Bond는   Silicon Oxide Interface의 Oxide Side에 200Å정도의 두께로 분포하고 있다.

NOR [반도체]
논리부정회로와 논리화회로 OR를 합쳐 하나로 만든 것.

NOS(Network Operation System) [반도체]
LAN의 운영체계.

NOT   [반도체]
논리 부정 회로.

Notch/Void [반도체]
일반적으로 재료(기판표면)에 움푹 패인 곳이나  구멍이 뚤린 곳을  말하며 이곳에는 역학적으로 응력이 집중되는 곳이다.  반도체 분야에서는 금속막 및 보호막의 유기적인 관계에 의해 금속배선에서
일어나는 현상으로  금속배선 측벽에 쐐기형상으로 파이는 것을  Notch라 하며, 이것이  성장하여 Hole 모양을 형성한 것을 Void라 한다.

Notching [반도체]
Photo공정에서 난반사에 의해 line에 톱니모양으로 파지는 현상.

Note형 PC [반도체]
외형 Size가 A4판 Size인 Personal Computer.

Notebook [반도체]
TFT-LCD  중량 3.5kg 이하의  PC에 장착되는 디스플레이 판넬로 10인치 이하의 사이즈의 화소수는 Laptop과 같으나 pitch사이즈는  0. 21, 0. 33mm 정도이다.

NPN TR [반도체]
N, P, N 영역을 각각 에미터, 베이스, 콜렉터로 한 접합형 TR이다.

N-Type Silicon(Negative Type Silicon) [반도체]
Major Carrier가  Electron이 경우를 말한다. 5가 원소들이 Si에 주입되면  여분의 Electron이 존재하게 된다.

NTN(Nippon Telegraph and Telephone Corporation) [반도체]
일본 전신전화 주식회사.

NTSC(National Television System Committee) [반도체]
1940년 미국의 TV 관련  회사 및 단체에 의해 조직된  TV 방식을 위한 위원회(흑백 및 컬러 TV의 표준방식 권장).

NVD(Non Visual Defect) [반도체]
Deprocess에 의해  불량 분석을 하는 경우 fail은 되었으나 defect를 찾을 수 없는 경우 Non Visulal Defect라 한다.

NVM(Non Volatile Memory) [반도체]
비 휘발성 기억소자.

N.W.W.(Neutral Waste Water) [반도체]
중성 폐수로서 주로 Wet  ST'N의 Rinse 공정에서 배출되는 폐수를 말함.

O2   [반도체]
산소가스

OA(Outside Air) [반도체]
AHU에서 청정화되어 청정실에 공급되는 공기.

OA   [반도체]
사무자동화(Office Automation)

OAHU(Out Air Handling  Unit) [반도체]
외조기라고  칭하며 외기를  흡입처리하며 FAB환경에 맞게 송기한다.

Oalemce Election [반도체]
원자핵 둘레의 전자군중 맨 바깥쪽을 돌고 있는 전자, 최외각전자라고도 한다. 이것은 원자핵에 흡입되는 힘이 가장 약하고 원자로부터  떨어지기 쉬운 상태에 있다.

Object(Run) Program [반도체]
기계어로 바꿔진 Program.

OC Curve(Operating Characteristic Curve) [반도체]
어떤 제품의 불량률이나 고장율을 가로축에 잡아서 그 불량률의 로트를 시험했을 때의 합격확률을 나타내는 곡선을 OC 곡선이라고 한다.

OCD(Optically Coupled Device)  광결합 장치. [반도체]

OCR(Optical Character Recoder) [반도체]
광학 문자판독장치. 광학기를 이용하여 각 Wafer마다 새겨진 Lot Number  및 Wafer ID 문자를 읽는 장치.

Octal Test [반도체]
Probe Test시 Touch에 8 Die를 Probeing하며 동시에 8  Die를 Test 하는 것을 말하며 그  밖에도 2 Die는  Dual, 4 Die는  Quad, 16 Die는  Hexal Test라 부른다.

Odlix(Organized design for line & Crew System) [반도체]
제조 System의  문제점을 찾아서 작업방법 및 Layout 개선 등의 Methods를  설계하여 Line에 정착 및 배치 인원의 적정화를 도모하는 활동.

OEIC(Opto Electronic Integrated Circuit) [반도체]
광소자와 전자소자를 wafer상에 집적시키는 구조의 IC로서, 집적에 의해 기생용량을 줄일 수 있으며  광소자를 더 고속으로 변조시킬 수 있다.

OEM  주문생산(Original Equipment Manufacturing) [반도체]

Offline Mode [반도체]
operator로부터의 반송 지령에 따라서 stocker의 입·출고 및 공정내  반송을 행한다.

OH(On Hand)   [반도체]
현재 보유하고 있는 재고.

OISF(OSF)   [반도체]
Oxide Induced Stacking Faults

OJT(On the Job Training)   [반도체]
현장훈련.

One Chip CPU [반도체]
마이크로프로세서의 가장 간단한 것으로  문자 그대로 프로세서 기능이 1개 Chip 상에 LSI화 된것을 말한다.

On-line [반도체]
단말기가 데이터 통신 회선을 통하여 컴퓨터에 정속된 상태.

ONO 구조 [반도체]
Capacitor  전극사이에   들어갈   dielectric   material로서  oxide/nitride/oxide의  3층  구조를  형성하여  단층구조에서  발생할  수  있는  pinhole을 방지하고   breakdown 특성을  향상시키는  한편  nitride dielectric  constant가 oxide에 비해 훨씬 크기 때문에 capacitance를 증가시킨다.

OOP [반도체]
Object Oriented Programming은  1980년대 후반부터 S/W  개발하는 데  있어서 각광을 받고 있으며 특히 거대한 S/W 시스템을 개발할 때  생기는 복잡한 문제들을 해결해 주는 방법을 제공하며 유지보수
용이성, 확장성, 재연성을 제공해 준다.

Open [반도체]
소자의 내부에서 단선된 것을 Open이라 한다.

Open Repair [반도체]
TFT arrey panel 공정에서 data line 또는 gate line에 서로 다른  두 line이 서로 short 되었을시 이를 끊어서 정상 작동하도록 하는 방법.

Operation(공정) [반도체]
제품을 만들기 위한 가장 기본이  되는 단위로서 하나의 공정에서는 하나의 작업을 진행한다.

Operating Characteristic  Curve(OC curve) [반도체]
검사특성곡선. Acceptance control chart에 나타나는 모양으로서 공정이  채택될 확률을 나타낸 곡선.
⑴ 주어진 Sampling법에 있어서, OC 곡선은 Lot 품질의 함수로서 Lot이 합격할 확률을 나타낸다.         (Type A) : Isolated or Unique Lot
⑵ 주어진 Sampling법에 있어서, OC 곡선은 공정평균의 함수로서 Lot이 합격할 확률을 나타낸다.         (Type B) : 연속 진행 Lot
⑶ OC 곡선은 장기간에 걸쳐 Sampling 적용중에 제품품질의 함수로서 합격될 제품의 비율을          나타낸다. : 연속 Sampling법
⑷ 주어진 Sampling법에 있어서, OC 곡선은 공정품질의 함수로서 조정없이 공정을 지속할 확률을          나타낸다. : Special Plan
Note : Lot Sampling법에서의 확률값 및 위험율 등은 무한모집단을 근거로 한다. 공정       sampling법에서의 그러한 값들은 무한모집단과 공정이  통계적 관리하에  있다는 가정하에 산출할       수 있다.

Optic Emission Method [반도체]
Plasma가 etch하고자 하는 박막과의 반응에 의해 발생되는 반응 부산물의 optic signal을 추적하는 방법.

Optical Axis [반도체]
복굴절 매질  중에서 常光線(No :  ordinary)과 異常光線(Ne :  extra ordinary)이 같은 속도로 전달되어 복굴절을 나타내지 않게하는 방향.

OR   [반도체]
논리화 회로.

OR(경영공학 Operations Research) [반도체]
대체안을 계량적으로 분석하여 최적안을 도출함으로써 의사결정을 위한  합리적 기준 자료를 제공하기 위한 기법.

Orientation [반도체]
단결정의 성장방향(100) (110) (111) 등.

Orientation-Film(배향막) [반도체]
액정물질을 단순히 유리기판상에 주입시키는 것만으로는 일정한  분자배열을 얻기 힘들기 때문에 포리이미드란 고분자  물질을 이용하여 배향막을 만든다.

Orthogonal Contrast [반도체]
직교대비. 두개 조의 대비 계수들이 각  쌍의 곱의 합이  "0"이라는 조건을 만족하면 두 대비는 서로 직교한다.

Orthogonal Design [반도체]
직교배열법. 특별한 수준에서 모든쌍의 인자들이  같은 횟수만큼 나타나는 계획법을 말한다.

Oscilator(발진기) [반도체]
입력신호가 없어도 출력에 계속하여 일정한 주파수의 신호가 나오는 회로이다.

O/S(Open Short)   [반도체]
개방 및 단락 불량.

OSI [반도체]
Open Systems Interconnection이란 Computer marker나  기종에 관계없이 상호 연결할 수  있도록 하는 것이며 오늘날  대부분의 Computer maker들이 OSI로 나가고 있다.

OT(Over Time)  정규 근무외 시간, 잔업. [반도체]

OTP(One Time Programmable) [반도체]
주로 EPROM Device를  Plastic Package에 조립하여 Erase를 못하는 대신 package 비용을 줄이는 Device를 일컬음.

O2 Trimming [반도체]
연료 연소 배기 Gas의 O2%를 Check하여 적절한  연소용 공기량을 Control하는 장치로서 연료의 완전연소 및 Bolier의 효율을 높인다.

Out Put   [반도체]
생산량.

Output Buffer [반도체]
Sense AMP에서 증폭된 Data의 External Load를 Drive하기 위해  사용되는 Buffer.

Output Level [반도체]
Device가 출력하는   전위로서 저장된 Data의  특정상태(High, Low)를 나타낸다.

Outgassing [반도체]
Source Gas를 바꿀때 마다 잔류  Gas를 제거하기 위하여 고열로 태워 Ion Beam 생성부를 세정시켜 주는 형태.

Oven [반도체]
Wafer를 말리는 (Dry/Baker) 장치.

Over Coat [반도체]
투명도전막(ITO)이 있는 경우 굴곡 상태가 틀려서 디스플레이에 얼룩이  생기는 경우 투명도전막을 패턴한 후  Alkali Barrir Coat를 하면  배향층의 생성이 용이하다. 그러나 이 경우 표시소자를 동작시킬때,  Alkali Barrier Coat의 self impedence에 의해서 전압강하가 생기고  액정층에 작용하는 전압이 저하되는 단점이 있다.

Over Coating(Polyimide Coating) [반도체]
액정 분자를 일정방향으로 배향시키는 박막으로서 액정 분자의 배향을 안정시키는 동시에 투명전극의 반사를 작게하고, 내직류성을 향상시키는 것으로 폴리이미드가 주로 사용됨.

Over Etching [반도체]
End Ppint Detection의 개념에 추가로 Etch되는 것을 말함.

Oerlay Vernier [반도체]
Wafer의 감광막上에 전달된 감광원판형상의 중첩도를 측정하기 위하여 Wafer내에 삽입되어 있는 Pattern 중첩 측정용 척도.

Overshoot Noise [반도체]
정상적인 전압(예: 5V)이 아닌 불규칙적으로 발생하는 Noise 로서, 정상전압 5V 이상의 크기와 수 NS 이상의 Pulse 폭을 가지고 있는 것으로  시스템의 오동작 및 Positive Latch-up을 유발시킬 수  있다.
(참조: Undershoot Nosise)

Over-flow [반도체]
수조의 상부로부터 흘러 넘치는 현상.

Oxidation [반도체]
산화(Si+O2=〉SiO2)를 말하며, 확산로를 이용하여 고온에서(650℃∼1200℃) Wafer 표면에 산화막을 형성하는 것.

Oxide   [반도체]
산화막(SiO2)

Oxide Breakdown [반도체]
Oxide 막의 절연강도  이상의 Voltage에서의 전기전도 현상.

Oxide Film(산화막) [반도체]
불순물 확산의 마스크로서도 사용되며 반도체 표면의 보호막으로도 사용될 수 있는 산화막으로서 SiO2가 가장 많이 사용되고 있다.

Oxide Trappedd Charge(Qot) [반도체]
Oxide Bulb내에 Trap된 Hole 또는 Electron 으로 인한 Positive  또는 Negative Charge.

P [반도체]
1) 비율의 의미로 사용- 시료로서 채취된 총단위(unit)에서 정상적인 것과  구별될만한 현상을 하나이상     가지고 있는 단위의 비율.
2) 백분율의 의미로 사용 - 시료로서 채취된 총단위(unit)에서 정상적인 것과 구별될만한 현상을     하나이상 가지고 있는 단위의 백분율. 현상의 수는 같은  유형의 현상이 여러번 나타나더라도 단지 한     번만  세어져야 한다.

P+ [반도체]
P형 반도체에 있어서 억셉터  불순물 농도가 비교적 높은 부분을 나타낼 때 쓰인다.

P- [반도체]
P형 반도체에 있어서 불순물 농도가 비교적 낮은 부분을 나타낼 때 쓰인다.

P- Channel [반도체]
N형 기판에 P형 확산 영역을 형성한 절연게이트형 FET에 있어서 소오스, 드레인 간에 흐르는 전류의 통로인 채널이  정공에 의해서 형성되는 것은 P- Channel이라고 한다.

P I/O(Parallel Input Output) [반도체]
장비와  장비사이에 병렬로 정보를 주고  받는 통신 Unit.

P & R(Placement & Routing) [반도체]
Design Automation의 한 분야로, chip layout시 미리 준비된  Macro-Block 및 standard-cell들을 자동으로 배치 또는 배선하여  최적화하는 것을 말한다.

P/A(Process   Area.) [반도체]
생산장비에서   웨이퍼의 가공공정이   행해지는 Area,  1M-DRAM의 경우 요구 청정도는 CLASS 1.

P-Type Silicon(Positive Type Silicon) [반도체]
Major Carrie가 Hole인 Si를 말한다.  3가 원소들이 Si에 주입되면 여분의 Hole이 존재하게 된다.

PA(Process Air) [반도체]
Air Comp.에서 생산된 압축공기를 Dryer 및  Filter를 통과하여 정체된 Ait로서 생산장비에 사용된다.

PABX(Private Automatic Branch Exchange) [반도체]
자동식 구내교환기.

Pack Information [반도체]
2 cassette 이상을 반송시 AGV에  반송 순서에 대한 정보를 준다.

Package Test Board [반도체]
Package를 Test하는데 사용되는 Board로서 Test 장비의 Test Head에 장착된다.

Package [반도체]
TR, Diode, IC 등의 용기를 말함.

Packaging Density [반도체]
단위 체적속에 실장되는 부품 또는 소자의 수를 말한다.

Package Air Conditioner(package) [반도체]
1개의 Cashing내에 냉동기와 공조기가 동시에 장착되어 사용목적에 적합한 온·습도를 유지시켜 주는 설비.

PAD   [반도체]
블록을 찾아서 데이터로 채우는 과정.

Page Fault [반도체]
페이지 테이블상에 각 페이지마다 페이지 폴트라 불리우는 1비트의  제어비트가 있어서, 이 비트가 1이면 그 페이지가 주기억  장치에 없는 것을 나타내며, 0이면 주기억장치에 있는 것을 나타낸다.
명령을 실행할 때마다 연산 제어장치는 이 테이블을 참조하는 데 만일 비트가 1이면 페이지가 주기억 장치에 없다는 것을 뜻하는 인터럽트가 발생하며  수퍼바이저는 이 인터럽트를 해석하여  필요한
페이지를 2차 기억장치로부터 주기억장치로 가지고 와서 프로그램이 속행된다. 따라서, 페이징 방식에 의하면, 주기억장치에 최소한 필요한  것은 현재 사용중인  페이지뿐이다. 여기서 중요한 것은 이 페이지
폴트의 처리는 사용자가 인식할 수 없는 상태로 이루어진다는 점이다.

PAL [반도체]
PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC.

PAL [반도체]
PHASE ALTERNATION BY LINE의 약칭.

Palladium Membrane [반도체]
수소분자만이 통과할 수 있도록  되어있는 Cell. Silver  Palladium으로 되어 있다.

Palm Top PC [반도체]
손 바닥위에 올려놓고 사용할 수 있는 PC.

Panel Plating(판넬도금) [반도체]
홀을 포함하는 기판의 전면을 도금하는 것.

Parallel Port [반도체]
IBM-Compatible Parallel Printer를 연결할 수 있는 Connector이다.

Parameter [반도체]
모수, 모집단의 특성을 나타내는 상수나 계수로  표준편차, 평균, 회귀계수 등이 있다.

Parasitic Effect(기생효과) [반도체]
소형화된 IC에서 소자사이가  근접하기 때문에 생기는 문제.

Parity [반도체]
연기 Tape 등의 외부기기를 통하여 Data를 써넣거나, CPU내에서 Data를 전송했을 때에 Data의  실수를 검출하는 방법을 Parity  Check (기우검사)라고 한다. 검사의 대상이 되는 N-BIT의 Data에 1Bit의
Parity bit를 부가하고, 전체 "1"의 개수가 우수가 되도록 Parity Bit를  "1"  또는 "0"으로 한다. Data를 read 하거나 수신했을 때 "1"의 개수를 조사하여 그것이 기수이면 실수가  있었던 것이 되고, 그것이 우수이면
정상적인 Data였던 것이 된다. "1"의  개수를 우수개로 할 경우를 우수 parity라고 하며, "1"의 개수를 기수개로 할 경우를 기수  parity라고 한다.

Parity Bit [반도체]
부호화된  데이터(word)의 에러 검출에  사용하는 Bit로, 시스템의 Data 쓰기/읽기 동작후에 "1" Bit의 총합이(패리티 비트 포함) 항상 홀수 혹은 짝수가 되어야 함.

Parity Checking [반도체]
메모리에 Write할 때마다 1로 지정된 Byte의 Bit를 세어 홀수 또는 패리태  검사방식에 근거하여 패리티 칩에 기록한다. 그리고  후에 다시 Write 할때 하드웨어가 지정된 Bit를 검사하여  Memory의 결함이
있을 경우 컴퓨터에 알리고 다시 부팅할 때가지 시스템을 멈추게 하는 것.

Partition [반도체]
건축물  내부 좁은  공간을 분리,  자유로이  이동하면 구획이 되어 Room과 Room을 분리 사용하는 제품으로 다음과 같이 종류가 있다.
가) 밤라이트-가장 많이 사용되며 가격이 저렴하고, 시공이 원활하며 스레이트 판 재질을 사용하여          만듬.
나) 집성보드(석고)-방음 효과를 가지며 석고판을 이용.
다) SGP-얇은 철판을 이용하여 만든 제품.

Pascell  Gury Language의 일종. [반도체]

Passivation [반도체]
회로가 외부의 먼지, 온도, 습도 및 긁힘으로부터 Damage를 받는 것을 방지하기 위해서  보호층을 입혀주는  공정으로 주로 Plasma  CVD Oxide  Nitride를 사용하며, PN 접합표면을 습기나 불순물에 대해서 둔감하게,  즉 불활성으로 하는 방법. Wafer 표면에 외부로부터의 영향을 막기 위하여  산화막 및 질화막을 입혀주는 것.

Password   [반도체]
암호.

Pattern [반도체]
부품이나 디바이스의 배선 및 그들의 형태나 배치의 조합에  의해서  소요의 회로 기능을 구체화시킨 평면도형을 말한다.

Pattern Plating(회로도금) [반도체]
회로를 선택적으로 도금.

PBH(Planar Buried Heterostructure) [반도체]
가장 통상적으로 사용되는 반도체 레이저(LD)의 구조로서 발광부를 식각, 성장 등의 공정을 거쳐 다른 epi층으로 완전히 싸버리는 구조이며  표면을 평탄화시킨 것이 특징이다.

PC(Production Control)   [반도체]
생산관리.

PC(Personal Computer). [반도체]
개인컴퓨터

PC(Particle Cleaning)   [반도체]
Chip위의 오염물을 제거하는 공정.

P/C [반도체]
(Particle)

PCB(인쇄회로기판 Printed Circuit Board) [반도체]
인쇄  배선판. 위에 저항, 콘덴서, 코일, TR, IC, LSI, 스위치 등의 부품을 장치하고 납땜하여 회로기능을 완성시킨 것.

PCD(Plasma Coupled Device) [반도체]
CCD등과 마찬가지로 일종의 집적형  Device이다.

PC-DOS [반도체]
IBM사의 PC-DOS는 MS-DOS의 OEM 버젼이다.

PCI [반도체]
OS/2와 Windows 같은 Graphic Oriented Operation  System을 PC에서 동작시킬 때 PC의 I/O의  Bottleneck을 없애기 위하여 Intel에서  개발한 PC  Bus, 보통 SCSI, LAN, Graphic device에 적용함.

PCM(Pulse Coded Modulation) [반도체]
계수형 전송방식으로 연속적인 신호(Analog Signal)를 주기적으로 2진 기호로 변화하여 전송하는 방법.

PCM Data [반도체]
RUN에서 추출되는 Data중 Test Pattern을 측정하여 공정의 불량여부를 분석할 수 있는 Data.

PCM Design [반도체]
PCM Program의  Error를 수정하는 행위로 이상  Data 발생시 수동측정기로 측정하여 결과를 추출한 후 자동측정기로 측정한  결과와  비교하여 PCM Program의 측정조건을 조정하는 행위.

PCM Program [반도체]
개발제품의 양,  불량을  판별하기 위하여  Wafer상의 Test Pattern을 자동측정기로  측정할 수  있도록 제작된  Computer Program으로서  Test Program과 Test Data를 인쇄하는 Print Program으로 구성된다.

PCM Test [반도체]
Process Control Monitor하는 시험소자, 공정상의 특성을 알아보기위해 실시하는 검사행위.

PCMCIA(PC Memory Card International Association) [반도체]
미국의 메모리 카드 관련 표준화 단체.

PCN(Personal Communications Networks) [반도체]

PCT  Patent Cooperation Treaty의 약어 [반도체]
특허 또는 실용신안의 국제출원절차를 동일하고 간소화하기 위해 1970년 워싱톤에서 체결되고 1978년 발효된 다국가간 계약이다.

PCT(Pressure Cooker Test) [반도체]
"증기압 시험"으로서 15PSI, 습도=100%,  온도=121℃ ±2℃의  Pressure Cooker 내에서 진행하는 내습성 시험을 말함.

PCW(Process Cooling Water) [반도체]
공정용 냉각수로서 생산장비의 냉각을 위하여 사용된다. 저압 및 고압용이 있다.

PCX 파일 [반도체]
Z SOFT사의 PC PAINTBERUSH에 의해 생성된 화상용 파일형태.

PD(Power Dissipation)  전력손실. [반도체]

PD(Photo Detector) [반도체]
수광소자로서 해당영역의 파장의 빛을 받아들여 전기적인 신호로  바꾸어 주는 소자이며 동작원리에 따라 PIN-PD, APD 등이 있다.

PD PIN(Presence Detect PIN) [반도체]
4Byte 이상의  DRAM SIMM에 부착된 4개의 PIN으로 Memory Size  및 Speed를 표시하는데 활용됨.

PDA(Percent Defect Allowance) [반도체]
Burn In 이후 Post  Test시 Burn In 중  Device Degradation으로 인한  Hard성 Fail의 발생 허용치로서 일정 비율을 넘으면 추가의  Burn In을 실시하게 된다.

PDP(Plasma Display Panel) [반도체]
대화면화에 용이한 자발광 소자로  개발 실용화 추진단계의 소자임.

PDIP(Plastic Dual In-Line Package) [반도체]
Plastic으로 만든 Package Type의 한 종류이며 Package 양쪽에 Lead가  길게 나와 있어 Socket에 끼워 쉽게 사용할 수 있다는 장점이 있으나  많은 면적을 차지하고 습기 등에 약하다는 단점이 있다.

PE(Product Engineer) [반도체]
공정기사. 특정 제품에 대한 Yield 및 특성 Trace하는  Engineer.

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion) [반도체]
강한 전압으로 야기된 plasma를 이용하여 반응물질을  활성화시켜서 기상으로 증착시키는  방법 또는 장치. TFT-LCD에서는 insulator층과  a-Si 증착에 사용한다. 반응  Chamber가 Plasma 상태하에서 GAS들의  화학적 반응에 의해  film을 증착하는 방법으로 Plasma에 의해  reactant들이 energy를 얻음으로  낮은 온도에서 증착이 가능하다.

P/E Cycle(Programming/Erase Cycle EEPROM). [반도체]

Peel Strength [반도체]
基材(Base Material)로 붙어 회로나 동박을 떼어내는데 필요한 단위폭 당의 힘.

Pellet [반도체]
불순물 주입등의 공정이 완성된 Wafer에 들어 있는 각각의 소자를  잘라낸 개개의 소자.

Pelletize [반도체]
Compound를 사용하기 좋게 작은 덩어리로 만드는 작업.

Pellicle [반도체]
Particle 또는 외부적인 defect로부터 감광원판(MASK)을 보호할 목적으로 감광원판의 가장자리 부분의 형상이 없는 곳에 부착하는 물질.

PEM(Production Equipment Maintenance)  [반도체]
생산 장비 정비.

Performance Board [반도체]
Test System 또는 소자로부터  나오는 전기적 신호에 대하여   Test System과 Probe 사이를 연결시켜 주기  위해 PCB에  Coaxial Cable로 Wiring한 Interface Board.

Peripheral LSI [반도체]
Test System에  CPU를 지원하는   LSI군. microcomputer system을  설계하는 경우 필요로 하는 기능을 CPU 한 개에 집적시키면 처리속도가 저하되고 software 설계량이 증대되는 문제점이 발생하게되므로  각 CPU에 주변 LSI를 사용하여 시스템을 설계하는 것.

Permenant Mask(영구마스크) [반도체]
작업후에 제거되지 않는 잉크.

PERT(Program Evaluation and Review Technique) [반도체]
어떤 방법으로 어떤 공정을 진행시키면 인원이나  자재의 낭비없이  배치할 수 있고 공기를 단축할 수 있는가를 해명하는 공정관리수법.

PF(Picofarad)  1012(F). [반도체]

PG(Pattern Generator) [반도체]
CAD System에 의해 Digitizing된 설계 정보를 Mask위에 Pattern 모양으로   형상화시키는 기계로 Reticle 제작에 사용.

PG(Pattern Generation) [반도체]
회로설계 Pattern이 Layout된 상태를 Reticle/Mask 제작장비가 사용할  수 있는 Data로 바꾸어 주는 작업.  설계된 Data를 생산현장에 투입하기 위한 MASK를 생성하는 작업.

PG Tape [반도체]
설계완료된 Layout  Data를  Reticle/Mask 제작장비인  E-Beam  Machine에 맞는 Format으로 변경한 Data를 PG  Data라 하며 이 Data를 보관한 Tape를 말한다.

PGA(Pin Gird Array) [반도체]
Lead가 Package의 아래쪽에 길게  나외있는 정사각형의 반도체 제품.

PGA(Professional Graphics Adapter) [반도체]
IBM의 전문  그래픽 어댑터로 주로 CAD 응용 프로그램으로 사용되는 고급의 지능적인 그래픽 보드였으나 몇가지 요인들 때문에 PGA는 인기있는 표준이 되지 못했다.

PH(Par H) [반도체]
수소 Ion Mole 농도의 역수의 상용 Log 값을 취하여 수용액의 PH가 7인 수용액은 중성, PH가 7이하인 수용액은 산성, PH가 7이상인  수용액은 알카리성을 나타냄.

Phase(위상) [반도체]
미리 규정한 위치에서 본 반폭파형의 1 사이클을 기준으로 한 상대 위치.

Photo (사진) [반도체]
Wafer에 Pattern을 형성하는 공정.

Photo Conductive Effect(광전효과) [반도체]
반도체에  빛을 조사함으로서 일어나는 전기 전도도의 변화나  기전력의 발생현상을 총칭하여 광전효과라고 한다.

Photo Coupler [반도체]
전기, 빛 변환소자(발공소자)와  빛, 전기 변환소자(수광소자)를 하나로 조합한 것이다.

Photo Diode [반도체]
반도체의 PN 접합에 역 바이어스를 가하고 접합면에 빛을 조사하면  PN 접합에 흐르고 있는 역방향 전류가 증가하는 현상을 이용한 것이다.

Photo Etching(사진 식각법) [반도체]
에칭재료에 대해서 내성이 있는  재료, 즉 Photo Resist를 마스크로 사용하여 반도체의 산화피막, 금속 등을 부분적으로 Etching 하는  방법이다.

Photon [반도체]
전자장을 양자화한 것을 Photon 이라고 한다.

Photo-Resist [반도체]
사진 식각 공정을 위하여  사용되는 점액성 액체를 말하며,  빛이  닿는 유무에 따라 상태가 변하는 감광물로서 Positive와 Negative 2 종류가 있음.

Photo-Resist or Resist [반도체]
감광물질로 Positive와 Negative의 두 종류가 있음.

Photo Volatic Effect(광기전력 효과) [반도체]
반도체의 PN접합에 빛을  조사했을 때 PN접합의 양단에 전압이  나타나는 현상을 광기전력이라고 한다.

PI(Process Integration) [반도체]
반도체 소자를 만들기 위해 Photo, Etch, Diffusion, Thin Film,  Ion Implantation과 같은  단위공정이 필요한데, 각 공정을 소자의  특성에   맞게 Process Flow를 설계하고 제어하는 기능.
Process Architecture라고도 함.

Pick & Placement [반도체]
Screen Printing된 PCB위에 Component를 장착 하는 공정.

Pick-Up Fork [반도체]
25, 50 Slot짜리의 Boat를 Loading, Unloading하는 치공구.

Piezo Electric Effect(압전효과) [반도체]
어떤  종류의 결정에 어떤 방향에서  압력을 가하면 정해진 방향으로  유전분극이 나타나는 현상(즉, 한쪽 끝에 +의 전하가, 그리고 다른쪽 끝에 -의 전하가 나타나는 현상)을 말한다.

Piggy Black [반도체]
Program ROM을 flexible하게  사용하기 위하여 Chip자체에 ROM 소켓을 가지고 있는 Package 방법.

Pigment Types [반도체]
백색광이 미세한 안료 입자를 분사하여 만들어진 착색된 층을  통과하도록 하여, 빛에 색상을 주는 방법 혹은 안로 입자를 사용하여 빛을 착색하는 방법.

Pin Density(편밀도) [반도체]
단위면적당의 기판상의 판수.

Pin Hole [반도체]
1) 사진 감광액 속에  입자가 존재하거나 Mask나 WF표면에 결함이  있을 때 사진 작업후 형성된          감광액 Pattern에 생기는 작은 구명.
2) 확산로에서 성장시킨 산화막에 생긴 작은 구명.

PINCH-OFF Voltage [반도체]
전계효과 Tr(MOSFET)에 있어서 Channel이 닫혀졌을때 즉 gm이 ZERO로   된 상태의 GATE 전압을 PINCH-OFF 전압 Vp라고 한다.

Pit [반도체]
동박을 완전히 관통하지는 않으나 표면에 생기는 작은 구멍.  PIT  Wafer 표면의 미세한 돌출 불량.

PIX [반도체]
Assembly시 module compound의 stress에 기인된 깨짐(crack)을  방지하기 위해 buffer material로서 pix(polydimide)를 coating한다.

Pixel(화소) [반도체]
두 단어 "picture element"의 합성어로 화면을  구성하는 R, G, B 의  3 돗트를 1화소라 하며 정세도가 높다고 하면 화소수가 많음을 의미한다.

Pixel Defect [반도체]
LCD 화소단위의 표시결함으로 능동 매트리스 방식에 전형적으로  나타나다. 대표적인 것으로는 흑표시의 경우 광이 투과된 백결함이나  백표시의 경우 광을 투과하지 않은 흑결함이 있다.
원인은 능동 소자의 동작 불량에 있다.

PL/I [반도체]
프로그래밍 언어.

PLA(Programmable Logic Array) [반도체]
일반적인 논리  회로의 조합으로, 기능별로 연결하거나 Program에 의하여 조작할 수 있는 논리조작  회로.

Planner용법 [반도체]
기억소자에서 콘덴서를 만드는  FAB  공정기술 중의 하나로 Silicon 기판과 평행하게 콘덴서가 형성되는 기술임.

Planar Transistor [반도체]
Silicon기판 위에 튀어나오는 것이 없이 평평한  형태로 만든 Transistor.

Planarization [반도체]
FAB 공정에서 만든 반도체 Silicon Chip의  수직구조가 평평한 상태정도를 말함.

Plant Working Standard [반도체]
공장용 기준기, 정밀 계측기기급 이하의 교정 및 검증에 사용되는 기기.

Plasma [반도체]
거의같은 수의 양이온과 전자를 띤 가스.

Plasma Display [반도체]
가스 방전에 의해 문자 또는 숫자를  표시하는 것으로 절연물을 통해 글로우 방전을 일으키는 외부 전극형 표시 방전판이다.

Plasma Etching [반도체]
고주파가 인가되  반응실 내부로   Gas를 주입하면  높은 Energy 상태로  활성화 되어  이온, 전자, 원자, 래디칼(Radical)등이  생성되는데,  이것을 사용하여 식각을 하는 일반적인 건식 식각.  좁은 의미로는
화학적인 반응에 의한 건식 식각 방법.

Plate [반도체]
절단후 분린된 Chip을 선별하여(양품) 담는 공정.

Platng  도금. [반도체]

PLC(Product Life Cycle) [반도체]
제품수명주기. 신제품이나 개량제품이 시장에 소개된 이후 시간의 경과에  따른 판매액이나 이익의 변화 추이를 나타낸 개념.  도입기, 성장기, 성숙기, 쇠퇴기로 구분하여 각 시기마다 적합한  마케 믹스를 필요로 한다.

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) [반도체]
Package의 일종으로 lead가 4방향으로난 표면실장형 반도체 제품.

PLD(Prodgramable LOGIC Device) [반도체]
프로그램이 가능한  어드레스를 가진  ROM으로, 시스템  설계 수단으로서  개발된 것이다.  PLD와 ROM과의  차이는 ROM은 입력의 모든 조합에 대해서  출력이 나오지만, PLD는 입력의  몇 개 조합은 무효이고, 또 조합의 몇 개 그룹은 구별할 수 없다는 점이다.

Plenum [반도체]
공기의 유통을 위한 공간.

PLL(Phase Locked Loop) [반도체]
전압에 의해 조정되는 발진 주파수가 기준 주파수와 일치할 때까지  주파수의 위상차에 비례하는 전압을 발생시켜 발진 주파수를 기준 주파수에 맞추는 회로 방식.

Plot [반도체]
DISK내의 DataBase를 그림으로 뽑아 내는 것.
가) plot-도면, 차트, 도표 등을 작도하는 것.
나) plotter-도면 작성(drawing), 차트 작성, 도표 작성(diagram)및 유사한 그림을 그리기 위하여           사용되는 시각적 자료 생성 기기.
다) plotting[도형작성]- 어떤 종류의 정보를 그림으로 작성하는 과정.

PM(Presentation Manager) [반도체]
IBM사 및 MICROSOFT사에 의해 OS/2용으로 개발된 그래픽 사용자 인터페이스 표준이다.

PM(Preventive Maintenance) [반도체]
장비성능유지 차원에서 설비 문제 및 손상감소를 위하여  Manufacturing Operation에서 Routine하게 점검(사전예방정비).

PMA(Personal Management Analysis) [반도체]
인사관리 분석제도.

P-MOS [반도체]
양전하 즉 정공에 의해 Channel 전류가 형성되는 MOS Transistor.

PN2(Purified N2) [반도체]
GN2 Gas를 Purifier를 사용하여 정제된 N2 Gas.

P-N Junction [반도체]
P-N Junction은 P형 영역과 N형 영역사이의 경계부분. 이러한  Junction 그 자체는 정류기(Rectifier) 혹은 Diode를 만들어 냄.

PNPN Diode [반도체]
PNPN의 4층 구조로 된 Diode.

PNP Type Transistor [반도체]
PNP접합의 구조를 가지고 있으며 P,N,P 영역을 각각  에미터, 베이스, 콜렉터로 한 접합형 TR를 말한다.

P/O(Purchase Order) [반도체]
구매 주문(발주).

Polarizer [반도체]
자연광을 직선 편광으로 변화시키는 필터로서, 요소 또는 2색성 색소로 염색한 PVA(폴리 비닐 알코올) 필름을 연신 가공하여 TAC(Tri Acetyl Cellulose) 필름 사이에 넣은 판.

Polisher [반도체]
초순수 2차 설비중의 하나로서 초순수중의 SiO2를 제거하는 것을 목적으로 하며 기타 수중의 이온성 물질을 제거한다.

Poly-Crystal(다결정) [반도체]
물질이 결정질의 것인 경우  하나의 덩어리속에 결정축의 흐트러짐이 있거나 결정축 방향이 다른 것이 포함되어 있는  것과 미세한 단결정의  모임으로 되어있는 경우를 다결정이라고 한다.

Poly-Crystal Silicon(다결정 실리콘) [반도체]
결정 전체에 결쳐서 원자 또는 원자 집단의 주기성이 유지되고 있을 때  이것을 단결정(Single Crystal)이라 하며 전체가 임의의 방향을 향하고  있을 때 이것을 비정질 또는 무정형이라 한다. 다결정은 이 중간의  상태이며 작은 단결정이 불규칙하게 모인 것이다.

Poly-Si [반도체]
장범위에서는 결정성이 없지만, 단범위에서는 결정성을 가지고 있는 실리콘 물질. 결정 경계로 구분되어 있고 결정 경계 내부는 단결정이며  이러한 결정이 다수 존재한다. 다결정  실리콘 트랜지스터는 좋은 신뢰성과  안정성으로 인해 프로젝션용 혹은 소형 view finder에 이용되고 있다.

Polycide [반도체]
MOS 구조에서 word line 및 bit line으로 poly  silicon이 사용될 경우 저항이 높아 time delay가 높다. 개선하기 위하여 polysilicon위에 silicide 2층  구조를 형성하여 speed의 개선을 목적으로 하는 구조를 polycide라 한다.

Polyimide [반도체]
이 막은 러빙(rubbing) 공정을 통해  배향함으로써 액정이 일정한  방향으로 배열하게 한다.

Polymer [반도체]
종합체.  수천개   이상의 단량체(Monomer)들이   서로  결합되어  (Polymerization) 이루어진 고분자 혼합물.

POP 광고(Point of Purchase Advertisement) [반도체]
구매시점 광고.

Population [반도체]
모집단. 관심의 대상이 되는 물질의 총 item이나 units.

POS(Point of Sales) [반도체]
수퍼마켓의 Registor와 같은 판매시점 정보를  입력하는 시스템.

POS System(Point of Sales) [반도체]
판매시점 정보관리 시스템.

Positive LCD [반도체]
LCD에서 normally white라고도 하며 흰바탕에  검은문자가 나타난다.

POST(Power On Self Test) [반도체]
PC 전원을  켜자마자 시작되는 것으로 CPU가 제대로 동작하는지  System Boaard Memory와 시스템 버스부분도 함께 검사하는 기본 시스템 Test이다.

Post Burn-in [반도체]
Burn-In 후에 검사하는 것.

Post Laser Repair Test [반도체]
Laser Repair 수행후 wafer chip의 pass/fail  및  laser repair 성공여부를 판별하는 전기적 성능 검사법.

Pot [반도체]
성형 금형 내에 합성 수지를 투입시키는 입구.

Power Managemant [반도체]
CPU나 Coprocesor, 기타 주변장치의 소모 전력을 줄이는 방법으로  System Clock의 동작을 Stop시켜  소모전력을 줄임으로써 Battery 수명을  연장시킬 수 있다. 일정시간동안 외부 Input이 없으며 Display Power 등 각종 Power 소모원의 전력을 줄일 수 있어 Lap Top, Notebook PC에  적용하고 있다.

PP Carrier [반도체]
Poly Propylene 재질로 되어 있으며 청색, 주황색 등이 있다. 화공약품에 강하나 열에 약하다.

PPB(Parts Per Billion) [반도체]
PPM의 1천분의 1, 즉 10억분의 1을 나타내는 단위.

PPM(Parts Per Milion) [반도체]
불량 측정 단위, 백만분의 1단위.

PR(Purchasing Requisition) [반도체]
구매 신청서.

PR(Photo Resist) [반도체]
감광성 고분자로서 노광공정시 빛을  받은 부분이 광반응을 하여  현상공정 후 pattern을 형성한다. 광 감응제가  섞여 있는 유기 화합물로 빛에 의해 자체내에서 화학 반응이  일어나 화학적 구조가 변하여 현상액에 의해 일정 pattern이 형성되도록 하는 물질.  IC 제작 공정중 photo 공정에서 사용하는 화학물질로 Etch 공정을  하기 전에 Etch 할 지역을 표시하기  위해 Wafer 표면에 균일하게 도포하는 물질이다. 이  물질은 Positive Type의 경우 빛을  받으면  그 부분은 빛과 반응하여 감광되어 Devlop시 없어지고 빛을 받지 않은 부분은 그 대로 남아서 Etch를 진행하면 PR이 없는 부분이 식각된다.

Pre Burn-in [반도체]
Burn-In에 들어가기 전에 검사하는 것.

Precipitate [반도체]
일정해야할 지역에(불순물농도 등), FAB 제조 공정중  어떠한 이유로 핵을 중심으로 모이는 현상.

Precision [반도체]
측정에서의 재현성이 얼마나 좋은가를 나타내며 동일한  측정을 여러번  했을 때 얼마만큼 그 측정값들이 서로 일치하는 가를 가리키는 척도가 됨.

Precision measurement Instrument [반도체]
산업체 및 시험검사  기관에서 정밀 측정 및 시험검사에 사용하는 기기.

Preform      [반도체]
예비 성형.

Preformer      [반도체]
예비 성형기.

Preform Feeder [반도체]
릴 상태로  감겨 있는 납  Preform을 일정한 길이로 잘라서 Lead Frame 위에 접착시키는 장치로서, 반시계 방향으로 환원.

Preheater [반도체]
고주파를 사용하여 Peller 형태의 수지를 말랑말랑한  상태로 만들어 주므로써 경화 시간을 단축시키고 경화 특성을 향상시키며 이송식성형을 용이하게 하는 장치.

Prelaser Repair Test [반도체]
공장이 진행되어진 wafer의 laser repair 수행 전 wafer chip의  pass/fail/repairable을 구분하는 전기적 성능 검사.

Pretilt Angle [반도체]
유리기판표면에 대한 액정분자 장축의  경사각도. 배향막의 러빙처리에 의해 생기며 Reverse tilt domain 생성방지를 위해 행한다.

Prepreg [반도체]
다층기판에서 각 층을 접착시키는 접착제(B-STAGE).

Price Learning Curve [반도체]
기존의 학습곡선의 개념을  반도체 메모리의 가격변화에 적용한 것. 이 경우 가격은 시장경쟁, 기술대체, 일반 경제상황, 수요 및 공급의 역동성 등의 시장조건에 크게 영향을 받는다. 가격은 Bit당 Millicent로 표시.

Priming [반도체]
pump를 시동하기전 흡입관내에 물을 충만시키는 것.

PRN(Process Revision Notice) [반도체]
실험결과에  의거하여 기존의 공정의  조건, 순서, 자재, 장비 등을 변경 보완할 때 사용하는 양식.

Probe Card [반도체]
Wafer내의 Chip의 전기적 동작상태를 검사하기  위해 Probe Tip을 일정한 규격의 회로 기판에 부착한 카드.

Probe Tip [반도체]
Chip을 Test하기 위해 텅스텐 재질로 만든 Pin으로 Chip내의  Pad를 통한 Chip회로와 검사장비와의 연결부분.

Prober  Test [반도체]
장비와 전기적  신호를  주고받을 수  있도록 연결되어  있으며  Wafer를 X, Y, Z축으로  움직여 각 칩을 ROOM/HOT  Temperature 상태에서  Wafer내의 지정된 point아 탐침을 접촉시켜 Test하는 데 사용되는 장비임.

Probing [반도체]
측정을 위하여 만들어 놓은 PAD에 Probe Tip을 정확하게 Contact시키는 것.

Process [반도체]
반도체 제조기술에 있어서 재료에서 제품까지의  중간단계의 기술을 총칭하여 Process라고 한다.

Process Capability [반도체]
공정능력. 정상적인 환경요인에 의해서만 지배되는 최소한의 변동요인 아래 공정작업 범위의 한계.

Process Minispec. [반도체]
공정개발실에서 base line 공정이 확정되어 FAB 운영실로 이관될 때에 작성되는 스펙으로서 각 공정 진행시의 작업순서, 작업조건, 작업결과의 확인기준을 명시한 해당 공정의 기술 표준.

Profile [반도체]
지정된 공정에서의 필요  온도를 장비내에 오차없이 입력시키는  일련의  작업으로써 확산공정에 쓰임.

Program [반도체]
Test Program을 지칭하는 말로써 각 Tester에 알맞는 Computer Language로  작성한 Software임.
이 Program의 조건은 Test Spec.에서 정한 Limit를 사용함.

PROM(Programmable Read Only Memory) [반도체]
ROM의 일종으로 제조된 후 사용자가 임의로 Program을 하여 원하는  정보를 넣을 수 있는 기억장치.

Propagation Time(전파시간) [반도체]
논리회로에 있어서 논리의 지연을 전파시간이라고 한다.

Protected Mode [반도체]
Protected Mode에서는  CPU는 24bit Physical  Address를 Generate하며  물리적 Memory 공간을 Addressing할  수 있다.  80286 CPU는  Protected  Mode와  Real Mode에서 동작된다.
Extended Memory는 Protected Mode에서 지원된다.

Proto Type [반도체]
길이, 질량, 시간, 전류,  온도, 광물, 물 등 7개 기본단위의  현시용 국가 표준(National primary Standard)을 말함.

Proximity Effect [반도체]
Pattern이 조밀한 지역과 밀도가 아주 낮은 지역과의 경계면에서 Etch 속도의 차이가 나는 것을 말한다.

PRS(Pattern Recognition System) [반도체]
Chip의  Al과 Si의 2부분을 혹(Si),  백(Al)으로 찾아서 위치를 일정하게 잡아 주는 방식.

PRT(Production Realiablility Test) [반도체]
공정신뢰성 시험으로서 양산중인 제품에 대한 품질 확인검사(Quality Conformance Test)를 말함.

P/S(Prober Station) [반도체]
Wafer를 검사하기 위해 테스터와 연결된 설비이다.

PSG(Phospho-Silicate-Glass) [반도체]
인규산 유리. 산화막에 Phosphorous가  첨가된 것으로 절연특성이 양호하며 낮은 온도에서 Reflow 되는  특성을 갖는 물질로서,  반도체 표면의 안정화 등에 사용.

PSRAM(pseudo SRAM) [반도체]
DRAM의 장점인 동일면적에 있어서 기억용량의 극대화와 SRAM의 장점인  Refresh 불필요성을 결합시킨 것으로 DRAM의  장점과 SRAM의 장점을  결합시킨 기억소자.

P-type [반도체]
N-type에 대응되는 것으로  반도체 재료에서 전류의 흐름을  형성하는  정공의 밀도가 전자의 밀도보다 훨씬 크도록 3가의 불순물 원소를 주입한 반도체의 특성.

P type semiconductor [반도체]
반도체에서 전기 전도에 기여하는 캐리어가 정공이 주체가 되는 반도체를  P형 반도체라고 함.

Pulse Heating [반도체]
콘스탄드 히팅에 반대되는  개념으로 지속 시간이 짧은 전류를 본딩 팁에  흘려 순간적으로 열을 발생시키고 전류를 차단하면 동시에 열도 차단되는 것.

Pull strategy [반도체]
제조기업이 소비자에 대하여 제품이나 상표에 대한 광고를  충분히 하여  소비자의 수요가 환기되도록 촉구함으로써 소비자로 하여금  제품을 판매하고 있는 상점에 가서 자사상표품을 지명구매하도록 하려는 전략.

Pulse [반도체]
직류도 정현파도 아닌, 지속기간이 짧은 단속된 전류 충격파라고도 한다.

Punch Die [반도체]
성형 작업이 완료된 자재의 리드와 리드사이에 연결된 댐버  부분을  일정한 힘을 가해 자르는 정밀 가공된 부품.

Puntch-Through [반도체]
MOS의 Source와 Drain간의 강한  electric field에 의하여  Drift성의 전류가 야기되는 현상.

Punch-Through Breakdown [반도체]
Source/Drain Junction depletion region이 만나면서 생기는 breakdown현상으로 substrate 농도가 낮거나,  또는  short channel일 경우 두 junction의 depletion이 만나면서 source-drain 사이에 갑자기 많은  전류가 흐르는 현상을 말한다. 통상, scaling down의  가장 큰 걸림돌이 되고 있으며,  LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 이용하여 Breakdown특성을 보완하고 있다.

Push Stategy [반도체]
제조기업이 소비자광고등에는 주력하지 않고  판매원의 인적 판매활동을  중심으로 판매경로상의 거래점을 통해 제품을 판매하려는 전략.

Purge(정화, 추방) [반도체]
N2 GAS를 불어 넣어 줌으로써 GAS 찌꺼기나 용액 찌꺼기를 빼내는 것을 말함.

PV(Process Vacuum) [반도체]
공정용 진공으로 진공 Pump에서  생산되어 라인으로 공급된다. 생산장비에서 웨이퍼의 고정과 이송용을 사용됨.

PVD(Physical Vapour Deposition) [반도체]
CVD에 대비하여 쓰이는 말로써 스퍼터링, 증착 등의 물리적인 박막 증착기술을 총칭하는 것임.

PW(Polished Wafer) [반도체]
연마 가공된 웨이퍼.

PWB(인쇄배선판) (Printed Wiring Board) [반도체]
회로 부품을 접속하는  전기 배선을 회로 설계에 입각하여 배선도형으로  표현하고 이것을 애칭 등의 기술에 의해 동박 적층판(Copper Clad Laminate)위에 동박의 배선동형으로서 완성시킨  판으로 배선과 부품 장착의  두 기능을 겸비하고 있는 것.

PWL(Pulsed Word  Line) [반도체]
ICC를  줄이기 위해   reading시 word line의 signal을 pulse 형태로 control하게 설계한 circuit 개념이다.

QA(Quality Assurance) [반도체]
품질 보증을 위하여 최종 제품 전체 혹은 일부에 각종 시험 또는 검사를 하여 고객이 원하는 품질수준을 보증하는 것.

OA Test   [반도체]
출하 검사.

QDR(Quick Drain Rinse) [반도체]
DI  Rinse시 일정한 cycle로써  반복되게 shower와 drain을 시키면서  cleaning하는 방법.

QFP(Quad Flat Package) [반도체]
Lead 간격이 좁고  Package 사방에 Lead가 있고  구부린 모양이 "乙"字인 반도체 제품.

QC(Quality Control) [반도체]
제품 제조의 각 단계별로 제품의 질을  검사하는 품질관리.

Quartz Boat [반도체]
wafer를 운반, 또는 공정을 진행하기 위한 도구.

Quartzware(석영 제품) [반도체]
Furnace 등 N/C chamber를 구성하는 석영으로 된 부품이며 Quartz Boat, Quartz Tube 등의 제품으로 고온에서의 내열  특성이 우수하다.

QCN(Quality Control Notice) [반도체]
품질이상 통보서. 각 공정의 품질부서  검사기준(한계치)을 벗어나  품질이상이라고 판정되는 제품에 대하여 발생하는 통보서로써,  기술부서 검토후 각 해당 생산부서의 재선별 작업중지, 장비 보수 등이 요구되어짐.

QE(Quality Engineer)  품질 Engineer. [반도체]

Q&R(Quality and Reliability)  품질 및 신뢰성. [반도체]

Q-Tip [반도체]
면봉. 가느다란 봉에 솜을 부착시킨 것으로 알콜을 사용하여 Cleaning할  때 쓰임.

QTL(Q8K Test   Language) [반도체]
Q8K   Test System에서   사용하는 PGM language.

Qual(Qualification) [반도체]
반도체 제조의 최종 관문으로 신뢰성을 Test하여  만족한 상태를 달성하는 것.

Quality [반도체]
품질. 주어진 요구를 만족시키기 위한 기능을  가진 제품 또는 service의 특성이나 성질의 총합.

Quality Assurance [반도체]
품질보증. Product나 Service가  주어진 요구를 만족시킬 것이라는 신뢰를 주기위해 필요한 모든 계획 또는 활동.

Quantum Electronics [반도체]
공간이나 고체내를 자유로이 움직이는 자유전자가 아닌 원자나 분자에 속박되어 있는 전자의 운동을 이용하는 공학을 양자 Electronics라고 한다.

Quartz   [반도체]
석영.

QV(Quality Validation) [반도체]
정상적인 고온  Test후에 QA부서에서, 고온,  저온, 상온 Test를 번갈아  하면서 특성상의 이상 유·무를 확인하는 것.

QWL(Quality of Working Life)   [반도체]
노동생활의 질.

R/A(Return Air) [반도체]
실내에 공급되었다 회수되어 재사용되는 공기.

RACE [반도체]
(Research  and  Development in Advanced Communications Technologies for Europe)

Rack [반도체]
도금걸이로서 도금 물체를 받치거나 전류를 통하게 함.

RAM(Random Access Memory) [반도체]
원하는 정보를  꺼내어 쓸 수 있는  반도체 기억장치로, Computer의 기본 기억장치이며  명령에 의해 정보를 꺼내어  쓰거나 넣을 수 있음.

Ram Disk [반도체]
Memory를 1MB로 증설한 System에서 DOS가 지원하는 640KB외의 384KB의  메모리는 그냥 소비하게 된다. 따라서,  384KB를 마치 하나의 드라이브처럼 사용하여 하드디스크나 플로피 디스크보다 월등한 속도의 디스크로  이용할 수 있다.

Ram Height [반도체]
램덤 또는 플란저 하강시 이송변속점에서 상부 금형의 하단까지의 거리.

RAMDAC [반도체]
Pixel Address  입력에 해당하는  RAM의 내용을 DAC를  통하여  R.G.B  Analog 출력으로 제공하는 Chip. PC Graphic Board에 사용되는 Chip으로  화면에 Display할 color를  RAM에 저장하고 있다가  DAC를 통하여 해당  Analog 값으로 변환하여 출력해 주는 Device.

Randomization [반도체]
Treatment 효과의 추정치를 실험오차의 영향에 독립적으로 제공하기 위하여 Treatment를 실험단위에 할당하는데 사용하는 절차를 말한다.

Randomized Block Design [반도체]
난괴법. 실험공간이 독립된 Block 내에서의 실험 단위들의 Block으로  세분화되는 실험법을 말한다. 각 Block에  있어서 처리는 실험단위들에  인위적으로 할당되는 각  Block에 대한 부분적 Random화를 통해 몇 개의  Block들을 반복 처리한다.

R-Range [반도체]
범위. data중 최대치에서 최소치를 뺀값을 범위라 한다.  R=X max- X min범위하는것은 그 자체가 변동을 내포하고 있지만 sample size를 고려한  factor(1/d2)를 곱하여 모집단의 표준편차를 추정하는데 이용하기도 한다.

Range(Rp) [반도체]
Ion이  기판에  충돌하여 일정   깊이 만큼  주입된 거리의  범위 (Projected Range)

Raster [반도체]
CRT 화면상에 미리 정해진 수평선의 집합형태.

R&D(Research and Development)  연구개발. [반도체]

RDB  Relational Data Base [반도체]
수학적 용어인 relation(관계)에서 따온 것으로써, table 형식으로 DB가 보이는 것이 특징이다.

R&D Ratio(Research and Development Ratio) [반도체]
1주당 연구개발비를 주가로 나눈 비율을 말한다. 이 비율이 크면  그 기업은  연구개발비에 힘을 쏟고 있는 성장성이 높은 기업으로 간주된다.

Read-Modify-Write Cycle [반도체]
컴퓨터 시스템이 메모리 제품에 대하여 데이터를 읽은후, 곧 쓰기 상태로 전환하는 상태를 말함.

Real Mode [반도체]
Real Address Mode에서 CPU는 20Bit Phy Address를 Generate 하여  1MB까지 Addressing이 가능하다. 8086  Mode라고도 하며 80286 CPU는  Real Mode를 포함하고 있다.

Recipe [반도체]
장비가 어떤 material을 process하는데 필요한 rule이나 control data를  말한다.

Rectifier [반도체]
주로 Diode와 같은 반도체 소자를 이용하여 교류를 직류로 바꾸는 전 기적 장치.

Recombination [반도체]
반도체에 전압을 가하거나 빛을 조사하거나  또는 소수 캐리어를 주입함으로써 열팽형 상태의 전도전자의 수보다 여분의 전자,  즉 과잉전자가  생긴다. 과잉전자가 충만대 속의 공(空) 레벨로 되돌아가서 소멸하는  현상을  말한다.

Rectifying Action(정류작용) [반도체]
통전 방향에 따라서 전류가 흐르기 쉬운 정도가 다른 성질, 즉 저항이 다른 성질을 정류작용 또는 정류성이라고 한다.

Redundancy [반도체]
어떠한 Cell이 어디가 고장나도 그에 대신하는 것이 있어서 Chip 전체로서는 고장없이 동작을 계속할 수 있는 것을 말한다.

Redundancy [반도체]
회로  Chip의 수율을 높이기 위해 여분의 cell을  집어넣어 defect 된  cell을 여분의 cell로 대치하여 사용하는 것.

Reference Check [반도체]
표준 Device를 이용하여 System의 안정상태를  Check하는 것.

Reference Price [반도체]
EC에서 반도체제품의 수입에 있어서 덤핑여부를  판정하는데 기준이 되는  가격.  산정방식은 수출제조원가 + 판매관리비 + 수출부대비 + 적정이윤 + 현지법인비용이며 미·일 반도체 협정을 모델로하여 EC와 일본업체간에   체결되어 90년부터 시행되고 있다.

Reflectance(반사도) [반도체]
Film의 표면 반사도로써 표면의 거칠음 정도를 표현한다.

Reflective Display [반도체]
Backlight없이 자연광의 반사에 의해 표시하는 display 방식.  이 display는 positive image에 적합하며, 후면에 반사판이 필요하고  아주 밝은 곳에서 유리하다.

Refractive Index [반도체]
진공(실용적으로는 공기) 중의 빛의 위상속도와 매질중의 위상속도와의 비

Refresh [반도체]
DRAM에서 MOS FET의 게이트 용량에 축전된 전하에 의해서 WRITE-IN된  기억을 유지하는데 이  전하는 수밀리초내에 방전하여 없어지므로  항상 기억을 재생하여야 하며 이 재생하는 것을 REFRESH라 한다.

Register(기록) [반도체]
Data 정보, Address 정보를 일시적으로 기억.

Regression Analysis [반도체]
회귀분석. 목적함수의 값을 최적화하기 위한  모형의 변수들을 추정하고,  적당한 가상모형에 대한 통계적 유의성에 대한 예측결과를 검사하기위한 절차를 말한다.

Reject [반도체]
생산용으로 더 이상 사용할 수 없는 Wafer나 Mask를  폐기 처분한다는 뜻.

Reliability [반도체]
반도체 제조를 위한 어떤 장치 얼마만큼 고장없이 주어진 기능을 수행할  수 있는가를 또는 제품이 나타내는 것.

Reliability Index [반도체]
TR 등의 신뢰도를 나타내는 값.

Repair Data [반도체]
Pre laser repair  test에 의해  생성된 repair 기능  칩과 Fail  address data.

Repair 장비 [반도체]
Laser repair program을 이용하여 Repair data에 따라  Redundancy circuit의 fuse를 절단하는 장비임.

Repairable  Memory [반도체]
chip내의 fail bit수가 여분으로 만들어 둔 redundancy수 보다 작아  fail  된 모든  cell에 대해 spare cell로의 대치가  가능한 경우 이를  repairable 이라고 함

Repairible [반도체]
Wafer 상태에서 각 소자를 Test한  후 임의의 Row 또는 Column 또는  Cell에서 불량이 발생 됐을  경우 여분의 Row 또는  Column으로 대체하여 양품으로 만들 수 있는 소자를 일컫음.

Repair [반도체]
회로 Algorithm  설계실에서 Redundancy 회로에 따라 작성된 것.

Repeating Defect(반복결함) [반도체]
Wafer에 어떤 결함 이 반복적으로  나타남을 말함.

Replication [반도체]
반복. 실험에서 비교될 일련의 모든 실험시행 조합의 반복을 말하며, 각각의 반복을 "Replicate"라 한다.

Refresh [반도체]
DRAM의 기억소자는 Capacitor로 되어 있어 저장된 정보가 일정시간이  지나면 손실되기 때문에 Data 유지를 위해  일정시간마다 재충전시켜  주지 않으면 안되는데 이를 Refresh라 한다.

Resin Recession [반도체]
기판이 가열될 때 수지성분이 수축되어  도통홀의 각층과 벽을  현미경으로 볼 때 나타나는 현상.

Resistance(부성저항) [반도체]
부성저항이라고 한다.

Resistivity(비정항) [반도체]
물질의 칫수를 1㎝의 입방체로 해서 측정한 저항을 비저항  또는 고유저항이라고 한다.

Resistor Reticle [반도체]
가장 기본이 되는 모판 Mask로서, 보통 실제 반도체 Chip의  10배 크기인 기본 Mask로 Master Mask를 제작하는데 사용.

Resistration [반도체]
기판의 다른층의 회로와 일치되는 위치의 정도.

Resolution(해상도) [반도체]
사진 공정에서 Mask의  Pattern을 WF위의   감광액에 Pattern의 변형등이 없이  선명하게 전사할  수 있는  능력. 통상  현상후 Mask Pattern과  동일한   형태로  선명하게   형성되는  감광액   Pattern의 크기로  Resolution 능력을 표시함.

Response Surface [반도체]
반응표면. 실험 관측자로부터 유도된 가상모형에 근거한 예측결과의  형태를 말한다.

Response Time [반도체]
단계별 응답에 있어서 출력신호가 최종치에서 특정 범위로 들어가기까지의 시간. ON시 목표로 하는 수준까지  도달하는 시간. 보통 10%에서  90%까지 걸린 시간을 말하며 ON시 투과도가 90% 도달할 때까지의 시간을  rise time이라고 OFF시 투과도가 10%될 때까지의 시간을 decay time이라고 한다.

Retardation [반도체]
굴절율 효과에 의한 정상광과 이상광의 위상차를 결정하는 변수로,  물질의 복굴절 n과 cell두께 d의 곱으로, 즉(n*d)로 표기.

Retest [반도체]
System 불안이나 Align 실수로 잘못 test된 Wafer를 다시 test하는 것.

Reticle [반도체]
Mask와 동일한 의미로 쓰임. (Stepper에 사용되는 mask) wafer에 반도체 회로설계 pattern을 정착(가공)시키기 위해 사용되는 노광용  원판(유리판)으로 한 장의 wafer에 여러번 나누어 노광한다.

Reverse(역방향) [반도체]
PN접합의 P쪽에 -, N쪽에 +의 전압을 가하는 방향을 역방향이라고 한다.

Reverse Tilt [반도체]
액정층에 전압을 인가해서 액정을 전장방향으로  배향시킬 때 그 배향 방향이 본래 목적하는 방향과는 역방향의 배향 방향을 말한다.

Reverse Twist [반도체]
트위스트 구조의 비틀림 방향이 우회전, 좌회전으로 규정된 것의 역으로 되어 있는 것.

Rework   [반도체]
재 작업.

RF(Radio Frequency) [반도체]
고주파를 말하며, 건식 식각 공정에서 반응 Gas를 활성화시키는 데  이 고주파 전압을 사용하며, 고주파를 발생하는 장치를 RF Generator라고 함.

RH(Relative Humidity) [반도체]
공기중의 상대 습도를 말한다.

RGA(Residual Gas Analysis)   [반도체]
잔류 Gas 분석.

RI(Refractive Index)   [반도체]
굴절율.

Ri(Input Impedance)   [반도체]
입력 저항.

Rl(Load Resistance)   [반도체]
부하 저항.

RIE(Reactive Ion Etching) [반도체]
건식 식각의 한 종류. Plasma Etching과 원리는 같으나 활성화된 Ion을  이용해서 화학적 및 물리적 반응에 의해 식각하는 방법.

Ring Oscillator [반도체]
Library의 지연시간을 외부조건(input/output cell의 지연시간,  package pin의 R.L.C 등)에 관계없이  정확히 측정하기 위해 구성한 회로.  주로 기본 Library인 Inverter, NAND, NOR에 대해 회로를 구성한다.

Rinse [반도체]
순수한 물(DI Water)을 이용하여 Wafer 표면의 화공약품이나 먼지 등을  없어지게 하기 위하여 헹구어 주는 것.

RISC(Reduced Instruction Set Computer) [반도체]
컴퓨터의 기계적 명령  가운데 불필요한 것을 없애고 최대한 단순화시켜  놓은 컴퓨터 설계 기술.

Rise Time(상승시간) [반도체]
TR의 스위치  특성을 나타낼 때 베이스에  입력 펄스를 가하여 Collector에  흐르는 출력 펄스  전류가 최대진폭(최종값)의 10%로 되었을 때부터 90%로  되기까지의 시간을 말한다.

Risk Consumer's(β) [반도체]
소비자 위험. 주어진  sampling 검사에 있어서, 합격으로 인정하고 싶지 않은 품질수준을 나타내는 수치로  표현된 Lot 품질의 합격확률을 말한다. 일반적으로 그 값은 한계품질수준(LQL) 값과 같다.

Risk Producer's(α) [반도체]
생산자 위험. 주어진 sampling 검사에 있어서, 합격되기를 바라는 품질 수준을 나타내는 수치로 표현된 Lot 품질의  불합격확률을 말한다. 일반적으로 그 값은 합격품질수준(AQL) 값과 같다.

RMA(Return Material Authorization) [반도체]
일종의 Claim으로 Customer로부터 일부 Sample을 입수하여 불량임을  확인후 발행되는 Clami인정 Sheet.

RMI(Raw Material Inspection) [반도체]
원자재 수입 검사.

R/O(Reverse Osimosis) [반도체]
역삼투압장치로서 초순수장치의 핵심이다.

Ro(Output Impedance)  출력저항. [반도체]

ROM(Read Only Memory) [반도체]
반도체 기억장치의 일종으로, 정보를  한 번 저장하면 바꿀 수 없고 항상 꺼내어 쓸수만 있는 기억장치.

Room Temperature Test  [반도체]
상온 상태에서 검사하는 것.

ROR(Ras Only Refresh) [반도체]
RAS가 Low로 되면 Refresh가 이루어지는 형태.

Rough Surface   [반도체]
표면 거침.

Round Cut [반도체]
Wafer 절단  방식의 하나로, Wafer를 따라가며  둥글게 절단하는 것.

Routing [반도체]
① PCB 회로를 연결하는 것.
② PCB의 외형가공하는 방법의 일종으로 Drill로 PCB의 원하는 치수를 가공하는 방법.

Row성 Fail [반도체]
Device Test 결과 일정한 X Address, 변화하는 Y Address를 갖는 Cell들이 연속적으로 Fail된 경우.

Rp(Penetration Range) [반도체]
Implanter에 의해 불순물이 주입될 때 불순물이 뚫고 들어가는 길이.

Rs(Sheet Resistance)   [반도체]
표면 저항을 의미한다.

R.S(Resistivity) [반도체]
초순수의 수질 중 전기전도성을 나타내는 용어로서 초순수중의 불순물 함유량을 나타냄.

RS-232 커넥터(9핀) [반도체]
IBM사는 AT용으로 조합형 직렬/병렬 어댑터를 만들기로 결정하였을 때  이 두 개의 인터페이스 어뎁터가 표준  ISA 인터페이스 카드 위쪽에 들어갈 수 있도록 작은 형태의 커넥터가 필요하였다. 병력 커넥터는 축소될 수 없기 때문에 직렬 커넥터가 축소되었다. 결과적으로는  RS-232C용으로 9핀이 사실상의 산업표준이 되었으며, 9핀은 다음과 같이  할당된다.
1. 캐리어 감지
2. 데이타 수신
3. 데이타 전송
4. 데이타 터미널 준비
5. 그라운드
6. 데이타 세트준비
7. 송신요구
8. 송신클리어
9. Ring Inicator

RTC/C MOS RAM [반도체]
Time과 Data를 저장시켜 내부에 포함된 CMOS RAM에서는 System의 구성내용, 예를 들면 Diskette Drive Type, Fixed Disk Type, Expansion Memory Size,  Extened Memory Size  등 정보를  저장하고 있어 Booting 때마다 Set-Up시켜주는 불편을 없애준다.

RTF(Return to Forecast) [반도체]
Customer의 Forecast에 대한 Commit를 의미.

RTH(J-a)Thermal Resistance(Junction to Ambient) [반도체]
접합과 분위기간 열저항.

RTH(J-c)(Thermal Resistance(Junction To Case)) [반도체]
접합과 Case간 열저항.

RTI(Read time Inspection) [반도체]
FQA Sampling 검사에서 걸리는 실제 시간.

RTL(Resistor-Transistor Logic) [반도체]
저항과 Transistor를 연결해 만든 NOR 회로.

RTP(Rapid Thermal Processing) [반도체]
주로 텅스텐 할로겐 램프를 이용하여 짧은 시간에 비정질 실리콘을 가열하여  아닐링함으로 poly-Si으로 재결정화 하는 공정.

RTV(Room Temperature Vulanizing) [반도체]
상온 고무화. 도포액의 경화 방법의 하나로서 25℃ 상대습도 60% 이상  고온에 방치하므로써 고화시키는 방법.

Rubbing [반도체]
액정 분자를 일정 방향으로  배열시키기 위해 나일론이나 면(cottom) 등으로 포리이미드면을 문지르는 방법.

Run [반도체]
Wafer를 Process하기 위하여 일련의 묶음(보통 25장)을 1Lot로 구성하여  제조공정에 투입되어 마칠때까지 여러 공정을 차례로 마치, 물이 흘러가듯이  흐른다는 의미에서 쓰여지는 말.

RUN Sheet [반도체]
한 Run의 이력을 기록하는 일종의 문서로서 해당 RUN의 각 단위  공정에 대한 진행사항을 기록한 양식이며, Fab-In 시점부터 Fab-Out 될  때까지 해당 RUN에 대한 공정진행 순서 및 장비, Monitoring Data를  Manual로 기록하여 놓은 품질 문서.

RUN Split [반도체]
RUN 진행시 제품의 특성개선 문제,  문제공정의 제어 등의 목적으로 기존  공정과는 다른 공정조건 및 장비 또는 다른  작업순서를 해당 RUN의 일부 wafer에 분리하여 적용한 다음, 이를 다시 합쳐서 추후 공정을 진행하는 공정 진행방식.

RZ(Return to Zero) [반도체]
신호의 전주기  내에 Pattern을 Data "1"과 "0"에  따라 신호의 전주기동안 Palse가 생성되는 파형.
S/A(Service Area)
반도체 제조장비를  Mainternance할 수 있는 Area로  주로 장비의 구동분위기가 설치 1M-DRAM의 경우 요구 청정도는 CALSS 100.

S/A   [반도체]
Supply Air.

Salt Spray [반도체]
"염수 분무 시험"으로서 온도=35℃, 5% 염수를 분무시켜서 Device의  Lead Frame의 상태를 Check하는 시험.

SAM(Structure Addressed Memory) [반도체]
정보를 메모리에 어드레스하여 입출력하는 것.

SAMOS(Stacked gate Avalanche injection MOS TR) [반도체]
Drain의 P- -N접합에 의해서  Avalanche 현상을  일으켜, hole, electron을 SiO2속에  주입하고 floating gate에 축적함으로써  기억시키는 TR.

Sample [반도체]
시료. Lot 또는 Process의 합·부판정을 위한 기준으로 사용할  정보를 제공하기 위해서 검사의 목적으로 특정 Lot 또는 Process로  부터 얻어낸  제품의 하나 혹은 그 이상의 단위체들을 말한다.

Sample Size(n) [반도체]
시료의 크기. 시료의 단위갯수를 말한다.

Sampling Interval [반도체]
시료채취 간격. 계통 sampling에서 시료들  사이에 시각적·공간적으로  할당되어지는 간격을 말한다.

SATAN(Semi-Automatic Tape Assembly Norn) [반도체]
TI에 의해 개발된 하이브리드 IC 본딩방식의 하나.

Sawing [반도체]
Wafer를 진공으로  흡착시킨 뒤  1/1000인치 두께의  다이아몬드 휠 (Diamond Wheel)로 고속회전시켜 Wafer를 X, Y방향으로 절단하는 공정.

Sawing M/C [반도체]
절단기, Wafer를 절단하는 설비.

SBU(Strategic Business Unit) [반도체]
전략사업단위. 서로 관련되는 사업부를 하나의 군으로 파악하고 전략적  계획은 이 군의 책임자와 최고  경영층 사이에서 수립함으로써 사업부간의  통합성을 유지함과 동시에 업무 활동에 관한  권한은 사업부의 책임자에게  위임하여 업무수행상의 신축성을 높이려는 조직편성방법.

S/C(Solder Coating) [반도체]
I. C의 laed  부식방지를 위해 표면을 납으로  도금하는 공정으로 lead를 보호하고 완제품이 되어 조립시 효율을 증대시키기 위하여 실시한다.

Scanner [반도체]
Beam Line을 통과한 Ion Beam에 삼각자를  가해서 Beam진로를 변경조정하는 방식.

Scanning Electron Microscopy(SEM) [반도체]
주사형 전자 현미경.

Scanning Trigger Circuit [반도체]
입력파형의 진폭이 일정한 값을 넘는 시점에서 상태의 변화가 생기도록 두 증폭기의 접지측 단자를 공동으로 접속하여 Feedback시킨 멀티바이브레이터.

Schematic [반도체]
회로의 연결상태를 회로  기호로 나타낸 도면. 그  도면에서 회로의 연결상태를 simulator 등이 인식할 수 있는 text 형태의 회로연결 상태인 netlist을 추출할 수 있다.

Schottky Barrier [반도체]
금속과 반도체의 접촉에 의해 반도체 표면에 형성되는 에너지 장벽을 말한다.

Schottky diode [반도체]
금속과 반도체가 접촉하고 있을 때 그 접촉부의 전위장벽을 이용해서  침투성을 지니게 한 것으로, P-N 접합이 아닌 Diode

Schottky Gate Fet [반도체]
FET의 Gate부분에 금속·반도체 접촉의 Schottky 장벽을 사용한 구조의 FET.

SCP [반도체]
Gate 전극을 가진 PNPN 구조의 정류소자.

Scramble [반도체]
Device의 실제 Pin과 테스터 입출력 핀과의 신호를 일치시키기 위해  필요한 핀 사이의 정의.

Scratch   [반도체]
긁힘. 흠집

Screen Printing [반도체]
PCB 표면의 Foor Print에 Solder Paste를 도포하는 공정.
Screening  =DEBUG, BURN-IN

Screening [반도체]
불량품이 들어있는 LOT에서 불량품을 걸러 내는 각종 방법을 총칭하는 것이다.

Scribe [반도체]
반도체 Wafer에서 Chip을 떼어낼때 금을 그어서 작은 조각들을 잘라내는  방법을 말한다.

Scribe Line [반도체]
Die Sawing을 할 때 주변의 소자에 영향을 주지않고 나눌  수 있게 적당한 폭의 공간이 필요한데 이를 지칭하는 말로 이곳에  반도체 공정을 적절히 진행하기 위한 각종의 고려가 되어 있다.

Scribing [반도체]
왕복 절단이라고도 하며, Wafer 절단방식의  하나로 양방향으로 절단하는 방식(왼쪽에서 오른쪽으로, 오른쪽에서 왼쪽으로 절단).

Scrubber [반도체]
Wafer 위의 이물질이나 거친 면을 깨끗이 하거나  고르게 하여 주는  장비(고압의 D·I Water 또는 DI Water+Brush를 사용함)

SCS(Stocker Controler Server) [반도체]
STC와  통신을 하여 Stocker를  제어하는 Host Computer System.

SCUM [반도체]
노광 및 현상공정을 거친후 wafer상에 남아 있는 감광막의 찌꺼기를 말함.

SDA. (Statistical Defect Analysis) [반도체]
Process가  완료된 Wafer에서 각각의 소자에 대한 Fail 형태(Row, Column,  Bit Fail)를 통계적으로 분석하여  공정에 Feedback 함으로 불량 분석을  하는 데 기초자료로 하는 Data.

S3DG(Self-aligned Silicidation of Source Drain and Data) [반도체]
소자 축소화에 따라 Source/Drain xj Depth도 Shallow하게 Control해야 하기 때문에 이에 따라 확산층의 저항이 높아짐. 이 기술은 S/D xj를 증가시키지 않고 직렬저항을 감소시키기 위해서 Source Drain, Gate위에 Self-aligning 방식으로 형성시키는 것.

SDRAM(Synchronous DRAM) [반도체]
고속의  System Clock과 동기하여  Data를 입/출력할 수 있도록 10ns 내외에 Access Time을 실현한  고속의 DRAM이다.  대부분 2  Bank 이상의  Bank   구조로 메모리  영역을 구성하여  Chip내에서Interleare 방식으로 각 Bank를 활용할 수 있도록 되어 있다.

Seal [반도체]
외부적으로 공기와 수분의 접촉을 피하며 회로 및 bonding wire를 보호하고 외부와 완전히 차단하기 위해 밀봉하는 것을 말한다.

Seal Print [반도체]
LCD에서 seal 에폭시를  유리 기판에 인쇄하는 공정으로 앞유리와 뒷유리를 접착시켜 액정과 외부 공기의 차단을 함과 동시에 두  장의 유리의 간격을  유지시키는 역할을 한다.

Sealing(밀봉) [반도체]
앞 유리와 뒷 유리를 온도 및 압력을 주어 완전 밀착을 목적으로  하며 셀 Gap을 일정하게 유지하는 역할을 함.

Search Level [반도체]
Die 혹은 Lead에 일정 속도로 캐펄러리가 내려오기 시작하는 높이.

Seco-etch [반도체]
결정결함 관측을 위한 식각방식으로써 K2 Cr2 O2 : HF : D.I가 1:20:40  비율로 이루어짐. Wafer 표면 불량을 가려냄.

Second Bond [반도체]
금선을 캐펄러리의 훼이스에 의해서 Lead Frame 위에 늘려진 Bond.

SECS(Semiconductor Equipment Communications Standard) [반도체]
반도체 장비들간의 통신 Prtocol.

SECS Ⅰ [반도체]
SECS Ⅰ은  host  computer와 교신하기   위한 protocol로써  EIA  RS-232를 Communication media로 사용한다. 반도체 공정장비나  측정장비에 응용되고 있다.

SECS Ⅱ [반도체]
SECS Ⅱ은 Message transaction and conversation protocol이며  장비와 host compurter 간의  세부적인 언어를 정의하고 있다.

SECSDEV [반도체]
Loopback Test를 위하여 Simulator에서 장비의 역할을 한다.

SECSIM(SECS Simulator) [반도체]
SECS Test를 PC상에서 가능케 하는 Simulator.

SECSTEST [반도체]
Loopback Test를 위하여 Simulator에서 HOST 역할을 한다.

SECSSPEC [반도체]
SECS Protocol을 정리한 Specification으로서  각 Vendor가 자체적으로  제작한다.

Segment [반도체]
NIXIE TUBE나 데지트론과 같이 숫자, 문자를 표시하는 소자로서 숫자,  문자를 몇 개의 부분으로 나누고 그 조합에 의해서 희망하는 숫자, 문자를  표시하는 방식이 있다. 그 나누어진 숫자 문자의 각 부분을 Segment라고 한다.

Segment ON/OFF [반도체]
숫자의 "8"자를 나타내는 하나하나의 문자부분을 각각 세그먼트라고 한다.  점등할 경우, 전 세그먼트를 점등한 것을 점등이라고 하는 것에 대조해서 하나하나의 세그먼트를 선별적으로 점등하는 것을 가리킨다.

Segregation Coefficient(편석계수) : [반도체]
고상(固相)속에서 어떠한 불순물이 편석되는 농도비.

SEG(Selective Epitaxial Growing) [반도체]
선택적인 Epi 성장기술로서, Silicon 단결정이 Oxide위에서 성장하지 않는  특성을 활용한 에피층 성장 기법.

Selective Diffusion(선택확산) [반도체]
실리콘에 불순물을 확산할 때 어떤 종류의  불순물을 실리콘 표면에  산화피막이 있으면 확산이 어렵다는 성질을  이용하여 실리콘 표면의  일부분에만 선택적으로 불순물을 확산하는 것을 말한다.

Selective Oxidation Process(선택산화법) [반도체]
질화 실리콘(Si3N4)의 막이 산소를 통과시키지 않는다는 성질을 이용하여  실리콘 표면의 필요한 부분에만 선택적으로 산화시키는 방법이다.

Selective Tungsten [반도체]
High Aspect Ratio를 갖는 Contact에서 Step-Coverage를 개선하기 위한  Contact Filling 기법에 사용하는 재료.

Selectivity [반도체]
선택도. 식각 작업시 어떤 두 물질이 식각되는 식각율의 비.

Self Align [반도체]
패턴닝을 함에 있어서 별도의 마스크를 사용하지 않고 이미 증착된  물질을 이용하여 식각을 하는 방식으로 비용 감소에 큰 역할을 한다.

Self Bias(자기바이어스) [반도체]
바이어스 저항을 하나만 넣어도  되는 간단한 바이어스 회로.

Self Refresh [반도체]
DRAM의 refresh 방법중의  하나로 다른 refresh mode는 DRAM 외부의  회로에 동작되어지나,  self refresh는  DRAM 내부의  refresh timer에 의해 정해진 시간내에 자동적으로 refresh가 이루어지는 형태임.

Self-Alignment [반도체]
MOD  구조의 Gate用  AL은 Melting  Poing가 낮으므로  AL DEP. 후에  높은 온도의 Themal Caycle은 어렵다.  그러므로 AL DEP前 Source 및  Drain의 Drive-In이 완결되어야  한다. S/D의  Drive-In 후의 Gate  Define은  Alignment Tolerrance 등을 고려할 때 Overlap Region이   넓을 수 밖에 없으므로 S/D의 Parasitic Overlap Capacitance 및  Minimun Size에 악영향을 미칠 수 밖에 없다.
Polysilicon의 경우에는  Melting Point가  Si Substrate의  온도와  비슷하여 S/D Formation前에 Deposition이 가능하고 S/D Formation  및 Drive-In은 Gate를 Define한 후 Implantation에 의해 이루어지므로  Perfect한 Align이  가능하다. 이러한 Self-Alignment 방법은 제작 공정을  단순화시키고, Packing  Density를 늘려주며, Source/Drain간의  Parasitic Capacitance를 감소시킬 수 있는  장점을 가지고 있기도 하다.

SEM(Scanning Electron Microscope) [반도체]
주사형 전자  현미경. 시료에  전자 beam을 주사하면 secondary Electron이  방출되는데 이를 Detect하여 상을 형성한 후 Topology를 관찰할 수 있는  고배율의 현미경.

SEMI  Semiconductor Equipment and Material Institute. [반도체]
반도체 공정에서 사용되는 장비, 자재 등을 연구하고 표준화하는  협회를 말한다.

Semi-Auto [반도체]
장비가 HOST의 통제를 받으면서 실제 CST의 LOAD/UNLOAD는 operator에 의하여 행해진다.

Semi-Custom 제품 [반도체]
Maker에 의해 표준화되고 준비되어 있는 cell 혹은 mask를 user가  선택하여 희망하는 IC/LSI로 제작된 IC. 설계  시간 단축을 위해서  이미 설계된 cell libaray를 사용한다.

Semiconductor [반도체]
반도체는 도체(전기가 금속과 같이  잘 통하는 물질)와 부도체  (전기가 통하지 않는 물질)의 중간물질을 말함.

Sensor [반도체]
온도를 검출하는 측온 저항체나 열전도대와 같이 직접 피측정 대상에  접촉시키거나 그 가까이에 접근시켜서 사용하는 것으로 대상에서 직접 필요한 신호를 꺼내는 것을 Sensor라 한다.

Sense AMP [반도체]
Cell에서 선택된 data가 data  line을 거쳐 출력단으로 전달될 때  voltage swing을 크게하여 data line의 signal을 증폭하는 amplifier.

SEPOX(Selective polysilicon Oxidation Technology) [반도체]
SEPOX는 Buffer Oxide위에  Poly Si을 Deposition하고 그  위에  Silicon Nitride Film을 형성시켜 Mask역할을 하여 Si3N4 Film을  Reactive Ion  Etching하고 Oxidation 시킴.

Sequential Circuit(순서회로) [반도체]
기본 gate인 NAND, NOR 등을 조합한 회로로서 디지탈 장치의 기본회로  중 의 하나, Flip-Flop, Shift Register, Counter, Memory 등이 있다.

SER(Soft Error Rate) [반도체]
Memory 소자에서 방사선  동위원소에 의해  발생한 particle 등에 의해  저장된 정보를 잃어 버리는 정도를 표시하는 척도로 FIT로 표기함.  Device Package에 사용되는 Plastic 소재로 부터  발생되는 미소량의 알파 입자가 Silicon 기판까지 침투하며 전자 정공쌍을  생성시킴으로서  기억소자에 저장된 정보를 유실시키게 하는 정도를 가름하는 척도.

Serial Port [반도체]
Serial Port는 Computer와 Serial Printer, Modem, Mouse와 통신할 수  있는 Connector와 그에 필요한 회로부문으로 구성되어 있다.

SET(Summary of  Electrical  Test) [반도체]
전기적 Test를 하기 위한 간단한 Information Sheet.

Set-Up [반도체]
작업(검사)할 수 있도록 최적의 조건을 만들어 주는 일련의 행위.

Set-Up Mode [반도체]
이온 주입하기전에 모든 조건을 만족시키기 위하여 준비하는 단계로  Arc Energy에 의해 Ion Beam등을 가동시킨 상태.

Set-Up Time [반도체]
기준 신호에 대하여 Data로 인식되기 위해 필요한 최소의 시간으로 기준신호에 따라 tASC(Column Address Set-up Time), tASR(Row Add-ress Set-up Time), tDS(Data Set-up Time) 등이 있다.

SF(Stacking Fault)   [반도체]
적층 결함.

SF(Spiral Flow)   [반도체]
나선형 유동성.

SFBI(Share Frame Buffer  Interconnecter) [반도체]
일반적으로 각각의  Graphic Card와 Video Card를 사용하는 Multmedia용  컴퓨터의 성능개선을 위하여 개발된 기술로, 미국의 INTEl/ATI사에 의해 발표된 이 Multi-media Card는 SFBI 기술을 사용하여, 2개의 Card를 1개의  Card로 통합/축소시킴. 이것은 각각의 Card가 Buffer Memory를 별도로
채용하고 있는데 비하여, 이 기술을 이용한 Card는 새로운 Chipset을  이용하여 Bus 및 Buffer Memory를 공유함으로서 보드 크기의 축소, 가격절감 및 스피드 개선을 이룩한 기술임.

Sheath(덮개) [반도체]
금속제품과 석영제품의 마찰로 인해 석영가루가 떨어지는 것을 방지하기 위해 금속제품에 씌우는 석영 덮개.

Shelf(선반) [반도체]
Stocker내의 cassett를 보관하는 선반을 말한다.

Shift Register [반도체]
Register를 종속  접속해 두고 클럭펄스에  의해서 레지스터에 기억되어  있는 정보를 비트마다 차례로 다음판으로  옮겨가는(Shift)동작을 하는  회로이다.

Ship & Debit(Ship to Stock & Debit) [반도체]
DISITI에 대한  가격 보호정책(가격 변동에 대한).  호황기에는 회사에 유리한 정책이나 불황기에는 손해.

Shoe Box [반도체]
Carrier를 2개 담을 수 있는 상자로, Carrier를 운반시킬 때 사용.

Shoom [반도체]
Device가 갖는 특성을 Graphic으로 표현하는 방법이며, 2개 이상의 축들을  설정하고, 각 축들에 대응하는 특정 조건하에서의 Device의 Pass/Fail 결과를 Dotting하여 Device의 특성을 나타내는데 사용.

Short Channel Effect [반도체]
트랜지스터에서 채널길이가 짧아지면 짧아질수록  문턱 전압이 감소하는 것.  N+ 영역에 인대신에 비소를 집어 넣으면 접합이 얇아 짧은  채널효과를 줄일  수 있다. 따라서 비소의 사용, 다결정 실리콘 식각조절, 기판의 도핑정도를 높여주면 이 효과를 줄일 수 있다. 포화상태에서 DRAM에서의 결핍 영역의
확장으로  유효 CHANNEL 길이가 감소하는 현상.

Short Circuiting [반도체]
개방되어야 할 장소가 어떤 이유로  단락되어 셀에 이상전류가 흘러 점등불량이 일어나는 상태.

Short Range Order(단거리 질서) [반도체]
무질서한 상태에서도 흔들림의 결과로써 어떤 질서를 갖는 영역이 발생할  수 있다. 그러나 그 영역 넓이는 극도로 작은데 이와 같은 질서를 단거리 질서라한다.

Short Repair [반도체]
끊어져 있을 때 이를 다시 증착시켜 이어주는 작업.

Shrink [반도체]
설계된 Chip을 공정조건에 따라 일정 비율로 축소시키는 작업.

SIA(미국 반도체 산업협회 Semiconductor Industry Association) [반도체]
1977년 3월 미 캘리포니아주 실리콘 밸리의 인텔 등  반도체  메이커 5개사가 중심이 되어 결성되었다.

SiC(Silicon Carbide) [반도체]
탄화규소  재질로 된 고강도  재질을 말하며, Wafer의 Tube내 이송장치  또는 기타, 석영 치공구를 대신한 치공구 제작에 쓰임.

Side Ball Bonding [반도체]
수소법으로 Wire를 잘랐을때 생기는  구슬을 제자리에 맞춘다음 끝이  평탄한 압착자로 누르는 접착방법이다.

Side Etch [반도체]
식각 반응시 측면(수평)으로 식각이 진행되는 형태.

Silicate Glass [반도체]
반도체 표면의 안정화 등에 사용 PSG(Phospho Silicate Glass)  BSG(Boro-Silicate Glass) 및 ASG(Alumino-Silicate Glass)가 있다.

Silicon [반도체]
원소기호 4가인 비철 금속으로서 반도체 재료로 제일 많이 사용되는 물질.

Silicon Nitride [반도체]
반도체 표면의 보호막 또는 FAB 공정중 산화, 이온주입 Mask로 사용되는 Si3N4로 구성된 막.

Silicon Gate [반도체]
Gate에 금속 대신 다결정규소 피막을 사용한 것이며, 고속 및 고밀도  집적회로를 제조하기 위한 MOS 기법으로 이용됨.

SILO(Sealed-Interface Local Oxidation Technology) [반도체]
SILO process에서 Nitrogen-Ion Implantation이나 Plasma Enhanced  Thermal Nitride를 사용함으로써 Buffer Oxide를 Zero로 만드는 방식.

SIMM(Single In line Memory Module) [반도체]
Edge connector 방식에 사용.

Simulation Vector [반도체]
회로 Simulation시 각 input pin별로  사용되는 input으로서 netilist에 인가해주는 cycle 단위의 신호조합.

Single Crystal [반도체]
모든 부분이 한가지로 규칙적인 결정조직.

Single end [반도체]
본체에서 Lead가 모두 한 방향으로 나와 있는 것을 말한다.

Single in line [반도체]
Lead가 한 줄로 배열되어 있는 것.

SIO(Serial Input Output) [반도체]
PC 혹은 [System의 peripheral] Interface 방법중의 하나로 하나의 Data line에  Start bit 및 End  bit 등을 가지고 그  사이에서 data를 직렬로 주고 받는 방법.

SIP(Single Inline  Pkg) [반도체]
Memory  Module이 처음  개발될 때의   Memory Moduel 총칭이였으나, 현재는 Pin Type의 Memory Module을 의미함. Inserting 방식에 이용.

Sirtl etch [반도체]
Wafer 표면의 결정결행 관측을 위한 식각방법으로서, CKO3 : HF :  DI가 1 : 1.5 : 2의 비율로 이루어짐.

SIS Strategic Information System(전략적 정보 System) [반도체]
정보기술을 이용하여 경쟁의 우위성을 확보, 유지하는 것을 의도하여 구축한 System.

Site      [반도체]
Wafer위에 지정된 위치.

Skew   [반도체]
Pin으로 부터 나오는 신호간에 Timing 변화량.

Skewness [반도체]
분포의 치우침 정도. γ1값이 양이면 오른쪽으로 치우친 분포이고 음이면 왼쪽으로 분포가 치우침을  나타낸다. 정규분포에서는 γ1=0가 된다.

Slice [반도체]
Wafer와 같은 말. 반도체 재료인 Silicon을  얇고 둥굴게 자른 판으로 그 위에 집적회로를 가공하기 위한 것.

Slicer [반도체]
파형을 정형하는 회로중에서 진폭측상의 일정한  Level보다 위를 잘라내는 회로를 클리퍼, 아래로 잘라내는 회로를 Limitter라고 하는데 두 Level 사이의 좁은 부분만을 잘라내는 조작을 Slicer라 한다.

Slot(홈)      [반도체]
Carrier나 boat에 wafer를 끼워 세울 수 있도록 되어 있는 홈을 말함.

Sludge [반도체]
수중의 고형물이 액체에서 분리되어 침전한 응집물질.

Slurry [반도체]
어브레시브와 물의 혼합물. 물은 통상 시수(City Water)를 사용. 수중의 적은 고체입자가 현탁질 상태로 부유하거나 묽은 죽모양인 상태.

Smart Power IC [반도체]
부하를 구동하기 위한  고전력 트랜지스터와 부하구동을 정밀하게 제어할 수 있는 Control 회로 및 보호회로가 동일 칩으로 구현된 IC를 말한다.

SMN(Special Marking Notice) [반도체]
고객이 요구에  따라 고객의 인쇄방법(OEM Mark) 또는 새로운 인쇄방법을 요청하는 문서로서, 품질부서에 등록이 완료된 후 해당공정에 적용되어짐.

Smock(방지복) [반도체]
청정한 line내에서 입는 작업복을 말하며 먼지를 일으키지 않으며 작업복 내의 먼지가 밖으로 나오지 못하도록 제작되어 있다.

Smog [반도체]
매연과 안개가 혼합되어 Gas 형상으로 존재하는 것.

SN(Spit Notice) [반도체]
RUN spit 진행시 split되는 공정의  내용이 명시되어 있으며 해당공정의 유관부서의 승인란이 표시되어 있는 양식.

SO(Small Outline) [반도체]
I.C의 원가절감을 위한 새로운  제품으로서 그 크기를 기존 제품보다 훨씬 축소시킨 제품.

SOA(Safe Operating Areas)  안전 동작 영역. [반도체]

Socket Board  Jig과 같은 개념(Test할 PKG를 꼽을 수 있는 판) [반도체]

Soft Error [반도체]
Write된 정보와 Read된 정보사이의 불일치, 즉 Memory Cell의 정보의 유실에 의해 일어나는 현상이며, 다른 Process Defect에 의해 일어나는 Error와는 달리 재 Write할 때는 정상적인 동작을 하는 일시적인 Failure를 말한다.  Soft Error의 원인은 Uranium 및 Thorium 등의 방사성 원소에서 방사되는 알파 Particle이 chip을 투과하여 지나쳐가면서 생긴 e-h pair의 전자가  Storage Area에 도달하여 Stored Charge를 유실시켜 일어나는 현상이다.

Soft Fail [반도체]
시험 공정에서 규정된  여러 가지 특성중에 일부는  만족하고 일부는 만족 못하는 불량일 경우, 이는 대개 전기적인 특성에 기인하고 Defect에 의한 경우는 거의 없다. 이와 같은 불량현상을 soft fail이라 한다.

Software [반도체]
Hardware에 대응되는 말로서, 공정된 물리적 형태를  갖추지 않았기때문에 직접 그 기능을 발휘하지는 못하나, 기계나  반도체 장치가 지시된 기능을 발휘할 수 있도록  하는 기술, 예를  들면, Computer  작동을 가능케 하는 제반 Program이 이에 속함.

SOG(Sea of  Gate) [반도체]
ASIC  제품이  있어서 Unit  Gate의 Array  방식이 Channel의 존재없이 분포하고 있는 형태.  즉 Metal 배선을 위한 배선  영역없이 전 Die내에 Unit Gate가 바다(SEA)처럼 분포하고 있다하여 명명됨. 전면이 일체형 gate array로서 Channeless gate array라고 부르며, 특수한 배선영역이 정하여지면 이것에 gate로 작성하고 필요한 반응을 할 수 있도록 배선된다.

SOG(Spin On Glass) [반도체]
VLSI 제조공정에서 집적도를  높이기 위해서는 금속배선이 다층화 되고 있는데 이때,  다층배선구조에서 배선간, 중간 절연막이 교대로 반복되어 있는 구조로써 이때 배선간 중간단락이나 단선이 탄화불량에서 발생될 수가 있어 제품의 전기적인 특성이나 신뢰도에 영향을  미치게 됨. 이때 사용되고 있는 공정중의 하나가 SOG 공정으로 평탄화가  잘되는 SOG 방식으로 SiO2막을 금속 배선위에 씌운후에 이것을 400℃∼450℃에서  고체화 시켜서 층간절연막으로 이용하는 방식.

SOIC(Small Outine Integrated Circuit) [반도체]
외형이 축소된  IC. 제품의 lead가 양쪽으로 "乙"자 형태로 구부러진 표면실장형 제품.

SOJ(Small Outline J-form Package) [반도체]
Device의 옆면에서  시작하여 밑면으로 향한 "J"자 모양으로 구부러진 Lead 형태의 PKG로  PCB의 표면에 부착하여 사용한다.

Solar Cell   [반도체]
태양전지.

Solder   [반도체]
납.

Solder Ball(솔더볼)   [반도체]
회로표면이나 잉크표면에 묻은 작은 솔더의 형태.

Solder Coating [반도체]
리드를 보호하고 전도성, 납땜성 및 내구성을 증대시키기 위하여 리드 Farame 위에 납을 Coating하는 것이다.

Soldering(납땜) [반도체]
PCB에 I.C를 전기적, 물리적  기능을 할 수 있도록 납땜하는 것.

Soldering Oil(솔더링 오일) [반도체]
웨이브 솔더링 머신 사용시 섞어서 솔더표면에 녹이 발생하는 것을 방지하고 솔더표면의 텐션을 감소시켜 주는 역할을 한다.

Soldering Plating [반도체]
Sn /  Pb : 60 / 40 비율로 260℃정도 통내에  Frame을  Dip시켜 도금.

Soler Preform [반도체]
Die와 Lead Frame을 접착시키기 위한 합금의 일종으로, Pb : Sn : Ag의 비율이 93.5 : 5 : 1.5, 융점은 30±2℃.

Solder Resist [반도체]
PCB표면 회로를 외부환경과 격리시키고,  Solder가 묻어서는 않되는 곳을 보호하는 절연물질.

Soler Side(솔더면) [반도체]
한쪽만 회로가 실장되는 기판에 있어서 컴포너트 반대면.

Sorting [반도체]
Wafer를 제조공정에 투입전에 저항별로 분류시켜 주는 작업.

SOS(Silicon On Sapphire) [반도체]
사파이어(Sapphire)위에 성장된 Epitaxial Layer에서 필요한 부분만 반도체 단결정을 남겨서 빠른 속도의 MOS를 만들기 위한 기술로,  각각의 소자는 공기나 산화막으로 격리되어 있음.

SOT(Small Outline Transistor)  외형이 축소된 Transistor. [반도체]

Sound Attenuator(消音機) [반도체]
공조방식  Axial Fan  방식에서 사용되는  Axial Fan에서 발생하는 소음을 줄임.

Source   [반도체]
불순물의 재료(N형 : "P", "AS", P형 : "B")

Space Charge [반도체]
전위 장벽은 이온화된 도우너 및 억셉터만이 존재하고 캐리어는 존재하지 않는 부분.

Spacer [반도체]
LCD의 액정이 있는 유리기판 사이에 일정한 셀 갭을 유지하기 위한 것으로 기판, 플라스틱 재질 등이 있는데 요즈음은  대부분 기판손상 방지를 위해서 탄성이 존재하는 플라스틱 재료를 사용하고 있다.

Spacer Scattering(스페이서 산포) [반도체]
액정 셀의 갭을 일정하게 유지시키기 위해 유기 고분자의 중합체인 마이크로펄을  유리에 적정한 양으로 균일하게  산포하는 방식.

SPARC(Scalable Processor Architecture) [반도체]
SUN-MICRO사가 개발한 32Bit RISC Processor.

Spare Parts   [반도체]
예비(부)품.

SPC   [반도체]
Statistical Process Control.

SPEC(Specification)  작업명세서(작업표준서) 시방서. [반도체]

Speed-Up Capacitor [반도체]
TR의 Inverter 회로에서 베이스 저항과 병렬로 접속되어 있는 콘덴서를 Speed-Up 콘덴서라고 부른다.

SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) [반도체]
미국 캘리포니아 대학교에서 개발된 회로해석용의 simulator로서 세계적으로  광범위하게 사용되고 있다. 기능으로는 직류해석, 교류해석, 과도해석, 노이즈해석이 가능하다. 종래는 대향컴퓨터의 이용에 한정되고 있었지만  최근에는 개인용 컴퓨터에도 이용되고 있다.

Spider bonding [반도체]
Wireless 본딩의 일종으로 금속의 와이어 대신에 거미줄과 같은 Pattern이 붙은 알루미늄을 써서 Wafer상의 전극부분과 외부 리이드를 접속하는 것이다.

Spike [반도체]
Silicon과 금속의 접촉저항을 감소시키기 위해 열처리 할때 Contact 부위에 생기는 뾰족하게 들어가는 불량.

Spindle Motor [반도체]
Blade를 장착하여 Wafer 절단에 사용되는 것으로서, 긴축으로 이루어진 전동기. 이 전동기의 특징은 Air Bearing을  사용하여 30,000 RPM 속도로 고속 회전함.

Spin Dryer [반도체]
Wafer를 빠른 속도로 회전시켜 주면서 Hot N2를 불어넣어 건조시키는 장비.

SPINX(Semiconductor Productivity Information Control System) [반도체]
현장의 제조활동을 통하여 발생되어지는 제반자료를 효과적으로 수집 및 가공, 분석하여 현장에 신속히 제공함은 물론, 의사결정  자료로 활용함으로써 고도의 생산성의 도구로써 활용하는데 사용되는 시스템.

SPLC(Stocker PLC) [반도체]
Stocker내의  부속기기 및 stacker의  동작을 기억된 program에 따라서 순차적으로 실행한다.

Split [반도체]
Normal RUN을 분리하여 공정을 진행.

Split Word Line [반도체]
SRAM cell  layout design시  대칭적인 구조를  유지하며 Asymmetry 효과를 최소화 하기 위한 방법으로 아래 위에 각각 하나씩의 Word Line을 사용한다.

Sputtering [반도체]
고전압에 의해 이온화된 Argon Gas를 사용하여  Target으로 부터 금속 입자를 떼어내어 금속 박막을 Wafer에 입히는 방법.

Square Out [반도체]
Wafer 절단 방식의  하나로, Wafer를 따라서 사각으로  전달하는 것.

S-RAM(Static RAM) [반도체]
Dynamic RAM에 비해 소비전력이 적고 주기적으로 재 충전을 해주지 않아도 기억이  유지됨. 전원이 끊어지면 기억했던  내용이 없어짐 <휘발성>.

SSE(Supply-Side Economics) [반도체]
경제활동 중 수요측면보다 공급측면을 중시하는 이론.

SSI(Small Scale Integration) [반도체]
10개 이하 정도의 논리 Gate로 구성된 집적회로.

Stack 용법 [반도체]
기억소자에셔 콘덴서를 만드는 FAB  공정기술중의 하나로 Silicon 기판을 기준으로 위로 콘덴서가 형성되는 기술임.

Stacker [반도체]
Stocker내의 4축 로보트로서 cassette를 운반한다.

Stack Group(Standard Computer Komonenten) [반도체]
유럽지역의 전자부품 구매 협의체.

STAN(Semi-Automatic Tape Assembly Norm) [반도체]
TI에 의해 개발된 하이브리디 IC의 본딩방식의 하나.

Standard Device [반도체]
측정의 기준으로 삼는 표준 시료.

Standby [반도체]
극히 단시간 내에 안정된 동작을 재개할 수 있는 장치의 상태.

Standby Current Drain [반도체]
출력의 부하나 기준 전압의 부하가 없는 경우에 제어소자에 흘러들어가는 전원 전류.

State of Statical Control [반도체]
통계적 관리상태. 관측될 sample 변동의 결과가 우연원인에 의한 산포만의 결과로 나타나는 공정상태.

Static Column Mode [반도체]
컴퓨터 시스템이 데이터를 Access중 fast fage mode의 변형 형태로 스피드 개선을 목적으로 만들어짐. 시스템이 데이터의 access시 단순히 column address의 toggling 제공만으로 연속적인 데이터를 얻는 상태

Static Hold [반도체]
기억소자의 비동작시 전원 전압을 2V까지 낮추어 전력  소모가 적은 상태에서 저장된 Data를 분실하지 않고 유지하는 기능을 말하며 Data Retention이라고도 한다.

Static Memory [반도체]
MOS FET의 게이트 용량에 총집합 전압으로 기억을 유지하는 방식을 Static Memory라고 한다.

Static protection  정전기 방지 회로. [반도체]

Statistical Tolerance Limits [반도체]
통계적 허용한계. 일정 범위의 한계로서  한 집단의 최소한도의 정해진 부분을 포함하는 신뢰수준의 한계.

STC(Stocker Controller) [반도체]
Bay  내에서의 cassette의 반송,  다른 bay에로의 cassette의 반송 및 다른  bay로부터의 cassette의 반입을 제어하며  각 bay마다 설치한다.

STD(Semiconductor Thermoplastic (on) Dielectric) [반도체]
멀티집 다층 배선기술의 일종.

STD(Standard)   [반도체]
표준.

Stem [반도체]
수지 몰드가 아닌 보통의 TR은 금속과 유리로 만들어진 케이스에 들어있는데 이 금속 케이스의 토대가 되는 부분, 즉 리이드가 나와 있는 부분을 스템 또는 Header라고 한다.

Step Coverage [반도체]
각종 박막이 입혀질때 평평한 부분에  대해 경사진 단차(Step) 부분의 입혀진 정도의 비.

Stepper [반도체]
정렬 노광기의 일종으로 WF 1매에 몇 개의  Chip 단위로 전후 좌우로 이동하면서 각 단위 Chip마다 정렬 및 노광을 실시하는  장비. 따라서  WF 1매를 한 번에 정렬 노광하는 장비 보다 정교한 현상화가 가능하다.

STN(Super-Twisted Nematic 액정) [반도체]
WP와 PC의 표시장치로 널리 사용되고있다.

Stocker [반도체]
Cassette를 정해진 청정도로 유지하면서 보관하는 일종의 창고이다. 내부에는 shelf, stacker 및 부속 장치로 되어 있다.

Storage Temperature Range [반도체]
액정표시소자의 보존가능한 온도 범위.

Storage Time(축적 시간) [반도체]
스위치용 TR의 스위치 속도를 나타내는 것으로 ON 상태로 되었을 때의 시간의 지연을 말한다.

Stratified Sampling [반도체]
층별 Sampling법.  시료를 얻으려하는 공정중의 다양한 상태나 주기로부터 또는 Lot 혹은 Batch 내의 다양한 층으로부터  시료를 취하는 절차를 말한다.

Stress [반도체]
Wafer의 표면 특정부위에 가해지는 압력이나 힘을 말함.

Stringer [반도체]
식각 공정에서 Film 측벽에 Etch가  안되고 남아 있는 Residue성 물질.

Strip [반도체]
Wafer에 입혀진 P.R이나 질화막 등을 벗겨내는 것을 말하며 통상, 식각 완료후 감광액을 제거하는 작업을 뜻함.

Stripper [반도체]
감광액을 벗겨내는 약품.

Strobe [반도체]
Device의 출력에서 원하는 전압이 나오는가를 비교하기 위해 Device 출력을 Latch하는 Timing.

Sub-Mask [반도체]
부원판 Mask로서, Maser Mask를 보존하기 위하여 또는, 다량의 작업용 Mask(Working Mask)를 복사하기 위하여 일단 여러장 복사하여 제조된 Mask.

Sub-Micron Technique [반도체]
마이크로 이하의 기술이라는 뜻.

Subgroup  구분군(群) [반도체]
1) object sence(사물의 의미) 어떤 큰 단위 집단이나 재료를 나눔으로서
얻어지는 작은 집단.
2) Measurement sence(측정의 의미) 관측하고 싶은 큰 집단의 나눔으로서
실제로 관측할 수 있는 작은 집단을 얻는 것.

Substrate [반도체]
반도체  재료  박판(기판)을 말하며,  일반적으로  최초 공정이전의 Wafer를 말함.

Substrate-Concentration [반도체]
Wafer내의 고유 불순물  농도, 보통 Bulk  농도라 함.

Subthreshold Current [반도체]
MOS transister에서  gate  voltage가  threshold voltage 이하이고 반도체 표면이  weak inuersion  상태일 때  대응하는 drain current를 subthreshold current라 한다.

Subtractor  감산기(減算器). [반도체]

Subtrative Process [반도체]
도체, 유전체, 저항체 등의 막들을  요구되는 순서에 따라 모두 전면적으로 형성시키고 최상부 위층부터 etching에 의해 불필요한 부분을 제거하면서 회로를 구성하는 기법.

Summary [반도체]
검사한 결과의 내용을 총칭.

Super Hot RUN [반도체]
Hot RUN 중에서도 최소의 공정 시간을 잡아서 진행할 수 있게 선정한 RUN.

Supported Hole(지지홀) [반도체]
기판에 있어서 내부가 도금되어 있는 홀.

SUPREM [반도체]
반도체 제조공정의 Diffusion,  Thin Film, Photo, Etch의  공정진행 조건을 Computer Program에 입력하여 가상적인 결과를 1차원적인 방법으로 도출하는 Tool.

Surface Agent [반도체]
표면 장력을 감소시켜 잘 적셔지도록 하며  유화 분산 등의 목적으로 사용되는 물질.

Surface Concentration [반도체]
표면 농도. Wafer 표면상에서의 주어진  불순물의 농도를 나타냄.

Surface Mounting(표면실장) [반도체]
부품홀을 이용하지 않고  부품을 전기적으로 접속시키는 것.

Surface Passivation(표면 안정화) [반도체]
일반적으로 PN 접합 표면은  습기나 불순물에 대해서 매우 민감하며 극히, 미량의 수분이 묻어 있어도 문제가 되므로 외기와 완전히 차단될 필요가 있다. 이와같이 민감한 성질을 활성(ACTIVE)이라고 하는데 이 활성인 PN  접합 표면을   습기나 불순물에  대해 둔감하게   즉 불활성(PASSIVE)으로 만들어 주는 방법이 고안되었는데 이것을 표면 안정화 또는 표면 불활성화라고 한다.

Surface Potential [반도체]
표면 전위. Wafer 표면에 걸리는 전압의 크기를 말함.

Surface State [반도체]
Si-SiO2 계면 영역에 있으며 Si 기판과 전하의 주고 받음을 할 수 있는 에너지 준위를 갖는 준위.

Surge Current [반도체]
되풀이 되는 것이 아니고 한번만 순간적으로 크게 흐르는 전류.

SVC(Super Visory Controller) [반도체]
STC 및 C와  ethernet로 통신하며 STC와 BC와의 통신이 불가능할 경우에 HOST와 STC간의 통신을 행한다.

Symbolic(Source) Program [반도체]
편집(Editing)된 Program.

Synchronization(동기화) [반도체]
하나의 회선을 사용하여 비트를 직렬로 전송하는 일반적인 전송이라든가 몇 개의 회선을 사용하여 비트를 병렬로 전송하는 컴퓨터 통신에서 송신측과 수신측의 Timing을 맞추는 것.

System Clock [반도체]
CPU의 내부동작과 Memory  Controller, DMA Timer에 사용되는 기본 Clock으로 16MHz CPU의 경우 System Clock의 주파수는 32MHz를 2분주하여 사용한다.

SWMI(Side Wall Masked Isolation) [반도체]
LOCOS Isolation을 시키는데 수반되는 Oxide Encroachment. 즉, Bird's Beak를 줄이기 위한 신기술.

T-Card(Traveler Card) [반도체]
제품의 이력 사항을 기록하는 양식지로서 처음 공정부터 마지막 공정까지 제품과 함께 이동 기록되는 카드로서 제품명, 작업자, 수량, 날짜, 근무조 등으로 기록된다.

TAB(Tape Automated Bonding)  Tape에 Die를  자동을 붙인 것. [반도체]

TAB [반도체]
TR이나 IC의 케이스에서 가로로 1㎜ 정도의 돌기가 나와 있는 것이 있는데 이 돌기부분을 TAB이라고 한다.

Taping [반도체]
Wafer를 Tape에 접착하는 행위(완전 절단 하기 위해 하는 것임).

Taping M/C   [반도체]
Wafer를 Tape에 접착시키는 설비.

Target [반도체]
Sputtering 방법으로 Wf 표면에  금속 박막을 입힐 때  사용되는 금속 원재료.

TCA(Trichlord Alchol) (CH3CCL3) [반도체]
불필요한  중금속  이온(NA+, K+)의 Gettering 효과(CL-기와 결합하여 염을 형성시켜  중화)로 산화막의 품질향상 및 산화막 성장속도를 증가시키기 위해 사용되는 화공약품.

TCA Oxidation [반도체]
산화공정시 TCA를 첨가하여 산화막의 품질을 향상시키는 방법.

TC Bonder(Thermo Compression Bonder) [반도체]
열압착  본딩을 하는데 쓰이는  장치.

T/C(Temperature Cycle) [반도체]
"온도순환"시험으로서, -65℃,  25℃, 150℃온도 사이를 계속해서 순환시키는 시험(신뢰성 항목중의 하나).

Td(Delay Time)   [반도체]
지연시간.

TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown) [반도체]
산화막  막질을 평가하는 방법중의 하나로, 산화막에  전계를 인가하고 나서  절연파괴되기까지의 시간으로 산화막을 평가하는 우수한 방법이다.

TDS(Total Dissovel Solid) [반도체]
총 용존 고형물. 물속에 녹아있는 고형물의 농도를 표시할때 쓰임.

TDMA(Time Division Multiple Access) [반도체]
시분할 다원접속.

Teflon Carrier [반도체]
Teflon 재질로 되어 있으며 백색, 빨강색, 청색 등이 있다.
화공약품과 열에 모두 강하나 가격이 비싸고 무겁다.

TEG(Test Element Group) [반도체]
집적회로의 Bread  Board의 검토용으로 만든 TR, Diode, 저항따위를 말함.

TEM(Transmission Election Microscopy) [반도체]
SEM과는 달리 Electron Beam을 매질에 투과시켜, 매질의 상태를 확대하여 촬영할 수 있는 계측기.

Tenting [반도체]
도통홀의 위를 막거나 회로주변을 Resist로 덮는 기판제조 공법.

TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) [반도체]
산화막 증착시 Si Source로  사용하는 물질.

Terminal [반도체]
Ion 주입  설비의 고전압이 걸리는  부분으로 Source쪽의  안전보호 Cover로 된 지역.

Test Coupon(테스트 시편) [반도체]
특별한 품질  허용 Test나 그와 유사한  테스트를 하기 위한 작은 시편.

Test Head   Tester와 handler 또는 Prober Station이 연결되는 중간장치. [반도체]

Test Limit [반도체]
양, 불량의 기준이 되는 것.

Test Mode [반도체]
고집적 메모리 Device를 Test할 때 Test 시간을 줄이기 위해 동시에 여러개의 메모리 번지를 Access 할 수  있도록 고안된 회로를 Device 내부에 장착하고, Test시 이 회로를 사용하여 Test Time을 줄일 수 있도록 한 Test  방법으로 Multi-Bit Test와 동일한 의미임.

Test Pattern [반도체]
개발제품의 양/불량을 판별하기 위하여 제작된 여러 종류의 도면이나 Wafer상의 pattern. 반도체 공정 진행후 소자의  전기적 특성 및 공정 진행 상태를 파악하기 위해 scribe line이나 test die에 제작한 능동, 수동 소자를 총칭하는 말.

Tester [반도체]
제품의 양품과 불량을 판별하기 위해  사용되는 Computer가 내장된 전기특성 검사 장비.

Tests of Significance [반도체]
유의수준 검정. 유의수준 검정은 1) 모집단으로부터 얻은 sample의 통계량을 이용하여 모수와 정해진
특정값과의 차이가 있는지. 2) 두 개의 모집단으로부터 얻은 각각의 sample 통계량을 이용하여
두개의 모집단 사이에 차이가 있는지. 3) 두 개이상의 모집단으로부터 얻은 각각의 sample 통계량을 이용하여 두개의 모집단들 사이에 차이가 있는지 여부를 일정한 유의수준 (오차가 발생한 위험)을 가지고 판단하는 방법이다.  4) 유의수준 검정은 가설검정이라고도 하며 가설을 채택할 것인가 말것인가
를 판단하기 위하여 귀무가설의 분명한 언급과 사전에 유의수준을 설정하는것이 필요하다.

Test Option [반도체]
Computer의 기본구조에 검사 기능을 추가시키는 장치.

Test Plam [반도체]
제품의 검사방법, 조건, 검사, Limit등의 기록된 내용서로 제품 설계측에서 제시.

Test Program [반도체]
자동 측정기를  사용하여 wafer의  전기적  특성을 측정하는 program으로 제품 설계 SPEC.에 맞게 program 되어 있는 software.

Test Schematic(Test Circuit) [반도체]
Jig의 회로를 그린것.

Test Spec  검사 규격. [반도체]

Test System [반도체]
반도체 소자에 전기적 신호를 인가하여  반도체 소자로부터 전기적 신호를 받아서 소자의 전기적 정상 동작 및 오류 동작을 판단하는 장비.

Test Vector [반도체]
제품 Test를 위해 simulation 결과를 Test 장비에서 사용할 수 있도록 변환된 Signal set이다.

Test Vehicle [반도체]
소자 및 공정 변수 추출 그리고 단위회로의 설계 검증을 위해 설계된 Mask.

Test 장비 [반도체]
Test Program을 이용하여 각 제품의 pass/fail 구분 및 전기적
특성 검사를 수행하는 장비.

Testability [반도체]
Chip Level 회로 설계후  전체 회로도에서 어떤 특정 block  혹은 sub block의 회로를 부분적으로 직접 Test하게끔 회로 설계를 하는 방식.

Tf(Fall Time)   [반도체]
하강시간.

TF-EL Display(Thin-Film Electroluminescent Displays) [반도체]
양 전극사이에 박막 형태의 전계 발광물질을 넣어 전계가 가하여질 때, 발광하는 현상을 이용하여 표시하는 소자.

TFIC(Thin Film Integrated Circuit) [반도체]
박막으로 만들어 집적화한  회로를 말하며 5미크론 이하까지가 해당된다.
그 이상의 것은 후막이라고 한다.

TFT(Thin Film Transistor) [반도체]
절연성 기체에 증착 등으로 반도체 박막을 형성하여 능동소자를 만든 것으로 일반적으로 FET이다.

TFT Array [반도체]
Matrix 형태로 배선되어진 TFT을 가지는 화소집단. array size는(수직배선수, 주사선수) 총화소 數로 표현된다.

Tg(Glass Transition Temperature)   [반도체]
유리 전이 온도.

Thermal Addressing [반도체]
열 광학효과를 이용한 액정표시  방식을 말한다. 스메틱 콜레스테릭 네마틱 액정을 이용한 열적구동이 고려되어지고 있다. 서냉, 전장을 인가한 상태에서의 냉각에 의한 투명한 등방성 조직 상태의 액정 cell에 지정된 화소를 가열후 냉각을 하면  상변화가 발생한다. 가열은 각  화소전극을 히터전극으로 하는 joule 가열이나 레이저 광선에 의한 가열 등이 사용, 이 방식은 크로스토크 효과가 생기지 않으며 메모리성을 같는 것이지만 응답속도가 낮고  주울가열의 경우는 소비전력이 크게 든다.

Thermal Instability(열적 불안정성) [반도체]
유체층의 하부를 가열하면 밀도가 낮아져 부력때문에 상부로 이동하여 하지만 점성에 의해 억제되는데, 밀도가 임계치를 넘으면 대류가 발생한다. 유체에 대해 안정성 분석중  열적인 안정성의 부적합에 대한 다른 말이다.

Thermo-Optic Effect(열광적 효과) [반도체]
액정에 온도변화를 주는 것에 따라 그 광학적 성질이 다르게 변화되는 효과를 말한다. 온도  변화는 액정내의 분자의 배열에 영향을 주게됨으로써 광학적인 성질을 변화시킨다.

Thermotropic LC [반도체]
어떤 온도 범위에서 액정상이  변하는 액정으로 표시소자에 관계있는 것으로 일반적인 액정을 의미함.

The Null Hypothesis  (H0)귀무가설. [반도체]
유의수준 검정에서 검정의 대상으로 삼는 귀무가설은 sample의 모집단과  주어진 특정의 값과의 차이가 없다는 것을 검정하는 것이다. 또는 각각의  모집단으로 붙어 얻는 sample의 통계량을 이용하여 모집단들 사이의 차이가 없다는 것을 검정하는 것이다.  만일 귀무가설을 받아들일 때 우리는 귀무가설이 옳다라는 것이 아니라 옳다라는 것을 의심할 만한 충분한 이유가 없다라고 해석해야 한다(차이가 없다라기 보다는 현재의 시료에서 차이의 존재를 밝혀 낼만한 충분한 근거가 없기 때문이다).

Thermal Oxidation [반도체]
확산로 내에서 Silicon wafer를  600∼1200℃ 사이의 고온에 열적 산화시키는 공정.

Thermal Relief(열방출) [반도체]
솔더링하는 동안에 발생하는 블리스터나 휨을 방지하기 위하여 그물모양으로 회로가 형성된 것.

Thermal Resistance [반도체]
원자나 분자내에 Mobile Carrier가 열이 올라감에 따라 열 Energy를 많이 얻어  Brown 운동으로 Carrier의 움직임에 저항성분을 나타내는데 이를 Thermal Resistance라 한다.

Thermal Shock Test(열충격 시험) [반도체]
급격한 온도 변화에 대해 TR, Diode, IC 등이 충분히 견딜 수 있는가를확인하는 시험이다.

Thermistor(더어미스터) [반도체]
망간, 코발트, 니켈등의 산화물을 합성하여 만든 저항체이다.
온도의 상승과 더불어 저항이 내려가므로 큰 -의 온도계수를 가지고 있다.

Thermo-Couple   [반도체]
열전대쌍(높은 온도를 측정하는데 사용).

Thermo Electric Effect(열전효과) [반도체]
열현상과 전기현상의 상호관계를 갖는 효과로서 제어백 효과, 펠티어 효과, 톰슨 효과의 세가지가 있다.

Thick Film IC(후막 집적회로) [반도체]
절연물의 기판위에 얇은  막모양의 회로소자를 만들고 그들을 서로 배선하여 하나의  회로기능을 갖게 한 것을 막  집적회로라고 하며 이중 막의 두께가 5미크론 정도보다 두꺼운 것을 후막 집적회로라고 한다.
1) Ceramic 또는 기타 기판위에 Silk-Screen 인쇄방법으로 두께  0.5∼1㎜
정도의 도체, 부도체 또는 저항성분을 가진 물질(니크롬, 알미늄 등)을
입혀 저항, 콘덴서 또는 도선을 형성하는 방법. 이 기술을 이용하여
저항, 콘덴서 또는 혼성 집정회로를 만듬.
2) 일반적으로 FAB 공정에서 다루는 막중 1000Å이상의 막을 말함.

Thin Film [반도체]
Thick Film과는 달리 진공증착 등의 방법으로 기판위에 얇은  두께의 박판(두께 약 5micron이하)을 형성하는 것으로, 저항콘덴서 등의 소자나 혼성 집적회로를 형성하기 위한 것.

Threshold Level [반도체]
Input에 인가되는 전위의 한계로서 Device로 하여금 적절한 상태를 가하게끔 한다.

Threshold Voltage [반도체]
문턱전압, PN Diode나 Mos TR에서 어떤 일정 전압이 되었을 때 전류가 흐르게 되는 이 전압을 Threshold Voltage(Vth)라 한다.

Throughput Time [반도체]
한 공정 혹은 전체공정의 시작에서 종료까지 완료되는 시간을 말함.

Thyristor(다이리스터) [반도체]
PN 접합을 3개 이상 내장하고 주  전류전압 특성의 적어도 하나의 상한에 있어서 ON/OFF의 2개 상태를 가지며 OFF 상태에서 ON 상태로의 전환 또는 그 반대의 전환을 할 수 있는 반도체소자를 말한다.

Tie Bar [반도체]
PKG Lead 끝부분을 연결하는 가로축 Bar.

Tilt [반도체]
러빙등으로 배향처리 한 경우, 액정 분자의 장축  방향은 전극면과 같게 평행하게 되지만 엄밀하게는 약간 경사지게 배향되어  있다. 모니터에서는 평탄하여야 할 하면이 기울어져 있는 것을 말한다.

Tilt Angle [반도체]
액정의 표면이나 용기벽에서 계면 법선 방향과 액정 방향 벡터가 이루는 각.

Timing [반도체]
Device를 동작시키는데 필요한 Control Clock, Address, Data 등의 외부 파형들의 조합으로서 타이밍의 종류에 따라 특정한 모드의 동작이 이루어 진다.

TiN (Titanium Nitride) [반도체]
Titanium가 Nitrogen이 화합물로서 Barrier Metal 및 ARC Layer 물질로 사용함.

Tin Plating [반도체]
Sn을 전기를 이용해서 Frame에 도금을 함.

Tip [반도체]
직접 Chip에 닿는 부분으로 주사 바늘끝에 끼워진 데프론 호스.

TiSiX(Titanium Silicide) [반도체]
Titanium과 Silicon이 결합하여 생성되는  물질로써 contact 저항을 낮추기 위해 사용된다.

TiW(Titanium Tungsten) [반도체]
Titanium과  Tungsten의 화합물로써  Barrier Metal로 사용함.

Tj(Junction Temperature)  접합 온도. [반도체]

TLM(Tripple Level Metal) [반도체]
3층의 금속을 사용하는 소자의  집적도를 향상시킨 금속 배선 기술이다.

TN LCD(Twisted Nematic Liquid Crystal Display) [반도체]
90도 비틀어진 네마틱 액정을 사용하는 LCD.  이 방식은 콘트라스트 비가  3:1 이하, 가시각은 20도 이하이다.

TN Mode [반도체]
상하의 유리내에 액정 cell의  한쪽면 표면상의 액정분자의 다이렉터와 대응면상의 액정 분자의 다이렉터와 이르는 각.

TN-FE LCD(Twisted Nematic Field Effect LCD) [반도체]
액정 분자의 장축을 상하 기판사이에서 90도 연속적으로 Twist 배열시켜 전기장을 가햐였을  경우 빛의 편광 상태에 따른 투과도가 다름을 이용한 LCD.

TNI. [반도체]
Clearing Point  액정 재료가 액체와 고체의 중간적인 상태에서 액체로 변화하고 투명하게 되는 온도.

TOC(Total Organic Carbon) [반도체]
총 유기 탄소.  물속의 Carbon 농도를 표시할 때 쓰임.

Tolerance  허용치(Specification Sense). [반도체]
특성치의 허용할 수 있는 최대이탈, 또는 일정수준 내에서 허용할 수 있는 최대산포.

Tolerance Limits [반도체]
허용한계(Specification Limits) products나 service의 개별단위에 대한 적합기준의 경계를 정의한 한계.

Toggling [반도체]
디지탈의 신호가 "1" 혹은 "0" 상태를 반복적으로 되풀이 하는 상태.

Tooling Hole [반도체]
기판의 제작이나 결합에 이용되는 홀.

Tooling Spec [반도체]
셍신 제품의 전반적인 Information을 기록한 용지.

Topology(위상) [반도체]
Wafer 표면의 높고 낮은 층의 상태를 말함.

Torr [반도체]
l㎜Hg. 기압의 단위. (대기압=1기압=760Torr).

TPH(Thermal Print Head) [반도체]
팩시밀의 감열 기록소자. 이는 Computer  Printer, 전철, 자동판매기, 일반 Printer 등에 다양하게 이용됨.

TPM(Total Productive Maintenance) [반도체]
설비의 최고효율화를  목표로하여 설비의 계획부문, 사용부문, 보존부문등의 모든 부문에 걸쳐서 전원이 참가하는  소집단 활동에 의해 PM을 추진하는 것.

TQFP(Thin Quad Flat Package) [반도체]
Package 두께가  1.0㎜ 또는 1.4㎜이하인 QFP 반도체 제품.

TR(Transformer) [반도체]
전기를 고압에서 저압으로 낮추는 변압기.

TR(Transistor)   [반도체]
트랜지스터.

Tr(Rise Time)   [반도체]
상승 시간.

Trace ablity of Standard [반도체]
국가 표준 원기에 대한 하위급 계측기기 교정의 연결성.

Traic   [반도체]
3극 교류 제어용 소자.

Transfer [반도체]
LCD에서 앞유리와 뒷유리를 전기적으로 도통시켜 주는 물질을 의미하고, 반도체 공정중에 carrier 혹은 boat에 담긴 wafer를 다른 carrier나 boat로 옮겨 담을 때 사용하는 기구를 부르는 말로 사용한다.

Transfer 공정 [반도체]
특정 Bay내에서 공정을 완료하고, 다른 Bay내의 공정을 목적으로 이동되는 반송 공정.

Transfer Collect [반도체]
Tape에 부착된 Die를 흡착시켜서 포켓마저 이송시키는 기구 테프론.

Transfer Pressure [반도체]
수지를 금형 내에 넣는데 필요한 압력.

Transfer Print [반도체]
Ni-beads를 유리 기판에 인쇄하는 공정으로  외부에서 전류를 인가시켰을 때 앞유리와 뒷유리를 연결시켜주는 역할을 하며 마이크로  펄에 니켈을 코팅한 것이 주로 사용된다.

Transfer System [반도체]
반송장치. 런(RUN)이 담긴 슈-박스(SHOE BOX)를 이동시키는 장비로써, 공정이 끝난 Wafer를 다음 공정으로 이동시킬 때 사용.

Transfer Time [반도체]
수지를 금형내에 넣기 시작할 때부터 완전히 들어갔을 때 까지의 시간.

Transition Time [반도체]
Device에 사용되는 파형들이 특정 Level에서 반대  Level로 전환시 걸리는 시간으로 A.C 특성 등을 측정후 측정치를 보정하는데 사용.

Transmissive Display [반도체]
반사판에 반사된 자연광을 이용하는 방식이 아니고, 후면에 부착된 backlight의 빛을 이용한 LCD. 이 방식은 negative image에 적합하고 빛이 적은 곳에서 사용이 유리하다.

Translating(Compiling) [반도체]
번역. 일반적으로 어떤 언어로 쓰여진 Program(원시 Program)을 그  Program의 동작을   바꾸지 않고 다른  언어의  Program(목적 Progrm, 기계어)으로 변한하는 것.

Transistor [반도체]
Emiter와  Collector사이 Base에  불순물의 농도에  차이를 두어 Base속에서 Carrier를 가속시키는 전계를 두어 고주파 특성이 좋아지게 만든 반도체 소자. 기본적인 반도체 소자로서 Unipolar
Transistor와 Bipolar Transistor로 나누어지며, 증폭, 발진, 검파 또는 스위치 작용을 함.

Transition [반도체]
입자가 어떤 에너지 상태에서 다른 에너지 상태를 양자 역학적으로 이동해 가는 것.

Trap [반도체]
캐리어를 일시적으로 잡아두는 금지대속의 에너지 준위.

Traveller Sheet [반도체]
FAB-OUT된 wafer의 이력관리를 위해 해당 wafer에 시행된 Test 결과를 기록하며 wafer의 이동 및 현재 보관상태를 기록할 수 있는 양식.

Trench 용법 [반도체]
기억소자에서 콘덴서를 만드는 FAB공정기술중의 하나로 좁은 면적에 용량을 극대화하기 위하여, 도량처럼  Silicon 기판을 아래로 파서 표면적을 확대하여 콘덴서를 만드는 용법.

TRI-State [반도체]
일반적으로 High, Low, Off(Hi-Z) 3가지의 출력 상태를 말한다.

Triac   [반도체]
3극 교류제어용 소자.

Triangular Voltage Sweep Method [반도체]
Gate에 삼각 형 모양의  전압을 인가하여 온도 상승 상태에서 mobile ion이 oxide내에서  계면으로 이동되는 것에  의한 current에 의해 gate bias에 따른 전류 곡선 모양이 변화하는 것으로써  oxide
오염 상태를 check 하는 방법.

Triger [반도체]
어떤 동작을 하는 능력이 있는 회로가 어떤 안정상태에 있을 때 이 회로를 동작시키기 위해 가해주는 자극 펄스.

Trim   [반도체]
절단.

Trim/Form [반도체]
Package의 각각의 lead를 분리하고 90°로 굽혀 I. C  원형을 만드는 공정.

Trim Lines(절단선)   [반도체]
기판의 외각을 한정하는 선.

Trimming Lead [반도체]
Lead frame에 molding을 한다음 resin수지가 채워진 부분인 deflash와 dambar를 자르는 작업을 말하며 이와 같은 금형을 "트림다이"라고 한다.

Tristate output [반도체]
출력단의 전압신호  Level의 High나 Low상태가  아닌 High Impedance 상태.

True Position(原位置)   [반도체]
이론적으로 原來의 位置.

Truth Table(진리값 표) [반도체]
입력이 '1'과 '0'의 여러 가지 조합을 취했을 때의  출력의 상태를 표로 나타낸 것.

TSOP(Thin  Small  Outline   Package) [반도체]
Package   두께가  1.0㎜이하인 SOP(SOIC) 반도체 제품으로 P-DIP에 비하여 Package가 얇고 크기도 작아져 소형의 System에 널리 사용되고 있다.

T/S(Thermal Shock) [반도체]
"열 충격 시험"으로서, -60℃와 150℃에서 오가며 급격한 온도변화를 가하는 시험.

TS(Tensile Strength) [반도체]
장력으로 끊어지는 정도를 표시.

TTL(Transistor Transistor Logic) [반도체]
논리 회로의  한 종류로, Transistor와 Transistor를 직접 연결하여 구성하는 논리 회로 방식.

TTV(Total Thickness Variation)  최대 두께 편차(Wafer). [반도체]

Tunnel Effect [반도체]
에너지 Gap을 직접 빠져나가 전자가 충만대에서 전도대로 이동하는 현상을 터널 효과라한다.

Tunnel Oxide [반도체]
Tunneling을 이용하여  program하거나, erase를 하는  소자에 쓰여지는 용어로서 electric field가 강하게 작용하는 drain 근방의 gate electrode 아래에 gate oxide 보다 얇은 oxide(통상 100Å  이하)를 성장시켜 이 부분을 이용하여 program하거나 erase를 한다.

Tunneling [반도체]
역 Bisas된 PN집합 면이나, 얇은 Oxide 절연체위에 강한 전계에 의해서 Energy Band Gap을 electron이나 hole이 통과되는 현상을 말함.

Tungstern Silicide(WSi2) [반도체]
MOS  Transistor의 Gate나 전기신호  전달의 배선도체의 사용되는막질로서 Tungsten과 Silicon으로 이루워진 금속막.

Turn-Off Time [반도체]
TR이 ON에서 OFF로 바뀔때의 시간.

Turn-On Time [반도체]
TR이 OFF에서 ON으로 바뀔때의 시간.

Turn-On Voltagae [반도체]
액정 셀에 인가한 전압을 올려 눈으로 감지해서 표시를 알수 있는 전압으로서 일반적으로 휘도를 포화 콘트라스트의 70%의 전압을 말한다.

Turnkey Design [반도체]
두 회사에서 한쪽회사(A)는 장비 및 시설을 제공하고 다른회사(B)는 Design을   제공하여 A사는  그것을  생산하여 B에게   되파는 형식의 Design.

TV RUN [반도체]
Test Vehicle을 사용하여 공정이 진행된 일련의 Wafer.

Tweezer [반도체]
Wafer를 잡는 집게(통상 Vacumn Tweezer를 많이 사용함). Wafer나 시료를 취급할 경우 clean 상태를 유지하기 위해 금속이나 테프론으로 만든 일종의 집게.

Twin-tub [반도체]
CMOS  C-MOS 공정중 Wafer 기판에 P+-Well과 N--Well이 동시에 형성된 상태.

Twist Angle [반도체]
배향처리된 액정 cell의 한쪽면 표면상의  액정분자의 다이렉터와 대응면상의 액정분자의 다이렉터와 이루는 각.

Type Ⅰ error [반도체]
제 1종 오차.  실제로는 받아들일 수 있는 공정을  받아들일 수 없는 공정이라고 잘못 판단할 확율.

Type Ⅱ error [반도체]
제 2종 오차.  실제로는 받아들일 수 없는 공정을  받아들일 수 있는 공정이라고 잘못 판단할 확율.

UART(Universal Asynchrnous Receiver & Transmiter) [반도체]
범용비동기송수신용 LSI에 비동기전송의 Interface로 사용.

U-Bond(Ultrasonic Bond)   [반도체]
초음파 본드.

UCL(Upper Control Limit)   [반도체]
상관 관리 한계선.

UDL/I [반도체]
(Unifield Design Language for ICs).

UJT(Unijuction TR) [반도체]
Junction이 1개이고 Base가 2개 있는 TR이다.

UL(Underwriters Laboratories) [반도체]
화재, 도난, 기타  사고로부터 인명, 재산을 보호하기 위한 연구, 시험, 검사 등의 업무를 함(안전성 보증).

ULPA Filter(Ultra Low Penetration Air Filter) [반도체]
HEPA Filter보다 한단계 높은 여과성능 가진 Filter로서 0.1㎛ Particle을 기준으로 포집율 99.999%.

Ultra Filter [반도체]
초순수 2차 설비중의 하나로서 초순수중의 Particle을 제거하는 고성능 Filter.

Ultrasonic Cleaner [반도체]
높은 주파수로서  강한 진동을 가진 음의  진도(초음파)을 이용하여 세정하는 장비로서, 고정밀 부품세정에 이용됨.

Ultra-High Vacuum(UHV) [반도체]
진공상태가 10-12 Torr이상이 되는 상태.

Under Coating(SiO2 Coating) [반도체]
1. LCD에서 기판 유리에 포함되어 있는 불순물(Na+, K+, Ca+) 등이 액정과 반응하지 못하도록 유리 표면에 SiO2막을 형성시키는 방법.소다 유리 기판을 사용할 경우 전기적으로 유해한 소다의 기판 확산을 억제하기 위해 기판 내면에 SiO2막 등의 무기물 피막을 피착하는 공정을 말한다.
2. 반도체의 식각 공정시 Mask Layer 밑에서 발생하는 식각 현상

Undercut  Side  [반도체]
Etch와 같은 뜻.

Undershoot Noise [반도체]
정상적인 전압 0V이 아닌 불규칙적으로  발생하는 noise로서, 0V 이하의 크기와 수 NS 이상의 pulse 폭을 가지고 있는 것으로 시스템의 오동작 및 negative latch-up을 유발시킬 수 있다.(참조 : overshoot noise).

Uni-Bipolar IC(유니-바이폴라 집적회로) [반도체]
바이폴라 집적회로의  일종으로 구성요소로서 유니-바이폴라 TR을 가지고 있는 것을 말한다.

Unipolar [반도체]
주반송자(Majority Carrier) 한가지에 의해서만 전류흐름이  형성되는 Transistor를 말하며 FET가 있음.

Unit   [반도체]
단위.

Unix   [반도체]
컴퓨터 운용체제.

Unloader [반도체]
작업종료된 Frame을 빈 Magazine에  한 Frame씩 넣어 이동보관이 용이하게 하는 기강부.

Unloading [반도체]
Loading이 되어 있는 Wafer를 Tweezer나 Transfer Arm을  사용하여 Carrier나 Boat에 한 장씩 담는 것을 말함.

UPH(Unit Per Hour)  시간당 표준 생산량. [반도체]

Upper Tolerance [반도체]
products나 service의 개별단위에  대한 적합기준의 윗쪽의 경계를 정의한 허용한계.

UPS(Uninteruptable Power Supply)  무정전 전력공급 시스템. [반도체]

USART(Universal Synchronous Receiver Transmitter) [반도체]
직렬 데이터 통신을 위해 사용되고 있는 LSI. 직렬-병렬 변환 및 병렬-직력 변환을 행한다. 전체 6개의 부분 즉, I/O buffer, 내부 bus,  read/write control, transmitter, receiver, modem control로
구성되어 있다.

USRT(United States RT) [반도체]
미국식 냉동톤의 표시법으로서 BTU 단위로 환산한 열량(3.024KCal/HR)
(대부분의 냉동능력은 USRT로 표시함).

Utility [반도체]
공기, 질소, 진공, 순수, 전원 등 제반공정에 필요한 요소들을 통틀어 일컫는 말.

UV(Ultra Violet, 자외선)       [반도체]
적외선에 비해 파장이 짧고  energy가 크며 화학적 특성을 갖는다.

VA(Value Analysis)   [반도체]
가치 분석.

Vacuum Tube [반도체]
Transistor라는 반도체 장치가 발명되기 이전에 쓰이던 전구모양의 전자부품으로, 증폭, 검파, 정류, 스위치 등의 기본  전자기능을 하는것으로, 외형이 크고 전력소모가 많아 현재는 Transistor나 IC로
거의 전부 대치되어 사용되지 않고 있음.

Vacuum Tweezer [반도체]
Chip을 Carrier에 옮길 때 사용하는 진공집게.

Valence Band(가전자대) [반도체]
공유결합을 이루고 있는 전자가 수용되어 있는  전자가 꽉 들어차 있는 에너지대인 충만대를 가전대라고 한다.

Valence Electron(가전자) [반도체]
원자핵과의 결합이 약하여  약간의 에너지만으로도 떼어 놓을 수 있는 최외각 궤도에 있는 전자.

Valency(원자가) [반도체]
여러 종류의 원자끼리 결합하여 화합물을 형성할  때 그 결합물 비가  몇대 몇으로 되는가를 나타내는 것.

Van(Value-Added Network) [반도체]
전형적인 순수한 통신업자들로부터 통신설비를 빌려서 새로운 형태의 통신 서비스와 요금을 제공하기위해 컴퓨터와  결합시켜 구축된 네트워크.

Vane Damper [반도체]
공조기의 Fan에 내장되어 있으며 공조기의 풍량을 조절한다.

VAR(Variance)  손실차이. [반도체]

Varistor [반도체]
인가전압의 변화에 따라서  저항값이 비 직선적으로 바뀌는  소자로서 Variable Resistor의 약어이며 바리스터 다이오드라고도 한다.

VBe(Base-Emitter Voltage)   [반도체]
베이스-에미터 전압.

VCC(Supply Voltage) [반도체]
제품공급 전압. 반도체 Device가 동작하는데 필요한 전압과 전류를 Device내에 공급하여 주기 위하여 Device에 인가해 주는 전압.

VCE(Collector-Emitter Voltage)   [반도체]
콜렉터-에미터 전압.

VCD(SAT)(Collector Saturation Voltage)   [반도체]
콜렉터 포화 전압.

VD(Volume Damper)   [반도체]
덕트내에 흐르는 공기량을 조절하는 기구.

VE(Value Engineering)   [반도체]
가치공학.

Vector [반도체]
회로 Simulation시 각 Input  pin별로 사용되는 input으로서 netilist에 인가해주는 cycle 단위의 신호조합.

Vector Address [반도체]
Pattern Memory안에 어떤 지정된 Pattern의 Address.

Vehicle   [반도체]
LIM위를 Cassette를 싣고 주행하는 부분.

Version [반도체]
어떤 시스템을 디버그하거나 또는 어떤 목적을 갖고 변경함으로써 완성한 시스템.

Vertical TR(수직형 트랜지스터) [반도체]
래터럴(가로방향) 트랜지스터에 대비되는  말로서 보통의 바이폴라 트랜지스터를 가리킨다. 수직방향의 베이스 부분이 주로 트랜지스터의 능동영역으로 된 것이다.

Vertical Transistor [반도체]
터미날 TR에 대비되는 말로서 보통의 바이폴라 TR을 가리킨다.

VF(Forward Voltage)   [반도체]
순방향 전압.

VFD(Vacuum Fluorescent Display) [반도체]
여러개의 음극 필라멘트와 매트리스 형태의 형광물질을 입힌 양극의 진공구조로 CRT와 같이 형광체를 이용한 발광소자이며, 대형화가 관건인 소자임.

VGA(Video Graphics Array) [반도체]
VGA는 PS/2계열 기종들을 위한 IBM사의 주요한 표준, 컬러모니터 혹은 흑백 그레이 스케일 모니터와 함께 동작한다. 최대 해상도는 640*480 픽셀이며 이  해상도에서 동시에 최대  16컬러, 320*200 픽셀의
해상도에서는 동시에 256컬러까지 디스플레이 할 수 있다.

VHDL [반도체]
(Vhsic Hardware Description Language).

VHSIC [반도체]
(Very High Scale IC).

VHSIC(Very High Speed Silicon Integrated Circuit) [반도체]
미국방성에서 개발하고 있는 초고속 공정기술에 의하여 제작될 새로운 직접 회로 형태.

VIA [반도체]
두 Metal을 연결시키는 Insulating Field내의 contact 영역.

Via Contact(Metal) [반도체]
Circuit 구성을 위한  배선 Process로서 서로 다른  두개 이상의 Metal Layer간의   연결 Process로서   특히, Metal간  접촉부위의 Contact 저항에 민감한 critical Process라 할 수 있다.

VIA NOT OPEN [반도체]
배선을 목적으로 서로  다른 두 개 이상의 metal layer간의  연결 process시 via contact 공정상 under etch 또는 두 metal layer간의 이물질 (polymer … ) 등에 의해 두 metal layer간의  연결이 되지 않거나 contact 저항이 spec 보다 높은 상태를 말한다.

Via Hole [반도체]
PCB에서 외부 회로와  내부 또는 앞면과 뒷면의 회로를  연결시키는 통로.

Video RAM [반도체]
전통적인 DRAM에 Serial Register형태의 SRAM을 동일 Chip내에서 결합시킨 Memory로  DRAM 영역과 SRAM 영역간에 Parallel Data  전송이 가능하고 SRAM 영역의 Data를  고속으로 입·출력할 수 있어 화상정보처리 시스템에 적합하도록 고안된 메모리.

Viewing Angle [반도체]
디스플레이의 가시 가능한  각으로 디스플레이 표면의 수직한 면에 대한 각도로 표시한다. 이 각이 클수록 우수한 LCD이다.

Virtual Clearing Point(가상 등명점) [반도체]
어떤 화합물이 단독을 안정한 액정상이나 준안정한 액정상을 관찰할 수 없을 때에는 화학 구조가  비슷한 물질과 혼합계서 성분비에 따르는 상전이 온도를 외삽법에 의해 등명점을 추정한  값을 가상 등명점이라 한다.

Virtual Memory(가상 메모리) [반도체]
이름 그대로 실체의 Memory가 아니라 가상의 Memory이다. 자기(磁器) 코어, 반도체 IC 등으로 구성되는 메이 메모리의 용량부족은 저속이기는 하지만 비트당의 코스트가 낮고 대용량인 자기 드럼과 같은 보조 메모리로 보관하고 또한 겉보기에 외부 대용량 메모리(보조메모리)와 같은 양의 메인 메모리가 있는 것처럼 보이게 하는 기술이다.

Viscosity [반도체]
점선의 정도를 표시하는 물리정수로서 물질의 점도, 감광액의 점도는 감광액 도포시 도포되는 두께를 결정해 주는 중요 요소이다.  동일 조건하에서는 점도가 높을수록 두께가 두꺼움. Visual Inspection
선별된 Chip 또는  제품출하전 Device의 외관을 육안으로  검사하는 공정. 불량항목으로는
1) 긁힘
2) Metal 변색 : Metal이 산화되어 색을 띄는 현상
3) Side Chip : Wafer의 가장자리에 있어 Chip 모서리가 선명하지 않은 상태
4) Untest : Test 안됨
5) Chip Out : 절단 또는 외부영향으로 Chip의 가장자리가 깨짐
6) Crack(깨짐) : 보호막 또는 Chip내부에 금이 간 상태

VLSI(Very Large Scale Integration) [반도체]
1000개 혹은 그 이상의 논리 Gate로 형성된 집적회로.

Void [반도체]
1) RTV 경화제 내부에 소량의 공기가 함유되어 나타나는 현상(기포)
2) FAB 공정에서 층간 절연막이 침적될 때 좁은 Space 지역에는 막이
칩적되지 못하고 비어있는 공간을 말함.

Volatility(비휘발성) [반도체]
메모리 소자에서 전원을 끊으면 메모리 내용이 없어져 버리는 성질을 말한다.

Volume Damper(V.D) [반도체]
Duct에 부착되어 Duct내의 풍량을 조절한다.

Volume Resistivity   [반도체]
체적 저항율.

VPAS(Volume Performance  Against Schedule) [반도체]
Schedule 물량에 대한 Shipping 물량의 비.

VRAM(Video RAM) [반도체]
화상 정보를  기억시켜 두는  전용 메모리로서  Video RAM에서 읽혀진 화상정보는 영산신호로 변환되어 CRT에 Display 된다.

VSS [반도체]
반도체 Device를 구동하기 위해 Device에 인가해주는 VCC나  Clock 등의 외부 전압 혹은 Device 내부에서 발생되는 모든 Signal에 전압의 기준이 되는 기준 전위.

VTA(Value-Added Tax) [반도체]
부가가치세. 상품이나 용역이 생산 유통되는 모든 단계에서 기업이 새로 만들어 내는 가치인 마진에 대해 과하는 세금.

VTD   [반도체]
Depletion TR의 VTH.

VTE   [반도체]
Enhancement TR의 VTH.

VTH(Threshold Voltage)  문턱전압. [반도체]
1) VTP : P- Channel Threshold Voltage
2) VTN : N- Channel Threshold Voltage

VTR(Video Tape Recorder) [반도체]
텔레비젼의 영상 신호와 음성 신호를 자기 테이프에 기록, 재생하는 장치.

VTN   [반도체]
Natural TR의 VTH

VTPC(Vertical Probe Card) [반도체]
Wafer Test시 Device 의 PAD에 접촉되는 Needle을 Probe Card에 수직 방향으로 심은 Probe Card로
Needle을 고밀도로 심을 수 있다.

W/A  Working Aisle. [반도체]
작업자의 작업공간, 이동로 혹은 웨이퍼의 운반로가 됨.
1M-DRAM의 경우 요구 청정도는 CLASS 10.

Wafer [반도체]
규소박판으로 규소(Si)를 고순도로 정제하여 결정시킨후 얇게 잘라낸 것으로 반도체 소자를 만드는데 사용함.

Wafer Carrier [반도체]
Wafer를 보관, 운반 또는 공정을 진행하기 위한 도구.

Wafer ID [반도체]
RUN 및 Wafer 식별을 위해 각 Wafer에 대한 표시.

Wafer Sort [반도체]
wafer level에서의 GO/NO-GO test라고 말할 수 있으며, 이 test 시 wafer prober와 prober card가  있어야 test가 가능하다. 이것의 목적은 Die  assembly前에 각 Die의 GOOD/NO-GOOD을 판정하여 good을 assembly하는데 목적이 있다.

Wafer Storage Box(Wafer 보관 상자) [반도체]
Wafer를 carrier에 담아 보관하거나 옮길 때 사용하는 BOX.

Wafer Thickness   [반도체]
Wafer 두께.

Wait(대기상태) [반도체]
중앙처리장치가 대기 또는 정지상태에  있다는 것을 알리는 신호.
속도가 빠른  CPU 주변  I/O 장치나,  Access Time이  늦은 Memory에서 Data를 Read할 때 필요하며, Ready 신호나 IOCHRDY 신호를 이용하여 Wait를 주어 Cycle를 길게 할 수 있다.

Wall [반도체]
2개의 축퇴한 질서상이 공존하고 있을 때 그 경계면을 강자성체의 용어를 이용하여 자벽 magnetic  domain  wall 또는 Bloch wall이라  부르며, 줄여서 wall이라 부른다.

WAN(Wide Area Network)   [반도체]
원거리 통신.

Watchdog Timer(WDT) [반도체]
Watchdog timer는 Micom이 정상적으로 동작하는지의 여부를 check하고 이상동작을 검출한 경우에는 이상의 발생을  CPU에 알려주고 직접 CPU를 reset상태로 가게하는 회로. 시스템이  프로그램의 착오로 무제한의 루우프에 들어가든지 또는 기계고장으로 휴지상태를 방지하기 위해 프로그램에 의해 설정된 타이머로서 주어진 일정시간이 경과하면 경보음을 발생한다.

Warning Limits [반도체]
경고한계. 관리한계 이탈의 가능성을 주의해야 함을 나타내는 한계이며 조치가 반드시 필요한 것은  아니다. 경고한계는 보통 action  limit으로 사용되는 Control limit의 안쪽에 위치한다.

Wave Form [반도체]
정확하게 Wafer 내에 Ion  Beam이 선택되어 있는가를 확인하기 위하여 Monitor상의 좌표축이 나타내나는 방법.

Wave Soldering   [반도체]
부품삽입 이후 솔더링하는 일반적인 방법.

WB(Wire Bond)   [반도체]
금선 연결 공정.

WECC(West Europe Calibration Cooperation)   [반도체]
서유럽 측정기준 조직.

Wedge Bonding   [반도체]
열압착에 의한 본딩 방식의 하나.

WELAC(West Europe Laboratory Accrediation and Certification) [반도체]
서유럽 시험소 인정조직.

Well [반도체]
CMOS Technology에서, N-Channel Transistor와 P-Channel Transistor를 형성하기  위하여,  Si-Substrate에 불순물을 주입하여 만든 N 및  P-Channel Transistor의 substrate.

Wet Etch [반도체]
습식식각. 용액성 화학 물질을 사용하는 식각 방법.

Wet oxidation [반도체]
H2+O2 반응으로 산화막을 형성하는 산화방법.

Wet Process [반도체]
사진  식각기술에 있어서 에칭액에  의한 반도체 표면의  에칭을 Wet Process라 한다.

Wet Sink [반도체]
Wafer를 세정하거나 습식 식각할 때 쓰이는 장비.

Wetting(웨팅) [반도체]
휴징이나 핫솔더 공정에서 솔더가 녹는 과정이 미처리된 부분.

White Knight [반도체]
A社를 매수하려고 있는 B社에 대하여 A社가 적당한 방어 수단이 없을 때 우호적인 제 3자인 C社를 매수진에 가세시켜 병합 Bid의 상황을 전개하고 최종적으로 C社에 매수되도록 하는 경우, C社를 백마의 기사로 함.

WHOPL(Wet High Temperature Operating life Test) [반도체]
"고온 고습 동작 수명시험" 으로서, 85℃/85%(습도)의 OVEN 속에서 진행하는 수명시험.

WHTS(Wet High Tempertue Storage) [반도체]
"고온 고습  보관시험"으로서, 85℃ 및 습도 85%의 oven속에서 Device를 저장하는 환경시험.

WI(Wire Inspection)  Bond  [반도체]
검사 공정.

Wide Bit [반도체]
8 Bit 이상의 I/O로 구성되어 Byte 혹은 Word 단위로 Data를 입·출력할  수 있도록 한 Device의 입·출력 구조.

William's Approximation [반도체]
합금의 질서, 무질서 전이를 통계 역학적으로 해석하기 위해 이용된 근사법.

WIP(Work In Process)   [반도체]
공정부분품(재공제조).

WIPO(World Intellectural Property Organization) [반도체]
세계 지적소유권기구. 저작권을 다루는 베른조약과 공업소유권을 다루는 파리조약의 관리와 사무기구상의 문제를 통일적으로 처리하기 위하여 세계 지적소유권기구 설립조약에 근거하여 설립된 기구이다.

Wire Bonder [반도체]
TR이나 IC를 제조할 때 외부로 끌어내는 리이드와 칩 사이에는 통상 열압착이나 초음파에 의한 Wire Bonding으로 접속하는데 이 와이어 본딩을 하는 장치를 Wire Bonder라고 한다.

Wireless Bonding [반도체]
와이어를 없애거나 다른 구조를 바꾸려고 하는 것.

Wire Spool   [반도체]
금선이 담겨있는 통.

Word [반도체]
Computer에서 사용되는 기본 정보의 단위로서, 1Byte(대개 8bit) 혹은 몇 개의 Byte가 모여(1Byte∼2Byte) Word를 구성하고 있음.

Work Function(일함수) [반도체]
어떤 물질에서 전자가  튀어나가기 위해서 그 표면을 뛰어넘지 않으면 안되는 전위장벽의 높이를 나타낸 것.

Work Holder [반도체]
Lead Frame을 Lodader Magazine으로부터 열전판으로 이송시켜 Die 접착한 다음 Unloading Megazine으로 이송 삽입하는 장치.

Work Sheet [반도체]
작업의 진행상황, 내용  시간 등 기록하는 양식으로  RUN Sheet 또는 RUN Card라고도 함.

Work Station   [반도체]
WF를 작업하는 작업대.

Work Table(작업탁자) [반도체]
모든 Wafer Handling은 작업구역내 Work Table에서 한다.

Worm(1회 기록 다중판독 디스크 : Write once Read  many) [반도체]
사용자가 정보를 한 번만 기록할 수 있고 그 정보를 지우거나 변경할 수 없고 다시  읽을 수 있다.

Wrist Strap [반도체]
접지환. 정전기로부터 제품을 보호하기 위해서 인체에 있는 정전기를 Ground로 흘러 보내기 위해 손목에 착용하는 Wire(손목대).

Write [반도체]
EPROM 혹은 EEPROM에서, floating gate에 주입된 전자의 존재 유무 상태에 따라 해당  bit의 저장  상태를 구분하는  상태. EPROM에서는 floating gate로 전자가 주입된 상태를 말하며 EEPROM에서는 floating gate로부터 전자가 discharge된 상태를 말한다.

WS(Work Stream) [반도체]
제품의 흐름이나 제품의 진행사항 등의 사항들을 관리해주기 위한 종합적인 S/W로 공장자동화에 사용된다.

WSI(Wafer Scale Integration) [반도체]
Wafer상의 Chip을 자르거나 개별로  사용하지 않고 Wafer 전체로서 사용하여 고집적도를 이루려는 방법.

WSix(Tungsten Silicide) [반도체]
Tungsten과  Silicon과의 화합물로써  통상적으로 polysilicon과 적층구조로 사용한다. (일명 : Polycide)

WSTS(World Semiconductor Trade Statistics) [반도체]
세계 반도체 무역 통계.
세계 반도체 제조업체들이 모여 시장 전망 규모 등을 예측한다.

WW(Work Week)   [반도체]
작업.

X이론/Y이론 [반도체]
미국의 경영학자  맥그리거 (D.Mcgregor)가  1960년대에 주장한 관리나 조직에 있어서의 인간관 내지 인간에 관한 가설(假說)의 유형. X이론은 전통이론에 따른  인간관으로 인간은 본래 노동을 싫어하고 경제적인 동기에 의해서만 노동을 하며 명령 지시받은 일밖에 실행하지 않는다는 것.
이 가설에 입각하면 엄격한 감독, 상세한 명령, 지시, 상부로부터의 하부에 대한 지배 중시, 금전이 출현한다. 이에 대해 Y이론은 인간에게 노동은 놀이와 마찬가지로 본래 바람직한 것이며 인간은 자기의 능력을 발휘, 노동을 통해 자기실현을 바라고 있다고 본다.  인간은 또한 타인에의해 강제되는 것이  아니라 스스로 설정한 목표를 위해  노력한다는 것이 Y이론이다. 이 가설에 입각하면 의사결정에 조직구성원을 광범위하게 참여시키는 참여적 관리, 목표관리가 행해지며, 엄격한 관리 대신 부하가 문제해결의 주체가 되고 상사는 그 문제 해결을 도와주는 식의 관리가 행해지게 된다.

X-Terminal [반도체]
호스트 컴퓨터로 사용되어 오던 메인프레임과  엔지니어링 워크스테이션의 급성정과 LAN 활용의 보편화 및  사업표준을 채택된 X 윈도우로 인해 출현한 Terminal.

X-Window [반도체]
사용자 System이 네트워크로 묶여 다른 시스템과의 접속이 빈번하여 윈도우를 서로 공유하며 사용할 수 있는 능력이 요구되며  이를 위한 표준화를 위하여 개발된 일종의 통신 Protocol.

Xylene or Way Coat [반도체]
현상시키는 용액으로서 감광액(Resist)을 녹이는 성질이 있음.

Yield    1) 최대의 가능한 생산품종에 대한 양품비율 [반도체]
2) 생산/투입× 100 = 수율(%)

Z이론(Theory Z) [반도체]
미국의 윌리엄 오우치교수가 제창한 경영이론. 그에 의하면 일본의 조직(J타입)은 조직고용, 느린  인사고과(考課)와 승진, 비전문적인 승진코스, 비명시적 관리기구, 집단에 의한 의사결정, 집단책임, 전면적인 인간관계를 특색으로 하고 있으며 이에 대해 전통적인 미국의 조직(A타입)은 단기고용,  빠른 인사고과와 승진, 전문화된 승진코스, 명시적 관리기구, 개인에 의한 의사결정, 개인 책임, 부분적인 인간관계를 특색으로 하고  있다고 한다. 미국에서 성공하고 있는  기업에는 이 2가지 타입의 우월한 특징을 조화시킨 타입(Z타입)이  많다고 하는데 이 특색을 Z이론이라고 한다.
Z이론은 상호신뢰와 협력을 주축으로 한 집단적 겨영(Collective enterprise)이다.

ZD운동(무결점 운동)(Zero Defects) [반도체]
ZD는 1960년대에  미국기업이 미사일의 납기단축을 위해 '처음부터 완전한 제품'을 만들자는 운동을 벌인 것이 계기가 되어 급속히 보급되었다. ZD의  최대의 특색은 이름 그대로  결점을 제로로 하자는 것.

ZiP 파일 [반도체]
PK WARE사의 PKZIP  유틸리티용 파일형태로서 SEA사의 ARD와 유사한 압축,
보관 프로그램이다.

Zener Breakdown [반도체]
PN접합 Diode의 역방향 전류는  어떤 일정한 값이상의 역전압을 가하면 제너효과에 의해 갑자기 증가하며 동작저항이 거의 0으로 된다. 이 현상을 제너 항복이라 하며 항복이 일어나는 전압을 제너 전압이라고 한다.

Zener 현상 [반도체]
PN접합에서 Diode의 역방향  전압을 크게 하면 전압은 극히  조금 증가하며, 어떤 전압이상 커지면 갑자기  역방향 전류가 증가하는 현상을 말한다. 반도체에 강한 전계가 가해지면 결정원자에 속박되어 있는 가전자가  전계의 작용으로 속박을 벗어나서 튀어나간다. 즉, 가전자 내에서 금지대를 뛰어 넘어서  전도대로 끌어 올려진다. 이렇게 하여 전도전자가 증가하고 전류가 증가한다.

ZERO OHM [반도체]
RESISTOR  SIMM의   PD PIN   연결시 사용되는   CHIP CONNECTOR로 일반적으로 저항 성분이 없기 때문에 ZERO OHM RESISTOR라 한다.

ZIP(Zigzag In-line Package) [반도체]
Package Type의 한종류로서 Package 한쪽측면에만 Lead가 Zigzag형태로 있어 Device를 옆면으로 세워 사용할 수 있으므로 공간 절약의 잇점이 있다.

Zone AHU(Zone   Air Handling  Unit) [반도체]
지역공조기라   칭하며 FAB에서  Return된 공기를 외기와 혼합시켜 처리하여 FAB의 환경 Air를 순환시킨다.

출처 : Tong - hee25suk님의 반도체통

출처 : Tong - hee25suk님의 반도체통