[BlogAPI 활용 프로그램] MS WORD 2007로 티스토리에 글을 올려보세요!

from 관리 : 환경설정 2008/08/26 08:12

[펌]안녕하세요. TISTORY입니다.

티스토리에 접속하지 않고도 언제 어디서나 블로깅을 하실 수 있어요! 원격 블로깅을 지원하는 프로그램을 이용하면 어디서든지 글을 쓰고 싶을 때 미리 작성을 해놓은 후 그 글들을 티스토리 블로그에 손쉽게 블로깅 할 수 있습니다. 티스토리에서 지원되는 API프로그램들중 MS WORD 2007를 사용하여 티스토리에 글을 남기는 방법을 알아보겠습니다.

[MS WORD 2007 사용설정]

STEP 1. MS WORD 2007에 티스토리 연결하기

① Microsoft Office 단추 를 클릭한 다음 새로 만들기를 클릭합니다.


② 새 블로그 게시물 을 선택하고 만들기 버튼을 클릭합니다.

③ MS WORD 2007에 블로그 계정이 등록되지 않은 상태이면 새 블로그 계정을 등록 하도록 안내합니다. 지금 등록을 선택하신후, 블로그 타입 설정에서는 블로그 항목에서 기타를 선택하시면 됩니다.

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④ 새 계정에서 티스토리 원격 블로깅을 위한 환경 설정을 합니다.

1) API : 티스토리는 MetaWebLog 를 선택
2) 블로그 게시 URL : 자신의 블로그 API주소를 입력
3) 사용자 이름 : 티스토리에 로그인하시는 아이디를 입력
4) 암호 : 티스토리에 로그인하시는 암호를 입력


⑤ 블로그 계정 등록이 완료되면 에디터 화면이 나타납니다. 상단의 계정관리를 클릭하면 등록된 블로그 계정을 확인하실 수 있습니다. 계정을  추가하거나 변경하실 수 있어요!

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STEP 2. 티스토리에 글보내기

① MS WORD 2007에서 작성한 글을 티스토리에 보내려면 글을 작성하신후 , 범주삽입을 클릭하시면 카테고리를 설정하실 수 있습니다. 범주삽입을 하지 않고, 나중에 티스토리에서 글수정을 통해 카테고리 변경을 하실 수 있습니다.

② 게시를 클릭하면 게시(공개)와 초안으로 게시(비공개)가 나타납니다. 공개여부에 따라 클릭하시면 MS WORD 2007에서 작성한 글이 티스토리 블로그에 올라가게 됩니다.  

지금까지 MS WORD 2007를 이용하여 티스토리 블로그로 원격 블로깅을 하실 수 있는 방법을 살펴보았습니다.


감사합니다.

“전쟁 접경까지 왔다”… 군사적 긴장 높여 南 압박

경향신문 | 기사입력 2009.01.30 18:27 | 최종수정 2009.01.30 23:14

50대 남성, 대전지역 인기기사

출처 : Tong - 폭설님의 한국역사의 진실!통

http://kin.naver.com/detail/detail.php?d1id=6&dir_id=604&eid=ZbHcc+mFs9eA+sDnu7oiaFnmq75cdeMG

위 주소를 클릭하면 자~ 보시라...임의로 함부로 회원들에게 자유게시하라고 만들어놓은

공간에서 지들이 심의하고 조정하고 통제한다. 강제 삭제조치한 내용이다.

 예전에 서태지와 아이들이 공윤심의 즉, 공윤윤리의원회와 싸워서

위헌이라고 팬들과 함께 이루어낸것이 정말 대단하다.

네이버 과연 국민들이 이용할 가치가 있는 포털인가?

서민들의 지식인 질문 글을 아무런 통보와 지침없이 일괄삭제하고..발뺌한다..

왜? 국방부와 정부는 땅굴의 발견에 대해 은폐하는가? 란 질문에....

임의로 네이버가 자동으로 글 삭제하는 것은 정부와 국방부의 시다바리 노릇밖에 안되는

포털사이트라고 인정하는 것인데....

과연 우리같은 사이버공간의 네티즌들도 표현의 자유와 생각의 자유를 네이버의 관리직원들

에 의해서 조정되고 차단되어야 하는가?

네이버 불매운동에 들어가기전에 네이버는 이와같은 행위와 유사한 행동을 전면 중단하고 사과하라!

그토록 정부 정치기관과 융착해서 운영해야만 하는가?

분리되어서 독자적인 언론, 포탈, 정보, 지식 사이트로 거듭나야 하는데...

우리나라 포털사이트에 한계가 이정도이다..

그래서 소수의 깨어있는 인간들은 구x 포털을 이용하는지도 모르겠다.

네이버는 내가 장문으로 어렵게 작성한 글을 원상복귀 시키고 무단 삭제한 경위와 사유 그리고

그로 인해 국민적불신을 조장시키는 정치기만 행위를 사죄하라!!!!

북한땅굴 남침설, 국정원 김교수 개인보고서 충격! “북한이 김포까지 지하터널 뚫었다” 북한땅굴 남침설 논란이 일파만파 확산되고 있다. `북한의 남침이 임박했다`는 내용의 개인 보고서가 국가정보원 직원에 의해 배포돼 논란이 일고 있는 것. 국정원 측은 적극 부인에 나섰지만 국민들은 충격에 휩싸였다. [ 2009-01-17 오후 11:04:00 ] 154,194 320 북한땅굴 남침설 논란이 일파만파 확산되고 있다. `북한의 남침이 임박했다`는 내용의 개인 보고서가 국가정보원 직원에 의해 배포돼 논란이 일고 있는 것. 국정원 측은 적극 부인에 나섰지만 국민들은 충격에 휩싸였다. 국정원 소속 정보대학원의 김모 교수는 15일 일부 언론사 기자들에게 `대국민 안보보고서` 제하의 이메일을 보냈다. 이메일의 주요 내용은 `북한이 경기도 김포 인근까지 장거리 지하터널을 파는 등 남침준비가 임박했다`는 것과 `경의선 개통도 남침 대비용 지뢰 제거 목적이라는 것` 등이다. 특히 김 교수는 "대통령과 정부, 그 중에서도 특히 국방부에 대해 장거리 지하터널에 대한 대책을 포함한 전방위적인 남침 방지책 수립을 촉구해야 할 것"이라고 밝혔다. 이에 대해 국정원은 사태 수습에 나섰다. 국정원은 보도자료를 통해 "교수 개인의 주관적 판단에 따른 의견으로, 국정원의 공식 보고서나 논문이 아니며, 국정원의 입장이나 견해도 아니다"라고 해명했다. 이어 국정원은 "김 교수는 국정원 북한 파트에서 근무한 경력이 없으며, 대북 전문가가 아니다"라며 "소속 직원의 개인적 행동으로 일부 혼란을 일으킨데 대해 유감을 표명한다"고 밝혔다.

대국민 안보보고서

저는 현직 국정원 직원이자 교수로서 해외정보 분야에 대한 교육을 담당하고 있는 사람입니다. 이전에는 오랜 동안 해외정보요원으로 활동을 했으며 그 과정에서 북한 보위부 요원을 포함하여 상당수의 북한 사람들과 ‘친분’을 나눈 경험이 있습니다. 덕분에 ‘책으로 공부한 것’과는 다른 북한의 현실을 직시할 기회를 가졌고, 그 결과 이미 10여년전부터 북한체제가 심각한 붕괴위기에 직면해 있었음을 느낄 수 있었습니다. 왜냐하면 그 당시에 제가 만났던 대부분의 북한사람들은 북한의 붕괴를 시간문제로 받아들이고 있었을 정도로 심각한 패배주의에 사로잡혀 있었기 때문입니다. 따라서 저는 그 당시부터 북한 체제가 붕괴될 가능성과 그에 따른 한반도 급변사태 발생 가능성에 대비할 필요성을 절실히 느꼈습니다. 특히 그때는 우리나라도 IMF 위기를 겪던 터라 자칫하면 안보의 IMF도 올 수 있다는 위기의식을 갖게 되었습니다. 이 때문에 지난 10년 동안 우리 정부가 ‘햇볕정책의 성과로 조만간 북한이 개혁개방을 할 것’이라고 주장할 때에도, 저는 북한의 군사동향과 특히 김정일 개인의 움직임을 가능한 범위 내에서 끊임없이 추적해 왔습니다. 그런데 작금의 안보상황은 더 이상 지켜보고만 있기에는 너무도 위급하게 전개되고 있기에 감히 우리 국민들에게 국가안보보고서를 직접 올리기로 결심하게 되었습니다. 저의 바람은 이 보고서를 통해 우리 국민들께서 오늘의 안보현실을 있는 그대로 직시함과 동시에 힘을 모아 대책강구에 동참하시는 것입니다. 그럴 때 비로소 우리의 국가안보가 튼튼해지는 것은 물론 평화통일도 가능해질 것이기 때문입니다.

참고로 이 보고서는 제가 지난 10여년간 수집한 자료를 바탕으로 작성된 관계로 다소 분량이 많기는 하지만, 우리의 안보현실을 정확히 이해한다는 차원에서 인내심을 갖고 읽어주시기 바랍니다. 그리고 시간이 촉박한 관계로 가능한 짧은 시간 내에 많은 분들이 읽으실 수 있도록 이 보고서를 적극적으로 전파해주실 것을 부탁드립니다. 다만 이 경우에도 본문 내용 중 일부를 임의로 왜곡 및 수정해서 전파하거나 또는 상업적 목적으로 사용하지 말아 주시기 바랍니다.

2009년 1월 김영환

《필자의 주요 학?경력》

● 고대 졸
● 런던대 연수(러시아어 및 소비에트 학)
● 모스크바 국제관계대학 어학연수
● 駐모스크바 대사관근무
● 駐남아프리카공화국 대사관근무
● 현 國家情報大學院 교수 겸 첩보학팀장

목 차

Ⅰ. 북핵, 새로운 접근법이 필요

Ⅱ.「평화적 해결론」의 한계

1.「북-미 수교」對「조-미수교」
2.「체제유지」對 「정권유지」
3. 6.15 남북정상회담의 실상
4. 서해도발(제2연평해전)의 실체

Ⅲ.「남침 임박론」의 근거

1. 이라크 戰과 맞물린 핵도박
2. 또 다시 반복되는 「김정일의 오판」

Ⅳ. 북한의 남침능력

1. 남침의 필요조건-장거리 지하터널
2. 남침의 충분조건-무비유환(無備有患)

Ⅴ. 여전히 남는 의문점들

1. 전쟁 위기가 느껴지지 않는 이유
2. 남침 가능성에 대한 평가
3. 남침 가능성이 모호한 이유

Ⅵ. 국가위기관리의 장애물

1.「합리적 논리」의 함정(Mirror-Imaging)
2. 정보관(Intelligence Officer)의 불리함
3. 정치적 이해관계
4. 모호성 관리

Ⅶ. 새로운 햇볕정책

Ⅰ. 북핵, 새로운 접근법 필요

최근 북경 개최 6자회담이 끝내 합의도출에 실패(2008.12.11)했다. 참가국 대표들이 회의 일정을 하루 연장하면서까지 절충을 시도했으나 북한이 핵 검증체계 구축에 강력히 반발함에 따라 회담이 결렬되었고 그 결과 지난 5년 동안 지속되어온 6자회담은 중대한 기로를 맞게 되었다. 이와 관련 현 정부의 대북강경책에 일단의 책임이 있다는 비난의 목소리가 들리기도 하지만 이는 북핵 문제의 본질을 간과한 주장에 불과하다고 할 것이다. 왜냐하면 현재와 같은 6자회담 방식으로는 우리 정부가 어떤 정책을 추진하든지에 상관없이 북핵 문제의 평화적 해결은 불가능한 구조로 되어 있기 때문인데, 그렇게 주장할 수 있는 근거는 다음과 같다.

첫째, 최선의 경우를 상정해서 ‘북-미 수교’ 등을 포함해서 북한의 모든 요구 사항이 100% 충족된다고 해도, 북핵 문제가 원만히 해결될 것으로 보이지 않는다는 것이다. 즉, 북한이 과연 핵물질 및 핵무기 폐기 등과 같은 조치를 취할 것인지가 지극히 의심스럽다는 것이다.

둘째, 설령 북한이 그러한 조치를 취한다고 해도, 이를 미국이 액면 그대로 받아들여 줄 것인지 역시 의심스럽다는 것이다. 왜냐하면 미국은 북한이 일부 핵무기 등을 은닉했을 것으로 의심하면서 검증작업을 요구할 것으로 예상되는데, 이 경우 북한이 선선히 수용할 것으로 보이지 않기 때문이다.

셋째, 만에 하나 북한이 진정으로 핵을 포기할 의지가 있다고 해도 문제가 해결되지 않는다는 것이다. 즉, 김정일 입장에서 볼 때, 설령 핵을 포기하고 싶어도 포기한 이후가 불투명하기 때문에 그럴 수 없다는 것이다. 물론 중국 및 러시아 등이 미국의 약속 이행을 보장해 줄 것이라는 주장이 가능하겠으나, 이와 관련해서는 북한의 핵개발 배경에는 혈맹국인 중국 및 러시아에 대한 불신감이 결정적으로 작용했음을 감안해야 할 것이다. 즉, 혈맹국도 믿지 못해서 개발한 핵을 ‘철천지원수’인 미국을 믿고 포기한다는 것이 가능한 일인지를 생각해 보아야 한다는 것이다. 바로 이러한 이유에서 현재와 같은 방식으로는 북핵 문제의 평화적 해결이 불가능하다는 것이며, 이 때문에 북핵 문제에 대해 우리의 시각이 아닌, 김정일의 시각에서 검토해야 한다는 것이다. 그렇지 않고 지금까지와 같은 방식에 집착한다면 북핵 문제의 평화적 해결은 요원할 뿐만 아니라, 자칫 돌이킬 수 없는 민족적 재앙마저 초래할 수 있다는 것이다.

Ⅱ.「평화적 해결론」의 한계

북핵 문제의 평화적 해결이 가능하다는 소위 ‘평화적 해결론’은 주로 다음과 같은 논리를 바탕으로 하고 있다.

첫째, ‘북한은 미국과의 수교를 간절히 원한다’는 것이다. 즉, 미국이 ‘북-미 수교’와 함께 체제보장을 해준다면 북한도 기꺼이 핵을 포기할 것이라는 논리이다.

둘째, ‘북한의 개혁개방이 가능하다’는 것이다. 즉, 체제 유지를 위해서는 개혁개방 이외에 달리 대안이 없는 만큼, 비록 다소간의 우여곡절은 있겠지만 결국은 김정일도 개혁개방을 선택할 수밖에 없을 것이라는 논리이다. 하지만 문제는 이러한 논리들이 실상은 검증되지 않은 가설(假說)에 불과하다는 것이다. 즉, 그 동안 우리 정부 등은 검증되지 않은 가설을 바탕으로 북핵 문제의 평화적 해결을 추진해왔다는 것이다. 그런 점에서 우선 ‘북한이 북-미 수교를 간절히 원한다’는 가설의 정확성 여부부터 검토해보기로 하자.

1.「북-미 수교」對「조-미 수교」

이와 관련 우선 북한은 단 한번도 ‘북-미 수교’를 요구한 적이 없음을 주목해야 할 것이다. 즉, 북한이 요구하고 있는 것은, ‘북-미 수교’가 아닌 ‘조-미 수교’라는 것이다. 그런데도 그 동안 우리 정부와 언론 등은 마치 북한이 ‘북-미 수교’를 요구하고 있는 것처럼 임의로 왜곡해 왔다는 것이다. 혹자는 ‘북-미 수교’와 ‘조-미 수교’가 같은 말 아니냐며 반박할지 모르겠다. 하지만 이는 어디까지나 우리의 시각에 불과하다는 사실을 직시해야 할 것이다. 왜냐하면 북한이 주장하는 ‘조-미 수교’란 남?북조선이 적화통일 되거나 또는 사실상의 적화통일이 보장된 상태에서 미국과 수교하겠다는 의미이기 때문이다. 다음은 이 문제에 대한 노동신문의 논설내용이다.

『지금은 21세기이다. 20세기 미제의 대조선침략정책의 산물인 미군의 남조선 강점(주한미군)은 새 세기에 들어와서 마땅히 끝장났어야 할 것이었다... 남조선 강점 미군 철수는 미국이 우리와의 불가침조약 체결과 대조선 적대시 압살 정책 철회 의사가 없는가를 판단 검증하는 시금석으로 된다... 미국이 진실로... 조-미 관계를 개선할 입장이라면 하루 빨리 미군 철수 용단을 내려야 한다...』

이상과 같은 노동신문의 논조를 보면, 북한만이 ‘조선반도 내 유일합법정부’라는 점을 강조하고 있음을 알 수 있다. 즉, 조선반도 내 유일합법 정부인 ‘조선민주주의 인민공화국’의 사전 동의 없이, 미군이 조선반도 남쪽에 ‘무단으로’ 주둔하고 있는 것 자체가, 곧 미국의 조선에 대한 침략행위이자 대조선 적대정책의 산물이라는 것이다. 따라서 북한이 핵포기 조건으로 내세우고 있는 ‘조-미 수교’ 또는 ‘조-미 불가침조약 체결’ 등은 결국 ‘주한미군철수’로 귀결된다고 할 것이다. 그렇다면 현재와 같은 남북 분단 상황에서 미국과의 수교, 즉 ‘북-미 수교’에 대해 김정일은 어떻게 생각할까. 다음은 이와 관련한 황장엽 전 노동당 비서의 증언 내용이다.

“김정일은 미국 대사관이 평양에 들어오는 것은 절대 반대하고 있습니다. 그래서 내가 북을 떠나 올 때까지 김정일은 미국의 연락사무소가 평양에 절대로 들어서지 못하도록 했어요... 그러니까 지금에 이르도록 미국대사관이 오는 것에 반대해서, 건물이 어떻다, 부지가 어떻다 하며 질질 끌고 있지 않습니까. 김정일은... 가당치도 않은 독재가 천하에 드러나서, 외부로 알려지는 것에 끊임없이 신경 쓰고 있습니다...”

황 전 비서에 따르면 김정일은 ‘북-미 수교’에 대해 ‘절대 반대’임을 알 수 있다. 물론 황 전 비서는 김정일에 대해 극도의 반감을 가진 인물이기에 그의 주장 모두를 절대화할 수는 없을 것이다. 하지만 그가 직접 경험했거나 목격한 것까지 부인하는 것은 지나치다고 할 것이다. 게다가 전 미 국무부 북한 담당관이었던 케네스 박사도 같은 취지의 증언을 하고 있다면 더 말할 나위가 없는 것이다. 참고로 지난 1994년의 제1차 핵위기 당시에 미국과 북한은 ‘제네바 핵합의’를 이루게 되면서 한때 양국간 연락사무소 개설을 포함한 수교문제를 협의한 적이 있었다. 그런데 그 당시 북한은 ‘북-미 수교’에 대해 매우 소극적인 반응을 보였다는 것이다. 다음은 이와 관련한 케네스 박사의 회고록 내용 중에서 발췌한 것이다.

『당시 미국 정부의 보상조치 목록은 북한의 1차적 목표가 미-북 관계정상화에 있다고 보는 한국 정부의 시각이 반영된 것이었다. 그러나 그것은 잘못된 것이었다... 강석주(북한측 수석대표)는 갈루치(미측 수석대표)의 북-미 외교관계 정상화 제안이 극히 훌륭한 것이라고 평했지만 북한으로서는 현실적으로 기대할 수 없는 것이라고 말했다... 강석주는 연락사무소와 관련한 갈루치의 반복적인 제안을 거절하지는 않았지만 그 제안은 북한이 아니라 미국이 먼저 제시했다... 연락사무소와 관련한 협상에서 북한의 관심사는 입국과 국경 안에서 미국 외교관들의 통제 여부였다. 설사 그것이 미국과의 관계정상화를 지연시키는 한이 있더라도 말이다. 다시 말해서 국무부 협상팀이 제안한 연락사무소 같은 유인책들은 실제로 평양의 결정과정과 아무 상관이 없었을 수도 있다...』

이처럼 케네스 박사 역시 북한이 ‘북-미 수교’에 소극적인 반응을 보였다고 증언하고 있다면, ‘김정일은 북-미 수교에 절대 반대’라는 황 전 비서의 주장은 사실로 보아야 할 것이다. 즉, 북한이 주장하는 ‘조-미 수교’란, ‘북-미 수교’와는 전혀 다른 개념으로 사실상 ‘주한미군 철수’와 동의어라는 것이다.

그렇다면 북한은 왜 ‘주한미군 철수’ 대신 ‘조-미 수교’ 또는 ‘불가침 조약’ 등과 같은 모호한 주장을 하는 것일까. 이는 북한이 우리 정부 당국자 등을 속일 목적으로 교묘한 이중화법(double speaking)을 구사하는 사례라고 할 수 있는데, 이중화법이란 전쟁, 독재 등과 같은 부정적인 개념에 대해 평화, 민주 등과 같이 긍정적인 용어로 바꿔 표현함으로써 자신들의 의도를 숨기려는, 공산주의자들의 상투적 기만수법 중 하나이다. 이의 대표적 예로는 과거 구소련이 헌법상에 ‘양심의 자유를 보장한다’고 규정해 놓고 이를 근거로 종교를 탄압했던 것을 들 수 있다. 소련이 보장했던 ‘양심의 자유’란 양심을 지킬 수 있는 자유, 즉 ‘종교(마약)로부터의 자유’를 의미했기에 소련 당국은 전도(傳道)행위에 대해 타인의 ‘믿지 않을 자유’를 침해한다는 이유로 처벌했던 것이다. 같은 맥락에서 북한이 주장하는 ‘민족 공조’ 역시 이중화법의 사례라고 할 수 있다. 왜냐하면 북한은 우리 민족에 대해 ‘김일성 민족’으로 정의하고 있기 때문이다. 즉, 그들이 주장하는 민족공조란, 단순한 혈통공조에 그치는 것이 아니라 사상공조까지 포함하는 개념으로서, 남북한의 ‘김일성 민족끼리’ 단결하여 외세와 반통일 세력을 몰아냄으로써 적화통일을 달성하자는 것에 다름 아닌 것이다. 그렇다면 남한내 ‘김일성 민족’은 그 규모가 얼마나 될까. 이와 관련 북한 당국이 지난 2004년 4월에 작성, 배포한 ‘전시(戰時)사업세칙’(북한판 충무계획) 내용을 주목할 필요가 있다. 왜냐하면 북한의 ‘전시사업세칙’에 따르면 남한내 김일성 민족은 전쟁발발시 북한군의 병력 손실에 대한 인원 보충을 지원토록 되어 있기 때문이다. 즉, 북한 당국이 보기에 남한내 ‘김일성 민족’은 남침에 따른 북한군의 병력보충을 지원(인원추천)할 수 있을 정도로 그 세력 규모가 확대되어 있음을 알 수 있는 것이다. 결국 북한이 요구하는 것은, 북조선과 미국간 수교가 아닌 ‘조-미 수교’라는 점에서 ‘북-미 수교 대(對) 핵포기’ 실현을 추진해온 6자회담은 실패할 수밖에 없음을 알 수 있는 것이다. 왜냐하면 북한이 원치도 않는 조건으로 핵포기를 유도하겠다는 발상 자체가, 최소한 북한이 요구하는 대로 ‘조-미 수교’(적화통일)를 묵인할 생각이 아니라면, 어불성설이기 때문이다.

2. 「체제유지」對「정권유지」

평화적 해결론의 또 다른 결함은 ‘북한의 개혁개방이 가능하다’는 비현실적인 가설을 바탕으로 하고 있다는 것이다. 왜냐하면 이러한 가설은 김정일에게 있어 최우선 관심사항은 체제유지가 아닌, 정권유지일 수밖에 없음을 간과하고 있기 때문이다. 즉, 정권유지가 보장되지 않는 체제보장은 정치인 김정일에게 있어 의미가 없을 것이라는 뜻이다. 따라서 북한의 개혁개방이 가능한지 여부는, 곧 개혁개방을 했을 때 북한의 체제유지는 물론 정권유지도 가능한지를 함께 검토해야 한다는 것이다.

그런 점에서 북한이 지난 1998년 1월 공개한 김일성 면담록을 주목할 필요가 있다. 참고로 관련 면담록에 등장하는 ‘호네커’는 구동독의 서기장으로서, 통일직후 독일정부의 수배(베를린 장벽 탈주자에 대한 사살 명령을 내린 혐의)를 피해 소련으로 도피했다가 소련 붕괴로 인해 독일로 강제 이송, 재판을 받았던 인물이다. 그러한 호네커가 김일성 면담록에 등장하게 된 배경은, 그가 독일로 강제 이송되기 직전에 북한에 망명 신청을 했으며, 이에 북한은 그를 받아들이기 위해 비행기를 모스크바로 보냈지만 러시아 정부의 거부로 실패한 적이 있기 때문이다. 다음은 생전의 김일성이 외국인을 접견하면서 호네커의 운명을 걱정했던 말이라고 한다.

“모스크바에서 병(간암 말기) 치료를 받고 있는 호네커를 가지고 러시아 사람들(옐친 행정부)이 돈벌이를 하려고 하는 것은 매우 가슴 아픈 일입니다. 몇 푼의 달러에 현혹되어 동지를 팔아먹는다는 것은 말도 되지 않습니다. 얼마 전에 호네커는 그가 우리나라에 와서 병 치료를 받을 수 있게 해달라고 제기해 왔습니다... 김정일 동지가 새벽 4시경에 나에게 급히 알릴 문제가 있어서 전화를 한다고 하면서 호네커가 우리나라에 와서 병 치료를 받았으면 좋겠다는 의견을 편지로 전해 왔다고 하였습니다... 우리는 그를 데려오기 위해 모스크바에 우리 비행기까지 보냈습니다. 그런데 러시아 사람들이 호네커를 우리에게 넘겨주지 않기 때문에 그를 데려 올 방법이 없었습니다. 나는 오래 전부터 호네커를 잘 알고 있습니다. 그는 나와 동갑이며 나와 그와의 관계는 좋습니다. 호네커의 운명이 어떻게 되겠는지 걱정됩니다. 나라가 망하니 사람들도 기구한 운명을 면할 수 없습니다...”

상기와 같은 김일성 면담록이 뒤늦게 김정일 시대에 공개됐다는 것은 중요한 의미가 있다. 왜냐하면 이는 김정일도 개혁개방을 할 경우 ‘지도자가 기구한 운명을 맞게 된다’는 생각을 갖고 있음을 보여주는 단서이기 때문이다. 그런 점에서 북한이 동서독 통일직후 구동독 공산당 간부 등이 처벌받은 사례 등을 수집하여 당 간부 및 주민 사상 교육용으로 활용해 온 사실에 주목해야 하는 것이다. 참고로 독일은 통일 직후「동독 불법행위조사위원회」를 구성, 총 6만5000건을 조사한 결과 650건을 기소하였으며, 그 중 325명을 처벌하였는데, 처벌자 중에는 장기 징역형 등을 받은 구동독 권력층과 관료 40명도 포함되어 있었다고 한다.

이처럼 생전의 김일성이 개혁개방을 절대 반대했을 뿐만 아니라, 김정일 역시 개혁개방의 폐해를 당간부 등에게 교육시켜왔다면, 김정일로서는 개혁개방을 할 수 없는 입장이라고 할 것이다. 그럴 경우 이는 김일성과 그 자신의 오류를 스스로 인정하는 결과가 됨으로써 정권기반이 붕괴될 수밖에 없다는 것이다. 즉, 사회주의 체제유지는 가능할지 몰라도 정권붕괴 우려 때문에 개혁개방을 할 수 없다는 것이다.

이상과 같은 이유에서 김정일이 북-미 수교도 원치 않으며 또한 개혁개방도 할 수 없는 입장이라면, 우리는 6.15 정상회담에 대해 다른 각도에서 검토해야 할 것이다. 애당초 개혁개방은 물론 핵도 포기할 생각이 없는 김정일이 ‘역사적인’ 남북정상회담에 응했다면, 그 목적은 우리가 ‘알고 있듯이’ 한반도 평화정착을 위한 것일 리가 없기 때문이다.

3. 6.15 남북정상회담의 실상

지난 6.15 남북정상회담의 최대 성과와 관련 김대중 전 대통령은 ‘주한미군의 한반도 주둔에 대해 김정일이 동의한 것’이라는 주장을 해왔다. 하지만 북한은 오늘날까지도 주한미군 철수를 집요하게 요구하고 있을 뿐만 아니라, 심지어 주한미군 철수(불가침조약)를 핵포기와도 연결시키고 있는 실정이다. 그렇다면 김대중 전 대통령은 무엇을 근거로 그런 주장을 하게 된 것일까. 다음은 이와 관련한 연합뉴스 내용이다.

『(도쿄=연합통신)=통일된 후에도 평화유지를 위해 미군은 남는 것이 좋다=일본 아사히 신문은 9일 ‘코리아, 공존시대’라는 주제로 1면 머리의 특집을 통해 지난 6월 평양에서 열린 남북정상회담에서 북한의 김정일 국방 위원장이 이같이 명언(名言)했다고 소개했다. 특집에 의하면 6월14일 오후 백화원 영빈관의 회담에서 김대중 대통령은 “주한 미군은 동아시아의 평화를 위해 지역의 안정과 완충의 역할을 담당하고 있다. 미군이 없다면 지역의 세력균형은 어떻게 되겠는가?”라고 말문을 열었다. 북한측에서는 김용순 비서가 먼저 “미군은 한반도에서 철수해야 한다”고 응수했다. 이때 김 위원장이 끼어들어 김용순 비서를 향해 “주둔하면 어떠한 문제가 있다는 것인가”라고 반문하고 미군은 반드시 철수해야 된다는 김용순 비서의 거듭된 주장에 대해 “용순 비서, 그만 두세요”라고 힐책했다.

김 위원장은 다시 김대통령을 향해 “내가 무엇을 하려 해도 밑에 있는 사람들이 이같이 반대한다. 군(軍)도 미군에 대해서는 용순 비서와 같이 생각할 것이다... 그러나 김대통령의 설명에는 동감하는 면도 있다. 지금 철수는 필요하지 않다. 통일된 후에도 평화유지를 위해 미군은 남는 것이 좋다”고 설명했다... 이 밖에 김 위원장은, 북측이 보도를 통해 주한미군 철수를 한사코 주장하고 있다는 김대통령의 지적에 대해 “내부용이다. 우리의 군도 긴장으로 유지되는 면이 있기 때문에 그렇게 신경 쓰지 않기를 바란다”고 말했다』

기사 내용에 따르면 남북정상회담 석상에서 김정일이 주한미군 주둔을 용인한 적이 있음을 알 수 있다. 그렇다면 ‘김정일의 주한미군 주둔용인’을 6.15 정상회담의 최대 성과로 꼽은 김대중 전 대통령의 주장은 분명한 근거가 있다고 할 것이며, 따라서 오늘날 북한이 주한미군 철수를 요구하고 있는 것도, 결국은 ‘내부용’에 불과하다고 할 수 있을 것이다. 하지만 이는 어디까지나 당시 김정일의 약속이 진실한 것일 때에만 성립될 수 있음을 간과해서는 안 될 것이다. 그런 점에서 관련 기사 내용을 면밀히 검토해 보면, 당시의 김정일과 김용순의 언행이 진실이 아님을 알 수 있는데, 그 이유는 다음과 같다.

첫째, 김용순 자신이 ‘주한미군 철수’와 관련해서 일체의 타협을 거부할 정도의 강경파가 아니기 때문이다. 즉, 김용순은 그보다 8년 전인 1992년 미국에서 개최된 제1차 북-미 고위급 회담시에는 오히려 ‘주한미군 주둔을 용인 하겠다’는 입장을 미측에 전달한 당사자였던 것이다.

둘째, 김정일과 그의 최측근인 김용순이 주한미군 문제에 대해 공감대가 형성되어 있지 않다는 것 자체가 비정상적이기 때문이다. 북한에게 있어 가장 중요한 이슈인 주한미군 문제에 대해 김정일과 견해를 달리하는 김용순이 김정일의 최측근으로 부상할 수 있다는 것도 이상하지만, 역사상 최초의 남북정상회담을 앞두고 김정일과 김용순이 주한미군문제에 대해 사전 의견조율조차 하지 않은 듯한 모습을 보여준 것이야말로 납득하기 어려운 것이다.

셋째, 일개 비서에 불과한 김용순이 우리 대통령의 발언에 대해 먼저 답변한 것도 비정상적이지만, 그보다는 ‘지도자 동지의 방침’에 대해, 그것도 남한의 대통령 일행이 지켜보는 자리에서 노골적으로 반발하는 것이야말로, 북한 체제의 특성에 비춰볼 때 도저히 용납될 수 없는 일이기 때문이다.

이상과 같은 의문점에 비춰본다면 남북정상회담에서 김용순이 김정일에게 반발하고도 무사할 수 있었던 것은, ‘영화광’ 김정일 감독의 사전 연출에 따라 강경파 연기를 했기에 가능했다고 할 것이다. 따라서 ‘북한이 주한미군 주둔을 용인했다’는 김대중 전 대통령의 주장은 김정일의 기만에 속은 결과로 보아야 할 것이다.

그렇다면 김정일은 왜 그러한 기만극을 연출했을까. 단지 ‘주한미군 주둔을 용인한다’는 메시지를 전달하는 것이 목적이었다면, 그냥 말로 해도 충분했을 것을, 왜 굳이 그런 연극까지 할 필요가 있었을까.

이와 관련해서는 김정일이 “밑에 사람들이 반대 한다”, “군도 용순 비서와 같은 생각”이라고 설명한 대목에 주의할 필요가 있다. 왜냐하면 이러한 언급 내용 중에는 ‘김용순 뿐만 아니라 군부도 도전한다’는 것을 은근히 암시하려는 의도가 느껴지기 때문이다. 즉, 당시에 김정일이 그와 같은 기만극을 연출했던 목적은 우리 대통령 일행으로 하여금 다음과 같은 착각을 하도록 유도하려는데 있었다는 것이다. (‘김정일 위원장은 상당히 합리적이고 온건한 지도자이지만 주변의 강경파들로 인해 때로는 어쩔 수 없이 대남군사도발을 허용할 수밖에 없겠구나. 민간인 김용순이 저 정도라면, 군부는 얼마나 노골적으로 도전할까.....’)

실제로 우리 대통령 일행이 그런 생각을 했는지 여부는 알 수 없지만, 이러한 김정일의 기만극과 서해도발(제2연평해전)을 연결시켜보면 당시에 왜 우리 정부가 “우발적 충돌”이라고 평가하게 되었는지 그 배경을 짐작할 수 있는 것이다.

4. 서해도발(제2연평해전)의 실체

서해도발이란 한?일 월드컵이 한창이던 2002년 6월 29일 북방 한계선을 월선한 북한 경비정이 우리 해군을 기습 공격함으로써 우리 장병 6명이 전사하고 수십 명이 부상당했던 무력 도발 사건을 말한다.

그런데 이에 대해 당시 우리 정부는 ‘우발적 충돌’이라고 판단했던 것이다. 그렇다면 무엇을 근거로 그러한 판단을 하게 되었을까. 이와 관련 당시 정부의 핵심관계자에 따르면 김정일이 도발직전(2002.4)에 ‘앞으로 김대중 대통령에게 걱정 끼칠 일은 하지 않겠다’고 약속한 적이 있는데다, 도발직후에도 우리 정부에 메시지를 발송, “순전히 아랫사람들끼리 우발적으로 발생시킨 사고였음”을 확인해준 적이 있기 때문이라고 한다. 하지만 그로부터 불과 6개월 뒤에 북한이 핵시인(핵보유 선언)을 한 사실에 비춰보면, 그 당시 ‘걱정을 끼치지 않겠다’는 등의 김정일의 언급 내용이 거짓에 불과하다고 할 것이다. 바로 이러한 배경에서 서해도발이 기획도발이었을 가능성을 검토할 필요가 있는 것이다. 이와 관련 결론부터 말한다면, 당시 북한 주민들 사이에 한국의 ‘월드컵 4강 신화’에 따른 응원 열기가 극에 달했기에, 김정일로서는 체제유지 차원에서 북한판 ‘총풍공작’을 일으킨 것이 서해도발의 실체였다는 것인데, 그 근거는 다음과 같다.

첫째, 당시 조총련 기관지 ‘조선신보’가 월드컵 경기와 관련하여 ‘평양의 시청자들이 남조선 팀의 승리를 알리는 방송원의 맺음말에 환성을 올렸다’고 보도한 사실에서 알 수 있듯이 당시 북한 내부의 월드컵 열기 역시, 남한 못지않았던 것으로 보이기 때문이다.

둘째, 심지어 월드컵 열기가 전방에 배치된 북한군인들 사이에도 확산되었기 때문으로 보인다. 그 당시 휴전선 일대에 배치되어 있던 우리 국군초병들에 따르면 월드컵 기간 중 휴전선 북쪽에서도 “와-”하는 함성이 수시로 들렸다고 한다. 즉, 전방의 북한 군인들마저 한국팀을 응원했다는 것이다.

참고로 북한은 월드컵 대회 기간 중 아리랑 축전을 개최하면서, 다수의 중국동포들을 초청했었다. 그런데 당시 방북한 중국 동포들의 주된 관심은 아리랑 축전보다는 북한 내 친척 방문과 월드컵 대회였다고 한다. 이 때문에 중국동포들의 입을 통해 월드컵 대회에 관한 소식이 북한 내부로 확산되었고, 그 결과 북한 당국으로서도 더 이상 숨길 수 없기에 월드컵 경기를 전국적으로 TV 방영하게 되었다는 것이다.

사정이 이러했다면 김정일로서는 더 이상 방치할 수 없었다고 할 것이다. 즉, ‘아무리 우리(북한)가 동포애로 남한팀을 응원해도 남한의 「군부 강경파」들은 얼마든지 우리의 뒤통수를 때릴 수 있다’는 것을 보여줄 필요가 있었기에 서둘러 총풍공작을 기획했다는 것이다. 그런 점에서 서해도발 직후에 북한당국이 다음과 같은 억지 주장을 한 것도 우연은 아니라고 할 것이다.

“이번 사건은 철저히 남조선 군부의 계획적인 군사적 도발행위이다. 최근에만도 남조선군은 거의 매일 같이 전투 함선들과 어선들을 우리측 영해 깊이 침투시켰으며 우리 해군 경비함들이 출동하면 일단 물러나는 척하면서 이 수역의 정세를 긴장시켜 왔다...”

이상과 같은 점으로 미루어 볼 때 서해도발은 우리의 햇볕정책 성과와 그에 따른 북한의 대응책을 평가할 수 있는 좋은 사례라고 할 것이다. 즉, 북한 주민들은 물론 북한군인들 사이에서도 대남적개심이 녹아내리면 내릴수록 김정일을 비롯한 북한내 핵심계층은 심각한 위기의식을 느끼게 됨에 따라, 북한의 대남군사도발은 그만큼 더 격화될 수밖에 없음을 보여주는 좋은 사례라는 것이다. 그런 점에서 우리의 햇볕정책이 한창 추진되던 지난 1999년 4월, 김정일이 조총련 간부에게 다음과 같이 언급한 것은 중요한 의미가 있는 것이다.

“나는 동무들에게 ‘우경 투항 노선’을 취하라고 말하는 게 아니다. 단지 사업 방법에 있어서 이런저런 길을 많이 만들어야 한다는 것이다. 이게 공산주의자의 전술이다...개량주의 외피를 쓰되 내적으로는 우리들의 기본 임무를 수행함으로써 내실을 충실하게 하면 된다. 총련이 우경화하고 있다. 김정일 장군이 개량주의가 됐다는 식의 말이 적들 사이에 나돌아도 상관없다. 지금 정세에선 적기(赤旗)를 마음속에 숨겨두고 앞에 내세워선 안 된다. 적기는 언제든지 꺼내들 수 있다.”

그리고 10년 가까운 세월이 흘렀다면 지금쯤 김정일은 무슨 생각을 하고 있을까...

Ⅲ.「남침 임박론」의 근거

그렇다면 남침이 임박했다는 것인가.
결론부터 말한다면 ‘그렇다’고 할 수 있다. 남침이 임박했다고 주장할 수 있는 근거는 단 한 가지, 김정일이 이미 남침을 결심한 상태라는 데에 있다. 북한이 남침할 것이냐 여부는 사실상 김정일 단 한사람의 남침 결심에 따라 결정될 수밖에 없는 한반도의 특수 상황을 감안한다면, 오늘날의 안보 상황을 판단함에 있어 가장 중요한 요소는, 남북한 군사력과 경제력의 비교?분석 등과 같은 복잡한 통계나 이론이 아니라, 김정일이 남침을 결심했느냐 여부라는 것이다. 바로 이러한 맥락에서 김정일이 지난 2000년 8월 방북 중인 우리 언론인들에게 다음과 같이 언급한 적이 있음에 주목해야 할 것이다.

“통일 시기는 내가 마음먹기에 달려 있으며 이런 표현은 높은 지위에 있는 사람들이 쓸 수 있는 말입니다... 남북합의를 모두가 힘을 합쳐서 이행하면 되지 이런 저런 복잡한 이야기나 늘어놓으면 통일이 안 되기 때문에 범민련이나 한총련과 같은 단체들의 행사는 하지 말도록 지시했습니다...”

그렇다면 김정일이 남침을 결심했는지 여부를 어떻게 알 수 있을까.
이와 관련해서는 제2차 핵위기가 시작되었던 지난 2002년 10월의 상황을 되돌아볼 필요가 있다. 왜냐하면 당시 북한이 ‘주한미군 철수’(조-미 불가침조약)를 요구하면서 핵보유를 선언(핵시인)했던 때는, 미국이 이라크 공격을 위해 군사력을 한창 중동지역에 집결시키던 시기였기 때문이다.

1. 이라크 戰과 맞물린 핵도박

북한이 핵 시인(2002.10)을 하기 직전인 2002년 8월, 북한군 지휘부가 다음과 같은 ‘軍官 강연 자료’(장교용 정훈교육 자료)를 배포한 사실을 주목해야 할 것이다.

『얼마 전 부시 놈은 백악관에서 〈위협국가(악의 축)〉들에 대해서는 선제타격을 가할 것이며 주동적인 선제타격은 미국의 새로운 군사교리로 될 것이라고 제쳤다... 미제는 〈9.11 사건〉에서 반미적인 나라들을 없애치울 수 있는 구실을 찾았다. 미제는 선제타격에서 첫 시험 대상으로 이라크를 지목했다... 외신은 빠르면 올가을에, 늦으면 래년(2003년) 1, 2월에 이라크에 대한 공격작전이 진행될 것으로 보고 있다. 이것은 현 이라크 사태가 일촉즉발의 위기에 놓여있다는 것을 보여주고 있다. 이라크 다음 타격 목표는 우리나라로 될 수 있다...』

관련 자료는 미국이 빠르면 2002년 가을에, 늦으면 2003년 1, 2월에 이라크를 공격할 것이라는 점과, 이라크 다음은 북한 차례가 될 것임을 북한군 장교들에게 강조하고 있다는 점에서 중요하다. 왜냐하면 이는 어차피 미국의 다음 목표가 될 운명이라면 공격당할 때까지 기다리기보다는 차라리 선제 남침하는 것이 낫다는 점을 은연중 암시하고 있기 때문이다. 같은 맥락에서 북한이 핵도박의 D-Day로 2002년 10월 4일을 선택한 것도 미국의 이라크 공격 준비와 연결시켜서 생각해 볼 필요가 있다. 왜냐하면 당시는 부시 대통령이 이라크 공격과 관련하여 상하원 지도자들로부터 지지를 획득(10.2)한 직후였기 때문이다. 즉, 미국의 이라크 공격이 기정사실로 굳어진 직후에 북한이 핵보유 선언과 함께 주한미군 철수를 요구했다는 것이다. 따라서 당시 북한의 핵시인은 남침에 앞선 사전 포석으로 보아야 한다는 것이다. 즉, 미국이 ‘주한미군철수’를 이행해주면 더 없이 좋겠지만, 설령 거부하더라도 일단 핵보유를 선언한 상태에서 남침을 한다면 미국도 섣불리 군사개입을 하지 못할 것이라는 나름대로의 계산에 따른 행동이었다는 것이다. 특히 미국의 이라크 공격 직전에 북한이 사실상의 총동원 체제를 가동했다가 바그다드 함락(2003.4.9) 직후부터 단계적으로 해제한 사실에 비춰보면 그 가능성은 더욱 높은 것이다. 바로 이상과 같은 이유에서 지난 2002년 10월 북한의 핵시인은, 미국의 이라크 공격을 기화로 남침하려던 북한의 ‘기획도발’로 보아야 할 것이다. 게다가 핵 시인을 전후하여 김정일이 다음과 같은 동향을 보인 적이 있다면 더 말할 나위가 없다.

● 경의선 및 동해선 연결

우선 당시에 김정일이 방북한 남한 인사들에게 다음과 같이 동해선 연결을 제의한 적이 있음을 주목해야 할 것이다.

“동해선도 연결하자, 서쪽(경의선)과 동쪽(동해선) 두 축선의 철도와 도로를 연결함으로써 김대중 대통령이 항상 주장하는 한반도를 물류 중심지로 만들뿐만 아니라 한반도 평화정착에도 기여할 것이다”(우리 대통령 특사에게 한 말)

“(이산가족 상설 면회소 설치 제의에 대해) 맞다. 그런데 조건이 있다. 동해선 철도 연결에 남쪽에서 합의해 줘야 한다.”(남한의 유력 정치인에게 한 말)

이중 김정일이 이산가족 면회소 설치 조건으로 동해선 연결을 제의한 대목은, 그가 얼마나 동해선 연결에 집착하고 있었는지를 보여주는 단서라고 할 것이다. 왜냐하면 이산가족 면회소 설치 문제는 북한이 지난 1990년대 초부터 자신들이 원하는 조건을 관철시키려 할 때마다 ‘전가의 보도’처럼 휘둘러왔던 카드이기 때문이다. 일례로 북한은 지난 1992년, 동구권 붕괴에 따른 주민들의 사상적 동요를 막기 위한 홍보자료로 활용할 목적으로 이인모씨(비전향 장기수) 송환을 요구할 때에도 이산가족면회소 설치 문제를 약속한 적이 있는 것이다.

이러한 전례에 비추어 보면, 김정일이 동해선 연결, 보다 구체적으로는 동부 전선의 지뢰를 제거하는데 얼마나 관심을 갖고 있었는지 알 수 있는 것이다. 이미 경의선 철도 연결을 명분으로 서부전선의 지뢰 문제를 매듭지었기에 남아 있는 동부전선의 지뢰마저 제거하기 위해 또 다시 면회소 카드를 꺼내 들었다는 것이다.

● 서해도발-우리의 방어태세 점검

서해도발 역시 1차적인 목적은 체제단속에 있었지만 다른 한편으로는 남한의 방어태세를 점검하려는 데에도 목적이 있었다는 것이다. 즉, 김정일로서는 6.15 남북정상회담을 통해 우리 대통령 일행을 기만했지만, 이러한 기만 효과가 실전에서 어떻게 나타날지를 사전에 점검할 필요가 있었기에 도발을 자행했다는 것이다. 게다가 우리 정부가 실제로 ‘우발적인 충돌’로 평가하는 모습을 보여주자 김정일은 더욱 확신을 가지고 남침 준비에 매진할 수 있었는데, 다음은 당시 김정일의 남침 준비를 보여주는 기사내용이다.

『(2002년 7월) 7일 정부 당국에 따르면 김정일 국방위원장은... 올 들어 지금까지 모두 10여 차례 군사 훈련에 참관했다. 이는 2000년에 2회, 2001년 9회를 앞지른 것으로... 정부의 한 관계자는 “김정일 국방위원장의 군부대 현지지도 방식이 과거에는 부대 소요 물자 지원 등 군심(軍心) 다지기 측면이 강했으나, 최근에는 부대의 전투준비 태세 점검 등에 중점을 두고 있는 것으로 분석된다”고 설명했다』

● 전력 증산 박차

또한 북한은 전력 증산에도 박차를 가했다. 그 결과 2002년 8월 현재 동평양 화력 발전소(50만 kw) 등이 “조업이래” 최고의 생산량을 기록했다고 한다. 거의 대부분의 산업시설이 전기에 의해 작동될 뿐만 아니라, 특히 북한의 주요 수송 수단인 기차가 전기로 움직인다는 사실에 비추어 볼 때 2002년에 북한의 전기 생산량이 “지난해 같은 기간과 비교해 83%나 더 생산하는 성과를 거두었다”는 것은 예사롭지 않은 것이다. 게다가 같은 기간 중에 특별히 민간경제가 활성화된 것도 아니기에 더욱 그러하다.

● 화려한 개혁개방 쇼

뿐만 아니라 핵시인(2002.10) 직전인 2002년 9월 들어 북한이 갑자기 소나기식의 개혁개방(?) 조치 등을 취한 것도 비정상적이다. 기간 중에 북한은 신의주 특구 발표(9.12), 북-일 정상회담(9.17) 등과 같은, 과거에는 상상하기 힘든 획기적인 조치들을 단행했던 것이다. 그 결과 2002년 9월의 경우 거의 매일같이 남북한간 교류행사(총 13건)가 벌어질 정도였다. 불과 석달 전만 해도 서해도발을 자행하는 등 남북 관계에 소극적이던 북한이 갑자기 9월 들어 적극성을 보이기 시작했던 것이다. 그러자 당시 일부 국내외 전문가들은 북한이 일본의 식민 통치 배상금 50-100억 달러를 받아서 조만간 본격적인 개혁개방 정책을 추진할 것이라며 흥분을 감추지 못하기도 했다.

● 사실상의 총동원 체제 가동

그리고 북한은 곧바로 핵보유를 선언(핵시인)한 데 이어 사실상의 총동원 체제에 돌입하였다. 우선 북한의 공식 매체들이 2003년 1월, 신년사설을 통해 ‘올해는... 대담한 공격전의 해, 거창한 변혁의 해’가 될 것이라고 주장했다. 물론 북한은 매년 비슷한 투의 주장을 해오기는 했으나, ‘대담한 공격전의 해’, 또는 ‘거창한 변혁의 해’와 같은 주장은 그 이전에는 좀처럼 사용하지 않았던 표현이라는 점에서 특이하며, 과거 6.25 전에도 김일성이 신년사를 통해 “1950년 새해를 맞이하여... 국토 완정, 조국 통일을 위한 새 승리를 향해 매진하자”고 선포한 전례가 있기에 더욱 그러하다. 그리고 2003년 2월 김영춘 총참모장이 직접 전체 장병들에게 미국과의 결전에 대비, 사생결단의 각오로 만반의 준비를 갖춰야 한다고 훈시한 것을 계기로 정규군 물론 노농적위대까지 동원되어 매일 사격 훈련을 실시했다고 한다. 다음은 당시 북한 내부 상황(2003.2)을 보여주는 BBC 보도 내용이다.

『〈전쟁공포로 가득차 있는 평양〉〈BBC〉
북한은 불안의 도시이다. 아침과 저녁마다 공습 사이렌이 울리고 지붕 위의 확성기에서는 행동요령을 지시하는 고성이 울려 퍼진다. 밤이 되면 등화관제 훈련이 실시된다. 평양은 현재 전시는 아니며 폭탄이 떨어지는 것도 아니다. 그러나 전쟁은 시간문제일 뿐이라는 분위기이다. 거대한 포스터들이 시내의 공공 게시판을 뒤덮고 있다. 게시판 속의 북한 병사들은 눈을 부릅뜨면서 “적을 섬멸하는 신성한 전투”에 나설 것을 촉구한다. 리병갑 외무성 부국장은 “선제공격은 미국만 할 수 있는 것이 아니다. 우리도 할 수 있다. 죽기 아니면 살기의 문제다”라고 답변했다...』

이처럼 북한은 당시에 남침 준비에 광분하다시피 했지만 끝내 남침 기회를 잡지는 못했는데, 이는 무엇보다도 미국이 공격 개시후 불과 약 3주 만에, 그것도 별다른 피해 없이 바그다드 점령에 성공했기 때문으로 보인다.

물론 미국이 이라크 공격 직전인 2002년 12월, ‘이라크와 북한 등 2개 지역에서 동시에 전쟁을 수행할 수 있다’며 북한에게 경고 메시지를 보낸데 이어 항공모함 칼빈슨 호 및 F-117A 스텔스 전폭기를 한반도에 파견한 것 등도 일조를 했다고 할 것이다.

2. 또 다시 반복되는「김정일의 오판」

결과적으로 당시의 핵시인은 김정일의 오판에서 비롯된 것이며, 그러한 오판의 대가로서 북한은, 그 동안 ‘제네바 핵합의’에 따라 제공받던 중유공급이 중단되는 상황을 맞게 되었다. 참고로 중유 50만 톤의 경제적 가치는 2억불로서 이는 북한 예산(30억불)의 7%에 해당된다고 한다. 이러한 배경에서 북한이 바그다드 함락(2003.4.9) 직후인 2003년 4월 23일 개최된 베이징 3자 회담(북-중-미)에 참석, ‘중유공급 재개’를 핵문제 해결을 위한 최우선 과제라고 요구한 사실을 주목해야 하는 것이다. 왜냐하면 핵문제와 관련한 북한 입장이, 핵시인 당시의「중유공급 중단 불사(오직 불가침조약체결)」에서 「先 중유공급 재개, 後 불가침조약체결」로 바뀌었기 때문이다. 뿐만 아니라 이러한 북한의 입장은 이후의 6자회담(3자회담에 한-러-일 등 3국 참여) 기간 중에도 일관되었는데, 이는 결국 차기 남침 기회가 올 때까지 전략물자인 중유를 계속 공급받으려는 계산에서 비롯된 것이라고 하겠다. 하지만 미국의 입장이 강경했던 것이다. 더 이상 과거 ‘제네바 핵합의’와 같이 ‘핵동결’ 조건으로는 중유공급을 해 줄 수 없다는 것이었다. 중유공급을 받으려면 ‘즉각적인 핵 폐기’를 약속해야 한다는 것이었다. 이 때문에 이후의 6자회담은 「핵동결 對 중유공급」을 주장했던 북한의 입장과 「핵 폐기 對 중유공급」을 주장했던 미국 입장이 정면충돌함으로써 공전(空轉)을 거듭할 수밖에 없었다.

그리고 이러한 북-미간의 대립양상은 지난 2007년 2월에 개최된 6자회담에서 ‘2.13합의’를 채택함으로써 새로운 국면을 맞게 되었다. ‘2.13합의’란 북한과 미국의 입장을 절충한 것으로서, 핵동결보다는 핵폐기 쪽으로 더 진전되긴 했지만, 그렇다고 해서 핵폐기를 하는 것은 아닌 중간 조치, 즉 북한이 핵불능화와 핵신고를 이행하는 조건으로, 미국 등 5개국이 중유 100만톤에 상당하는 에너지 및 설비 등을 북한에 제공하기로 한 것이다. ‘핵불능화’란 단순히 핵시설 가동을 중단(핵동결)하는 데에서 그치는 것이 아니라, 향후에 북한이 재가동을 하려면 최소한 1년 정도의 수리기간이 소요될 정도로 ‘크게 고장내는’ 조치를 말하며, ‘핵신고’란 핵불능화 완료 이후에 곧바로 다음 단계인 핵폐기로 이행하기 위한 준비조치로서 플루토늄 등 폐기 대상 핵목록을 사전에 신고하는 것을 말한다. 이와 같은 ‘2.13합의’를 계기로 그 동안 북한은 냉각탑 폭파 등 불능화 작업을 진행시키는 가운데 자신들이 보유한 핵물질 등에 대한 신고서도 제출(2008.6)했다. 이에 부응해서 미국 등 관련국들도 북한에 대한 테러지원국 해제와 함께 일정량의 중유 제공을 하는 등 비교적 원만한 진행을 보여 주었던 것이다. 그런 가운데 미국은 지난 베이징 6자회담을 통해 북한이 제조한 핵물질에 대한 시료채취를 요구했던 것이다. 채취한 시료에 대해 과학적 분석을 할 경우 지난 1990년대 초반의 제1차 핵위기 당시부터 오늘날에 이르기까지 북핵 문제와 관련한 의혹을 거의 대부분 규명할 수 있기 때문이다. 같은 이유에서 북한은 시료채취를 강력히 반대했으며 그 결과 6자회담이 결렬되었던 것이다. 참고로 북한은 그 동안 30kg의 플루토늄만을 추출했다고 신고(2008.6)한 데 반해, 미국은 북한이 50kg 정도의 플루토늄을 추출한 것으로 보고, 이러한 차이를 규명하기 위해 시료채취를 요구하고 나서게 된 것이다.

그런 점에서 보면 오늘날의 상황은 지난 1990년대초의 제1차 핵위기 때와 매우 흡사하게 전개되고 있다고 할 것이다. 당시에도 북한은 국제원자력기구(IAEA)에 90g의 플루토늄만을 추출했다고 신고했으며, 이에 대해 미국과 IAEA는 최소한 10kg 정도의 플루토늄을 추출한 것으로 의심하면서 북한의 신고내용에 대한 검증작업(특별사찰)을 요구하고 나섰기 때문이다. 그러자 북한은 ‘일전불사’ 운운하면서 IAEA 탈퇴를 강행했고, 이에 미국은 북폭(北暴)을 결정하기에 이르렀는데, 다음은 당시 상황에 대한 김영삼 전 대통령의 회고록 내용이다.

『한반도가 일촉즉발의 위기 상황으로 치닫고 있을 때의 일이었다. (1994년) 6월16일 오전 안보수석으로부터 내게 이런 보고가 올라왔다. “레이니 주한 대사가 내일 기자회견을 합니다.” 그 내용인즉 ‘회견직후 주한 미군 가족과 민간인 및 대사관 가족을 서울에서 철수시킨다’는 것이었다. 나는 깜짝 놀랐다. 미군 가족이나 대사관 직원들을 철수시키는 것은 미국이 전쟁 일보 직전에 취하는 조치였다... 더욱이 레이니 대사도 딸과 손자 손녀에게 한국을 떠나라고 지시해 두었다는 것이었다.

나는 미국이 북한의 핵무기 개발을 막기 위해 유사시 영변을 폭격 할 계획을 세워 놓았다는 것을 사전에 알고 있었다. 항공모함과 순양함이 북폭에 대비해 동해안에 접근해 있었다. 영변과 평양은 대대적인 미군 폭격기의 공습과 함포 사격의 사정권 안에 놓여 있었다. 하지만 미군의 폭격이 이뤄질 경우 그 즉시 북한은 휴전선 가까이 전진 배치되어 있는 엄청난 규모의 화력을 남한을 향해 쏟아 부을 것이 불을 보듯 뻔했다. 그 날 새벽 미국의 클린턴 대통령으로부터 전화가 걸려왔다. 나는 클린턴 대통령에게 거세게 몰아붙였다. “내가 대통령으로 있는 이상 우리 60만 군대는 한 명도 못 움직입니다. 한반도를 전쟁터로 만드는 것은 절대 안 됩니다.”... 나는 지금도 1994년 북핵 위기 해소의 커다란 공이 카터 대통령에게 있다고 생각한다.』

실제로 그 당시 미국의 북폭 의지는 확고했다고 한다. 즉, 빌 클린턴 대통령은 “전쟁 위험을 무릅쓰고라도 제재 의사(北爆)를 철회할 생각이 없었다”고 할 정도로 단호했던 것이다. 이 때문에 그 당시 미국정부는 주한미군을 증강시키는 한편 한국내 미국인들의 소개(疏開) 계획을 수립한 데 이어 서울의 외국인 학교도 조기방학토록 했다고 한다. 그렇다면 그 반대편에 있는 북한의 전쟁 의지는 얼마나 강력했을까. 다음은 이와 관련한 황장엽 전 비서의 회고록 내용이다.

『핵사찰을 받지 않는다는 문제로 미국과의 갈등이 첨예해지자, 북한은 준전시사태를 선포했다가 해제했다. 김정일은 핵문제 협상에서 자신의 강경한 ‘벼랑 끝 전술’이 승리했다고 떠들어댔지만, 미국이 전쟁을 피한 것은 현명한 조치였다고 나는 생각한다. 왜냐하면 그 때 북한은 전쟁을 하면 했지 미국의 압력에는 굴복하지 않으려는 분위기가 조성되어 있었기 때문이다』

당시 북한이 ‘전쟁불사’를 주장했던 것도 단순한 허풍이 아니라 실제로 전쟁을 각오한 행동이었다는 것이다. 즉, 당시에 카터 전 대통령의 극적인 중재가 없었더라면 ‘제2의 한국 전쟁’이 불가피했음을 알 수 있는 것이다.

이와 같은 전례에 비춰본다면 북한이 이제 와서, 그것도 핵무기까지 보유한 것으로 추정되는 상황에서 미국의 핵사찰 압박에 굴복할 이유는 더욱 없다고 할 것이다. 그렇다면 이번에 북한이 시료채취 등 검증체계를 거부한 것도 일전불사를 각오했기 때문이라는 것인가. 바로 이러한 배경에서 작금의 국제정세가, 북한이 핵시인을 했던 지난 2002년과 비슷하게 전개되고 있음을 주목해야 할 것이다. 즉, 오늘날에는 이라크 대신 이란의 핵문제가 불거지기 시작했다는 것이다. 이란의 핵개발 문제가 지속되고 있는 한 미국으로서는 중동지역의 미군을 한반도로 돌리기가 쉽지 않다는 것이다. 게다가 미국은 지난 6년간 이라크 치안을 관리하는 과정에서 상당한 인명 피해와 함께 엄청난 재정적 손실을 입은 데다, 최근에는 아프간의 치안상태마저 악화일로로 치닫고 있기에 미국으로서는 섣불리 또 다른 전쟁을 벌이기가 쉽지 않은 것이다. 또한 미국이 정권교체(2009.1.20)를 앞두고 있는 점도 김정일로서는 뿌리치기 힘든 유혹이라고 할 것이다. 즉, 임기 말의 부시 대통령이나 아직 취임하지 않은 버락 오바마 당선자 모두 또 다른 전쟁을 결심하기가 쉽지 않을 것이기 때문이다. 반면에 북한으로서는 이미 얻을 수 있는 중유를 거의 다 얻은 상황이기에 남침 시기를 더 이상 늦출 이유가 없다는 것이다. 그런 점에서 북한이 검증체계를 거부한 시점은, 이미 50-60만 톤 가까운 중유를 공급받은 직후였음을 주목해야 할 것이다. 즉, 핵 검증체계를 받아들일 생각이 없는 북한이라면, 더 이상 중유공급을 요구하기가 곤란한 때였다는 것이다. 추가적인 에너지 지원을 요청할 경우, 본격적인 핵사찰 압력이 본격화될 것으로 충분히 예상할 수 있었던 시기였다는 것이다. 바로 이러한 배경에서 최근 ‘김정일 와병설’이 유포되고 있음을 주목해야 하는 것이다. 왜냐하면 이는 남침에 앞서 자신의 정확한 위치를 숨기기 위한 것(미국의 미사일 공격을 피할 목적)일 가능성이 높기 때문이다. 이러한 분석은 지난 2003년 초 김정일이 남침을 결심했을 때에도, 미국의 이라크 공격(2002.3.20)이 임박했던 2003년 2월12일부터 바그다드 함락(2003.4.9)을 전후한 기간 동안 잠적했던 전례를 바탕으로 하고 있다. 그런 점에서 ‘와병설’과 관련 다음과 같은 의문점이 발견되는 것도 우연은 아니라고 할 것이다.

첫째, 입수되는 첩보의 내용이 지나칠 정도로 생생하다는 것이다. “일부 마비 증세는 있지만 언어 장애는 없다”, “양치질을 할 수 있는 정도” 등과 같이 입수되는 정보가 너무도 생생하기 때문이다. 아무리 미국이 제공한 것이라 할지라도 관련 첩보는 북한이 고의로 흘려준 기만정보(disinformation)일 가능성을 점검할 필요가 있다는 것이다. 9.11 테러에 이어 이라크의 대량살상무기와 관련해서도 연속적인 정보실패를 겪었던 미 CIA 등이, 이라크 보다 더 폐쇄적인 북한에 대해서만 그토록 정확한 정보출처를 구축했다는 것 자체가 비논리적이기 때문이다. 그런 점에서 김정일을 ‘직접’ 치료한 것으로 알려진 프랑스 뇌신경 전문의가 “다른 프랑스와 독일 의사들과 마찬가지로 여러 차례 방북했지만 지도자를 본 적은 없다”고 주장한 것은 중요한 의미가 있다고 할 것이다.

둘째, 김정일의 건강과 관련된 민감한 정보가 정체불명의 ‘북경 소식통’을 통해 지속적으로 유포되고 있는 것도 비정상적이지만 그보다는 김정남까지 나서서 “세월은 속일 수 없는 것 같다”며 와병설을 간접 시인한 것은 북한 체제상 있을 수 없는 일이기 때문이다. 장남일 뿐만 아니라 유력한 권력계승자 중의 한 사람이라면 당연히 와병중인 아버지의 곁을 끝까지 지킴으로써 충성심을 보여주어야 마땅함에도 한가롭게 북경의 호텔을 전전하면서 아버지의 건강 이상설이나 확인시켜줌으로써 북한의 공식입장을 부정하는 행위는, 북한과 같은 왕조체제 하에서는 불경스럽기 짝이 없는 행동이라는 것이다. 그렇다고 해서 와병설 자체가 전혀 근거 없다는 것은 아니다. 왜냐하면 와병설이 그토록 확산될 때에는 나름대로의 근거가 충분히 있었을 것이기 때문이다. 하지만 중요한 것은, 와병설이 사실일 경우에도, 발병 사실보다는 발병 원인이라는 것이다. 즉, 평생 안일한 생활을 해온 김정일이 자신의 목숨이 걸린 전쟁을 결심하는 과정에서 지나칠 정도로 고심한 나머지 일시적인 경련 현상이 발생했을 가능성도 검토할 필요가 있다는 것이다. 게다가 그의 아버지 김일성이 지난 1994년 남북정상회담을 앞두고 지나칠 정도로 신경을 쓴 나머지 과로사한 전례에 비춰보면 그럴 가능성은 얼마든지 있을 것이다. 바로 이러한 배경에서 최근 들어 북한이 다음과 같이 위기지수를 점차 높여왔음에 주목해야 하는 것이다.

● 2008년 10월 9일 북한 인민군 해군사령부는 우리 해군이 ‘북한 영해’(NLL)를 잇따라 침범하고 있다면서 “서해상에서는 언제 제3의 서해교전, 제2의 6.25 전쟁의 불씨가 튈지 모를 일촉즉발의 위험천만한 정세가 조성되고 있다”고 경고

● 2008년 10월 28일 북한 군부는 6.15 공동선언과 10.4 남북정상선언의 이행을 촉구하면서 남측이 조금이라도 선제타격하려 할 경우 “핵무기보다 더 위력적인 타격수단에 의거한 상상 밖의 선제타격으로 불바다 정도가 아니라 반민족 반통일적인 모든 것을 잿더미로 만들고 그 위에 통일조국을 세우는 타격전이 될 것”이라고 경고

● 2008년 12월 1일 북한은 개성공단을 제외한 남북교류전면 차단 조치

● 2009 1월 북한의 공식매체들이 신년 공동사설을 통해 “북남대결에 미쳐 날뛰는 남조선 집권세력의 무분별한 책동”에 대해 맹비난하는 가운데 김정일은 신년 첫 공개 활동으로 6.25 당시 서울에 최초 입성했던 부대인 ‘근위서울 류경수 제105 탱크 사단’을 방문, “군대를 필승불패의 혁명 무력으로 더욱 강화발전시킬” 과업을 제시

Ⅳ. 북한의 남침 능력 여부

그렇다면 과연 북한은 남침 능력이 있다는 것인가.

흔히들 북한은 경제난과 군사 장비 노후화 등으로 이미 남침능력을 상실했다는 주장을 한다. 하지만 역사상 국력이 열세인 나라가 전쟁을 일으킨 사례가 없지 않기에 단지 객관적인 전력만을 바탕으로 침략 여부를 판단하는 것은 속단이라고 할 것이다. 그 대표적 사례가 진주만 기습인데, 그 당시에도 일본의 객관적인 전력은 결코 미국의 상대가 될 수 없었으며, 이러한 사실은 일본도 잘 알고 있었다. 하지만 일본으로서는 미국의 경제봉쇄로 인해 달리 돌파구가 없었기에 전쟁을 선택했던 것이며, 일단 전쟁을 결심하게 되자 ‘국력 열세’를 극복하기 위해 극단적인 기습방법을 모색하게 되었던 것이다. 즉, 선제기습을 통해 상대에게 치명타를 가해야만 승산이 있다고 보았기에 미 해군의 심장부인 진주만을 공격목표로 설정했던 것이다.

반면에 미국은 후진국 일본이 감히 전쟁을 일으킬 수 없다고 보았으며 설령 전쟁을 일으킨다하더라도 진주만은 절대 공격 대상이 될 수 없다고 확신했다. 미국식 ‘합리주의’에 따르면 일본의 낙후된 해군력으로 태평양을 횡단하는 것과 같은 원양(遠洋) 작전은 무모할 뿐만 아니라 불가능한 일이었기 때문이다. 하지만 전체주의 국가 일본은, 비록 기술 후진국이었다 할지라도, 국가목표 달성을 위해 필요한 기술과 자원을 집중시킴으로써 진주만 기습을 성공시킬 수 있었던 것이다. 같은 맥락에서 북한의 김정일도 승산이 확실해서가 아니라 적화통일 이외에는 달리 돌파구가 없기에 남침을 결심하게 된 것이며, 일단 남침을 감행할 때에는 낙후된 경제력과 군사력을 일거에 만회하기 위해서라도 극단적인 공격방법을 모색할 가능성이 있다는 것이다. 바로 이러한 배경에서 우리는 김정일이 상상을 초월하는 방법으로 우리의 심장부를 공격할 가능성을 검토해야 한다는 것이다.

1. 남침의 필요조건-장거리 지하터널

북한의 남침 전략은 소위 ‘3일 전쟁’ 또는 ‘3단계 7일 작전’ 등과 같이 ‘단기속전속결원칙’을 바탕으로 하고 있다. 즉, 북한은 개전과 동시에 전후방에 대한 무차별 공격을 감행하는 한편 기계화 부대를 신속히 부산까지 남진시킴으로써 美 증원군의 도착 이전에 한반도 전역을 장악하려는 전략을 갖고 있다는 것이다.

하지만 어떻게 북한이, 그것도 한-미 연합군에 비해 상대적으로 열악한 화력과 낙후된 기동력을 가진 군대로, 남한 전체를 3-7일 만에 점령하겠다는 것인가. 게다가 오늘날은 한-미 연합군이 24시간 공중감시체제를 유지하고 있는 관계로 6.25 때와 같은 기습남침이 거의 불가능하기에 더욱 그러하다.

이와 관련 강릉 잠수함 침투 사건(1996.9)을 주목할 필요가 있다. 당시 군 당국의 발표에 따르면 북한 잠수함은 어뢰를 제거하고 그 자리에 병력을 승선시킬 수 있도록 구조를 개조했다고 한다. 즉, 북한제 잠수함은 수중전투용이 아니라 특수부대원들을 우리의 동-서-남해안에 기습 상륙시키기 위한 병력수송용이라는 것이다. 그렇다면 북한은 자신들이 보유하고 있는 약 100여척 이상의 잠수함 및 잠수정을 동원, 약 2-3천명의 특수부대원들을 우리의 해안지대에 상륙시킬 수 있을 것이다. 강릉 무장공비 사건(잠수함 좌초 당시 탑승해 있던 북한특수부대원들이 상륙함으로써 발생) 당시 15명의 공비를 잡느라고 무려 4만 여명의 우리 군이 동원되었던 점에 비추어 보면, 북한 특수부대원 2-3천명이 야음을 틈타 일거에 우리의 해안으로 상륙할 경우, 최소한 항구 등을 포함한 주요 해안 지역을 기습, 단기간에 점령하는 것이 전혀 불가능한 일만은 아니라고 할 것이다.

그런 점에서 강릉 잠수함 사건은, 북한이 한-미 연합군의 공중감시체계를 우회하기 위해 물속을 통한 기습방안을 적극 모색해 왔음을 보여주는 단서라고 할 것이다. 하지만 잠수함 등을 이용한 기습 방법은, 해안 지대에만 국한될 수밖에 없다는 한계가 있다. 잠수함을 이용해서 상륙시킬 수 있는 병력은 기본적으로 소규모의 경보병일 수밖에 없기에 그들의 작전 반경은 제한적일 수밖에 없는 것이다.

그렇다면 김정일은 내륙지역에 대해서는 어떠한 기습대책을 수립해놓았을까. 즉, 지상 작전의 경우에도 한-미 연합군의 공중감시체계를 우회하여 기습할 수 있는 방법이 있다는 것인가. 이와 관련 우리 국민들은 제일 먼저 남침용 땅굴을 떠올릴 것이다. 하지만 기존에 발견된 땅굴은 모두 길이 4km 정도의 단거리 땅굴로서 휴전선 돌파용에 불과하다는 한계가 있음을 직시해야 할 것이다. 게다가 기존의 땅굴 경우, 비록 우리 군이 모두 찾아내지는 못했을지라도 최소한 개략적인 땅굴의 출구 위치를 짐작하고 있기에 기습수단으로서의 효능을 거의 상실한 상태이다. 그렇다면 북한으로서는 우리 군이 상상할 수 없을 정도의 획기적인 땅굴을 ‘통 크게’ 굴착할 가능성이 있다고 할 것이다. 바로 이러한 배경에서 북한의 남침용 땅굴이 우리의 후방 깊숙한 지역에까지 들어와 있을 가능성을 검토할 필요가 있는 것이다. 그런 점에서 지난 1980년대 후반부터 김포 및 연천에 거주하는 일부 주민들이 ‘땅 속에서 돌 깨는 듯한 소리가 들린다’는 신고를 했으며, 이를 계기로 상당수의 민간인들이 북한의 장거리 땅굴 탐사에 매진해 온 사실을 주목해야 하는 것이다. 그들 중 보안사 부사관 출신인 故 정지용씨(2002.12사망, 이하 亡者에 대한 존칭 생략)가 대표적 인물인데, 그는 현역 재직 중이던 1980년대 말 우연히 땅굴 관련 제보를 받게 된 것을 계기로 숨질 때까지 북한의 장거리 땅굴 찾기에 매진했던 사람이다.

그리고 생전의 정씨는 땅 속에서 들리는 ‘TBM 소리’는 물론 심지어 ‘북한 말투의 사람 목소리’까지 녹음하는 등의 성과를 올리기도 했다. 정씨가 땅속의 소리를 녹음한 방법은 지극히 간단한데, 이는 통상적으로 지상에서 가수(歌手)의 목소리 등을 녹음할 때 사용하는 방법을 그대로 지하 세계에 적용시킨 것이나 마찬가지라고 할 수 있다. 가수의 목소리 등을 생생하게 녹음하려면 마이크를 최대한 가수의 입 근처에 위치시켜야 하듯이, 정지용씨도 녹음기 마이크(청음기라고도 함)를 최대한 지하갱도 가까이에 위치시키려고 노력했던 것이다. 즉, 이상 징후가 발견된 지역의 땅속으로 지하수 개발용 시추기로 구멍(시추공)을 뚫은 다음, 해당 시추공 속에 마이크(지상의 녹음기와 연결된 것)를 설치했던 것이다.

이 때문에 정씨 녹음테이프 음질은 정씨가 ‘소리의 발원지’(지하 땅굴)에 얼마나 가까이 마이크를 위치시킬 수 있느냐에 따라 좌우되었다. 그런데 지하 100m 이하 지역에 위치한 ‘소리의 발원지’(땅굴)를 지상의 시추작업으로 정확히 관통(시추봉이 갱도를 뚫는 현상)하는 것은 기술적으로 불가능에 가깝다고 한다. 이 때문에 대개의 경우 정씨의 시추공은 지하 갱도로부터 상당히 멀리 떨어진 곳에 위치하게 되었고, 그 결과 정씨 녹음테이프의 소리는 그냥 들어서는 그 의미를 알 수 없을 정도로 음질이 나빴다고 한다. 왜냐하면 해당 소리는 음원(땅굴)에서 출발하여 상당한 두께의 지하 암반을 통과한 다음에, 시추공 속에 위치한 마이크에 도달한 것이기 때문이다. 하지만 간혹 일부 테이프에는 매우 선명한 기계소리와 사람목소리 등이 녹음된 것도 있었다고 한다. 즉, 마이크(청음기)를 지하갱도 바로 근처에 위치시키는데 성공했음을 의미하는 것이다. 하지만 이에 대해서도 국방부가 ‘조작된 것’이라며 그 가능성을 일축함에 따라 정씨의 노력은 끝내 결실을 맺지 못했다. 그렇다할지라도 정씨는 장거리 땅굴의 진실을 규명함에 있어 중요한 교두보를 마련했는데, 이는 그가 지난 1992년 월간조선 취재팀에게 그간의 탐사결과와 물증 등을 제공함으로써 관련 사실을 공론화 시킨 것을 말한다. 즉, 그동안 국방부와 정지용씨간 상반된 주장에 대해 제3자인 월간조선 취재팀을 개입시킴으로써, 땅굴 문제와 관련 객관적인 입장에서 취재한 기록을 남길 수 있는 계기를 마련했다는 것이다. 한편 당시에 정씨의 제보를 받은 월간조선측은 현장 답사를 통해 경기도 김포 및 연천 지역의 땅 속에서 착암기 소리가 들리는 등의 이상 징후가 실재했음을 확인하였고 그 결과를 기사화했는데, 다음은 당시 월간조선 5, 6, 7월호에 보도된 내용 중에서 우선 김포 지역과 관련된 부분만을 발췌한 것이다.

『서울 근교에서 들려오는 地下기계음의 정체〔5월호〕

3초마다 덜거덕거리는 갱차음

취재팀이 김포지역에서 처음으로 만난 사람은 김OO씨(35?김포군 하성면 후평리)였다. 김씨는 88년 8월부터 자신의 집 앞 텃밭에서 정지용씨가 시추작업하는 것을 계속 지켜봤으며 전자기술자인 그는 89년 3월 정씨에게 청음기〔防水用 마이크〕를 제작해주며 시추작업에 깊숙이 빠지게 된 인물이다.

다음은 김OO씨와의 일문일답이다.

-정지용씨와는 언제부터 알게 됐나.
“88년 8월경이다. 정씨는 그 당시 우리 집에서 3백-4백m 떨어진 야산에서 시추작업을 하고 있었다.”

- 언제부터 시추작업에 관심을 갖게 됐는가.
“내가 전자기술자인 것을 알게 된 정씨가 89년 3월쯤 청음을 할 수 있는 장비를 만들어달라고 요청해 여러 가지를 궁리하다가 물〔지하수〕속에서도 녹음이 가능한 동 파이프로 싼 청음기〔마이크〕를 만들어주게 됐다.”

- 이상소음을 처음 들은 것은 언제인가.
“89년 4월초였다. 당시 나는 시추공에다 청음기〔마이크〕를 넣은 후 밖에다 스피커를 연결해놓고 있었다. 4월초에 다른 곳에 다녀왔더니 옆집 슈퍼의 할머니 등 여러분이 스피커에서 이상한 소리가 들렸다고 말해 그때부터 집중적으로 청음활동을 하게 됐다. 이후 갱차 지나가는 소리 등 여러 가지를 녹음하게 되면서 이 지역 지하에 뭔가가 있다는 확신을 갖게 됐다.”

- 어떤 소리가 녹음됐는가.
“착암기가 돌을 깨는 듯한 ‘타타타타’하는 소리, 당시는 뭔지 잘 몰랐지만 나중에 TBM 장비가 돌 깨는 것으로 추정됐던 소리 등이 있는데 그중 탄광에서 쓰는 갱차가 레일 위를 달리는 듯한 소리가 가장 선명하다.”

- 이곳에서 시멘트로 추정되는 물질이 나왔다는데 사실인가.
“6, 7차 및 12차 시추공에서 시멘트 성분으로 추정되는 물질이 검출됐다. 그것을 아시아시멘트 시험실에 성분조사를 의뢰했고 나는 별도로 한국화학시험연구소에 맡겼는데 지하 100m 지점에서는 이런 성분이 자연적으로 나올 수 없다는 게 연구소측의 답변이었다.”

- 만일 그 같은 물질이 시멘트라고 확인되면 그것은 지하에서 만들어진 인위적 구조물의 존재를 확실하게 보여주는 것인데 왜 그 시추공에 대해 집중적으로 작업을 하지 않았는가.
“시멘트로 추정되는 물질에 대해 군 당국은 처음부터 믿지를 않았기 때문에 그것의 증명가치가 원천봉쇄된 것이 〔정지용씨가〕다른 곳〔연천지역〕을 찾게 된 이유 중 하나일 것이다.”

집이 흔들렸다.

김OO씨는 우연한 기회에 정씨의 시추작업에 관련을 맺다가 그 후 이 작업에 전념하게 됐다. 김씨는 갱차음 등은 91년 상반기까지 들렸으나 그 후는 고압전기 유도음으로 추정되는 소리만 가끔 들릴 뿐이라고 말한다〔장거리 땅굴의 막장이 이미 김포지역을 통과해서 남하한 상태라는 의미〕.

그 역시 정지용씨와 밀접한 관련을 가진 인물이라 보다 객관적인 증언을 듣기 위해 김씨 집 앞에 설치해 놓은 스피커를 통해 처음으로 이상한 소리를 들었다는 박OO씨(여?57)를 만났다. 박씨가 운영하는 새마을 슈퍼는 김OO씨 집으로부터 30m 정도 떨어져 있다. 다음은 박씨의 증언이다.

“날짜는 정확하게 모르겠는데 여하튼 소리가 난 날 오전 9시쯤 가게 앞의 밭에서 일하고 있는데 어디서 웅웅거리는 소리가 들렸다. 주위에 경운기도 지나가지 않는데 소리가 들리는 게 이상해 김OO씨 집 쪽으로 가보니 김씨 집 앞 텃 밭에 설치해 놓은 스피커에서 이상한 소리가 들렸다. 마침 김씨가 없어 그의 아내와 마을 사람 몇 명과 함께 그 소리를 들었다. 2-3분간 계속된 그 소리는 뭔지 잘 모르겠으나 경운기가 멀리서 지나가는 듯한 감으로 느껴졌다.” 후평리는 북한측의 대남방송이 크게 들리는 접적지역이다. 이런 지형적 여건 때문인지 이 지역에선 예전부터 이상징후에 대한 신고가 많았고 주민들도 ‘땅이 울렸다’는 등의 표현을 하는 경우가 적지 않았다. 정지용씨의 녹음테이프와는 관계가 없지만 참고삼아 이상 징후를 체험했던 홍OO씨(여?37?김포군 하성면 시암리) 집을 찾았다. 홍씨 집은 김OO씨의 집으로부터 북쪽으로 1.5km 더 가야한다.

다음은 홍씨와의 일문일답이다.

- 이상한 소리를 들었다는 게 언제인가.
“정확한 날짜는 모르겠으나 지난해 이맘때〔1991년 3월초〕였다”

- 당시 그 소리는 어떤 식으로 들렸는가.
“저녁 8시쯤인데 안방 옆에 있는 부엌바닥에서 갑자기 ‘드르르륵’ 하는 소리가 울리며 집까지 흔들렸다. 집안 식구가 모두 놀랐는데 3-4차례에 걸쳐 요란한 소리가 난 후 10여분 후에 조용해졌다.”

-그게 무슨 소리 같았나.
“쇠로 돌을 뚫는 듯한 소리였다. 집까지 흔들릴 정도로 강했다.”

-식구들이 모두 들었는가.
“그렇다. 시어머니와 남편도 같이 들었다.”

- 그 외의 이상징후는 없었나.
“주변 사람들이 혹시 우물에 이상이 있는지 살펴보라기에 마당의 우물을 들여다보니 평상시보다 물이 엄청나게 줄어 있었다.”

- 우물물이 그 이전부터 줄었던 것은 아닌가.
“식구들이 매일 그 물을 쓰기 때문에 바로 그 소리가 나던 날 물이 줄은 것을 알 수 있었다. 그런데 며칠 지나니 물이 원래의 수준까지 다시 차올랐다...”

테이프는 조작되지 않았다

취재팀은 검증을 두 가지 방법으로 실시했다. 즉 테이프 내용이 신디사이저 등 전자기기로 합성될 가능성이 없는가 하는 검증과 테이프 녹음을 수록할 당시 의도적인 조작이 가능했는가 하는 상황에 대한 검증이 그것이다. 이 과정에서 녹음테이프는 전자기기로 합성될 가능성이 거의 없다는 판정이 나왔다. 또 정지용씨가 녹음할 당시 주변에 있었던 현지 주민이나 관련자들은 정씨가 조작할 만한 분위기가 전혀 아니었다고 일치된 증언을 하고 있다.

갱차음 규명을 요구한다

취재팀의 뇌리에 강하여 새겨져 있고 우리를 끊임없이 괴롭히는 것은 갱차음이다. 철로 위를 달리는 궤도차 소리가 멀리서부터 들려오면서 서서히 커지다가 청음장치 바로 앞을 ‘웽’하는 소리와 함께 지나간 뒤 점차 약해지는 과정을 보여준다. 현장감 넘치는 이런 소리는 기계분석도 할 필요 없이 육청(肉聽)으로도 충분히 궤도차라는 결론을 내리게끔 해주고 있으며 그런 소리가 4-5회에 걸쳐 녹취되었다. 반경 수십km 안에는 지하철이나 철도가 안 다니는 후평리 지하에서 들려온 생생한 이 ‘소리’를 만약 방송국에서 틀어놓는다면 많은 한국인들은 잠을 설쳐야 할 것이다. 월간조선 취재팀은 이 갱차음의 철저한 규명을 정부당국에 요구하는 바이다...』

이상은 월간조선 5월호 기사내용 중에서 발췌한 것이다. 이와 같은 월간조선의 기사보도를 계기로 상당수의 사람들이 자발적으로 자신이 경험했거나 알고 있던 내용을 월간조선측에 기고 및 제보하게 되었는데, 다음은 관련 내용을 보도한 월간조선 6월호 및 7월호 기사 내용이다. 　

[추적 : 한국의 심장부로 꽂히는 비수 6월호]

김포 북쪽 인민군 6사단 소대장 출신 귀순자의 기고문

나는 애초 귀순 당시 군 기관에 김포 일대 서울 근교에 북한 화곡리에서 출발한 남침용 장거리 땅굴이 있다는 것을 진술한 바 있다. 진술한 내용이 정부에 반영되어 구체적인 토의 대책이 있었을 것이라고 생각했는데 월간조선 기사를 읽고 나서 허탈감 비슷한 것이 뇌리를 치는 것 같았다... 지난 번 월간조선에 났던 그 기사 내용과 내가 알고 있던 서울 근교 땅굴설이 너무도 밀착된 관계를 가지고 있고 근사한 면이 많아서 월간조선부를 찾게까지 되었던 것이다... 그 후 며칠간 귀순한 동료들을 일일이 찾아다니며 조금이라도 의문되는 점들은 모조리 적어두었다가 이 글을 쓰는데 삽입하기로 했다.

가장 유력한 제공자는 1980년 6월에 월남 귀순한 이OO씨였다. 이씨는... 개성시 판문군 일대에서 당 세포비서, 직맹위원장 등의 직책을 맡아 수행하면서 지도사업차 화곡광산 갱에까지 들어가 본 유일한 증언자인바, 그가 말하는 징후를 소개한다.

첫째 본인(이OO)은... 화곡광산이 민간인 소속이었을 당시에 목격한 내용을 말한다. 76-77년경부터는 광산이 폐쇄되고 군부대가 광산본부를 인수하면서 민간인 출입이 일체 금지되었던 바 그것이 제일 의구심 나는 점이다. 왜냐하면 본인이 알고 있기에 북한에서도 내로라하는 광석(금, 아연, 연)이 채취되고 그 규모 또한 한 두 손가락에 꼽힐 만큼 1급 기업소였고(노동자 4천여명) 광산작업시 수입이 꽤 좋았음에도 불구하고 폐갱시켜서 군인들을 배치할 이유가 없기 때문이다.

둘째, 광산 당위원장 사무실에 들어갔던 일이 있는바 그때 벽에 걸린 지도에서 본 기본 진도현황은 한강중심, 즉 군사분계선까지 남하한 것이었다. 기본갱이 화곡광산에서 남쪽으로 직선으로 뻗어 있는바 높이, 너비가 2.5t 화물트럭 2대가 어길 수 있고 [폭 2차선 규모] 기본 갱에서 좌우로 수십개의 곁가지 광석채취굴이 있다. 그 굴의 너비, 높이는 일반 갱차가 서로 어길 수 있는 정도이다.

제1땅굴 목격자인 인민군 민경대 준위 출신 안OO씨의 증언

국군복장으로 굴진 작업

안OO씨는 북한군 비무장지대 내에서 근무하는 인민군 제3사단 민경대 준위로 있다가 지난 79년에 남한으로 귀순해왔다... 안씨는 중요한 증언을 하나 했다.

“땅굴 공사부대에 근무하는 간부가 친구였는데, 이런 말을 직접 들은 적이 있습니다. 땅굴 속으로 작업반을 들여보낼 때는 한국군 복장을 하도록 하고 말씨도 국군 말투를 교육시킨다는 것이었습니다. 아마도 작업중 남한측에 붙들리는 일이 생길 때에 대비한 위장책이었던 것 같습니다”

북한의 땅굴 굴착 능력

김OO씨〔귀순자〕는 “1985년 평양 철도대학 재학중 ‘지금도 땅굴을 뚫고 있다’는 제대 군인들의 얘기를 들었다”고 털어놨다. “당시 군대에서 제대한 후배들이 학교에 입학해왔습니다. 인민군 5군단지역(철원지역)에서 근무했던 후배들이 ‘탱크가 다닐 정도의 땅굴을 몇 군데씩 지금도 뚫고 있는데 이 공사에 동원돼 총은 별로 쏘지 못하고 일만 하다 제대했다’는 것이었지요. 후배들은 그 공사의 목적이 ‘대부대를 남조선 후방에 침투시켜 제2전선을 형성하는 것’이었다고 말했는데 이것으로 봐도 그 땅굴은 방어용 갱도가 아닌 ‘남침용’임이 분명합니다.”... 월간조선 취재반은 지난 한달 동안 수십명의 한국군 고위 관계자들을 만났다. 우리는 이들에게 정지용씨가 지하 시추공 내에서 녹음한 굴착음 소리와 갱차음 테이프를 들려주었다.

정씨에 대해서 부정적인 정보를 갖고 있던 이들도 너무나 생생한 기계음에, 상식적으로 판단해도 도저히 지하 자연음이라고 볼 수 없는 그 소리에 충격을 받고 우리의 질문에 대체로 진지하게 답변하였다.

땅굴 탐사에 직접 관계한 적이 있는 전?현직 군 인사들은 거의 전부가 북한이 장거리 땅굴을 서울 근교까지 뚫었을 가능성에 동의하고 있었다. 현직 군 고위 인사들의 견해를 종합하면 대강 이런 하소연이 된다.

“땅굴을 찾지 못한 상태에서 서울 근교에 장거리 땅굴이 진출했다고 발표하면... 국민들은 불안해할 것이고 그렇다고 쉽게 찾아지는 것도 아니고...” 물론 군의 땅굴 탐지부서는 기자들에게 ‘북한이 장거리 굴착을 할 능력이 없으며 1980년대 초반에 땅굴 굴착을 중단한 것으로 판단한다’는 견해를 제시하고 있으나 이것은 결코 군 전체의 합의된 견해가 아니다. 그렇다고 군이 내부적으로 ‘북한은 현재 장거리 땅굴 굴착중’이라는 판단을 내려놓고 체계적인 탐사를 하고 있는 것도 아니다.

김포 관측병의 남하하는 지하굴착음 추적 수기〔7월호〕

저는〔당시 한국화성주식회사 사원〕 지난 88년 봄부터 90년 가을까지 경기도 김포군 OOO 관측소에서 육군 모 부대 소속 관측병으로 근무했었습니다.

처음 이상현상을 발견했을 때가 지난 88년 겨울. 관측소 오른 쪽에 있는 김포 시암리 앞 한강의 북한쪽 갯벌 가운데에 일직선으로 금을 그어놓은 듯한 현상이 일어났습니다. 갯벌 한가운데가 일직선으로 약간 움푹 패어 들어간 것이었습니다. 이 현상은 남한 쪽 바로 앞에 있는 좀 작은 갯벌에도 나타났습니다...

정확한 시기는 모르겠지만 제가 입대하기 이전에 시암리 맞은 편 북한측 지역인 관산포 앞 갯벌이 2백50-3백m 가량 함몰됐던 적이 있었지요. 부대 선임자들 얘기에 따르면 당시 함몰이 일어나자 북한은 병력을 동원해 메우기 바빴는데 함몰된 곳에서 레일과 갱차가 드러나 보였다고 합니다...』

이상과 같은 현지주민 등 관련자들의 증언은 다음과 같은 이유에서 중요한 의미가 있다.

첫째, 다수의 현지 주민들이 땅굴 굴착징후로 의심이 되는 이상현상에 대해 증언하고 있을 가운데, 각각의 증언 내용이 비록 동네는 다르다할지라도 거의 일치하기 때문이다.

둘째, 전 육군 관측병도 같은 맥락의 증언을 하고 있기 때문이다. 김포반도 앞 갯벌에 일직선으로 함몰되는 현상이 나타난 적이 있는데다, 특히 이전에 함몰사고가 일어났을 때 북한군이 갯벌 속에서 레일과 갱차를 건져 올린 적이 있다는 주장은, ‘땅속에서 갱차음이 들린다’는 김포 지역 주민들의 주장과 일맥상통한다는 것이다.

셋째, 김포반도 북쪽에서 근무한 적이 있는 귀순자들 역시 같은 맥락의 증언을 하고 있기 때문이다. 즉, 화곡광산의 갱도가 70년대 중반에 이미 한강 중간 지점까지 남하해 있는 상태에서 뚜렷한 이유도 없이 폐갱, 군관할로 이관되었다고 하기 때문이다.

넷째, 국방부 관계자들조차 사석에서는 장거리 땅굴 가능성을 인정하고 있기 때문이다. 즉, 국방부의 공식입장이라는 것이, 사실은 땅굴과 관계된 군관계자들로부터도 지지받지 못하고 있다는 것이다.

참고로 북한의 장거리 땅굴은 배수문제로(굴착과정에서 발생하는 지하수를 북쪽으로 흘려보내야 하므로) 휴전선 지역을 통과할 때에는 기존의 단거리 땅굴보다 훨씬 깊은, 최소 지하 300-400m 지점을 통과한 다음 후방지역으로 갈수록 지표면 쪽으로 상승하는 구조(北深南淺:북심남천)로 굴착되었을 것으로 추정된다. 따라서 이를 찾으려면 땅굴이 지표면으로부터 깊이 들어가 있는 휴전선 일대보다는 지표면에 근접하게 되는 후방지역에서 탐사하는 것이 훨씬 효과적이라고 할 것이다. 하지만 우리 군이 ‘북한은 단거리 땅굴(총 길이 4km 이하)만을 팠다’는 스스로의 도그마에 사로잡힌 나머지, 휴전선 일대에 한해 기존의 땅굴 깊이(45-160m) 정도로만 탐사한다면, 아무리 ‘벌집 쑤시듯’ 해도 찾을 수 없는 구조라고 할 것이다. 그런 점에서 보면 국방부가 제4땅굴 이후 지난 20년 가까운 세월 동안 단 한 개의 땅굴조차 추가로 발견하지 못한 것도 당연한 결과라고 할 것이다.

한편 생전의 정지용씨는 김포지역보다는 연천 지역에 북한의 장거리 지하땅굴이 들어와 있을 가능성이 더 높다고 보았는데, 이는 정씨가 해당 지역 땅속에서 “막아, 막아”, “위에서 다 들려요”, “너는 이제 그만이다”, “알았어” 등과 같이 생생한 사람목소리를 녹음한 데 이어 해당 지역 땅 속에서 정체불명의 지하공간까지 발견했기 때문이다. 따라서 연천 지역에도 북한의 장거리 지하터널이 들어와 있을 가능성은 충분하다고 할 것이다.

그렇다면 당초 연천지역에서는 어떤 이상 징후가 있었기에 정지용씨가 이 지역을 주목하게 되었을까. 다음은 월간조선 기사 중에서 연천지역 주민들의 증언 내용만을 발췌한 것이다.

『서울 근교에서 들려오는 地下기계음의 정체〔5월호〕

“따따따따” 하는 착암기 소리

다음은 두일2리 박씨 할머니(이름이 없다고 함)의 증언이다.
“89년 겨울 어느 날인가 밤에 안방 아랫목에서 잠을 자는데 쿵하는 소리가 울리며 몸이 털썩 흔들렸다. 그때가 새벽 한시쯤이었는데 그런 쿵하는 소리가 가끔 나타나다가 2시간쯤에야 잠잠해졌다. 나는 전쟁을 겪은 사람이라 그게 포탄 터지는 소리인 줄은 짐작했지만 집 밖을 둘러봐도 별 일이 없는 것 같아 그날은 그냥 자버렸다. 그런데 다음 날에도 똑같은 소리가 새벽녘에 들렸다. 이때는 며느리(이OO?41)도 같이 들었다. 쿵하는 소리와 함께 또 찌그럭찌그럭 하며 뭔가가 지나가는 소리가 들렸다. 이상하게 그 소리는 안방 아랫목에서만 들렸고 옆방이나 안방의 윗목에서도 잘 느껴지지 않았다. 이 소리는 처음에는 앞마당 쪽에서 오는 듯한 감이 들다가 며칠쯤 후엔 안방 바로 밑을 지나가는 듯했고, 7-8일쯤 후에는 뒷마당 쪽으로 지나가는 듯하다가 10일쯤 지나니까 소리가 그쳐버렸다.”

시추공에서 나는 경유 냄새

다음은 3월 21일 경기도 부천에서 만난 최OO-이OO씨부부의 증언이다.
이들은 경기도 부천에서 살면서 구미리에 자주 왕래하고 있는데 구미리 집에는 아들 최OO씨(35)가 혼자 머물고 있다.

- 구미리 집에서 이상한 현상이 나타난 것은 언제부터인가.
최씨〔남편〕=“90년 5월경이었다. 당시 집안에 우물이 없어 업자에게 우물을 파달라고 했는데 그 업자가 우물을 파다 말고 ‘지하에서 찬바람이 올라온다’고 했다. 그래서 우물 시추구멍에다 얼굴을 대보니 시원한 찬바람이 올라오고 라이터불도 꺼지는 것이었다. 이상하다 싶어 인근 군부대에 신고했더니 군인들이 나와서 여러 번 시추한 후 ‘별 이상이 없다’면서 철수해 버렸다. 결국 우물은 못 팠다.”

- 정씨는 언제 만났는가.
최씨=“지난해〔1991년〕 8월이다. 하루는 정씨가 찾아와 우리 집 앞의 축사지역에서 시추작업을 해도 되느냐기에 거절해버렸다. 그 전 해에 군인들이 시추작업을 할 때〔우물 파던 중 찬바람이 올라왔을 때〕 소음과 진동 때문에 시달렸던 우리로선 당연한 반응이었다. 그러나 정씨가 간청을 하고 또 우물을 공짜로 팔 수도 있을 것 같아 집에서 약간 떨어진 지역에서 시추공을 뚫도록 허락했다.”

- 당시 어떤 상황이 나왔는가.
이씨〔부인〕=“정씨는 8월15일부터 우리 집 부엌에서 왼쪽으로 7-8m 떨어진 지점에서 시추작업을 했다. 그런데 8월17일 밤 자정을 지나 새벽 1시쯤에 〔한여름 무더위로〕목욕을 하고 자려 하는데 갑자기 경유냄새가 진동을 했다. 나는 깜짝 놀라 집에 불이 난 게 아닌가 하고 집 주위를 둘러보았다. 그런데 그 냄새는 정씨측이 판 시추공 쪽에서 나오는 것이었다. 하도 이상해서 그 구멍 쪽을 자세히 살펴보니 냄새만 나는 게 아니라 ‘쉬익’ 하는 물이 세차게 뿜어지는 소리가 들렸다. 나는 무서운 생각이 들어 안방에서 자는 남편을 깨웠는데 남편도 깨자마자 ‘이게 웬 석유냄새냐’며 깜짝 놀라는 것이었다. 소리는 2분 정도 계속되다가 끝났는데 그 소리가 멈추자 석유냄새도 서서히 사라졌다.”

- 8월 19일 직후 어떻게 됐는가.
이씨=“그 직후 군인들도 조사하고 가는 등 한동안 시끄러웠다. 한번은 시추작업 중인 인부가 불러 가봤더니 뿌연 물이 시추공으로 올라오는 것이 보였다. 그 인부는 ‘우물 파면서 이런 일은 처음’이라고 했는데 나로선 그게 뭔지 잘 모르겠지만 이상한 것은 사실이었다.”

- 그 이후는 별일이 없었는가.
이씨=“추석을 지난 직후인 10월 5일께도 새벽에 첫 번째 시추공에서 5m 정도 떨어진 곳에 다시 판 시추공에서 예전과 같은 석유 냄새가 난 적이 있다. 그 때는 친척들도 같이 있어 다들 냄새를 맡았었다. 다만 예전과 같은 ‘쉬익’하는 물소리는 나지 않았다. 그 다음날부터는 동네사람들이 다 모여들어 밤을 새는 일이 많았다. 정씨의 녹음기에다 스피커를 부착 해 놓으니 시추공 아래 장치된 청음기에서 잡힌 소리를 안방에서도 들을 수 있었다. 이장 부녀회장 등 동네 사람들이 라면 끓여먹으며 새벽 4-5시까지 소리를 들었다. 대개 ‘웅웅’거리는 소리와 ‘푸드득’하는 돌 깨지는 소리 등이 들렸다. 그때 이곳에 나와 있던 사병들도 ‘이상하다’고 했는데 보고가 제대로 됐는지는 모르겠다.”』

이상과 같은 증언을 계기로 월간조선 취재팀은 이후 김포 및 연천 지역에 대한 장거리 땅굴 가능성을 규명하기 위한 작업에 착수했다. 그 결과 월간조선측은 연천지역보다는 김포반도 지역에 북한의 장거리 땅굴이 들어와 있을 가능성이 더 높다는 결론에 도달하게 되었는데, 관련 경위는 다음과 같다. 생전의 정지용씨는 땅 속에서 나는 소리를 채록한 녹음테이프 약 200여개를 보유하고 있었다. 하지만 대부분의 테이프 소리는 녹음상태 불량으로 그냥 들어서는 그 의미를 알 수 없었기에 상당수의 녹음테이프들은 사실상 방치되다시피 했다고 한다. 그러던 중 우연한 기회에 김포 후평리에서 녹음된 테이프 중 하나에서 ‘북한 말투’의 목소리가 녹음되어 있음이 귀순자에 의해 발견된 것이다. 함경도 출신의 귀순자가 문제의 녹음테이프 소리를 듣는 순간, 테이프 중의 “웅얼웅얼”하는 소리가, 비록 무슨 뜻인지는 알 수 없었지만, 최소한 자신의 고향인 ‘함경도 사투리인 것만은 틀림없다’는 심증을 갖게 되면서 이를 월간조선측에 제보했던 것이다.

이에 월간조선측이 관련 테이프에 대한 잡음을 제거한 결과, 문제의 테이프 중의 웅얼웅얼하는 소리가 “이거 만지면, 일만일천 감전되지”라는 것임을 알 수 있었다고 한다. 뿐만 아니라 “이거 만지면 일만일천 감전되지”라는 말투는 상급자인 듯한 사람이 주의를 주는 것처럼 들렸고, “예,예”하는 것은 하급자인 듯한 사람이 무슨 잘못이라도 저지른 것처럼 쩔쩔매는 말투라는 것도 알 수 있었다고 한다. 그리고 “일만일천”이라는 것도 11,000에 대한 북한식 표현법임을 확인할 수 있었다고 한다.

아울러 월간조선 취재팀은 세계적 음향 전문가인 일본의 스즈키 박사(전자공학 및 의학)의 협조로 관련 테이프에 수록된 소리에 대한 음향분석을 의뢰했다. 그 결과 테이프에 녹음된 사람 목소리가 3.77m X 3.77m(또는 7.54m) 크기의 갱도 형태를 가진 폐쇄 공간의 막장 부분에서 발생한 것이라는 추정치도 얻을 수 있었다. 즉, 문제의 목소리 주인공들은, 김포 후평리 땅 속에 있는 3.77m X 3.77m 크기의 지하갱도 굴착 공사장(막장)에 위치해 있던 북한 군인들로 볼 수 있는 과학적인 근거를 확보했던 것이다.

이어서 월간조선 취재팀은 문제의 테이프에 녹음된 ‘일만일천’이라는 숫자의 의미를 규명하기 위한 취재활동도 병행했다. 대화내용 중 ‘감전(感電)되지’라는 표현으로 미루어 ‘일만일천’이라는 숫자가 ‘일만일천 볼트’를 의미하는 것으로 판단한 월간조선 취재팀은, 당시로서는 국내에 1만1000V가 존재하지 않는다는 사실을 한전(韓電)을 통해 확인했다. 또한 전 북한 사회안전부 간부인 김정민씨(갱도 굴착작업 지휘 경험자)를 통해 북한의 배전용 전압 중에 1만1000V가 있다는 사실과, 북한이 과거에 TBM을 스웨덴으로부터 수입한 적이 있다는 증언도 확보했다. 그리고 이상과 같은 근거를 바탕으로 당시 월간조선측은 ‘(연천보다는) 김포 후평리에 TBM 공법에 의한 북한의 장거리 땅굴이 들어와 있는 것이 거의 확실하다’는 결론을 내림으로써 취재를 일단락 했던 것이다. 다만 월간조선 취재팀은 1만 1000V와 TBM과의 관계를 충분히 입증하지는 못했다. 북한의 배전용 전압 중에 1만1000V가 존재한다는 것과 북한이 TBM을 수입한 적이 있다는 귀순자의 증언은 확보했지만, 1만 1000V가 곧 TBM 전압이라는 것을 밝혀내지는 못했던 것이다. 즉, 북한이 TBM을 사용한다는 단서는 확보했으나, 북한이 실제로 TBM을 사용해서 김포지역 땅굴을 굴착하고 있음을 입증할 수 있는 단서를 확보하는 데에는 실패했다는 것이다. 게다가 당시 국내에서 운용 중이던 TBM의 경우 모두 1만1000V와는 아무런 연관성이 없었기에 더욱 그러했다.

다음은 이와 관련한 필자의 추적내용이다. 필자는 한 때 주(駐)남아프리카 공화국 한국 대사관 요원으로 근무한 적이 있다. 남아공은 지하자원이 풍부한 관계로 광산 개발과 그에 따른 장거리 갱도 굴착 분야에 있어 세계적 수준의 경험과 기술을 축적한 것으로 알려져 있다. 이 때문에 필자는 2001년 6월 13일 TBM 전문가 K씨(R사 소속)를 만나 관련 사항을 질문한 적이 있는데, 다음은 당시 필자의 질문에 대한 K씨의 답변 내용을 직접화법으로 정리한 것이다.

“R사는 세계적인 시추 및 터널굴착 전문회사로서 현재 진행 중인 스위스-이탈리아 국경간 57km의 Gotthard Tunnel 굴착 공사에도 참여하고 있다. 그리고 TBM은 Gotthard Tunnel 굴착 공사는 물론, ‘레소토’ 지하수로(1993년 완공)를 건설 할 때에도 사용되었을 만큼 장거리 갱도 굴착에 흔히 사용되는 장비이다.

TBM을 이용하여 지하갱도를 굴착할 경우 최대 직경12m짜리 갱도를 하루에 50m까지 굴착할 수 있으며, 단단한 화강암층이라 할지라도 Tungsten Carbide 비트를 사용하면 얼마든지 굴착이 가능하다. 갱도 길이는 최장 200km까지 가능한데, 이는 기술적인 한계가 아닌 경제적인 한계를 말한다. 어떠한 용도로 굴착하든 일단 지하갱도가 200km 이상을 초과하면 경제성을 맞추기 어렵기 때문이다.

또한 TBM은 좌우상하로 10도 범위 내에서 움직일 수 있어서 어떠한 모양의 갱도 굴착도 가능하며, 굴착 과정에서 발생하는 지하수 문제 역시 기술적으로는 어려운 것이 아니다(우물물이 갑자기 줄어들었다가 다시 차오르는 현상에 대한 이유). 다만 환기 문제가 심각한데, 군사적 목적으로 지하갱도를 굴착할 경우 지상에 설치된 대형 송풍기를 돌려서 터널 속으로 공기를 공급해 줄 수밖에 없기 때문이다(땅 속에서 찬바람이 올라오는 이유). 하지만 그러한 방식 역시 지하갱도가 일정 길이를 초과하게 되면 한계에 부딪힐 수밖에 없기에, 장거리 갱도를 굴착할 때에는 갱도를 하나만 굴착하기 보다는 갱도를 둘로 나눠서(나란한 쌍둥이 갱도) 두 개의 갱도를 연결하는 환기용 통로를 중간 중간에 설치함으로써 환기문제를 완화시킬 수 있다. 이는 방안을 환기시킬 때 대형 창문 하나를 여는 것(단일 터널)보다 절반 크기의 창문 두 개를 열어놓는 것(나란한 두 개의 쌍둥이 터널)이 보다 효과적인 것과 비슷한 원리이다.

한편 TBM은 500-1000V의 전압을 사용하지만, 외부에서 TBM까지 전기를 공급할 때에는 보통 11,000V로 승압하여 송전하며, 보다 원거리를 송전할 경우에는 22,000V로 승압하기도 한다. 이는 직경 4m짜리 TBM을 기준으로 했을 때 그렇다는 것이다. 하지만 TBM은 고가 장비인 관계로 주문자가 원하는 대로 규격을 맞춰 생산하는 것이 일반적인 만큼, 특정 TBM이 11,000V를 사용한다는 것을 근거로 해당 TBM의 제원을 단정하는 것은 무리이다. 그리고 TBM 가격은 약 2천만 Rand(당시 환율로 약 25억 원)로서 이는 우리 회사(R사)에서 사용하는 독일의 Wirth사 제품의 가격을 기준으로 한 것이다...”

이상과 같은 K씨의 설명 내용은 중요한 의미를 지니는 데 그 이유는 다음과 같다.

첫째, ‘일만일천’ 볼트를 사용하는 TBM의 직경이 4m라는 K씨의 설명과, 스즈키 박사가 추정한 수치(3.77m X 3.77m)가 거의 일치하기 때문이다.
둘째, 이러한 수치는 귀순자들이 증언한, 김포 북쪽의 화곡광산의 갱도 크기(2.5t 화물트럭 2대가 어길 수 있는 규모)와도 거의 일치하기 때문이다.

셋째, TBM이 고압전기를 필요로 한다는 K씨의 설명은, ‘땅 속에서 고압전기 유도음만 들린다’는 김포지역 주민 김OO씨 등의 주장과도 일맥상통하기 때문이다.

이상과 같이 세계적인 음향전문가의 분석 결과와 세계적 수준의 TBM 전문가 등의 설명 내용이 김포 지역 주민들의 증언 내용과 일치한다면, 이는 곧 정지용씨의 녹음테이프에 수록된 북한 말투의 목소리가 실제로 김포 후평리 땅 속에서 굴착 작업하던 북한 군인들의 대화내용으로 보아야 할 것이다.

다만 한 가지 예외가 있다면 정지용씨가 관련 녹음테이프 소리를 조작했을 가능성인데, 이 역시 다음과 같은 이유에서 그 가능성이 희박하다고 하겠다.

첫째, 정지용의 능력으로는 관련 녹음테이프 소리를 조작하는 것이 불가능해 보이기 때문이다. 단순히 ‘웅얼웅얼’ 하는 정도의 소리가 나도록 조작하는 것은 가능할지 몰라도, 당시 국내에 단 한 대밖에 없던 첨단 컴퓨터 시스템으로 잡음을 제거했을 때 “일만일천 감전되지”라는 소리가 나올 수 있도록 조작하기가 불가능에 가깝기 때문이다.

둘째, 정씨가 테이프소리를 조작할 이유가 없기 때문이다. 국방부는 정씨가 보상금을 노리고 테이프 소리를 조작했다고 하지만, 보상금이란 실제로 장거리 땅굴을 발견한 다음에나 가능하기에 국방부의 주장은 설득력이 없는 것이다. 따라서 김포 후평리 지하에 TBM 공법을 이용한 직경 4m짜리 장거리 땅굴이 들어와 있다고 결론을 내린 바 있는 월간조선측의 판단은 정확했다고 할 것이다. 다만 관련 지하갱도의 직경이 4m에 달한다는 점에서, 월간조선측이 장거리 땅굴 대신 ‘장거리 지하터널’로 호칭했더라면 하는 아쉬움이 남는다(이하 ‘지하터널’로 통일). 같은 맥락에서 지하터널을 통과할 수 있는 북한군의 규모 역시, 과거 단거리 땅굴의 경우처럼 단순한 경보병 정도에서 그치는 것이 아니라 중무장 기갑부대로 확대해서 생각해야 할 것이다.
그렇다면 이미 1990년대 초에 김포 지역으로 들어와 있던 장거리 지하터널은 그동안 얼마나 더 남하했을까.

이와 관련 월간조선 2003년 3월호가 경기도 화성지역에서도 장거리 지하터널 징후가 발견되었다고 보도한 사실을 주목해야 할 것이다. 보도내용에 따르면 해당 지역의 땅속에서도 기계소리와 사람 목소리가 들렸을 뿐만 아니라 심지어 굵은 와이어(wire)와 벽돌까지도 땅 속에서 나왔다는 것이다. 땅속에서 와이어 등을 발견하게 된 경위는, 민간인 탐사자들이 시추작업을 하는 도중에 땅 속에서 누군가 시추기 로트(rod)를 끌어 올리지 못하도록 강력한 와이어로 묶은 것을, 강제로 끊는 과정에서 확보하게 되었다고 한다. 하지만 이는 어디까지나 2003년 2월의 일이었다는 점을 감안하면, 그로부터 약 6년 가까운 세월이 지난 현 시점에서는 장거리 지하터널이 훨씬 더 남하했다고 보아야 할 것이다.

금강산댐의 정체-동부전선용 지하터널

같은 맥락에서 우리는 금강산댐의 정체에 대해서도 관심을 가져야 할 것이다. 왜냐하면 지난 1999년에 귀순한 전 북한군 보위부 소속 장교 이정연씨가 다음과 같이 주장한 바 있기 때문이다.

“1996년 금강산댐 터널공사 당시 김정일이 댐 밑으로 뚫은 지하통로로 지프차를 타고 순시한 적이 있는데, 차량이 이동할 수 있기 때문에 보급로라고 보는 것이 정확하다. 북한군은 6.25 전쟁 때 미군 폭격으로 동해안 지역에 병력과 장비보급이 제대로 안 돼 고전한 기억이 있기 때문에 보급로 확보를 위해 터널을 뚫었다고 봐야 한다...”

이러한 주장은 평양 방어사령부 정치부 중좌 출신 탈북자 심신복씨가 “김일성은「금강산댐이 완성되면 핵폭탄보다 낫다」고 언급한 적이 있다”고 증언한 것과 일맥상통하기에 중요하다. 왜냐하면 생전의 김일성이 ‘핵폭탄보다 낫다’고 언급한 것은 땅굴(지하터널) 밖에 없기 때문이다. 따라서 당시 김일성의 언급은 ‘핵폭탄보다 강력한’ 지하터널이 금강산댐 부근에 건설되고 있음을 보여준다고 할 것이다. 그런 점에서 북한당국이 걸핏하면 “핵무기보다 더 위력적인 타격수단” 운운하는 것도, 결국은 지하터널을 통한 기습을 의미하는 것으로 보아야 할 것이다. 그렇다면 금강산댐 부근에 있을 것으로 추정되는 지하터널의 길이는 얼마나 될까.

이와 관련 북한이 금강산댐의 물을 동해안으로 돌리기 위한 수로의 길이가 45km에 달하는 것으로 ‘알려진’ 사실을 주목해야 할 것이다. 즉, 북한이 금강산댐의 물을 동쪽으로 돌리기 위한 수로를 건설하면서 동시에 별도로 또 하나의 45km 길이의 지하터널을 남쪽으로 굴착했다면, 한-미 연합군으로서는 지하터널 굴착 과정에서 발생하는 버럭〔땅을 팔 때 나오는 돌조각 및 흙 등에 대한 총칭〕과 지하수로에서 발생하는 버럭을 구분하기 힘들 것이기 때문이다. 게다가 금강산댐으로부터 남진할 경우 우리의 1군 사령부가 있는 원주와 곧바로 연결되기에 그 가능성은 충분하다고 할 것이다. 따라서 북한의 장거리 지하터널은 김포반도와 연천지역은 물론 금강산댐 지역 등을 통해 우리의 수도권과 후방 깊숙한 곳까지 들어와 있다고 보아야 할 것이다.

2. 남침의 충분조건-무비유환(無備有患)

남침용 지하터널이 이미 1990년대 초에 서울 근교에까지 연결되어 있는 상태였다면 김정일은 왜 그 동안 남침을 하지 못했을까. 이는 무엇보다도 지하터널이 단지 개전초기의 기습 달성만을 보장해 줄 뿐, 전쟁 승리까지 보장해 줄 수는 없기 때문이라고 할 것이다. 즉, 개전과 동시에 한-미 연합군에게 결정적 타격을 입히지 못한다면 또 다시 6.25때처럼 기습에만 성공하고 전쟁에는 패할 가능성이 얼마든지 있기 때문이라는 것이다. 게다가 오늘날 북한의 경제력과 군사력이 남한과는 비교도 되지 않을 정도로 낙후된 상태이기에 더욱 그러하다.

일반적으로 극단적인 기습 방법일수록 그만큼 ‘준비된’ 반격에 취약하다고 한다. 즉, 높은 수익(high gain)을 올리려면 높은 위험(high risk)을 감수해야 한다는 경제 원칙이 군사 분야에도 그대로 적용된다는 것이다. 예를 들어 인천 상륙작전의 경우 성공 가능성이 5000분의 1 밖에 되지 않았을 정도의 고위험을 감수했기에 대성공을 거둘 수 있었다는 것이다. 즉, 북한군이 보기에도 무모하기 짝이 없었기에 대비를 하지 않았고 그 덕에 극적인 성공을 거둘 수 있었다는 것이다. 하지만 반대로 북한군이 그 가능성을 예상하고 제대로 준비를 했더라면 인천상륙작전은 무모(high risk)했던 만큼의 대실패(high loss)로 끝날 수밖에 없었다는 것이다. 이 때문에 군사적 천재성과 무모함은 백짓장 한 장 차이에 불과하다고 하는 것이며, 이러한 차이는 상대방이 그 가능성에 대해 얼마나 대비하느냐에 따라 결정된다고 하는 것이다.

따라서 남침용 지하터널은 김정일에게 있어 적화통일을 위한 필요조건은 될 수 있어도 결코 충분조건은 될 수 없다는 것이다. 그렇다면 김정일에게 있어 남침의 충분조건은 무엇일까.

이는 개전과 동시에 일거에 전쟁의 승패를 결정지을 수 있을 정도의 전략적 차원의 기습이 가능한 상황일 것이며, 따라서 김정일에게 있어 남침의 충분조건은 우리의 무방비 상태라고 할 것이다.

그런 점에서 북한이 남침을 결심했던 지난 2002년 10월을 전후한 우리 내부 상황을 되돌아보면, 김정일로서는 남침을 위한 충분조건이 갖추어졌다고 오판할 소지가 다분했다고 할 것이다. 우선 그 당시 우리 정부는 북한군이 전면 남침을 해도 이를 ‘우발적 충돌’로 착각할 소지가 다분했으며, 우리 국민들 역시 서해 NLL을 사수하다가 장렬하게 전사(戰死)한, 같은 또래의 젊은이들보다, 미군 장갑차에 의한 단순 교통사고로 사망한 여학생들을 더 영웅시하는 등 극도의 반미감정을 드러냈기 때문이다. 그런 점에서 보면 오늘날의 안보상황은 당시에 비해 상당히 개선되었다고 할 것이다. 하지만 우리 국방부가 여전히 북한의 장거리지하터널 가능성을 부정하고 있기에, 최소한 군사적인 면에서는 남침을 위한 충분조건은 여전히 갖춰져 있는 상태라고 할 것이다.

그렇다면 국방부는 무엇을 근거로 장거리 지하터널 가능성을 부인하는 것일까. 이와 관련해서는 지난 1992년 6월 국방부가 장관명의로 기자회견을 했던 적이 있음을 주목해야 할 것이다. 당시 월간조선의 보도를 계기로 장거리 지하터널에 대한 국민적 불안감이 증폭되자 국방부가 이를 불식시킬 목적에서 기자회견을 개최했는데, 문제는 국방부가 너무 서두른 나머지 치명적인 실수를 범했다는 것이다. 즉, 당시 국방부 발표내용은 그 어떤 객관적이고 과학적인 근거를 바탕으로 한 것이 아니라, 지하세계에 대한 전문지식이 별무한 몇몇 아무추어 군인들의 업무착오에서 비롯된 해프닝에 불과하다는 것인데, 관련 경위는 다음과 같다.

당초 생전의 정지용씨는 땅 속에서 들리는 정체불명의 지하(地下)기계음과, 민간인들이 지상에서 시추기를 이용하여 땅 속으로 구멍(시추공)을 뚫을 때 발생하는 지상(地上)의 시추기소리가, 어떻게 다른지를 국방부 실무자들로 하여금 비교해보도록 하기 위해, 두 종류의 소리를 동일한 녹음테이프에 녹음하여 국방부에 제공했었다. 그런데 정씨의 테이프를 전달받은 당사자들은 다른 부서로 전근을 간 뒤에 새로운 인물이 땅굴탐지과장으로 부임하게 되면서 문제가 발생했던 것이다. 즉, 문제의 테이프 중에 지상(地上)에서 녹음한 ‘시추기소리’도 들어있다는 사실을 인수인계 받지 못한 신임 과장은 관련 테이프의 모든 소리에 대해 정씨가 지하기계음으로 신고한 줄로 착각했던 것이다. 이 때문에 신임 과장은 녹음테이프 중 유독 선명하게 들리는 시추기 소리를 듣고는 지하에서 너무도 생생한 기계소리가 녹음된 것으로 착각한 나머지 한때나마 위기의식을 느꼈다고 한다. 이후 한동안 테이프 중의 시추기소리의 정체를 몰라서 고심하던 중 우연한 기회에 시추현장을 방문, ‘난생처음’ 실제의 시추기소리를 듣게 되면서 “무릎을 쳤다”고 한다. 즉, 녹음테이프에 수록되어 있는 정체불명의 기계소리와 실제의 시추기 소리가 동일하다는 사실을 깨닫게 되면서, 그 동안 정지용씨가 시추기소리를 녹음한 뒤 이를 ‘지하기계음’이라고 ‘허위 신고’한 물증을 발견해 낸 것으로 착각했던 것이다. 그리고 이와 같은 신임 탐지과장의 착각을 바탕으로 국방부는 장관 명의로 기자회견을 개최하여 ‘그 동안 정지용씨 등이 지하기계음이라고 주장했던 소리는 지상의 시추기 소리였음이 드러났다’면서 ‘다른 곳은 몰라도 최소한 정씨가 주장하는 지점(김포 및 연천)에 관한한 장거리 지하터널이 없는 것으로 판명났다’고 발표하게 되었던 것이다.

이상은 당시 월간조선 취재팀이 국방부 발표문을 검증하는 과정에서 밝혀낸 사실이며, 관련 내용은 월간조선 7월호를 통해 기사화되었던 것이다. 하지만 국방부로서는 이미 ‘엎어진 물’이었다. 즉, 국방부로서는 이미 기자회견을 한 상황이었기에 당초 발표내용을 번복할 수도, 그렇다고 해서 월간조선측의 주장을 반박할 근거도 없었던 것이다. 이 때문에 그 당시 월간조선측이 국방부 발표문에 대해 “너무나 허술한 논리에 기초한 너무도 위험한 단정임이 드러났다”, “수많은 TV 시청자와 국민들을 오도했다”면서 공공연히 비난했음에도 아무런 반박조차 하지 못하고 그저 침묵으로 일관했던 것이다. 그렇다고 해서 월간조선측이 촉구한대로 장거리 지하터널 문제를 ‘군의 고유 업무에서 국가적 과제로’ 승격시킨 것도, 또한 ‘김포지역에 대한 집중적인 탐사활동’을 벌인 것도 아니었다. 그러던 국방부가 시간이 지나면서 장거리 지하터널 문제에 대한 국민적 관심이 가라앉게 되자 슬그머니 종전의 주장을 다시 반복하기 시작했던 것이다. 예를 들어 2003년 3월 국방부는 ‘최근 땅굴 상습 민원인들의 주장에 대한 군 입장’ 제하의 발표문을 통해, 과거 월간조선측이 북한말투라고 보도한 바 있는 “이거 만지면 일만일천, 감전되지”라는 목소리에 대해 ‘남한 지역의 통상적인 어투로 판명되었다’거나, 또는 스즈키 박사의 음향분석결과에 대해서도 “근거 미제시로 알 수 없다”는 식의 무책임한 태도를 보였던 것이다. 뿐만 아니라 민간인의 청음기(마이크) 성능에 대해서도, 지난 1992년 월간조선 취재팀이 군과의 합동실험을 통해 확인한 적이 있는데다, SBS ‘그것이 알고 싶다’ 취재팀도 자체실험을 통해 재확인한 바 있음에도, 이를 또 다시 부정하고 있는 것이다.

하지만 보다 심각한 문제는 국방부가 장거리 지하터널 문제에 대해 군사적 차원의 접근을 거부함으로써 그 가능성(존재여부에 대한)을 모호하게 유지해왔다는 데에 있다. 예를 들어 김포 지역의 경우, “방송국에서 틀어놓는다면 많은 한국인들은 잠을 설쳐야 할” 정도로 생생한 갱차음이 땅 속에서 들렸다면, 그 원인을 군사적 차원에서 조사해야함에도(국방부 임무) 불구하고, 정작 조사해야할 이상징후는 방치한 채 엉뚱하게 이를 신고한 민간인들의 사기성을 입증(경찰의 임무)하는 데에만 노력을 기울여옴으로써 장거리 지하터널 문제를 영구 미제화(謎題化)시켰다는 것이다. 마찬가지로 연천지역의 경우에도, 지질학적 문제로 변질시킴으로써 영구 미제화(謎題化)시켰다는 것이다. 즉, 지하공간이 인공동굴이냐 여부를 규명하는 방식으로는 결코 문제의 핵심에 접근할 수 없다는 것이다. 왜냐하면 문제의 지하 동굴이 인공동굴이라 하더라도, 사방이 막혀있다면 군사적으로는 아무런 의미가 없는 것이며, 반대로 자연동굴이라 할지라도 평양에서부터 서울까지 일직선으로 연결되어 있는 것이라면, 얼마든지 기습통로로 이용될 수 있기 때문이다. 물론 자연 상태에서는 그럴 가능성은 거의 없겠으나 장거리 터널을 굴착하다보면 도중에 자연동굴과 조우할 수 있으며, 그럴 경우 북한은 자연 동굴을 장거리 지하터널의 일부분으로 활용할 것이라는 점에서, 국방부가 해당 지하공간 중 특정부분에서 자연동굴적 특성을 ‘간신히’ 찾아냈다는 이유만으로 절개작업을 거부하는 것은 설득력이 없다는 것이다.

절개작업(切開作業)이란 이상 징후가 발견된 지역의 땅 속을 직접 파 들어가는 작업으로서, 민간인들이 이를 요구하는 이유는 누구 주장이 옳은지를 육안으로 직접 검증하기 위한 것이다. 그런데 이에 대해 국방부가 지상에서의 조사만으로도 충분하다면서 거부해왔다는 것이다. 예를 들어 지난 2003년 3월 2일 SBS TV가 이 지역에서 “인위적인 절개 흔적과 발파(發破) 면이 있는 2m 높이의 동굴 형태가 발견되었다”고 보도했을 때에도 국방부는 “기술적으로 땅굴 굴착이 불가능한 지역”이라는 단 한 가지 이유만으로 확인(절개작업)을 거부했던 것이다. 뿐만 아니라 그로부터 3년 뒤인 2006년 4월, 법원이 연천 지역에 대한 절개명령을 내렸을 때에도 이를 거부했다. 즉, 당시 민간인이 소송을 제기함에 따라 재판부가 “땅 절개 공사에 1억 5000여 만원이 소요되는 데다 해당 지역은 군사보호지역이므로 민간인이 직접 땅을 파는 것은 사실상 불가능하다”면서 국방부에 절개명령을 내렸을 때에도 국방부는 이의를 제기, 또 다시 복잡한 소송의 길을 선택했던 것이다. 1억 5000여만 원만 투자해서 절개작업을 하면 자신들의 주장이 옳다는 것을 간단하고도 확실하게 확인시켜줄 수 있음에도 불구하고, 국방부가 이를 거부하기 위해 굳이 복잡하고 비용이 많이 드는 소송의 길을 선택했다는 것이다. 더구나 해당 지역은 생전의 정지용씨가 이미 20년 전부터 절개작업을 요구해 온 지역이라는 점을 감안한다면, 국방부의 태도는 이해하기 힘든 것이다.

그런 점에서 보면 이러한 국방부의 태도야말로 장거리 지하터널의 존재를 입증해 주는 또 다른 정황증거라고 할 것이다. 즉, 민간인들이 집요할 정도로 절개작업을 요구해온 이유가, 김포 및 연천 지역에 장거리 지하터널이 들어와 있음을 ‘누구보다도’ 깊이 확신하고 있기 때문이듯이, 국방부 실무자들 역시 해당지역에 지하터널이 존재함을 ‘누구보다도’ 잘 알고 있기에 절개작업을 거부할 수밖에 없었던 것으로 보인다는 것이다.

그렇다할지라도 여전히 의문점이 남을 것이다. 아무리 잘못된 기자회견에 대한 책임문제가 두렵다고 해도, 국가안보와 직결될 뿐만 아니라 전쟁이 날 경우 1차적 피해자가 될 수밖에 없는 국방부가 어떻게 그토록 무책임한 행태를 보일 수 있을까 하는 의문을 제기할 수 있다는 것이다.

이와 관련해서는 과거에 우리 조상들이 6.25를 당하게 된 것도 비슷한 이유 때문이었음을 주목해야 할 것이다. 우선 6.25의 경우 이승만 대통령이나 우리 국방부가 북한의 남침 가능성을 전혀 몰랐다고 보기는 어려울 것이다. 왜냐하면 1950년 5월 12일 이승만 대통령은 기자들에게 “북괴의 침략 위협이 우리의 신경을 날카롭게 한다. 그러나 우리들은 그 위협에 익숙해져 있다”고 인정한 적이 있기 때문이다. 그렇다면 6.25의 경우에도 이승만 대통령이 “북진통일”을 공공연히 주장한 것이 화근이었다고 할 것이다. 즉, 대통령이 ‘북진통일’을 주장하고 있다면, 당연히 그 밑의 국방장관이나 참모총장으로서는 북진통일을 위한 만반의 준비를 갖추고 있는 듯한 ‘공식입장’을 천명할 수밖에 없었다는 것이다. 이 때문에 신성모 국방장관은 걸핏하면 “명령만 내린다면 아침은 해주에서 먹고 점심은 평양에서 들며, 저녁상은 신의주에서 받을 수 있다”고 큰 소리를 친 것이며, 채병덕 참모총장 역시 ‘북진통일 방법은 군기밀이라 언급할 수 없으나, 백번 승산이 있으니 국민은 안심하라’고 큰소리를 칠 수밖에 없었다고 할 것이다.

이러한 군의 공식입장 때문에 당시 우리 군내에서는 더 이상 남침이라는 흉조(凶兆)에 대해서 언급하기를 꺼리게 되었고 심지어 남침이라는 말을 입 밖에 내는 것 자체가 ‘정신 이상’이거나 ‘이적행위’라도 되는 것처럼 의심을 받는 분위기가 조성되었다고 한다. 그리고 이런 분위기의 배경에는 ‘북한이 세계 초강대국인 미국을 상대로 전쟁을 벌일 리가 있겠는가’라는 ‘지극히 합리적인’ 생각도 크게 작용했다고 한다. 게다가 미국의 군사고문관들까지 ‘전쟁은 일어나지 않을 것’이라고 주장하였기에 더욱 그러했다.

그런데 특이한 것은 북한의 전면 남침이 시작된 뒤에도 국방부의 ‘공식입장’은 전혀 바뀌지 않았다는 사실이다. 즉, 6월26일 개최된 비상국회에서 채병덕 참모총장은 “적을 의정부 밖으로 격퇴했다. 3개 사단이 후방에서 올라오면 평양을 3일 이내에 점령해 보이겠다”고 장담함으로써 국회의원들로부터 박수갈채를 받았는가하면, 신성모 국방장관 역시 6월 28일 중앙방송을 통해 “침입한 적은 국군의 반격으로 퇴각하고 있다. 그러므로 국군은 총반격을 개시하였는바 차제에 압록강까지 진격하여 민족의 숙원인 국토 통일을 완수하고야 말 것”이라며 또 다시 ‘공식입장’을 천명했던 것이다. 그 결과 국방부의 ‘공식입장’을 액면 그대로 믿었던 우리 조상들만 ‘점심을 대전에서 먹고 저녁은 부산에서 먹는’ 비극을 겪게 되었던 것이다.

이와 같은 역사적 경험에 비춰보면 오늘날의 우리 국방부 관계자들이라고 해서 예외적으로, 자신들의 개인적 불이익을 감수하면서까지 국방부 공식입장을 반박 내지는 번복할 정도의 용기와 애국심을 발휘할 수 있으리라고 기대하는 것 자체가 무리라고 할 것이다. 그렇다면 역대 국방장관 등 군 고위간부들은 왜 그동안 ‘장거리 지하터널이 없다’는 실무자들의 주장을 액면 그대로 받아들이게 되었을까.

이는 무엇보다도 지하세계의 복잡성이 가장 큰 원인이라고 할 것이다. 전문지식이 없는 사람으로서는 민간인들과 국방부 실무자들 사이에 상충되는 주장들 속에서 어느 것이 옳은지를 판단하기가 쉽지 않았기에, 양측의 주장 내용의 타당성보다는 그러한 주장을 하는 사람의 신분을 기준으로 판단할 수밖에 없었다는 것이다. 즉, 아무런 직책도 없는 허술한 옷차림의 민간인보다는 ‘땅굴 탐지과(처)장’이라는 거창한 직책과 그럴듯한 제복을 입은 국방부 실무자들이 더 전문가처럼 보이고 더 믿음직스럽게 보일 수밖에 없었다는 것이다. 같은 이유에서 그 동안 정지용씨의 진정을 받은 청와대와 국회 등도 국방부의 주장을 그대로 받아들이게 되었다고 할 것이다. 그런 점에서 정지용씨는 장거리 지하터널을 찾는 데에는 성공했지만, 자신이 지하터널을 찾았다는 사실을 우리 국민들에게 설득하는데 실패함으로써, 끝내 그의 노력은 결실을 맺지 못했다고 할 것이다.

결론적으로 북한의 남침 능력은 충분히 있으며 또한 그러한 능력은 장거리 지하터널을 바탕으로 하고 있음을 알 수 있는 것이다. 하지만 보다 엄밀한 의미에서는, 북한의 남침 능력은 장거리 지하터널 그 자체라기보다는, 장거리 지하터널의 존재를 끝까지 부정하고 싶어 하는 우리 국방부의 부처이기주의 내지는 무사안일주의를 바탕으로 하고 있다고 할 것이다.

Ⅴ. 여전히 남는 의문점들

그렇다할지라도 여전히 다음과 같은 의문점들이 제기될 수 있을 것이다.
첫째는 필자의 주장대로 남침이 임박한 상황이라면, 왜 전쟁위기가 피부로 느껴지지 않는 것일까 하는 문제이며
둘째는 설령 필자의 주장대로 북한의 남침 가능성을 인정한다고 해도, 그 가능성이 100% 확실한 것은 아니지 않는가라는 등의 반문이 가능할 수 있다는 것이다.

1. 전쟁 위기가 느껴지지 않는 이유

이와 관련 기습이란 근본적으로 상대가 전혀 예상하지 못한 시기와 방법으로 공격할 때 비로소 성립될 수 있음을 상기해야 할 것이다. 즉, 전쟁위기가 느껴지지 않는다는 것만으로는 전쟁가능성을 부인할 수 있는 근거가 될 수 없다는 것이다.

이와 관련 제2차 세계대전 당시에 독일군이 무려 150개 사단이나 되는 대규모 병력을 국경지대에 집결시켰음에도, 대부분의 소련 시민들은 전혀 전쟁위기를 느끼지 못했으며, 진주만 기습 때에도 상당수의 미국인들 역시 주말을 맞아 밤늦게까지 춤추며 놀다가 다음날 아침에야 전쟁 소식을 듣게 되었음을 주목할 필요가 있다. 마찬가지로 우리의 경우에도 과거 임진왜란과 6.25 당시 우리 조상들 역시 일본과 북한이 침공을 위해 대규모 병력을 동원했음에도 전혀 전쟁 위기를 느끼지 못했던 것이다.

그런 점에서 제1차 핵위기 당시인 지난 1994년 6월, 북한이 전쟁준비에 한창임에도 대부분의 우리 국민들이 전혀 전쟁가능성을 느끼지 못했던 것도 이상한 일은 아니라고 할 것이다. 다음은 당시의 언론보도 내용이다.

『지난 6일 6시 10분 북한관영 중앙방송은 섬뜩한 내용을 보도하기 시작했다. “조선반도에는 일촉즉발의 엄중한 정세가 조성되고 있다. 우리에 대한 제재(北爆)는 곧 전쟁이며 전쟁에는 자비란 있을 수 없다” 같은 시각 서울의 중심부는 텅 비어있었다. 현충일이 겹친 황금연휴를 맞아 서울시민 상당수가 휴양지와 유원지로 떠나 집을 비우고 있었고 남아있던 시민들도 대부분 잠에서 깨어나지 않고 있었다. 북한은 지금 전쟁직전 상태나 다름없다. 평양방송과 중앙방송, 노동신문 등 북한의 보도 매체는 하루도 빠짐없이... 일촉즉발의 위기국면임을 강조하고 있다. 북한 주민들은 남녀노소를 불문하고 모두 총동원체제에 편입돼 있으며 하루에도 몇 시간씩 등화관제훈련과 방공대피훈련을 받고 있다. 또 식량도 전쟁발발에 대비, 평소보다 줄여 지급받고 있다.

그러나 우리의 안보의식은 이 같은 현실과 너무나 동떨어져 있다는 게 전문가들의 지적이다. 외국인의 한국방문이 지난 4월부터 급격히 줄어들고 있는 반면 한국인의 외국 방문은 오히려 크게 늘어나고 있는 현실이 이를 반증하고 있다. 또 홍콩 증시에서 한국관련 주가가 급락해도 국내의 주가는 오히려 상승하는 기현상이 나타나기도 했다... 여기에 한총련 등 일부 학생단체는 6.25 한국전쟁이 민족해방전쟁이라고 주장하면서 김일성유일사상을 찬양해 많은 국민들의 가슴을 섬뜩하게 했다...』

이와 같은 과거 경험에 비춰본다면 오늘날 우리 국민들이 임박한 남침 위기를 별로 실감하지 못하는 것도 어떤 면에서는 오히려 당연한 현상이라고 할 수 있을 것이다.

2. 남침 가능성에 대한 평가

그렇다면 오늘날 북한의 남침할 가능성은 얼마나 될까.
이에 대해 정확한 대답을 할 수 있는 사람은 김정일 밖에 없을 것이다. 물론 김정일 자신도 이에 대해 쉽게 답할 수는 없을 것이다. 김정일 입장에서 보았을 때 아무리 남침 결심을 굳힌 상태라고 해도 실제로 남침을 감행하는 것은 결코 쉬운 일이 아니기 때문이다. 따라서 현 시점에서 북한의 남침 여부는, 김정일 시각에서 보았을 때 다음 기회가 올 때까지 기다릴 필요가 있는가 하는 문제와 직결된다고 하겠다.

이와 관련 우선 기다릴 경우, 민주당 출신의 오바마 대통령과의 정상회담을 기대할 수 있을 것이다. 즉,「핵 포기 對 주한미군 철수 맞교환」을 의제로 오바마 대통령과 담판 지을 수 있다면 군사적으로나 정치?외교적으로, 보다 유리한 상황에서 적화통일을 시도할 수 있기에 기다릴 가치가 충분히 있을 것이다. 하지만 제반 정황으로 볼 때 정상회담은 가능하겠으나, 회담결과 미국이 주한미군철수에 동의할 가능성은 희박하다고 할 것이다. 게다가 미 국무부 장관 후보자인 힐러리 클린턴이 인준청문회에서 “북한의 의무를 이행하지 않는다면 해제했던 제재를 신속히 다시 가해야하며, 새로운 제재도 고려해야 한다”고 강조한 바 있기에 더욱 그러하다.

반면에 더 이상 기다리기에는 다음과 같은 이유에서 적잖은 무리가 따를 것으로 보인다는 것이다.

첫째, 정치적인 측면에서 이미 한계상황에 도달해 있는 것으로 보이기 때문이다. 예를 들어 북한의 공영 매체가 지난 2004년 9월 12일 “최영 장군은 애국명장, 이성계는 배신자”라는 요지의 보도를 한 사실을 주목할 필요가 있다. 왜냐하면 이는 친중 쿠데타 가능성을 김정일이 얼마나 두려워하고 있는지를 잘 보여주는 단서이기 때문이다. 같은 맥락에서 김정일이 지난 2007년 3월 대보름을 맞아 현철해 대장 등 측근들과 함께 중국 대사관을 방문, 중국 외교관들과 함께 밝은 얼굴로 기념사진을 찍은 사건도 중요한 의미가 있다고 할 것이다. 이러한 김정일의 행동 속에는 중국에 대한 충성심을 보여주는 한편 군사정변 등 급변사태 발생에 대비한 비상탈출로를 사전에 점검하려는 의도 역시 느껴지기 때문이다. 구한말에 고종이 아관파천을 한 것처럼 김정일도 화관파천(華館播遷)에 대비한 예행연습을 한 것으로 보인다는 것이다.

그런 점에서 북한체제가 이미 10여년 전부터 심각하게 동요하기 시작했음을 주목할 필요가 있는데, 다음은 이와 관련한 필자 개인의 경험담이다. 필자는 한 때 북한 보위부요원(안전대표부 소속)과 제3국에서 ‘우정’을 나눈 적이 있다. 그는 평소 제3국의 수도 한복판에 걸려있는 삼성, LG, 현대 등의 광고판을 볼 때마다 같은 민족으로서 자긍심을 느낀다거나, 또는 택시를 탈 때에도 일부러 남한 사람 행세를 한다고 언급했을 정도로 비교적 자유분방한 성향을 보여준 인물이다. 다음은 상기 북한 보위부요원이 통일문제와 관련 필자에게 언급한 내용을 직접화법으로 정리한 것이다.

“우리는 이미 남조선 혁명에 대한 자신감을 잃었다. 뿐만 아니라 남조선에 의해 통일되는 것이 민족 장래에 도움이 된다는 것도 잘 알고 있다. 하지만 통일된 후 남조선 당국이 우리를 단지 북한의 기득권층이라는 이유만으로 처벌할까봐 어쩔 수 없이 김정일에게 충성하고 있는 것이지, 김정일을 존경하거나 두려워하기 때문은 아니다. 오늘날(약10여년전)의 북한 상황은 아무리 김정일이 철저하게 감시를 한다고 해도 얼마든지 쿠데타가 가능할 만큼 어수선하다. 그리고 잠재적인 쿠데타 주도 세력은 역설적이게도 만경대 혁명학원(항일 빨치산 등 핵심 계층의 자녀들을 위한 학교) 출신들이 될 것이라고 본다. 혁명학원 출신들은 오랜 동안 함께 집단 교육을 받고 성장했기 때문에 상호 유대가 끈끈한데다, 출신 성분이 좋다는 이유로 민감한 외부 정보를 접할 기회가 많은 관계로 바깥 사정에 대해서도 비교적 잘 알고 있기에 오히려 사상적으로는 가장 많이 흔들리고 있는 집단이기 때문이다. 그럼에도 북한에서 쿠데타가 일어나지 않는 이유는 쿠데타 자체가 불가능해서가 아니라, 쿠데타로 인해 북조선 정세가 어수선한 틈을 타서 남조선이 북침, 쿠데타 주도 세력까지 처벌할까봐 두려워서 못하고 있는 것이다...”

물론 이상과 같은 북한 보위부 요원의 일방적 주장을 액면 그대로 받아들이는 것은 무리라고 할 것이다. 하지만 한 가지 분명한 것은, 북한의 보위요원이 남한의 정보 요원(필자) 앞에서 남한 정부가 자신들의 기득권만 보장해 준다면 얼마든지 쿠데타를 감행할 용의가 있다는 식의 발언을 했다는 사실은, 그들이 이미 오래 전에 체제에 대한 충성심이나 자신감을 상실한 상태였음을 보여준다는 것이다.

일반적으로 특정 국가의 체제나 정권이 붕괴조짐을 보일 때, 가장 먼저 알게 되는 사람은 해당 국가의 체제 및 정권수호를 담당하고 있는 정보기관 요원들이라고 한다. 이 때문에 과거 구소련이 붕괴조짐을 보일 때 구소련의 KGB 의장이 쿠데타에 가담하게 된 것이며, 마찬가지로 우리나라의 경우에도 중앙정보부장이 군사 정권 전복에 앞장서게 되었다는 것이다. 따라서 북한 체제는 이미 오래 전부터 심각한 붕괴위기에 직면해 있었다고 할 것이다. 즉, 우리가 햇볕정책과 6.15 정상회담 등을 통해 김정일의 정치적 위상을 강화시켜주지 않았더라면 과연 북한체제가 현재까지 유지될 수 있었을지 여부가 불투명하다는 것이다.

둘째, 경제적인 면에서도 이미 한계상황에 도달해 있는 것으로 보이기 때문이다. 예를 들어 지난 2006년 10월 북한이 방코델타 은행(BDA) 문제로 핵실험을 강행한 것은 북한 내부의 경제상황을 들여다 볼 수 있는 중요한 단서라는 것이다. 방코델타 은행(BDA) 문제란, 마카오 소재 중국계 은행인 방코델타 은행을 통해 북한이 위폐를 유통시킨다는 이유로 미국이 이 은행내 북한 계좌를 동결시킨 사건을 말한다. 그런데 북한이 ‘체제보장을 위해 개발했다는’ 핵을, 경제제재를 풀기 위해 사용했다는 것은 그 만큼 당시 북한의 경제사정이 체제붕괴를 걱정해야 할 정도로 다급했음을 반영하는 것으로 볼 수 있다는 것이다. 즉, 핵시인(2002.10) 이후 4년째 ‘중유공급 중단’ 사태를 겪어 오던 터에, 미국이 돈줄마저 죄어 들어오자, 김정일로서는 견디기 힘들었기에 최후의 수단이라고 할 수 있는 ‘핵실험’으로 대응할 수밖에 없었다는 것이다.

같은 맥락에서 최근에 북한이 남북 교류 중단 등과 같은 강경조치(‘12.1조치’)를 취한 사건이 북한경제에 미칠 영향에도 주목해야 할 것이다. 그 동안 북한이 미국의 경제봉쇄 조치 등을 견딜 수 있었던 것은, 그나마 금강산관광 및 개성공단 사업 등을 통해 남한으로부터 적지 않은 외화를 획득할 수 있었기 때문이었는데, 이제는 그나마도 쉽지 않다면 버티는데 한계가 있을 것으로 보아야 한다는 뜻이다. 그렇다고 해서 남한정부로부터 아무런 양보조치도 끌어내지 못한 상태에서 스스로 ‘결단한’ 대남강경조치를 해제할 명분도 없기에 결행을 앞당길 가능성이 상존한다는 것이다.

셋째, 남침을 유보한다고 해서 지금보다 더 유리한 남침기회가 온다는 보장도 없기 때문이다. 예를 들어 차기 남한의 대통령 선거에서 진보성향의 후보가 당선된다는 보장이 있다면 몰라도 그렇지 않다면 기다리는 것의 의미가 없다는 것이다. 게다가 남한에 진보성향의 후보가 당선된다고 해도 반대로 미국에 공화당후보가 당선된다면 이 역시 낭패일 수밖에 없기에 기다리는 것의 효용성이 지극히 불확실하다는 것이다.

이상과 같은 이유에서 미국의 정권교체(2009.1)를 전후하여 김정일이 남침할 가능성은 얼마든지 있다고 할 것이다. 게다가 비슷한 시기에 구정 연후까지 겹치기에 더욱 그러하다. 하지만 국제정세가 그 어느 때보다도 김정일에게 불리하게 전개되고 있다는 점과, 전쟁에 대한 김정일 개인의 불안감 등을 고려한다면 반드시 그렇다고 장담하는 것도 무리라고 하겠다. 따라서 이번 기회에 김정일이 남침을 결행할 가능성은 반반(50%)으로 보는 것이 타당할 것이다.

3. 남침가능성이 모호한 이유

그렇다면 필자 자신도 100% 확신하지 못하는 남침 가능성을 놓고 웬 호들갑이냐는 반박이 가능할 것이다. 하지만 이와 관련해서는 역사상 기습을 당한 거의 모든 국가들 역시 동일한 이유로 방어대책을 소홀히 했음을 직시할 필요가 있다. 즉, 임박한 전쟁위기 앞에서 결정적인 증거를 요구하는 행위는 사실상 방어대책 포기를 종용하는 것이나 마찬가지로서, 이는 곧 경고정보(warning intelligence)의 특성과 한계를 정확히 이해하지 못한 결과에 불과하다는 것이다. 그렇다면 경고정보의 특성과 한계는 무엇인가.

이와 관련해서는 우선 故 함석헌 선생(사학자, ‘씨알의 소리’ 발행, 이하 亡者에 대한 존칭 생략)이 임진왜란과 6.25 당시에 우리 조상들이 국가안보에 있어 실패한 원인에 대해 다음과 같이 평가한 적이 있음을 주목할 필요가 있다.

『명나라를 칠 터이니 길을 빌려라 하며 여러 번 사신이 왔다 갔다 하는 동안에라도 정신만 있었으면 임기응변이라도 하였을 것이다. 그러나 정신이 어지러워진 사람에게는 “내년에는 온다”고 전쟁을 선언하는 적국 사신의 말도 한마디 농담으로 밖에 아니 들렸다. 그러므로 베개를 높이고 있었다... 급해오는 풍운의 대세를 본 조헌이 우유부단의 외교를 보고 참지 못해 단연한 국책을 세워야 한다고 상소하여도 감사가 도무지 위로 올려 보내주지 않았고, 고향 옥천에서 걸어서 올라와 임금께 직소한 즉 미친 사람으로 대접하였고, 몇 해를 참다못해 또 다시 서울로 올라와 도끼를 가지고 대궐 밑에 엎디어 아니 들으시려거든 이 도끼로 신의 목을 찍으소서, 한즉 길주에 귀양으로 갚아 주었다... 6.25 전쟁은 임진란과 비슷한 점이 있다.

첫째, 그 도무지 모른 데서 같다. 임진란도 그 날 아침까지 몰랐고, 6.25도 그 날 새벽까지 도무지 몰랐다. 또 도무지 준비 없었던 데서도 같다. 그렇게 큰 국난이요. 저쪽에서는 미리미리 준비한 것인데 이쪽에서는 왜 그리 준비가 없었을까? 두 번 다 잘 못은 저쪽에 있는 것이요. 우리의 어디까지나 평화민족인 것은 증명이 되었지만, 나라로서 외적에 대한 준비가 그렇게 없었다는 것은 부끄러운 일이다...』

상기 함 선생의 주장을 보면, 그는 ‘너무도 뚜렷한’ 침략징후를 과거 우리 조상들이 전혀 보지 못한 것을 안타까워하면서 ‘정신이 어지러워졌기 때문’이라고 한탄했음을 알 수 있다.

그렇다면 우리 조상들은 왜 그토록 ‘뚜렷한’ 침략징후를 보지 못했을까. 다시 말해 우리 조상들과 함석헌 선생 사이에는 어떤 차이가 있기에, 함 선생은 ‘뚜렷하게’ 인식했던 침략징후를 우리 조상들은 제대로 보지 못했을까. 이는 한 마디로 말해서 ‘결과를 본 사람’과 ‘보지 못한 사람’ 사이의 차이에서 비롯된 것이라고 하겠다. 즉, 과거의 우리 조상들에게 있어 전쟁 발발 여부를 판단하는 것은 ‘미래의 결과’를 예측하는 일이기에 어려웠던 반면, 함 선생에게는 ‘과거의 결과’를 되돌아보는 일이기에 지극히 용이했다는 것이다. 이처럼 결과를 알게 되면, 그전에 상충되는 쟁점(전쟁발발 여부를 둘러싼 논쟁) 중에서 어느 것이 옳았는지를 누구나 ‘쉽게’ 알게 되는 현상은 후견지명(後見之明:hindsight) 덕분에 가능하다고 한다. 즉, 함 선생 입장에서는 임진왜란과 6.25가 발발할 것인가 여부를 판단하는 것은 후견지명을 활용하는 것이기에 쉬웠던 반면, 그 당시를 살았던 우리 조상들로서는 미래를 정확하게 예측하는 선견지명(先見之明:foresight)을 발휘하는 것이기에 어려웠다는 것이다.

그런 점에서 ‘김정일이 미국의 정권교체기를 전후해서 남침할 것’이라는 필자의 주장도, 결국은 이 시대를 살고 있는 우리 국민들에게 선견지명을 요구하는 것이기에 어려운 문제일 수밖에 없으며, 반면에 미래의 우리 후손들이 되돌아보기에는 ‘너무도 쉬운’ 문제로 보일 가능성이 있다는 것이다. 하지만 그렇다고 해서 단지 필자의 주장이 옳은지 여부를 지켜볼 목적으로, 작금의 불안정한 시기들이 지나갈 때까지 무작정 기다릴 수만은 없을 것이다. 그렇다면 현 단계에서 우리들은 어떻게 해야 할 것인가.

이와 관련해서는 우선 북한이 실제로 남침하기 전까지는 그 가능성이 ‘모호하게’ 보이는 것이 당연한 현상이라는 사실부터 직시할 필요가 있다. 즉, 실제로 전쟁이 일어나기 전까지는 전쟁 가능성은 항상 모호하게 보일 수밖에 없다는 것인데, 이는 비가 내리기 전까지 ‘비가 온다’는 일기예보의 정확성 여부가 모호한 것과 비슷하다. 다만 경고정보의 경우 100% 틀릴 수밖에 없다는 특성으로 인해 일기예보에 비해 정확도가 떨어질 수밖에 없는데, 바로 이 점이 경고정보와 일기예보 사이의 근본적인 차이인 것이다. 그렇다면 경고정보는 왜 항상 100% 틀릴 수밖에 없는 것일까.

이는 경고정보의 경우, 일단 경보를 발령하게 되면, 그 즉시 상대방이 공격 시기를 늦추거나 보류하게 됨으로써 경고정보는, 아무리 정확한 것이었다 하더라도 발령하는 순간 오경보로 전락할 수밖에 없는 것이다. 즉, 일기예보의 경우 ‘내일 비가 온다’고 예보를 했다는 이유로, 하늘이 변덕을 부리는 일은 없지만, 경고정보의 경우 ‘전쟁이 일어날 것’이라고 예측한 시기에는 절대로 일어나지 않는다는 특성이 있는데, 바로 이러한 이유에서 경고정보는 근본적으로 모호할 수밖에 없는 한계가 있다고 하는 것이다.

그런 점에서 역사상 기습 방지에 실패한 국가의 지도자들이 ‘침략 가능성을 전혀 보고받지 못했기 때문’이라고 하지 않고 ‘보고는 받았지만 그 가능성이 모호했기 때문’이라고 변명해왔음을 주목해야 할 것이다. 즉, 그들도 침략가능성에 대해 어느 정도는 알고 있었지만 ‘확실한 단서가 없다’는 이유로 대응책 강구를 망설이다가 끝내 국민의 생명과 재산을 지키는데 실패했다는 것이다. 다음은 6.25 당시 남침대비에 실패한 원인과 관련한 미 ‘트루먼’ 대통령의 해명내용이다.

“그 해(1950년) 봄 내내 CIA는 기존의 국지적 공격에서 전면전으로 확대할 가능성이 항시 존재한다고 보고했다... 하지만 실제로 그와 같은 공격이 있을 것인지 여부와 또는 공격이 있게 되면 언제 있을 것인지에 대해서는 분명한 단서가 부족했다. 그러나 중요한 것은 그 정도의 침공 가능성이 있는 지역은 한국만이 아니었다는 사실이다. 바로 동일한 CIA 보고서는 러시아가 전쟁을 일으킬 수 있는 지역은 전 세계적으로 볼 때 한국말고도 얼마든지 있다고 주장했었다.”

이러한 사정은 테러의 경우에도 마찬가지이다. 왜냐하면 실제로 테러가 발생하기 전에는 그 가능성이 항상 모호할 수밖에 없기 때문이다. 그런 점에서 9.11 테러와 관련해서 라이스 전 미 국가안보보좌관이 ‘테러 직전에 몇 가지 「염려스러운 정보」를 보고받기는 했지만 「실망스러울 정도로 모호했다(frustratingly vague)」’고 증언한 것도 우연은 아닌 것이다. 그렇다면 결국 전쟁이나 테러 공히 실제 상황이 발생하기 전에는 그 가능성을 정확하게 알 수 없다는 것인가.

결론부터 말한다면 이는 수사를 하기 전에는 불가능한 일이며, 바로 여기에 정보와 수사 사이의 결정적 차이점이 있는 것이다. 예를 들어 오늘날 북한의 남침 여부를 규명하는 일은 김정일을 체포해서 수사를 하기 전에는 불가능한 것이다. 설령 수사를 한다고 해도 김정일이 자백하지 않는다면 이 역시 100% 입증하기가 쉽지 않은 것이다. 김정일이 실제로 남침을 획책했다하더라도 실행에 옮기기 전에는, 남침계획은 단지 그의 머릿속 생각(intention)에 불과하기 때문이다. 즉, 북한군이 휴전선을 넘기 전에는 그들이 휴전선 부근에 집결한 목적이 기동훈련을 위한 것이었는지 아니면 남침준비였는지 확인할 방법이 없다는 것이다.

이러한 어려움은 테러사건의 경우에도 존재한다. 예를 들어 9.11 테러의 경우 FBI가 테러범을 체포, 범행 계획을 자백받기 전에는 그들의 범행 가능성을 사전에 입증하는 것이 불가능하다는 것이다. 심지어 범인들을 체포하여 범행 계획 일체에 대한 자백을 받아낸다 하더라도 쉽지 않은데, 왜냐하면 테러가 발생하지 않은 상태에서 고작 ‘박스절단용 카터(cutter)’를 소지한 일단의 아랍청년들에 대해 대형항공기를 납치, 테러를 계획했다고 발표한다면, 이는 누가 보아도 ‘억지’로 보일 수밖에 없기 때문이다.

바로 이러한 이유에서 국가위기관리란, 결국 전쟁 등 위기상황 발생 가능성이 모호한 상태에서 여하히 대응할 것인가 하는 문제와 직결된다고 하는 것이다.

Ⅵ. 국가위기관리의 장애요소

그렇다면 국가위기관리 차원에서는 모호성을 어떻게 관리해야 할 것인가.

이와 관련해서는 전쟁 가능성이 모호할 때 왜 국가위기관리에 실패하게 되는지 그 원인부터 알아보는 것이 보다 효과적일 것이다. 왜냐하면 실패 원인을 정확히 이해할 때 비로소 그에 대한 올바른 대책을 수립하는 것이 가능할 것이기 때문이다.

1.「합리적 논리」의 함정(Mirror-Imaging)

오늘날 임박한 남침 위기를 정확히 판단함에 있어 걸림돌이 되는 것 중 하나는 소위 국제정치이론 등에 입각한 ‘합리적인 주장’이라고 하겠다. 이는 전쟁이란 단순히 국내적 요인뿐만 아니라 국제정세 등 제반요소가 복합적으로 작용하여 발발하는 것인 만큼, 현재와 같이 중국 등 한반도 주변 4강이 전쟁발발을 원치 않는 상황에서는 김정일로서도 섣불리 남침을 하지 못할 것이라는 등의 주장을 말한다.

물론 이러한 주장 자체는 나름대로 일리가 있지만, 이는 상대방에 대한 정보가 절대적으로 부족하거나, 또는 모호할 때(북한과 같이) 자신의 입장과 생각을 기준으로 상대방을 판단하게 되는 인간의 보편적인 심리현상(projection 또는 mirror-imaging)에 불과할 가능성이 높다는 것이다. 이로 인해 방어국(防禦國)은 보통 전쟁을 하지 않는 것이 유리한 입장이기에 상대방도 자기와 마찬가지로 전쟁을 하지 않는 것이 유리할 것으로 착각하게 된다고 한다. 반면에 공격국(攻擊國)은 전쟁 이외에는 달리 대안이 없기에 승산이 희박하더라도 모험을 감수하게 되는 것이다. 마찬가지로 방어국은 상대방이 군사력 열세 때문에 섣불리 공격하지 못할 것이라고 착각하는 반면, 공격국은 자신들의 군사력이 열세이기 때문에 더욱 극단적인 기습방안을 모색하게 된다는 것이다. 아울러 공격 시기와 관련해서도 방어국은 아직도 협상의 여지가 있다고 보는 관계로 상대방의 침략준비에 대해 양보를 받아내기 위한 ‘벼랑 끝 전술’로 오판하는 반면, 공격국은 시간이 흐를수록 불리하기 때문에 차라리 지금 공격하는 것이 낫다는 판단 하에 침략을 서두르게 된다는 것이다.

그런 점에서 1990년 8월 이라크의 쿠웨이트 침공사건(‘걸프전’)을 되돌아 볼 필요가 있다. 당시 미국과 쿠웨이트 공히 다음과 같은 이유에서 이라크가 쿠웨이트를 공격하지 못할 것으로 보고 방심하다가 기습을 당한 적이 있기 때문이다.

첫째, 쿠웨이트는 그 이전의 이란-이라크 전 기간(1980-1988) 중 이라크를 적극 지원했을 정도로 이라크의 맹방이었으며,

둘째, 미국이 쿠웨이트를 지원하고 있었기에 후세인이 미국과의 일전을 불사할 각오가 없는 한 쿠웨이트 침공은 있을 수 없는 일이었고,

셋째, 당시 이라크 군은 8년에 걸친 이란과의 전쟁으로 인해 지쳐있는 상태였기에 또 다른 전쟁을 감행한다는 것은, ‘누가 보아도’ 무리였던 것이다.

바로 이러한 이유에서 1990년 봄 사담 후세인이 군대를 동원하기 시작했을 때 CIA는 ‘이라크가 쿠웨이트를 침공하지 못할 것’이라고 대통령에게 보고했으며, 1990년 7월 이라크 군대가 쿠웨이트 국경에 집결했을 때에도 이를 단순한 무력과시로 보았던 것이다. 그렇다고 해서 모든 CIA 요원이 착각했던 것은 아니었다. 단 한 사람 Chales Allen 분석관이 침략가능성을 경고했지만 “놀랍게도 아무도 그의 말을 귀담아 듣지 않았다”고 한다.

이후 이라크의 침공이 임박한 시점에서야 CIA는 이라크가 쿠웨이트를 침공할 것이라는 판단을 하게 되었지만, 이때에는 ‘아버지’ 부시 대통령이 믿지 않았다고 한다. 즉, ‘아버지’ 부시는 CIA 보고를 믿기보다는 사우디 등 중동 국가의 지도자들에게 의견을 물었다는 것이다. 그러자 그들은 한결같이 ‘합리적인 근거’를 제시하면서 후세인이 침공하지 못할 것이라며 아버지 부시를 안심시켰으며, 심지어 요르단 국왕의 경우는 “후세인이 부시 대통령 각하에게 안부를 전달해 달라고 요청했다”는 말까지 전했다고 한다. 그리고 불과 몇 시간 뒤에 이라크군이 쿠웨이트 국경을 넘었던 것이다. 그렇다면 후세인 대통령은 왜 무모한 침공을 감행하게 되었을까.

이는 전적으로 사담 후세인의 편협한 시각과, 반대를 용납지 않는 이라크의 독재체제에서 비롯된 오판의 결과였다고 하는데, 그 이유는 다음과 같다.

첫째, 사담 후세인은 아랍중심의 세계관에서 벗어나지 못했다고 한다. 즉, 그들은 세계가 어떻게 반응할 것인지에 대해 진지하게 검토한 적이 전혀 없었는데, 이는 일단 후세인이 결심하면 복종이 미덕으로 여겨지는 이라크 체제의 특성에 기인했고 한다.

둘째, 후세인은 냉전이 종료되었다는 사실조차 제대로 파악하지 못했다고 한다. 만일 이라크가 그보다 5년 전에 침공했다면 소련은 미국의 걸프전에 반대했을 것이며 미국 역시 유럽주둔 미군을 섣불리 걸프지역으로 이동시킬 수 없었다는 것이다. 하지만 당시는 냉전이 거의 끝난 시점이었던 관계로 소련은 오히려 UN의 편을 들어 이라크의 군사정보를 연합군측에 제공하기까지 했다고 한다.

셋째, 중요한 전략적 시설을 보호하기 위해 외국인 포로들을 ‘인간방패’로 활용한 것도, 후세인의 편협한 사고에서 비롯되었다고 한다. 그러한 비인도적 처사로 인해 걸프전은 결국 ‘이라크와 전 세계’ 사이의 대결구도로 변모하게 되었는데, 여기에는 이라크가 전개한 기만공작도 일조를 했다고 한다. 즉, 이라크가 침공 전에 위장평화 공세를 전개한 데 이어 침공한 직후에도 ‘실수로 국경을 넘었다’며 사우디아라비아 등을 속임에 따라 인근 아랍 국가들의 분노를 샀던 것이다. 이러한 사실에 비춰보면 오늘날 북한이 남침할 수 없을 것이라는 ‘합리적 주장’들은 어디까지나 ‘전쟁을 원치 않는’ 우리의 입장에서 비롯된 아전인수 격 논리일 가능성이 높다는 것이다. 게다가 김정일은 이미 지난 2002년에 남침을 결심한 상태인데다, 아직까지 당시의 남침결심을 포기했다는 결정적인 증거가 없기에 더욱 그러하다.

2. 정보관(Intelligence Officer)의 불리함

전쟁 가능성이 모호할 때 국가위기관리에 실패하게 되는 또 하나의 원인은, 위기를 경고하는 정보관이 항상 불리한 입장에 놓일 수밖에 없다는 점이다. 설령 극소수의 정보관이 ‘합리적 논리의 함정’(mirror-imaging)을 극복함으로써 공자측의 침략징후를 정확히 간파했다할지라도 이를 경고하기가 쉽지 않다는 것이다. 왜냐하면 정보관으로서는 침략여부 뿐만 아니라 침략의 시기와 장소까지 정확히 맞추어야만 그 정확성을 인정받을 수 있기 때문이다. 그렇지 못할 경우 ‘양치기 소년’ 또는 ‘소심한 아랫사람’으로 전락할 수밖에 없는 것이다. 예를 들어 진주만 기습의 경우, 미 육군 정보부 극동과장 브랫튼(R. S. Bratton) 대령은 일본이 전쟁을 일으킬 것임을 정확하게 예측했지만 단지 침략시기에 있어 1주일 정도 틀렸다는 이유만으로 그의 경고는 신뢰성을 상실하게 되었다. 그가 예측한 당일에 아무 일도 일어나지 않자 그의 상관과 주변동료들은 그에 대해 ‘양치기 소년’, ‘소심한 겁쟁이’, ‘전쟁 히스테리를 가진 자’ 등으로 매도했던 것이다. 이 때문에 정작 그가 ‘다음 주에는 반드시 전쟁이 있을 것’이라고 정확히 예측했을 때에는 아무도 믿지 않았으며, 그 결과 미국은 무방비 상태에서 기습을 당하게 되었던 것이다. 같은 맥락에서 독-소 전쟁(1941.6.22 발생) 당시에도 스탈린은 1941년 3월부터 독일의 침공 가능성에 대한 경고를 수없이 많이 받았지만, 전쟁이 발발하기 전까지의 모든 경고는 오정보로 ‘드러날’ 수밖에 없었다. 이 때문에 전쟁 가능성을 경고했던 일선 정보 장교들의 판단과 태도는 ‘가벼우면서도 소심한 졸개들’의 행태로 보였던 반면, 그 동안 침공 가능성을 무시한 스탈린의 판단과 태도는 ‘신중하면서도 의연한 지도자다운 행동’으로 보였다고 한다. 하지만 히틀러가 침공 시기를 당초 계획된 일정보다 5주간을 늦춘 사실에 비춰보면 당시 소련 정보 장교들의 판단과 태도는 ‘정확하면서도 결연’했지만 히틀러가 침공을 망설임에 따라 결과적으로 오판으로 ‘드러날’ 수밖에 없었다고 할 것이다.

한편 정보관 입장에서 볼 때 위기를 경고함에 있어 어려운 문제는 또 있는데, 이는 언제 경고할 것인가 하는 경고시기의 선택과 관련된 문제이다. 남침경고를 가장 설득력 있게 하려면 남침하기 직전, 즉 북한이 총동원 체제를 가동한 상태에서 경고하는 것이 좋겠지만, 그럴 경우 북한은 곧바로 남침을 할 것이기에 의미가 없는 것이다. 왜냐하면 이러한 태도는 기습을 경고한다기보다는 기습을 중계하는 쪽에 더 가깝기 때문이다. 그렇다고 해서 북한이 남침준비에 돌입하지도 않은 상태에서 경고할 수도 없는 것이다. 그럴 경우 화창한 하늘에 대고 ‘폭우가 내린다’고 예보하는 것만큼이나 황당하게 들릴 수밖에 없기 때문이다. 그렇다면 필자는 왜 오늘날 경고를 하게 되었는가.

이는 우선, 김정일이 와병설 속에서 자신의 정확한 현재 위치를 계속 숨기고 있기 때문이다. 즉, 김정일 역시 남침 결행 여부를 놓고 계속 망설이고 있는 것으로 추정되기 때문이다. 그 다음은 작금의 이스라엘-하마스 전쟁 등 국제정세가 어떻게 전개될지 지극히 유동적이라는 것이다. 즉, 중동 정세 등의 급격한 변동에 따라 미국의 대한방위공약에 문제가 발생할 수 있다는 것이다. 뿐만 아니라 김정일의 즉흥적인 성격도 고려해야 한다는 것이다. 즉, 사소한 국제정세 변화 등에 자극을 받은 김정일이 ‘즉흥적으로’ 남침을 결행할 가능성이 언제든지 있다는 것이다. 하지만 보다 어려운 문제는 필자의 경고가 우리 정부에 의해 얼마나 받아들여질 수 있을 지가 지극히 불투명하다는 것이다. 왜냐하면 역사적으로 볼 때 전쟁경고를 그대로 받아들이고 방어대책을 강구한 정치지도자는 거의 없었기 때문이다.

3. 정치적 이해관계

그렇다면 정치지도자들은 왜 전쟁 경고를 받고도 방어대책을 강구하지 못하는 것일까. 이는 여러 가지 요인이 복합적으로 작용한 결과인데, 그 중에서도 가장 결정적인 요인은 정치적 이해관계이다. 즉, 경고정보는 그 본질에 있어서 모호할 수밖에 없는 반면에 경고정보를 믿고 대응책을 강구하는 것은 반드시 정치적 피해를 수반하기 때문이라는 것이다. 예를 들어 비상경계령을 발동할 경우 그에 따른 주가 및 부동산 가격 폭락, 외국자본 이탈 등과 같은 경제?사회적 피해가 불가피한 반면, 상대방은 침략시기를 늦추게 됨에 따라 경보발령은 ‘괜한 소동’ 내지는 ‘섣부른 조치’로 ‘드러나게’ 되면서 그에 따른 비난과 함께 정치적 책임을 질 수밖에 없다는 것이다. 따라서 국가지도자 입장에서 보았을 때 기습가능성에 대비한다는 것은 「모호한 전쟁가능성 대(對) 확실한 정치적 피해」중에서 선택하는 것이며, 그럴 경우 대개의 경우 정치 지도자들은 확실한 정치적 피해를 피하기 위해 방어대책을 망설이게 된다는 것이다. 게다가 이전에 전쟁이 없다고 주장해온 국가지도자라면, 그 동안 국가안보를 소홀히 한데 따른 정치적 책임까지 져야 하기에 더더욱 전쟁경고가 어려워진다는 것이다.

바로 이러한 이유에서 전쟁가능성이 모호한 상태에서는 정치지도자는 끝내 구체적인 방어대책을 강구하지 못하게 되는 것이며 같은 이유에서 상대방(공격국)은 침략 가능성을 더욱 모호하게 만들기 위해 위장평화 공세 등을 전개하는 것이다. 그런 점에서 보면 우리 국방부가 오늘날까지 장거리 지하터널 문제와 관련하여 검증작업(절개)을 거부함으로써 그 가능성을 모호한 상태로 유지하는 것이, 과연 누구를 위한 것인지를 생각해 볼 필요가 있는 것이다. 왜냐하면 지하터널의 존재 가능성이 모호한 상태라면, 정치지도자로서는 전쟁가능성이 모호할 때와 마찬가지로 대응책 강구가 거의 불가능하기 때문이다. 지하터널에 대한 대책을 강구한다는 것은 곧 정부가 지하터널의 존재 가능성을 인정하는 것이기에, 그 대책을 강구하는 순간부터 민심동요 및 주가폭락 등과 같은 피해를 입게 될 것이 너무도 ‘분명하다’는 것이다. 또한 설령 정치지도자가 지하터널의 존재에 대해 확신한다고 해도, 짧은 시간 내에 찾을 수 있다는 자신이 없으면, 이 경우에도 찾기 전까지는 ‘괜한 소동’을 일으킨 데 대한 비난과 그에 따른 정치적 책임을 피할 수 없기에 망설이게 된다는 것이다.

4. 모호성 관리

그렇다면 모호성에 대한 대책은 무엇인가.
이와 관련해서는 미국의 ‘9.11 진상조사위원회’가 장기적 분석을 바탕으로 하는 전략정보(strategic intelligence)의 중요성을 강조한 바 있음을 주목해야 할 것이다. 전략정보란 단편적인 현용정보(current intelligence) 또는 단기적인 전술정보(tactical intelligence)와 대립되는 개념으로, 오랜 기간에 걸친 ‘과거사실’에 대한 분석을 통해 ‘미래’를 예측하는 정보를 말한다. 예를 들어 9.11 테러의 경우 만일 미국이 ‘알-카에다’의 과거행적을 장기적인 시각에서 분석했다면 9.11 테러를 예측하는 것이 결코 불가능한 일이 아니었다는 것이다. 즉, 과거에 ‘알-카에다’가 트럭(육상 교통수단)을 이용하여 자살공격을 한 데 이어, 소형보트(해상 교통수단)를 이용하여 미 구축함 ‘콜’호 에 대한 자살테러(2000.10)를 감행한 ‘과거사실’을 주목했더라면, 다음에는 ‘공중 교통수단’인 비행기를 이용한 자살테러 가능성을 충분히 예상할 수 있었다는 것이다.
그런 점에서 북핵 문제의 미래를 예측함에 있어서도 과거 자료를 살펴보는 것만큼 효과적인 방법은 없다고 할 것이다. 게다가 과거자료를 되돌아보는 것은, 앞에서 설명한 후견지명(hindsight)까지 발휘할 수 있는 장점도 있기에 더욱 그러하다. 예를 들어 북한의 핵개발 의혹이 본격화되던 지난 1992년 9월의 상황과 관련 당시에는 다음과 같은 주장들 중에서 어느 것이 옳은지를 알 수 없었지만, 오늘의 시점에서 되돌아보면 누구 주장이 옳았는지를 후견지명을 통해 쉽게 알 수 있다는 것이다.

● 당시 통일원 차관의 주장

“국제원자력기구(IAEA) 사찰 결과 북한이 핵무기를 개발하고 있다는 최초 정보는 과장됐었다는 평가가 나오고 있다... 북한측도 이번 평양 고위급회담 기간 중 조속한 시일 내에 핵문제를 해결하기를 희망해온 만큼, 우리측이 군사기지 및 특별사찰에 신축성을 보여야 한다고 생각한다... 이번 8차 고위급회담에서 북측은 이인모씨(비전향 장기수)만 송환시켜 주면 10월까지 판문점에 이산가족 면회소를 설치하는 데 동의하겠다는 의사를 전달했다. 이에 따라 이 문제를 놓고 정부 차원의 협의를 벌일 방침이다...”

● 같은 시기 핵통제공동위원회 부위원장의 반대주장

“특별사찰은 반드시 관철되어야 한다. 아직 영변 핵시설에서 나온 핵연료봉에 대한 분석도 끝나지 않은 IAEA 임시사찰 결과만을 놓고 상태를 단정하는 것은 성급한 행동이다...”

즉, 상기 자료를 오늘날의 시점에서 되돌아본다면, 당시에 북한이 ‘조속한 시일 내에 핵문제를 해결하기를 희망한다’든가, 또는 ‘이산가족 면회소 설치에 동의하겠다’고 약속한 것 등이 모두 거짓이며 따라서 앞으로도 지켜지지 않을 것임을 알 수 있는 것이다.

같은 맥락에서 북핵 문제의 실체를 규명함에 있어 과거자료를 되돌아보는 것만큼 효과적인 방법이 없는 것이다. 이러한 이유에서 필자는 이글을 작성함에 있어 과거자료, 그 중에서도 특히 관계자들의 회고록을 적극 활용하였는데, 이는 회고록의 경우 특정 정보에 접근성을 가진 사람들이 검증을 각오하고 작성한 것이기에 그 어떤 비밀정보보다도 정확성이 높기 때문이다. 게다가 관련 사건이 진행되던 때만 해도 회고록 내용은 매우 민감한 비밀내용이었기에 그 가치는 아무리 강조해도 지나치지 않는 것이다. 반면에 현용자료는 그 정확성을 검증하기가 쉽지 않은데다, 특히 비밀자료의 경우는 검증될 기회가 없기에 섣불리 인용하기가 조심스러운 것이다. 물론 여기에는 비밀을 공개하는 데 따른 문제점도 있지만, 역사적 경험에 비춰 볼 때 비밀정보일수록 상대방 정보기관에 의해 조작된 것일 가능성이 높기에 더욱 그러하다.

마찬가지로 장거리 지하터널의 존재 여부를 규명함에 있어서도 과거자료(월간조선 기사 등)를 되돌아보는 것만큼 효과적인 방법은 없는 것이다. 우선 당시까지만 해도 ‘북한은 장거리 지하터널을 굴착할 기술적?경제적 능력이 없다’는 국방부의 주장이 그럴듯하게 들렸고, 이 때문에 필자 자신도 남아공 TBM 전문가의 설명을 듣기 전까지는 국방부 주장을 믿었던 것이다. 하지만 북한이 핵실험까지 감행한 현시점에서 되돌아보면 국방부의 입장이 설득력이 부족하다는 것을 쉽게 알 수 있는 것이다. 즉, 국방부의 주장과 태도상에 심각한 결함이 있음을 알게 된 현 시점에서, 과거의 월간조선 기사를 읽어보면, 마치 함석헌 선생이 과거의 전쟁위기를 ‘뚜렷이’ 알 수 있었던 것처럼, 우리들도 1992년 당시에 정지용씨 등이 주장했던 것이 ‘뚜렷한’ 장거리 지하터널 굴착 징후였음을 쉽게 식별할 수 있다는 것이다.

하지만 그럼에도 불구하고 문제는 여전히 남는다는 것이다. 왜냐하면 이처럼 과거자료를 활용한다고 해도 모호성을 최소화하는 데 그칠 뿐, 완전 극복하는 것은 불가능하기 때문이다. 즉, 북한이 실제로 남침을 하기 전까지는 전쟁가능성이 모호할 수밖에 없듯이, 장거리 지하터널의 존재 가능성도 북한의 기갑부대가 실제로 지하터널을 통해 지상으로 상륙하기 전까지는 모호할 수밖에 없다는 것이다.

그렇다면 모호성을 최소화시킨 다음에는 어떤 조치를 취해야 할 것인가.
이와 관련 국가위기관리에 있어 중요한 점은, 특정의 위기상황이 발생할 확률이 아니라, 그러한 위기상황이 발생했을 때 입게 될 피해규모라는 사실에 주목하는 것이다. 예를 들어 필자가 ‘제2의 서해도발’과 같은 국지전 가능성을 경고했다면 우리 정부는 물론 대부분의 우리 국민들도 그 가능성에 동의할 것이고 그에 대한 대비책을 강구하는 것도 어렵지 않았을 것이다. 반면에 필자의 전쟁 경고에 대해서는 그 가능성이 낮다는 이유로 무시하기 쉽다는 것이다. 하지만 이러한 태도는 국가위기관리 차원에서 볼 때 매우 잘 못 되었다는 것이다. 예를 들어 ‘제2의 서해도발’이 재발할 확률이 99%인 반면에 전면남침이 발생할 확률이 1%에 불과하다면, 국가위기관리차원에서 보면 비록 그 가능성은 낮다할지라도 엄청난 피해규모를 감안해서 1%의 남침 가능성에 대한 대책을 우선 강구해야 한다는 것이다. 즉, 남침에 따른 사상자 규모는 비록 그 가능성이 1%에 불과하다하더라도 최소한 만 명(6.25 당시 전사자 100만 명 X 0.01) 이상이 되는데 반해, 서해도발의 경우는 아무리 그 가능성이 99%라 할지라도 6명(서해도발 당시 전사자 6명 X 0.99)에 불과하기 때문이다.

그런 점에서 오늘날 북한이 남침할 가능성이 50%에 가깝다는 것은, 곧 남침에 대비할 필요성이 100%라는 것을 의미하며, 같은 맥락에서 북한의 장거리 지하터널이 김포반도 등으로 들어와 있을 가능성이, 물론 필자 자신은 100%에 가깝다고 확신하지만, 설령 국방부 K 전 대령의 주장처럼 50%에 불과하다고 해도 그에 대한 대책(절개작업 및 방어대책 수립)을 강구할 필요성은 100%임을 의미한다는 것이다. 즉, 절개작업을 실시함으로써 김포 및 연천 지역에 장거리 지하터널이 있는지 여부를 확인해야 할 필요성이 100% 있다는 것이다. 그럴 경우 국방부나 민간인, 둘 중 하나는 그 동안 거짓 주장을 해온 데 따른 책임을 지는 상황에 직면할 수밖에 없겠지만, 최소한 국가차원에서 볼 때는 어떤 경우이든 유익하다는 것이다. 설령 장거리 지하터널이 존재하지 않는 것으로 확인된다 하더라도 필요하다는 것이다. 왜냐하면 장거리 지하터널의 존재 여부에 대한 모호성이 지속된다면, 이를 둘러싼 민간인들과 국방부간의 논쟁이 앞으로도 계속됨으로써 국방부의 역량을 불필요하게 소모시킬 것이기 때문이다. 그럼에도 불구하고 국방부가 계속해서 절개작업을 거부하는 상태가 지속된다면 그 결과는 어떻게 될 것인가.

최악의 남침 시나리오

흔히들 이번에 북한이 남침을 할 때에도 과거 6.25 때처럼 새벽에 쳐들어 올 것이라고 생각하겠지만 기습이란 상대의 의표를 찔러야만 성공할 수 있다는 점에서 생각을 달리해야 할 것이다. 특히 지난 1996년 5월 미그-19기를 몰고 귀순한 전 북한군 이철수 대위가 다음과 같이 증언한 바 있다는 점에서 더욱 그러하다.

“94년 4월 김정일이 인민무력부 작전일꾼들에게 ‘우리 인민들이 자고 있는 사이에 공격을 개시, 순식간에 남조선을 점령해 아침에 깬 인민들이 남조선 점령상태를 확인토록 하라’고 지시했습니다”

이와 같은 이철수 대위의 증언은, 지하터널 및 잠수함 등을 이용한 김정일의 남침전략과 연결시켜보면 그 개연성이 충분하다고 할 것이다. 왜냐하면 지하터널의 경우 남침 직전에 마지막 출구부분을 뚫고 나와야 하는데, 이때 TBM 작동음이 지상에 들리지 않게 하려면 고요한 새벽보다는 교통량이 많고 혼잡한 저녁 시간을 이용하는 것이 보다 유리할 것이기 때문이며, 같은 맥락에서 잠수함을 이용한 상륙작전의 경우에도 낮보다 밤에 상륙하는 것이 훨씬 안전할 것이기 때문이다.

따라서 이번에 북한이 남침을 한다면, 새벽시간이 아닌 밤 시간에 시작될 것으로 예상해야 할 것이다. 즉, 미국의 정권 교체를 전후한 어느 주말 밤 10시-12시 경 김포 후평리 등지에서 갑자기 대형 굴삭기(TBM 등)가 땅 위로 머리를 내밀고, 그 뒤를 이어 국군 복장을 한 북한 특수 부대원들과 함께 북한의 기갑부대 등도 물밀듯 ‘상륙’할 것이다. 이때 우연히 인근 주민들이 발견하더라도, 후방 지역에 국군 복장을 한 군인들과 기갑부대 등이 북한군일 것이라고는 꿈에도 생각지 못 할 것이다. 설령 일부 주민들이 이를 수상히 여기고 인근 군부대 등에 신고한다고 해도 군부대가 이를 믿고 출동할 것인지 역시 지극히 의심스러운 것이다. 특히 국방부가 그 동안 장거리 지하터널의 존재를 부정해온 점에 비춰보면 더욱 그러하다.

이상과 같은 이유 등으로 우리 군이 남침에 조기 대응하지 못한다면, 땅 속에서 ‘상륙’한 북한 특수부대원들은 우선 한-미 연합군의 첨단 전쟁 능력을 마비시키는 데 주력할 것이다. 예를 들어 북한의 특수 부대원들은 오산 등지로 연결된 지하터널을 통해 기습 상륙, 미 공군 기지 및 한-미 연합군의 레이더 기지 등을 장악할 것이며, 아울러 가능한 많은 수의 미군 포로를 잡으려고 할 것이다. 그리고 동부전선에서도 지하터널을 통해 침투한 북한 특수 부대가 원주 등에 있는 군 지휘부를 공격할 것이며, 같은 시간대에 동, 서, 남해안 일대에서도 수천 명의 북한 특수 부대원들이 잠수함 등을 이용하여 일거에 상륙을 시도할 것이다.

이처럼 땅 속과 바다 속을 통해 침투한 북한 특수부대들이 한-미 연합군의 대북 감시 및 통신 체계를 파괴하면, 그 즉시 북한의 전투기와 폭격기들이 이륙해서 휴전선 부근의 밤하늘을 새카맣게 뒤덮을 것이다. 이륙 후 불과 10-15분 만에 서울 등 후방 깊숙한 지역에 배치되어 있는 우리 공군 비행장 및 군부대, 지휘소 및 통신망 등을 추가로 선제 폭격함으로써 제공권마저 장악하려 할 것이다. 그렇게 되면 그때까지 공격선에서 대기하고 있던 북한의 기갑 부대 및 기계화 부대 등도 시동을 걸기 시작할 것이다. 물론 기갑부대의 진격에 앞서 휴전선 일대에 배치된 장거리 방사포가 이미 수도권 지역을 포격함에 따라 서울 시내 일원은, 북한의 포격과 이에 따른 주유소 및 도시 가스의 연쇄 폭발로 ‘불바다’가 될 가능성이 높다.

그런 상황에서 지하터널을 통해 김포 지역 등으로 상륙한 북한 기갑부대 등이 방향을 북쪽으로 돌려서 전방에 배치되어 있는 한-미 연합군의 배후를 공격한다면, 한-미 연합군은 앞뒤로 포위되어 치명적인 피해를 입을 가능성 크다. 북한이 주장하는 ‘속도전’이란 6.25때와 같이 적을 후퇴시키는 것이 아니라 포위권(trap) 안에 가두어 놓고 앞뒤에서 협공, ‘섬멸하는 것’이기 때문이다. 또한 동부 전선에서도 북한의 기계화 부대가 동해선 지역을 통과해서 휴전선 일대를 돌파한 다음 북한 전폭기의 공중 지원을 받으면서 남진, 하루나 이틀 만에 부산을 점령함으로써 ‘한반도의 문’을 닫으려고 할 것이다. 물론 이때쯤이면 인천 공항 및 부산 항구 등도 이미 잠수함 등을 타고 기습 상륙한 북한군 특수부대 등에 의해 외부와의 연락이 차단되어 있을 것이다.

그런 다음 김정일은 수만에 달하는 주한 미군 및 그 가족들과 관광객 등을 인질로 잡고 미국에 대해 평화 협정을 체결하자고 요구할 것이다. 게다가 김정일이 우호의 표시로 미군 포로를 우대하는 장면을 CNN 등을 통해 내보내면서 포로 개개인의 인터뷰 내용까지 방영토록 한다면, 포로들의 미국내 가족과 친지들이 북한의 요구 사항을 받아들이라고 미 행정부 앞에서 연일 시위를 할 가능성이 있는 것이다.

그런 상황에서 김정일이 미국에 대해 ‘조-미 정상회담’을 제안하면서, 핵과 미사일을 포기하는 것은 물론 ‘주체방식의 자유선거’를 통해 평화적인(?) 적화통일을 마무리하겠다고 약속한다면 미국으로서도 섣불리 한반도 문제에 개입하기가 쉽지 않다는 것이다. 그렇게 된다면 북한이 주장하는 ‘3일 전쟁’ 또는 ‘3단계 7일 작전’도 전혀 불가능한 일만은 아니라는 것이다.

Ⅶ. 새로운 햇볕정책

그렇다면 우리는 무엇을 해야 할 것인가. 이와 관련 미 CIA 등이 진주만 기습과 같은 실패를 반복하지 않기 위해 많은 비용과 노력을 들여 개발해 놓은 기습 방지 요령이 있음을 주목할 필요가 있는데, 그 구체적 내용은 다음과 같다.

『1 단계 : 상대방 입장에서 어떤 기습방법이 가능할지에 대해 숙고하라
2 단계 : 그러한 기습방법 중에서 상대방이 가장 치명적인 기습방법을 선택할 경우 사전에 어떤 징후가 나타날 것인지를 예상하라
3 단계 : 실제로 그러한 징후들이 나타나고 있는지 여부를, 실현 가능한 범위 내에서 수집하라
4 단계 : 가장 위험한 기습방법을 무력화시킬 수 있는 방어책을 강구하되, 여의치 않을 경우에는 최소한 조기 경보라도 발령하라』


이상과 같은 기습방지요령의 유용성은 9.11 테러를 통해 다시 한 번 확인되었다는 점에서 중요한 의미가 있다. 즉, 지난 2004년 7월에 공개된 미국의 ‘9.11 보고서’에 따르면 9.11 테러의 경우에도 미 정보기관이 상기와 같은 기습방지요령에 따라 대처했더라면 재난을 사전에 예방하는 것이 전혀 불가능한 일은 아니었다는 것이다. 그렇다면 당연히 우리라도 상기 기습방지요령을 활용함으로써 오늘날의 안보위기를 극복할 수 있는 지혜를 발휘해야 할 것이다. 그런데 관련 요령 중 1단계부터 3단계까지의 조치는, 사실상 김포 및 연천 지역 주민, 그리고 정지용씨와 월간조선 등에 의해 사실상 완료된 것이나 마찬가지임을 알 수 있다.

그렇다면 남은 일은 4단계 조치, 즉 북한의 장거리 지하터널을 무력화시킬 수 있는 방어대책을 수립하는 것이며 이를 위해서는 당연히 정상적인 지휘계통을 밟아 관련 내용을 대통령에게 보고하는 것이 바람직할 것이다. 하지만 문제는 이러한 방안이 생각처럼 쉬운 일이 아니라는 것이다. 왜냐하면 중간보고 과정에서 국정원 지휘부로서는 사실 관계를 확인하기 위해 국방부의 의견을 문의할 수밖에 없을 것이기 때문이다(이는 정당한 업무절차임). 그럴 경우 국방부는 자신들의 소관 사항이라며 관련 사항을 이첩해 줄 것을 요구하는 등 조직의 명운을 걸고 필자의 보고를 무력화시키기 위해 전력을 다할 것으로 예상된다는 것이다. 그렇게 예상할 수 있는 근거는, 과거에도 고 정지용씨 등이 관련 내용을 청와대와 국회 등에 진정했을 때, 국방부가 적극적으로 개입함으로써 좌절시켰기 때문이다. 그럴 경우 국방부와 국정원 사이의 논쟁이 지속됨으로써, 장거리 지하터널 문제가 공론화만 될 뿐, 정작 중요한 방어대책이 지연됨으로써 오히려 김정일에게 결전을 앞당길 기회만을 제공할 우려가 있는 것이다. 즉, 관련 내용을 정상적인 지휘계통에 따라 보고하는 것은 가장 정당한 방법은 될 수 있어도 가장 안전하고도 확실한 방법은 될 수 없다는 것이다.

이 때문에 필자는 한때 비공식적인 채널을 통해 국정원장 및 대통령에게 직접 보고하는 방안을 모색했지만 이 역시 쉽지 않았다. 무엇보다도 특히 대통령에게, 중간단계를 거치지 않고 직접 보고할 수 있는 사람을 물색하기가 쉽지 않았다. 간혹 그런 사람을 물색하기는 했지만 그들을 설득하는 것도 쉽지 않았던 것이다. 왜냐하면 그들에게 있어서도 북한의 남침 가능성은 모호할 수밖에 없었기 때문이다. 즉, 필자의 일방적인 설명(국방부의 반론을 들어보지 않은 상태에서)만을 근거로 대통령에게 보고하기에는 무리가 따른다는 것이다(이러한 그들의 입장과 태도는 납득할 수 있는 것임)

이에 필자는 비공식적 채널로 보고하려는 노력을 포기하게 되었다. 그리고 본장 서두에서 설명한 기습방지요령의 제4단계 요령, 즉 ‘방어책 강구가 불가능할 경우 최소한 조기경보라도 발령하라’는 지침에 따라 이글을 우리 국민들에게 직접 공개하기로 결심하게 되었다. 게다가 이러한 방식은 다음과 같은 긍정적 효과를 기대할 수도 있다는 점에서 더욱 그러했다.

첫째, 장거리 지하터널과 관련한 국방부 전체를 대변하는 입장을 정립할 수 있는 계기를 마련할 수 있을 것이기 때문이다. 즉, 국방부가 기자회견하기 이전까지만 해도, 비록 사석에서나마 장거리 지하터널 가능성을 인정했던 국방부 관계자들의 의견도 수렴할 수 있는 기회를 제공할 수 있다는 것이다.
둘째, 전국민적 차원의 신고체제 구축이 가능하기 때문이다. 장거리 지하터널에 대한 방어대책에 있어 가장 중요한 요소는, 북한군이 지상으로 상륙할 때 얼마나 신속히 반격할 수 있느냐 여부에 달려있으며, 이를 위해서는 전 국민적 차원의 신고체제를 구축하는 것만큼 효과적인 방법이 없기 때문이다.

셋째, 일반 국민들로 하여금 오늘날의 위기상황을 직시토록 함으로써, 우리 사회내부의 ‘김일성 민족’들이 전개하는 반정부?반미 선전선동에 부화뇌동하지 않도록 하는 효과도 기대할 수 있기 때문이다. 즉, 오늘날의 안보위기를 극복함에 있어 사회적 안정을 유지하는 것만큼 중요한 요소가 없다는 것이다.

그렇다면 우리 국민들은 무엇을 해야 하는가. 우선은 대통령과 정부, 그 중에서도 특히 국방부에 대해 장거리 지하터널에 대한 대책을 포함한, 전방위적인 남침 방지책 수립을 촉구해야 할 것이다. 아울러 국회에 대해서는 국정감사(국방부 대상) 실시를 요구해야 할 것이다. 그런 다음에는 그 동안 정지용씨 등 민간인들이 요구해온 대로 김포 및 연천 등지의 땅속을 절개함으로써 남침용 지하터널의 실체를 만천하에 공개해야 할 것이다. 다만 이때 국방부는 북한의 선제남침 가능성에 대비한 군사적인 대응책만을 담당토록 해야 할 것이다. 장거리 지하터널의 존재를 부정하는 국방부에게 지하터널을 찾으라고 한다면, 이는 사실상 찾기를 포기하는 것이나 마찬가지이기 때문이다. 따라서 장거리 지하터널을 찾는 작업은 국정원 등과 같은 제3의 국가기관으로 이관하는 것이 바람직할 것이다.

그런 다음에는 남침의 근본원인, 즉 체제 및 정권붕괴에 대한 김정일의 두려움을 해소시켜줄 수 있는 방안을 모색해야 할 것이다. 그래야만 전쟁의 불씨를 완전히 제거할 수 있기 때문이다. 그렇다면 어떻게 이를 해소시켜줄 수 있을 것인가.

바로 이러한 배경에서 우리는 독일식 햇볕정책이 아닌, 우리식 햇볕정책에 주목해야 하는 것이다. 고려 태조 왕건이 신라 지배층에 대한 기득권을 인정함으로써 비교적 평화로운 통일을 이루었던 것처럼, 우리도 김정일을 비롯한 북한의 권력 엘리트들의 기득권을 보장해 줄 수 있는 통일방안을 마련해야 한다는 것이다. 즉, ‘목적’으로서의 통일이 아닌, 한민족 전체의 공존공영이라는 ‘목적’ 실현을 위한 ‘수단’으로서의 통일방안을 마련하되, 그 과정에서 북한의 권력 엘리트들의 협조와 참여를 이끌어 낼 수 있는 구체적인 조건과 방법 등을 포함시켜야 한다는 것이다.
그렇게 할 때 비로소 오늘날의 북핵 문제를 평화적으로 해결할 수 있는 길도 열린다는 것이다. 왜냐하면 일반적으로 핵을 보유한 자가 스스로 포기하지 않는 한, 평화적인 해결책이란 사실상 거의 불가능하기 때문이다. 뿐만 아니라 우리가 북핵문제의 평화적 해결을 명분으로 통일을 추진할 경우 한반도 주변 4강으로서도 이를 반대할 명분을 찾기가 쉽지 않다는 것이다. 즉, 우리가 ‘한반도 비핵화’라는 이슈를 선점할 때 비로소 우리의 통일방안에 대한 주변 4강의 지지를 획득하는 것도 가능해진다는 것이다.

그런 점에서 우리는 과거 동서독 통일의 경험을 되돌아볼 필요가 있다. 당시 서독 정부는 물론 심지어 동독정부도 베를린 장벽이 붕괴(1989.11)될 때까지 그 가능성을 전혀 예측하지 못했던 것이다. 일례로 동방정책의 선구자인 브란트 전 수상조차 베를린 장벽 붕괴 직전까지도 “재통일의 희망은 과대망상이 됐다”고 주장했는가 하면, 동독의 호네커 서기장 역시 “베를린 장벽은 앞으로도 1백년은 더 갈 것”이라고 호언장담했던 것이다. 이러한 상황인식의 오류로 인해 당시 독일은 ‘준비되지 않은 통일’을 어느 날 갑자기 강요받게 되었다. 하지만 독일의 경우 튼튼한 경제력과 미국의 강력한 후원이 있었기에 그나마 통일을 성공적으로 실현시킬 수 있었다.

그렇다면 독일과 같은 경제력과 미국의 절대적 지지를 기대하기 힘든 우리로서는, 당연히 사전에 철저한 준비를 하는 것만큼 좋은 방법은 없을 것이다. 바로 이러한 배경에서 외관상 북한체제가 안정되어 있는 것처럼 보이는 지금이 바로 북한체제의 ‘갑작스런’ 붕괴를 대비해야 할 때라는 것이다. 즉, 진정한 의미에서의 통일방안 마련을 서둘러야 할 때라는 것이다. 그렇다면 통일비용 문제는 어떻게 할 것인가.

흔히들 통일 문제가 제기될 때마다 엄청난 규모의 통일비용을 거론하지만, 이는 어디까지나 ‘돈으로 통일한’ 독일 통일의 경험에서 벗어나지 못한 결과라고 할 것이다. 그런 점에서 우리는 중국이 얼마나 많은 자기자본이 있었기에 경제개발을 추진할 수 있었는지를 생각해볼 필요가 있다. 즉, 경제개발에 있어 중요한 것은 기업하기 좋은 여건과 환경을 갖추는 것일 뿐, 자기자본의 많고 적음이 아니라는 것이다. 또한 우리가 맨주먹으로 ‘한강의 기적’을 이루어 냈다면, 같은 민족인 북한이라고 해서 ‘대동강의 기적’을 이루지 못할 이유가 없다는 것이다. 게다가 북한의 경제개발 과정에 남한이 선진기술과 자본을 지원해 준다면 ‘대동강의 기적’은 ‘한강의 기적’보다 훨씬 짧은 시간 내에 이루어질 수도 있을 것이다. 즉, 북한의 저렴한 노동력과 무상에 가까운 풍부한 국유지 등이 남한의 선진기술 및 자본과 결합된다면 우리 민족은 전자, 자동차, 선박 등 분야에서 얼마든지 세계 시장을 장악할 수 있다는 것이다. 그럴 경우 통일은 작금의 경제위기를 극복할 수 있는 천재일우의 기회가 될 수 있을 뿐만 아니라 막대한 일자리 창출의 기회도 될 수 있을 것이다.

따라서 우리는 통일된 번영조국에 대한 비전과 자신감을 가지고 남북한이 함께 발전할 수 있는 통일방안 마련에 나서야 할 것이다. 그렇지 않고 종전처럼 ‘단계별 통일론’, ‘평화체제 구축’ 등과 같은 비현실적인 문제에 매달린 나머지 귀중한 시간을 허비한다면, 우리는 아무런 준비도 되지 않은 상태에서 ‘어느 날 갑자기’ 북한이 붕괴되는 상황을 맞게 될 뿐만 아니라 자칫하면 통일의 기회를 영원히 놓치게 될 지도 모르는 것이다. 즉, 적화통일 가능성을 상실하게 된 북한의 정치 엘리트들이, 남한의 흡수통일에 따른 정치보복을 우려한 나머지 중국에 망명신청 또는 중국의 개입 등을 요구할 경우, 그 동안 동북공정을 추진해온 중국이 어떤 반응을 보일지는 아무도 장담할 수 없다는 것이다. 이 때문에라도 우리로서는 북한 권력층 입장에서 볼 때 중국에 개입을 요청하는 것보다, 남한과의 협력을 선택하는 것이 더 매력적으로 보일 정도로 ‘경쟁력 있는’ 통일방안을 마련해야 하는 것이다. 게다가 오늘날 일본과 중국 등 주변국이 독도와 이어도 등에 대한 영유권을 본격적으로 주장하기 시작했음을 고려한다면 하루라도 빨리 통일을 이루어야 할 것이며, 또한 그렇게 하는 것만이 이 엄동설한에 헐벗고 굶주리고 있을 북한 동포들에게 가장 인도적이면서 동시에 실질적인 지원을 제공하는 길도 될 것이다.

하지만 당장은 북한의 기습남침을 방지하는 것이 무엇보다도 시급한 과제인 것이다. 바로 이러한 이유에서 필자는 이 시대의 아버지들에게, 우리의 사랑하는 아들딸들을 위해 ‘의병’으로 나서줄 것을 호소하는 것이다. 과거 임진왜란이나 6.25 때에는 전쟁이 일어난 뒤에 궐기했지만, 이제는 전쟁이 일어나기 전에 궐기하는 지혜를 발휘해야 할 때라는 것이다.

출처 : http://bemil.chosun.com/brd/view.html?tb=BEMIL121&pn=1&num=4424 

'광고중단' 네티즌 최고 징역3년 구형

2009년 1월 20일(화) 오후 7:34 [연합뉴스]

16명 실형..8명 벌금형 구형

(서울=연합뉴스) 차대운 기자 = 검찰이 조선ㆍ중앙ㆍ동아일보에 대한 광고중단 운동을 벌인 네티즌들에게 최고 3년의 징역형을 구형했다.

20일 서울중앙지법 형사2단독 이림 부장판사 심리로 열린 결심 공판에서 검찰은 포털사이트 다음 카페 '언론소비자주권 국민캠페인' 개설자 이모 씨에게 징역 3년형을 구형하는 등 16명에게 1∼3년형을 구형했다.

또한 송모 씨 등 나머지 8명에 대해서는 300만∼600만원의 벌금형을 구형했다.

검찰은 "비록 헌법이 표현의 자유를 보장하고 있고 소비자의 권리가 있지만 어느 면으로 봐도 피고인들의 행위는 헌법상 기본권을 일탈한 것"이라며 구형 이유를 밝혔다.

검찰은 "피고인들은 특정 언론의 논조가 자신의 생각에 반한다는 이유로 폐간을 목표로 광고주를 상대로 지속적이고 집단적인 압박을 가했다"며 "이는 헌법상 보장되는 자유시장 질서와 언론자유, 광고주의 양심을 침해한 것"이라고 말했다.

이에 대해 변호인은 "검찰은 위력에 의한 업무방해라고 하지만 누가 광고주에게 전화했는지, 카페 리스트를 보고 했는지 등이 전혀 특정되지 않았고 공모 관계도 입증되지 않았다"며 "검찰의 기소에 중대한 결함이 있는 만큼 공소를 기각하거나 무죄 판결을 해달라"고 재판부에 호소했다.

또 "폭행이나 협박이 수반되지 않은 광고중단 요구가 위력으로 인정되면 헌법이 보장하는 표현의 자유가 구속된다"고 강조했다.

피고인석에 앉은 24명의 네티즌은 차례로 한 명씩 일어나 최후변론을 하며 광고중단을 요구한 자신들의 행위는 정당했다고 주장했다.

출처 : Tong - 폭설님의 도서박물관통

(3) 서정진 셀트리온 회장 "백수들 모여 놀자"차린 사무실서 3000억 대박

사표를 제출하고 나니 아쉬움보다는 홀가분함이 앞섰다. 새 주인이 된 채권단에 모든 경영 관련 자료를 막 넘겼다. '패장'으로서 해야 할 일도 끝마친 터.

이제 지난 2년간 심신을 짓밟았던 '망한 회사의 경영진'이란 멍에를 내려 놓아도 되지 않을까.

서정진 셀트리온 회장(52 · 당시 대우자동차 전무급 상임 경영고문)은 새 천년을 하루 앞둔 1999년 12월31일 이렇게 회사를 떠났다.

한국생산성본부 컨설턴트로 일하던 1990년，33세의 나이에 이사급 경영고문으로 대우차에 합류한 지 꼭 10년 만이었다.

퇴직 후 계획은 없었다. 당분간 '백수'로 지낼 요량이었다.

"한 달 정도 지났을까요. 함께 백수가 된 대우차 기획실 부하 직원들 소식이 들려 오더군요. 다들 김밥집을 하겠다는 겁니다. 젊고 똑똑한 친구들의 미래가 이래선 안 된다고 생각했지요. 일단 사무실 하나 차릴테니 모여서 같이 놀자고 제안했습니다. "

이 때가 2000년 2월.셀트리온의 지주회사격인 넥솔의 첫모습은 사실상 대우차 기획실 출신 10여명이 모여 만든 '백수 클럽'이었다. 하지만 처자식 있는 가장들이 언제까지나 놀 수는 없는 일.백수들의 놀이터였던 넥솔 사무실은 어느새 '신사업 기획실'로 바뀌었다.

수많은 사업 아이디어가 쏟아졌다. 토론과 토론을 거쳐 생명공학이 유망하다는 결론을 도출해 냈다. 서 회장은 곧바로 짐을 꾸렸다. 전 세계 바이오 강국을 돌아다니며 어떤 사업 기회가 있는지 알아보는 대장정을 떠났다.

"2000년 5월부터 1년 넘게 미국 서유럽 일본 중국 등 40개국 이상을 훑었습니다. 문전박대 당하기 일쑤였죠.서울로 돌아가고 싶은 심정이 간절했지만 '뭔가 건져오겠지'하며 기다리는 동료들 때문에 그럴 수도 없었어요. "

하늘은 스스로 돕는 자를 돕는다고 했던가. 전 세계를 떠돌던 서 회장에게 글로벌 바이오 기업인 미국 바이오업체 제넨텍이 당시 한창 개발 중이던 에이즈 백신 생산 장소를 물색한다는 소식이 날아 들었다.

"제넨텍이 에이즈 백신 때문에 고민할 것이란 사실을 간파했습니다. 에이즈 백신을 대량 생산하려면 수천억원을 들여 동물세포 배양시설을 지어야 하지만 에이즈 백신의 주요 판매처는 아프리카 같은 저개발국이거든요. 자칫 손해보는 장사가 될 상황이었죠.이 점을 파고 들었습니다. '기술을 전수해주면 에이즈 백신 생산은 우리가 전담하겠다. 그러면 너희는 수익성 높은 항암제에 집중할 수 있지 않느냐'고 했더니 고개를 끄덕이더군요. "

셀트리온은 이렇게 탄생했다. 그 때가 2002년 2월이었다. 제넨텍으로부터 전 세계 11개 업체만 보유하고 있는 항체치료제 제조 기술을 전수받기로 한 만큼 시설비 3000억원을 마련해 5만ℓ급 공장을 짓는 일만 남았다.

서 회장을 비롯한 넥솔 임직원은 일가 친척들의 돈까지 끌어모아 200억원을 마련했다. KT&G와 일부 투자업체들로부터 수백억원을 출자받았다. 여기에 대출 등을 합치니 얼추 공사비가 마련됐다.

그러던 중 제넨텍이 에이즈 백신 개발에 실패했다는 '반가운' 소식이 들려왔다. 셀트리온에 40% 지분 투자를 했던 제넨텍은 철수했다. 그렇지만 항체 치료제 생산기술은 고스란히 셀트리온에 남았다.

게다가 바이오 의약품을 생산할 공장도 완공됐다. 셀트리온으로선 자유롭게 다른 의약품을 생산할 절호의 기회를 잡은 셈이었다.

첫 손님은 2005년에 찾아왔다. 다국적 제약회사인 BMS가 앞으로 10년간 20억달러어치의 바이오 의약품(관절염 치료제) 생산을 위탁한 것.셀트리온은 이 계약만으로 지난해 매출 820억원에 320억원의 영업이익(영업이익률 39%)을 거뒀다.

셀트리온은 2011년부터 특허가 만료되는 유명 바이오 의약품에 대한 복제약을 선보일 계획이다. 2015년부터는 신약도 내놓기로 했다.

이를 통해 2015년까지 연매출 1조2000억원에 6000억원이 넘는 영업이익을 올리는 회사로 만드는 게 서 회장의 목표다.

"가장 중요한 것은 열정입니다. 바이오 문외한인 제가 제넨텍의 기술을 넘겨 받으리라고 누가 상상이나 했겠습니까. 망한 기업의 임원 출신이 3000억원을 끌어모으리라고 예상한 사람이 어디 있겠습니까. '반드시 해내고야 말겠다'는 열정은 아무리 어려운 문제도 풀 수 있는 해법을 안겨줍니다. "

출처 : Tong - 삶이 나를 속일지라님의 머니! 그것은 머니?통

출처 : Tong - 삶이 나를 속일지라님의 비쥬얼한 스킬체험기통

2009년 주요 OS 출시 일정

[지디넷코리아] 2009년은 어느 해보다 운영체제(OS) 경쟁이 치열할 전망이다. 애플 ‘스노우 레오파드’나 마이크로소프트 ‘윈도7’과 같은 특급 OS들이 줄지어 등장한다. 또 기업용 리눅스나 오픈수세(openSUSE) 등도 기대를 모으고 있다.

다음은 공식 발표된 정보나 신빙성 있는 뉴스들을 토대로 일본 지디넷이 2009년 OS 출시 계획을 정리한 것이다. 스노우 레오파드와 윈도7의 출시 일정은 시장 추정에 근거함을 밝힌다.

‘수세 리눅스 엔터프라이즈 11’의 베타 테스트는 비공개로 이미 시작됐고, 올 상반기 출시가 거의 확실시된다. 특히 ‘오픈수세 11.2’가 나올 8월 보다는 앞서 등장할 공산이 크다.

이밖에도 ‘우분투’나 ‘페도라’도 새 단장을 하고 팬들을 찾아올 예정이다.

<종합>새해 달라지는 것들1-세금 방송통신 복지

【서울=뉴시스】

2010년까지 종합소득세 세율이 단계적으로 2%포인트 인하된다. 또 1세대 1주택자의 종합부동산세 과세기준은 9억원으로 상향조정된다.

방송통신분야에서는 4월부터 휴대전화의 위피(WIPI) 탑재 의무화가 해제된다. 또한 정보통시망법 시행에 따라 내년에는 인터넷 사이트에서 회원가입을 할 때 주민등록번호를 사용하지 않아도 된다.

올해부터 새롭게 시행하는 복지제도는 기존 저출산고령화 사회 대응책에 서민생활 안정을 위한 각종 지원책이 더해졌다. 특히 경제난의 직격탄을 맞은 저소득층과 실직 등으로 인해 발생한 신빈곤층에 대한 사회안전망 구축이 바뀐 복지제도의 근간이다.

새해 달라지는 세금과 방송통신, 복지 관련 제도를 정리했다.

◆세금분야

◇종합소득세세율 단계적으로 2%포인트 인하

종합소득세 세율이 과세표준별로 2010년까지 단계적으로 2%포인트 인하된다. 과세표준 1200만원 이하의 경우 현행 8%에서 2009년과 2010년에 6%로 인하된다. 1200만원 초과~4600만원 이하는 현행 17%에서 16%, 15%로 내린다. 4600만원 초과~8800만원 이하는 현행 26%에서 25%, 24%로 인하되고 8800만원 초과의 경우는 35%에서 35%, 33%로 인하된다.

양도소득세 과세표준 구간 및 세율은 종합소득세와 일치된다.

◇종합소득 공제액 연간 150만원으로 인상

종합소득 공제액은 인상된다. 종합소득 기본 공제액은 1인당 연간 100만원에서 150만원으로 인상된다. 의료비 소득공제 한도가 연 500만원에서 700만원으로 인상되며 교육비 소득공제 한도는 초등학교 취학 전 아동과 초ㆍ중ㆍ고등학생의 경우 1인당 연 200만원에서 300만원, 대학생의 경우 연 700만원에서 900만원으로 오른다.

◇근로장려세제 확대

근로장려세제(EITC)가 확대된다. 근로장려금의 지급 대상이 현행 '자녀 2인 이상'에서 '자녀 1인 이상'으로, 현행 '무주택자'에서 '소형 1주택자'로 각각 확대되고 지급 금액도 최대 120만원까지 확대된다.

◇1세대 1주택 장기보유특별공제 연 8%·최대80%로 확대

1세대 1주택자에 대한 양도소득세 비과세율을 확대한다. 1세대 1주택 장기보유특별공제를 연4%·최대80%(20년이상 보유)에서 연8%·최대80%(10년이상 보유)로 확대한다. 일시적 2주택자 중복보유 기간을 1년에서 2년으로 연장(올해 11월28일 이후)하며 양도소득세가 비과세되는 주택가격을 양도 당시 실거래가액 6억원에서 9억원으로 인상한다.

◇양도소득세율 연 6~35%로 인하

다주택자에 대한 양도소득세 중과도 완화된다. 올해부터 2010년말까지 향후 2년간 한시적으로 양도하거나 신규취득하는 주택(2년이상 보유)에 대한 양도소득세 세율이 인하된다. 이에 따라 2주택자에 부과되는 양도소득 세율은 현행 50%에서 2009년에 6~35%, 2010년에 6~33%로 조정되며 3주택 이상 보유자에게 부과되는 양도소득세율은 현행 60%에서 45%로 인하된다. 다만 장기보유특별공제는 현행과 같이 적용에서 배제된다.

◇법인세율 과표구간 2억원으로 상향조정

법인세율 인하 및 과세표준 구간이 상향조정된다. 법인세율은 낮은 세율의 경우 현행 13%에서 11%(2008년 귀속), 10%(2010년 귀속)로 인하되고, 높은 세율은 25%에서 22%(2009년 귀속), 20%(2010년 귀속)으로 인하된다. 아울러 과표구간(2008년 귀속)은 1억원에서 2억원으로 상향조정된다.

◇임시투자세액공제 일몰기한 1년 연장

임시투자세액공제 제도의 일몰기한이 올해 말까지로 1년간 연장되고, 공제율은 수도권과밀 억제권역 내 투자의 경우 3%, 수도권 과밀억제권역 외 투자는 10%로 확대된다.

◇분유·기저귀 3년간 부가가치세 면세

출산장려 및 양육지원을 위한 세제 지원도 강화된다. 올해부터 2011년 말까지 3년 간 분유와 기저귀에 대해 부가가치세를 면세하고, 다자녀 가구(18세 미만의 직계비속 3명이상)가 양육을 위해 취득한 일정 규모(승용자동차: 배기량 2000cc이하, 승차정원 7인승이상 10인승 이하 등, 승합자동차: 승차정원 15인 이하 등)의 자동차 1대에 대해 지방세인 취득세와 등록세를 50% 감면해 준다.

◇7월부터 하이브리드 승용차 개소세 면제

7월1일부터 하이브리드 승용차에 대한 개별소비세가 면제될 예정이다. 하이브리드 승용차 1대당 감면세액 한도는 100만원(교육세 포함시 130만원)이며 감면 혜택은 2012년까지 적용된다. 7월1일부터는 지방세인 취득세(40만원 한도), 등록세(100만원 한도)도 감면될 예정이다.

◇1세대 1주택자 과세기준 9억원으로 상향조정

종합부동산세 세부담의 합리화를 도모하기 위해 종합부동산세 과표구간과 세율을 조정하고 토지분 종합부동산세 과세기준 금액을 상향조정한다. 1세대 1주택자에 대해서는 3억원의 기초공제를 허용해 과세기준을 9억원으로 상향조정하고, 장기보유자 세액공제제도(20~40%)와 60세 이상 고령자세액공제(10~30%)를 신설해 세부담을 완화한다. 과세방식도 세대별 합산과세에서 인별과세 방식으로 전환하고 세부담 상한을 300%에서 150%로 축소한다.

◇중소기업 가업상속공제 대상 제한 '10년 이상 영위'로 완화

가업상속공제가 확대되고 동거주택 상속공제가 시행된다. 중소기업의 원활한 가업상속을 지원하기 위해 가업상속공제대상은 현행 '15년 이상 가업 영위'에서 '10년 이상 영위'로 완화되고, 공제율은 현행 '가업상속재산의 20%'에서 '가업상속재산의 40%'로 인상된다. 또한 가업상속 공제한도는 현행 '30억 원'에서 '가업영위기간에 따라 최고 100억 원'까지로 확대된다.

◇신용카드 매출세액 공제율 30% 인상

개인사업자의 신용카드 등 매출에 대해 매출액의 일정 비율을 부가가치세 납부세액에서 공제하는 신용카드 매출세액공제 제도를 확대해 올해부터 2010년 말까지 현행 세액 공제율을 30% 인상한다. 이에 따라 신용카드 매출세액 공제율은 일반 업종의 경우 현행 1%에서 1.3%, 간이과세자인 음식숙박업의 경우 현행 2%에서 2.6%로 인상된다. 또한 공제한도도 연간 500만원에서 연간 7000만원으로 인상된다.

◆방송통신 분야

◇위피 탑재 의무화 해제

4월부터 휴대전화의 위피(WIPI) 탑재 의무화가 해제되며, 이동전화 가입자들은 범용 모바일 운영체제(OS)가 탑재된 스마트폰 등 다양한 단말기를 구입해 사용할 수 있게 된다. 이에 따라 아이폰 등 다양한 외산폰이 국내시장에 진입할 수 있을 전망이다.

위피는 모바일 콘텐츠가 다양한 휴대폰에서 원활하게 동작할 수 있도록 하기 위해 국내 기술로 개발된 모바일 플랫폼으로, 지난 2005년 4월부터 국내 출시되는 모든 휴대폰에 탑재돼왔다.

방통위는 이번 위피 탑재 의무화 해제 방침과 관련해 "최근 모바일 플랫폼에서 범용 모바일 OS로 빠른 속도로 전환되고 있는 세계 통신시장의 기술발전 추세에 대응하기 위한 것"이라며 "장기적으로는 단말기 가격 하락이 예상돼 이용자 편익향상을 기대할 수 있을 전망"이라고 밝혔다.

◇인터넷 개인정보보호 제도 강화

올해부터 인터넷에서 '주민등록번호를 사용하지 않는 회원가입 방법' 제공을 의무화하고, 개인정보보호 침해 행위에 대한 처벌을 강화하는 내용의 개정 '정보통신망 이용촉진 및 정보보호 등에 관한 법률'도 시행된다.

이에 따라 하루 사용자가 5만명 이상인 포털, 1만명 이상인 인터넷 사이트는 주민등록번호를 요구하지 않고, 아이핀(I-PIN) 또는 휴대폰 인증, 공인인증서 등의 다양한 회원 가입 방법을 반드시 제공해야 한다.

또한 이용자의 동의 없는 개인정보 수집·이용·제3자 제공 등 개인정보보호 원칙을 위반한 사업자에 대해서는 기존의 벌칙 이외에 매출액의 100분의 1 이하에 해당하는 과징금이 부과되는 등 개인정보 침해행위에 대한 제재가 강화된다.

◇수도권, 부산권, 광주권 영어 FM방송 실시

국내 거주 외국인과 내국인을 위한 영어 FM라디오방송이 지난달 1일 수도권을 시작으로, 2월부터는 부산권, 광주권에 본격적으로 실시될 예정이다.

수도권 영어 FM방송은 101.3㎒, 부산권은 90.5㎒, 광주권은 98.7㎒를 통해 청취할 수 있게 된다. 방송시간은 수도권은 새벽 6시부터 다음날 새벽 1시까지, 부산권은 새벽 5시부터 다음날 새벽 2시까지, 광주권은 새벽 6시부터 자정까지다.

영어 FM방송은 국내 거주 외국인에게 뉴스와 날씨, 음악 등 다양한 정보를 제공할 뿐 아니라, 한국에 대한 세계인의 이해를 증진시키고 또한 내국인의 영어학습 프로그램으로도 활용될 전망이다.

◇휴대용 무선기기의 신고제 전환

올해부터 설치공사가 필요 없고 전파혼신 우려가 적은 휴대용 무선기기에 대한 이용절차가 신고제로 전환되는 등 전파이용제도가 간소화된다. 또한 항공기국·전파천문국 등 17개 유형의 무선국 허가 유효기간이 3년에서 5년으로 연장돼 전파이용자의 편익이 증진될 전망이다.

◆복지분야

◇착근하는 노인장기요양보험…노인인구 4.4%까지 확대

지난해 7월 처음 시행돼 제5의 사회보험으로 자리잡아가는 노인장기요양보험은 수혜 대상자를 한층 더 확대한다. 복지부는 올해는 18만명에서 5만명이 늘어난 23만명으로 수혜대상자를 늘린다.

이로써 노인인구의 4.4%가 장기요양보험의 혜택을 받게 된다.

장기요양보험의 내실도 다져진다. 올 하반기부터 장기요양수급자 중 건강보험 하위 저소득층에 대해 서비스 이용 본인부담이 50% 경감된다.

시설급여의 경우 당해년도 장기요양급여비용의 20%에서 10%로 재가급여는 장기요양급여비용의 15%에서 7.5%로 낮춰진다.

장기요양급여 중 재가서비스 이용자의 월 급여이용 한도액이 1등급의 경우 최대 114만원으로 인상된다.

재가서비스 이용자의 복지용구 이용(구입 및 대여) 한도액도 연간 160만원으로 상향조정된다.

장기요양보험 확대에 따라 매월 국민들의 지갑에서 나가는 장기요양보험료는 올해 약 2700원에서 3284원으로 584원 정도 오르게 된다.

이와함께 지난해 처음으로 도입된 기초노령연금도 이달부터는 65세 이상 전체노인의 70%(약 356만명) 수준으로 수혜대상이 확대된다.

◇아동양육 지원 강화…보육, 의료 안전망 확대

올해부터 아동양육비 지원대상이 만 10세 미만 아동으로 확대된다. 또 저소득 한부모가족 아동에게 지급되는 아동양육비(월 5만원)의 지원대상이 종전 만 8세미만에서 만10세미만으로 확대 실시된다.

아이돌보미 지원가구 소득기준은 종전 도시근로자가구 월평균소득 200% 이하(4인기준, 796만원)에서 전국가구 평균소득 100% 이하(4인기준, 391만원)로 조정해 아이돌보미 지원의 폭을 넓힌다.

7월부터는 무료로 보육시설에 다닐 수 있는 아동의 기준이 현재 차상위계층 가정에서 평균 소득 이하(소득 하위 50%)로 완화된다.

아동의 충치예방을 위한 치아 홈메우기, 한방물리치료는 올 12월부터 신규로 보험급여 혜택을 받을 수 있다.

상반기부터 0~12세 아동에 대해 필수예방접종비용의 일부가 지원된다.

전자카드를 이용해 보육서비스를 이용할 수 있는 i-사랑카드(보육전자바우처)제도도 7월부터 실시된다.

◇저소득층·중증질환 장애인 진료비 부담 줄어든다

저소득층이나 중증질환자의 진료비 부담 경감을 위해 총 5개 항목에 대해 건강보험적용이 확대된다.

현재 연간 400만원으로 되어있는 본인부담 상한액을 소득수준별로 차등적용하기 위해 보험료 기준 하위 50%이하 계층은 200만원으로, 50~80%계층은 300만원으로 낮추어 실시한다.

다만 상위 20%계층은 현행과 같이 400만원을 유지한다.

7월부터 암환자의 입원과 외래 본인부담율을 현행 10%에서 5%로, 만성신부전증이나 류마티스 관절염 등 난치성환자의 입원과 외래 본인부담율도 현행 20%에서 10%로 경감된다.

일부 지자체에서 시행되었던 성장기 장애아동의 기능향상과 행동발달을 위한 재활치료 비용의 일부를 지원하는 장애아동 재활치료 사업이 전국으로 확대 실시된다.

만 18세 미만의 뇌병변·언어·청각·시각· 지적·자폐성 장애아동을 대상으로 하며 저소득 가정을 위주로 월 20만원 상당의 재활치료 바우처를 제공받을 수 있다.

또 올해부터 건강보험 보장성 확대계획에 따라 중증·안면화상환자에 대한 보험급여와 신생아에 대한 보육기(인큐베이터)·중환자실에 대한 급여기준 등이 확대될 예정이다.




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ABIOS(Advanced Basic I/O System) [반도체]
PC의 실모드 BIOS는 유사한 루틴들의 집합이고, ABIOS는 보호모드로작동되도록 설계된 것이다.

Abrasive [반도체]
성형완료된 PKG나 리드프레임에 잔존하는 수지 피막을 제거하기 위해 사용된 연마제.

Absorption Constant(흡수 상수) [반도체]
매질이 빛을 흡수하는 정도를 나타낸 고유값.

Absorption Dichroism(흡수 이색성) [반도체]
축성(軸性)액정에 있어서 광의 편광 방향에 의해 광의 흡수 정도가다른 현상으로 직선 편광의 진동 방향의 차이에 의해 흡수 계수가 다른 직선 이색성 또는 선광성(旋光性)을 나타내는 용액 등에 있어서 좌우 원편광의 흡수 계수가 다른 원편광이색성 등의 종류가 있다.

Accel Mode [반도체]
이온 주입시 가속에너지를 가해준 상태에서 주입하는 형태(에너지 범위 32-200KeV).

AC Characteristic [반도체]
Device가 동작시 갖고 있는 특성중 입출력 파형의 Timing과 관련한 여러 가지 특성들을 말함.

Access [반도체]
메모리 Deive에 Data를 저장하거나, 저장된 Data를 읽어내기위하여 Device의 외부에서 미리 약속된 방식으로 Signal을 가하여 메모리의 특정 번지를 찾아가는 행위.

Acceptable Quality Level 합격품질수준. [반도체]
Sampling에서, 만족할 만한 공정 평균으로 생각할 수 있는 Lot 혹은 Batch내의 최대 변동수(variant unit)를 말한다. 변동수(variant unit)라는 말은 이상정도 또는 결함(불량)정도라는 보다 더 국한된 의미의 단어로 대체할 수도 있다.

Acceptance Number(Attributes) 계수치. [반도체]
검사 Lot 또는 Batch의 합격을 위해서 요구되는 Sampling내의 최대변동수를 의미한다.

Acceptance Sampling [반도체]
제품 혹은 재화의 합·부판정을 위한 Sampling 검사 즉, Sampling검사에 의거하여 합·부판정을 하는 절차에 관한 방법을 말한다.

Acceptance Tests(인수시험) [반도체]
공급자가 구매자간에 제품을 인수할 것인가를 동의하거나 결정하는데필요한 테스트.

Acceptor [반도체]
3가의 불순물을 실리콘에 주입하면 공유결합에 의해 홀(Hole:정공)을 만드는데 이때 3가의 분순물을 Acceptor라 한다.

Acceptor Level(Acceptor 준위) [반도체]
반도체속에 불순물로서 혼입한 원자에 의해서 호울(Hole)이 생겨 반도체가 P형으로 되는 불순물 원자를 억셉터 라고 하며 이 상태를에너지대의 그림으로 나타냈을때 억셉터에 의해서 금지대속에 생긴 에너지 Level을 Acceptor Level이라고 한다.

Access Time(호출시간) [반도체]
기억장치에 있어서 지령(판독, 기록)과 어드레스의 제어신호가 주어진후 실제로 그 동작이 시작되기까지의 시간

ACI(After Cleaning Inspection) [반도체]
식각공정중 건식, 습식 및 감광액 제거후 현미경 및 측정장치 등을이용해 식각의 정확성, 이물질의 잔존, CD(Critical Dimension : 임계치수) 등을 검사하는 작업.

Active Matrix Drive(능동 매트릭스 구동) [반도체]
주사 전극과 신호 전극의 매트리스 교점부 화소마다 스위칭 소자와 필요에 따라 축전지를 축척하여 contrast나 response 등의 소자 성능을 향상시키는 구동방식으로 스위칭 매트리스 구동이라고도 한다. 이 방식은 각 수위칭 소자에 연결된 화소전극을 서로 독립시킨 것으로 잔상 현상을 방지하고 다음 프레임까지 신호 전하가 축전지에 의하여유지된다.

Accumulation [반도체]
MOS의 Gate에 가해지는 Bias에 따라서 silicon surface Gate아래에 Majority Carrier(즉, Substrate와 같은 Carrier)와 Density가 증가하는 경우가 있는데 이를 일컬음.

Accumulator [반도체]
수치연산에 있어서 Data나 연산결과를 일시적으로 저장.

Accuracy [반도체]
정확도·측정값이 얼마만큼 참값에 가까운가를 나타내는 척도.

Active Element(능동소자) [반도체]
비선형 부분을 적극적으로 이용하는 소자. 진공관과 트랜지스터가 대표적이다.

ADART(Automatic Distribution Analysis in Real Time) [반도체]
자동분석 Program, 파라메타 검사결과의 분포를 나타내는 것.

A/D Converter(Analog to Digital Converter) [반도체]
연속계량적으로 변화하는 신호를 계수형 신호인 "1"과 "0"으로 바꾸는 장치, 흔히 ADC라고도 한다.

Additive Process(애디티브工法 : 附着工法) [반도체]
동박이나 동박이외의 부분의 표면에 선택적으로 전도성 물질을 부착시킴으로서 회로를 형성시키는 工法.

Address Pre-Decoder [반도체]
Row/Column Address De-coding의 편리를 위하여 Address Buffer로부터의 Internal Address AN, / AN를 받아들여 Decoding을 하는 회로이다.

Addressing Technique(어드레스 기술) [반도체]
액정 표시 소자에 원하는 표시를 나타내기 위하여 전극형성과 전극이 형성된 액정표시소자를 구동시키는 기술로 LCD-Addressing 방법이라고도 한다.

Adhesion [반도체]
접착력 특히 WF에 도포된 감광액과 WF기판간의 접착력(각 막질간의 접착력).

ADI(After Development Inspection) [반도체]
사진 공정중 현상이 끝난후의 형성된 감광액, Pattern의 정확성, CD등을 검사

Agitation(교반) [반도체]
습식 식각시 식각율을 높이거나 식각 균일도를 좋게 하기위해 WF를 식각액에 넣은 상태에서 흔들어 주는 것.

AGV(Automatic Guided Vehichle, 자동 반송 시스템) [반도체]
intra-bay내에서 cassette를 반송하는 6축 이동로보트이다. LCD 공정에서 다량의 기판 유리를 제조시 lot의 중량 및 결점발생을 고려하여 공정 단계별로 기판 유리를 이동시킬 때 자동으로 운송시켜주는 시스템.

AH(Absolute Humidity) [반도체]
공기중의 절대습도를 말한다.

AHU(Air Handling Unit 空調機) [반도체]
공기를 일정온도, 습도로 조절하고, 공기중 Particle를 제거하여 실내에 그 정화된 공기를 공급하는 기계.

AI (Artifical Intelligence) [반도체]
인공지능

Air Gun [반도체]
압축공기를 이용, 이물질 또는 찌꺼기 등을 불어내는 기구.

Air Shower [반도체]
FAB Line 출입시 방진복, 방진화에 부착된 먼지나 이물질을 제거하기 위한 장치로서 밀폐된 Box에 깨끗하고 강한 공기를 불어서 먼지를 제거함.

Aignment [반도체]
사진공정중 전 단계에서 WF에 형성된 회로에 새로 형성할 Mask의 회로를정립시키는 작업. 이러한, 작업을 하기 위한 장비를 Aligner(정렬노광기) 라고 한다.

Alignment(정렬) [반도체]
이미 pattern이 형성되어 있는 wafer 표면위에 또다시 다른 pattern을맞추는 것. LCD 제조공정에서 앞 유리 기판과 뒷 유리 기판의 패턴을정확히 맞추는 작업

Alignment Mark [반도체]
중복되는 Align 공정에서 정확한 Align을 위하여 표시된 기준점을 말한다.

Alloy [반도체]
Si와 Al의 접촉을 좋게 하기 위하여 합금시키는 것을 말하며확산로를 이용함.

ALPG(Algorithmic Pattern Generator) [반도체]
메모리 Device 시험에 사용되는 Data의 읽기, 쓰기를 시험하기 위한 instruction을 Coding하는 장치.

Alpha-particle [반도체]
방사능 물질의 붕괴시 방출되는 이중으로 이온화된 He원자핵으로서 자체에 있는 U 및 Th 원소로부터 trace contamination되어 IC에 존재할 수 있는데, silicon과 전기적으로 상호작용하여 에너지를 잃으면서 지나는 경로를 따라 hole-electron pairs를 생성하면서 Soft error를 발생시킨다.

Al-Target [반도체]
Wafer 표면에 Al을 증착하기 위한 Al 덩어리.

Alternative Hypothesis(H1) [반도체]
대립가설 귀무가설이부정되면 대립가설이 받아 들여진다. 대립가설을 선택할 때 한쪽 검정을 선택할 것인지 양쪽검정을 선택할 것인가를 결정해야 한다.

ALU(Arithmetic Logic Unit) [반도체]
2진 연산을 실행하기 위한 논리회로로 구성.

AM 방송 (진폭변조방송) [반도체]
방송주파수의 폭을 음성 전파로 변조시켜 방송하는 것을 말한다.

Ambient [반도체]
확산 또는 침적 공정을 진행할 때 주위의 Carrier Gas 종류를 말함(N2, O2, H2O 등).

AMLCD(Active Matrix Liquid Crystal Display) [반도체]
화면을 수만에서 수십만 개로 분할하여 각 화소에 구동소자를 제작하고 그의 스위칭 특성을 이용해 화소의 동작을 제어하는 방식을 말함.

Amorphous [반도체]
어떤 고체가 반복적 원자배열 상태인 결정을 이루지 않고 있는 상태 즉 비정질 상태를 말하며, Silicon의 경우 제한된 생성조건을 만들어 주면 비정질 상태가 될 수 있다.

Amplification [반도체]
(반도체 소자를 이용하여) 미약한 신호를 원하는 수준의 신호로 증폭시키는 전기적인 작용을 말함.

Analog [반도체]
연속적인 숫자나 값을 나타내는 것.

Analog IC [반도체]
디지탈 IC에 반대되는 말로서 아날로그 신호를 취급하는 집적회로를 말한다.

Analog Memory [반도체]
아날로그량을 기억하는 메모리.

Analysis of Variance(ANOVA) [반도체]
분산분석 추정한 분산성분이나 모형의 변수 에 대한 가설을 증명할 목적으로 총변동량을 특별한 변동요인과 관련된 의미있는 성분으로 분해하는 기법을 말한다.

Analyzer [반도체]
전자석을 이용해서 Wafer 내에 주입시키고자 하는 이온을 분석하는 장비.

AND [반도체]
IC내의 회로망중 논리적 회로로서 모든 입력단자(보통 2개)에 입력이 되어야만 출력이 나오는 논리회로.

Anelva [반도체]
금속(Al, Cu Ti 등)을 증착, 산화막 등을 식각하는 장비를 제조하는 일본의 반도체 장비업체.

Angstrom(Å) [반도체]
파장을 재는 단위로 1Å=1×10-8㎝의 길이. H+ = 0.0592×10-8Å

Anicon [반도체]
LTO(Low Tempercture oxide) deposition 장비 이름.

Anisotropic Etching [반도체]
이방성 식각·식각반응이 한쪽방향(수직)으로만 진행되는 식각형태≠Isotropic Etching (등방성 식각)

Annealing [반도체]
열처리를 의미하며, 주로 Si과 반응치 않은 N2나 Ar gas 분위기하에서 이루어지며 Oxide의 quality나 Bulk silicon의 defect 감소 및 이온 주입후 damage 같은 것을 cure하는데 이용됨.

Annular Ring(둥근고리) [반도체]
홀주변을 전도성물질이 완전하게 둘러쌓고 있는 部分.

Anode [반도체]
음이온이 끌려오는 전극, 즉 양극.

ANSI(American National Standards Institute) [반도체]
미국 공업표준 협회. 표준규격을 직접 제정하지 않으나, 공인된 단체의 표준 규격을 심사,승인하여 국가 규격으로 채택.

Antimony Wafer [반도체]
제조 공정에 사용되는 불순물로써, N-형 불순물에 해당하며,기호는 Sb이다.

Anti Reflect [반도체]
Polycide 구조에서 silicon의 굴절율이 11.0이상으로 photo 공정에서 pattern 형성에 문제가 발생할 수 있다. 따라서 굴절율이 낮은 SiO2나 TiN 등을 silicide층위에 형성시켜 pattern 형성의용이함을 꾀하는 TiN를 ARC라 한다.

Antistatic [반도체]
정전기 방지.

AOQ(Average Outgoing Quality) [반도체]
계수 선별형 검사에서 다수의 lot가 선별형 검사를 받았을 때검사를 통과한 다수의 lot의 평균품질을 보증함을 말한다. 평균 품질보증(AOQ)=lot불량율
×lot가 합격으로 될 비율

AOQL(Average Outgoing Quality Limit) [반도체]
평균 출검 품질 한계 : AOQ 곡선의 최대치.

Application Test [반도체]
실장(實裝)테스트라고도 불리우며, 반도체 신제품의 생산시 실제적으로 해당제품이 사용되는 시스템에 장착후 고객이 테스트하는 조건과 동일하게 실시하는 테스트를 일컬음.

APCVD Atmospheric Dressure CVD(Chemical Vapor Deposition) [반도체]
화학적 기상도금 또는 화학증착이라고 하는 고순도 고품질의 박막을 형성하는 기술로 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(Vapor)과 고온에 가열된 도금할 고체와의 접촉으로 고온분해, 고온반응하고 여기에 광에너지를 조사시켜 저온에서 물체표면에 금속 또는 금속화합물층을 석출시키는 방법으로 화학 Gas들의 화학적 반응 방법을 이용하여 막을 증착시키는데 이때 Chamber 상태가 대기압 조건에서 이루어지는 증착.

APD(Avlanche Photo Diode) [반도체]
실리콘의 PN 접합에 브레이크 다운 전압에 가까운 고전압을 가하여 전자사태 효과에 의한 전류증배의 작용을 갖게한 Photo Diode다.

APPC(Advanced Program-to-Program Communication) [반도체]
동일기종 혹은 이 기종에서의 프로세서들이 서로 통신할 수 있게 하는 IBM사의 SNA(System Network Architecture)의 일부분.

API (Application Programming Interfaces) [반도체]
사용자가 시스템을 access하기 위해 응용프로그램을 쓸 수 있도록 제공하는 routines(s/w tools)을 말한다.

AQL(Acceptable Quality Level) [반도체]
계수 조정형 Sampling 검사로 합격으로 할 최저한의 lot의 품질을 말하며,이 수준보다 좋은 품질의 lot를 제출하는 한 거의 다 합격시키는 것을 판매자 측에서 보증하는 것이다.

ARC 파일 [반도체]
SEA(System Enhancement Associates)에 의해 발표된 ARC 파일을 압축프로그램에 의해 사용된 파일형태.

Arc Chamber [반도체]
Ion을 생성시키는 사각형으로 된 상자.

Arc Current [반도체]
Plasma상태에서 Beam전류를 생성시키기 위하여 필라멘트와 Arc Chamber 양단에 가해주는 전류.

Ar [반도체]
ARGON의 원소기호 및 그 Gas.

Area Marketing [반도체]
전국을 동일한 성질의 하나의 시장으로 보고 전개하는 Marketing수법에 대응하는 개념으로 각 지역의 특성을 파악하여 그에 알맞는 치밀한 수법을 통틀어 일컫는 말.

Arithmetic Mean [반도체]
산술평균.(Arithmetic Average)

μ-모평균(Population Mean)  [반도체]
관측치의 합계를 관측수로 나눈 것으로서 중심적 경향이나 위치를 나타냄. (note : 평균에는 산술평균, 기하평균 등 여러가지가 있으나 일반적으로 평균이라 말할때는 산술평균이다. 이것은 공정의 중심치를 평가하는 척도로서 사용된다.)

ARL(Acceptable Reliability Level) [반도체]
허용 신뢰성 수준 또는 합격 신뢰성 수준.

Array [반도체]
기능상으로 각각 독립된 여러개의 회로 또는 디바이스를 한 장의 기판위에 규칙적으로 배열하여 상호 배선한 집적회로군 또는 Device군을 말한다.

Array Logic [반도체]
FILP-FLOP, NAND, NOR, Diode 등의 Logic Circuit을 Array 모양으로 배열한 것으로 반복구조에 의해서 소망의 논리(함수)를 실현하는 Device다.

Artwork Master [반도체]
작업용 源Film을 제작하는데 쓰이며 배율이 정확하게 1:1인 회로의 형태.

As [반도체]
비소의 원소기호(Arsenic).

ASAC(Asian Standards Advisory Committee) [반도체]
아시아 표준화 자문위원회.

Ashing [반도체]
건식식각, 습식식각이나 이온주입 등에 의해 굳어진 감광액의 건식 제거(Dry Strip) 또는 습식제거작업.

ASIC(Application Specific IC) [반도체]
특정용도 집적회로(特定用途 集積回路)·전자 제품의 경박단소(輕薄短小)추세에 따라 범용성이 높은 표준 IC와는 달리 고객이나 사용자가 요구하는 특정한 기능을 갖도록 설계, 제작된 IC를 말한다.

Aspect Ratio [반도체]
Step Coverage나 평탄화 등에 연관된 용어로써 이미 鍍金된 홀의 직경에 대한 홀의 길이와의 比率.

Assembly [반도체]
실장품 부품들이나 보조실장품들이 조합을 이루어 결합되 있는 것.

ASRP(Automatic Spreading Resistance Probe) [반도체]
Silicon Wafer의 지점별 불순물 농도 분포를 연속적으로 측정하는 설비.

Assignable Cause [반도체]
변동의 분포를 구성하는 요소들 중 원인을 규명할 수 있는 것.

ASTM(American Society Testing & Materials) [반도체]
미국 재료시험 학회

ATE(Automatic Test Equipment) [반도체]
전자 소자들을 소프트웨어를 이용하여 Test할 수 있는 장비를 일컬음.

Attributes, method of 계수치(속성). [반도체]
units가 얼마나 많은 품질속성을 가지고 있는가 (또는 가지고 있지 않은가)units속에 얼마나 많은 事象이 발생하는가 그 리고 각 unit에 어떤 특성이 존재하는가 등의 계수치 (attribute)에 의한 품질평가.

Au-Bond(Gold ball Bond) [반도체]
금선을 사용한 Bonding 방법.

Audio RAM [반도체]
정상적인 DRAM에 비하여 불량 BIT 수가 규정갯수 이내로 존재하는 제품을 나타내는 것으로, Audio RAM을 활용하는 시스템은 일반적으로 자동응답 전화기 및 HDD 대용으로 사용되고 있다.

Auto-Doping [반도체]
불순물이 높게 주입되어 있는 상태에서, 다른 공정을 진행할 때 진행공정의 목적과 함께 또는 별개로 불순물이 다른 지역으로 확산되는 것을 말함.

Auto Loader 반도체 제조(FAB, TEST, ASS'Y) [반도체]
어떤 공정에서든 공정이 진행될 때 시작되는 것이 자동적으로 진행되는 것을 말함.

Automatic Loading System [반도체]
Carrier에 담긴 Wafer를 한 개씩 주입할 수 있는 곳까지 운반하는 장치.

Auto Transfer [반도체]
Wafer를 Boat에서 기계로 Loading 또는 Unloading하는 기구 로써 제조공정에서 사용한다.

Auto Transport System(자동반송 시스템) [반도체]
자동화 공장에서 물량 반송을 Computer System의 제어하에 자동으로 목적지까지 행하는 총괄적인 System.

Av Voltage Gain [반도체]
전압 증폭도.

AV TFT-LCD(AUDIO-VIDEO, TFT-LCD) [반도체]
오디오, 비디오용 디스플레이에 사용되는 판넬로 고화질의 TFT-LCD 칼라화가 요구되며 1. 1인치 이하의 화소수 12만 정도의 캠코더용 디스플레이 판넬이 대표적이다.

Avalanche Breakdown [반도체]
Pin Diode에 역전압(reverse bias)를 크게 가해주면 breakdown이 되면서 급격히 큰 전류가 흐르게 되는 것으로, Zener breakdown mechanism과 달리 저농도로 doping된 Junction에서 transition region의 강한 Field에 의해 electron이 결정격차와 충돌하여 electron-hole pairs를 생성하는 impact ionization mechanism을 반복하면서 carrior수가 급격히 증가되어 Breakdown에 이르는 현상을 말함

Avalanche Injection Diode [반도체]
고저항 게르마늄 펠렛의 한쪽면을 인듐납으로 합금하여 P+영역을 만들고 다른쪽 면에 금 안티몬 선을 본드하여 N+영역을 형성한 구조의 Diode다.

Avalanche Transistor [반도체]
전자사태 TR이라고도 하며 TR에 낮은 전압을 가했을 때에는 OFF 상태이며 높은 전압을 가했을 때에는 Avalanche Breakdown을 일으켜 충분히 낮은 저항의 ON 상태로 되는 스위칭용의 부성 저항소자이다.

AV 시대 (Audio-Video, 오디오-비디오 시대) [반도체]
음성(AUDIO)과 영상(VIDEO)을 함께 즐기고자 하는 최근의 경향을 말한다.

Average Outgoing Quality Level(AOQL) 평균출검품질한계. [반도체]
주어진 Sampling 검사에 있어서, 입고검사품질에 대해 허용 가능한 최대 평균출하품질(AOQ)수준을 말한다.

AWD(Actual Working Day) [반도체]
실작업 일수.

AWH(Available Workng Hour) [반도체]
작업가능시간(가용시간)

A.W.W(Acid Waste Water) [반도체]
산폐수로서 약품중 산을 사용하는 장비에서 배출 되는 폐수를 말함.

Axial Fan 방식 [반도체]
대형 축류 Fan을 사용하여 Clean Room에 공기를 공급, 순환시키는 방식.

Backward Current [반도체]
PN 전합에 역방향 전압을 걸었을 때 흐는는 전류를 말한다 (Reverse Current라고도 한다).

Back Flow Effect(배류 효과) [반도체]
네마틱상에 대한 배향 벡터가 시간적으로 변동 할 때 액정 분자의 흐름을 유기하는 현상을 말한다.

Back Grind(뒷면 연마) [반도체]
Wafer 뒷면의 불필요한 두께를 갈아내는 것을 말하며, 이는 Fab.공정이 완료된 후 행해지는 공정임

Back Plane [반도체]
한쪽면에서는 솔더링을 하지 않고 접속시키는 터미날이 있고 다른면에는 일정부분간을 전기적으로 연결시키는 연결소켓이 있는 기관.

Back Panel [반도체]
Fab. Line에서 Bay간 또는 Room간 차단벽으로 주로 많이 사용되는 것으로 PVC Back Panel이 있다. 이는 공조의 흐름을 유도시키거나 Particle의 유입을 막아 Room별 청정도 유지를 목적으로도 사용된다.

Back Seal Oxide [반도체]
뒷면 실링 산화막, Wafer내에 포함되어 있는 고농도 불순물에 의한 Outdoping을 감소시키려는 목적으로 Wafer 뒷면에 성장시켜 주는 산화막. Back Side Grind 뒷면 연마. Wafer의 뒷면을 다이아몬드 휠로 연마시키는 작업으로서 조립 공정으로 일정한 두께의 Wafer를 보내기 위한 목적과 Gettering 목적을 동시에 수행함.

Back Side Marking [반도체]
Device의 Marking시 Lot의 Fab. Site Lot# 등을 기록하기 위해 Device 밑면에 표시하는 Marking.

Back-Annotation [반도체]
반도체 설계시 layout 작업까지 마친후 layout에서 발생된 기생소자들(캐패시터 및 저항)의 실제값을 추출하여 이 값들을 포함하여 simula-tion하는 작업을 말한다.

Back-Up System [반도체]
저장탱크에 저장된 액체상태의 질소, 산소 등이 기화기를 거쳐 기화한 후 Gas 상태로 공급될 수 있도록 갖추어진 설비.

Baffle [반도체]
확산 Gas의 흐름을 Control해 주는 치공구.

Bake [반도체]
Wafer를 열을 이용하여 굽는 것으로 Pre-Bake, Hard-Bake, Soft-Bake가 있다.
1) Pre-Bake : Wafer에 Resist를 도포하기 전에 Wafer 표면의 습기를 제거하여 150±10℃의 Oven에서 Wafer를 굽는 것.
2) Hard-Bake : Etch전 Wafer 표면의 Resist를 굽는 것.
3) Soft-Bake : 적외선을 이용하여 Photo-Resist를 굳혀 주는 것.

Bank [반도체]
XT의 경우 1Byte의 Data를 구성하기 위해 256K×1 Memory 8EA와256K×1 Memory 1EA로 9BIT를 구성하는데 이 경우 1Bank는 256KB의 용량 이 된다. AT의 경우는 1개의 Bank는 두개의 소 Bank로 구성되며 각각의 소 Bank(홀수/짝수)는 9BIT로 구성되어 결국 1개의Bank는 18BIT로 구성되며 2BIT의 Parity BIT를 포함한다. 256K ×1DRAM으로 구성시 1개의 Bank는 512KB의 용량이 되며 1M×1DRAM으로 구성하면 2MB의 용량이 된다.

Base Array [반도체]
ASIC Process중의 일부이며 이는 미리 회로의 기본이 되는 Gate 회로(2 Input Nand gate or 2 Input Nor gate)를 userable gate수별로 array상에 배열한 LSI를 만들어 주는 것을 말한다.

Base Line Spec [반도체]
반도체소자 제작시 동일한 특성을 얻기 위해 그 소자의 특성에 맞게 process flow를 설정하고 제어하기 위한 지침서.

Base Line [반도체]
공정 연구소 공정 개발실에서 공정개발이 완료되어 FAB운영실로 이관된 공정.

Base Material(기초제) [반도체]
표면에 회로를 형성시킬 수 있는 비전도성 물질.

BASIC(Beginner's All-purpose Symbolic Instructon Code) [반도체]
초심자용 회화용 프로그램 언어

Basic Dimension(기본위치) [반도체]
어떤 홀이나 부품의 위치를 이론적으로 정확하게 표현한 수치.

Batonnet [반도체]
등방성 액정상에서 온도를 떨어뜨려 스메틱 봉상(棒狀)의 이방성 액정을 석출시키는 말이다.

Battery Back Up [반도체]
정전시에 대응하여, 전원의 공급원으로서 battery를 준비해 두는 것. 예를 들면, C-MOS에 건전지로 전력을 보급하는 경우 등이다. 또한, Computer System에서는 일련의 cut down 조작이 가능한 시각(5-10분)을 충전지에서 전력을 공급하고, 치명적인 data파괴를 피하는 대응이 취해져 있다

Battery Back-Up Circuit [반도체]
휘발성 메모리 제품(DRAM/SRAM)의 데이타를 보관하기 위한 밧데리 회로로서 시스템의 동작시에는 OFF 상태이나, 시스템의 전원이 꺼졌을때는 정상적으로 동작하는 회로. 게임기의 "GAME PACK" 및 "소형 계산기" 등에 활용한다.

B/B Ratio(Book to Bill Ratio) [반도체]
수주 대 출하 비율 최근 3개월 평균 수주액을 3개월 평균 출하액으로 나눈값.

BC(Bay Controller) [반도체]
STC와 SECS에 의하여 통신하며 STC에 반송 지령을 주며 그 결과를 받는 일련의 process를 관리한다.

BC(Buried Contact) [반도체]
POLY1을 N+ Active에 연결하는 contact으로 POC13 doping을 이용한다.

BCD Technology [반도체]
Bipolar, CMOS, DMOS 트랜지스터를 동일 칩상에서 구현하는 기술로서, 주로 Bipolar 트랜지스터는 고속논리회로 및 아날로그회로, CMOS는 digital logic 및 DMOS의 출력구동에 사용된다. (BCD 기술은 설계의 융통성(filxibility)을 증가시키고 여러개의 분리된 칩을 한 개의 칩으로 구현함으로써 system의 reliability를 증가시킬 수 있으나 공정단가가 높은 단점이 있다.)

BCG Approach(Boston Consulting Group Approach) [반도체]
보스톤 자문단법, 전략산업단위(SBU)를 성장율과 점유율의 2가지 기준에 따라 평가, 검토하여 성장·점유 매트릭스에 분류하여 표시하는 방법.

BCR(Bar Cod Reader) [반도체]
Bar Code를 읽어내는 장치

Beam Line [반도체]
Source에서 생성된 Ion Beam이 통과통로.

Beam Mask [반도체]
초기에 생성된 사각형의 Beam의 형태를 원형으로 형성시켜, Wafer에 주사되게 차폐 역할을 하는 탄소관.

Beam Spectrum [반도체]
분자 혼합물의 상태에서 전자와 충돌시켜 양 이온을 생성, 마그네틱 전류의 증감에 따라 각각 따른 이온이 분석되어 좌감축에 나타낸 상태.

Behavioral Description [반도체]
System의 기술방법으로 input과 output사이의 관계를 computer language와 같이 서술하는 방법이다. 서술언어는 VHDL(very high speed hardware descripition language), HDL 등이 있다.

Bench Test [반도체]
특정한 모양으로 만들어 놓은 Test Pattern이나 실제 Die를 DC 측정용 계측기를 이용하여 Probing을 하면서 여러 가지 Electrical Parameter를 측정하는 일.

Bent Lead(경사리드) [반도체]
약 45도로 휘어져 있는 리드.

Bias [반도체]
치우침. 측정치나 검사결과의 평균과 참값(비교치) 사이의 차이를 나타내는 Systemic error(bias component).

Bias [반도체]
TR에서 미리 순방향의 직류전압을 가해주어 신호입력이 0인 상태에서도 어느정도의 전류가 흐르게하여 무신호시의 동작점을 미리 어떤 위치로 옮겨와 직류와 겹침으로써 0의 상태로부터 벗어나게 하는 것을 Bias라고 한다.

Bidirectional Buffer [반도체]
외부 signal에 대한 voltage level을 소자 내부에 맞게 받아들일 수 있고, sense AMP에서 증폭된 data를 external load를 drive하기 위해 사용될 수도 있는 Buffer.

BI-MOS [반도체]
바이폴라와 MOS를 조합하여 하나의 Chip위에 만든 회로이다

Binary Number System(2진법) [반도체]
한자리를 0과 1의 두 수만으로 나타내는 수의 표시방법.

B/I(Burn-in) [반도체]
고온에서 어떤 특정 길이의 시간(예를 들면 83℃, 63시간)동안 회로를 동작시켜 초기 수명 또는 초기 고장이 심사되는 부품 검사의 단계.

Bin [반도체]
검사한 결과에 따라 양품과 불량 또는 동작속도를 나누는 기준.
예) Bin 1-양품, Bin 13-기능불량, Bin 15-Parameter 불량 등.

Bin 1 Check [반도체]
Test된 양품의 동작속도 상태를 점검하는 작업.

Binary [반도체]
우리가 흔히 사용하는 10을 기준으로 한 10진법과 달리 2를 기준으로 한 2진법 숫자로 "1"과 "0"으로 숫자나 문자를 나타내는 것.

Bin Grade Down [반도체]
Test 각 Step을 진행중 Good Device의 speed나 power 소모도가 변화되어 나쁜 영향으로 변환된 제품.

BIOS(Basic Input Output System) [반도체]
컴퓨터와 주변장치사이에서 대화를 조작 하는 운영체제의 프로그램 및 부프로그램. PC의 핵심이라 할 수 있으며 PC호환성에 있어서 가장 중요한 요소들 중의 하나이다. System의 전원을 ON시켰을 때 또는 Reset 시켰을 경우 시스템 내부의 모든 장치들을 초기화하는 기능을 수행한다. 내부에는 POST 기능을 포함하고 있으며 Memory Test에서 시스템에 내장된 모든 장치의 기능 Test, 유무를 Check하는 역할을 수행한다.

Bipolar [반도체]
전자(Electron)와 정공(Hole) 두 종류의 전기매개체가 동원되어 동작되는 형태(또는 이것에 의해 동작되는 Transistor를 말함).

BIT(Binary Digit) [반도체]
2진수의 자리수의 단위이다. 즉, 2진법의 1011은 4자리 4BIT이다

Bit Line [반도체]
Memory에서 Data를 저장시키거나 Data를 뽑을 때 Data가 이동되는 통로로서 사용되는 도선.

Bit Map [반도체]
Memory의 기본동작을 Check하여 Memory내의 각 Data의 저장 Cell이 바로 동작하고 있는지를 표시한 도표(죽은 Cell을 찾아내어 분석하기 위해 사용됨).

Bit Mapper [반도체]
제조공정이 완료된 반도체의 동작특성 유, 무를 판별하고 Fail Point의 Address 및 Fail 특성을 제공하여 주는 F/A용 Tool.

Bit성 Fail [반도체]
Device Test 결과 Random한 Address의 Cell이 Fail된 경우.

Black & White SPOT [반도체]
셀 내부에 이물, 먼지 등이 들어가거나 마스크의 pinhole 등으로 인하여 seak제나 트랜지스터제가 면내에 인쇄되어 포지티브형은 흑점으로 네가티브형은 백점으로 나타나는 현상.

Black Hole [반도체]
제조기술부에서 F/A시 사용하는 용어로 Contact 부위에서 Contact Pattern과 그 위의 Poly or Metal Pattern과의 Misalign이나 또는 Over Etch로 인하여 Contact Overap이 부족하여 Contact Edge에 Chemical이 침투하여 Contact을 부식시켜 생겨난 Defect.

Black Stripe SM [반도체]
칼라 액정 디스플레이에서 빛의 투과가 일어나지 않는 트랜지스터나 축전지부분을 검은색의 물질로 덮어서 빛의 간섭을 막아 화질을 높이는데 쓰이는 물질.

Blade Wafer [반도체]
절단시 사용되는 톱날로서 다이아몬드와 니켈의 합금.

Bleeding(번짐) [반도체]
鍍金된 홀이 보이거나 갈라짐으로 인하여 변색된 것. 또한 인쇄에서 잉크가 없어야 될 곳에 잉크가 번져 들어간 형태

Blister [반도체]
밀착된 기초재층들간의 부분적인 들뜸이나 기초재와 표면전도체 막과의 부분적 들뜸.

Block [반도체]
한 단위로 취급하는 연속된 단어의 집합

Block Factors [반도체]
Block 인자. Block 인자들은 실험 공간을 Block으로 구분하기위한 근거로 제공된다.

Blow Hole [반도체]
개스가 분출됨으로써 발생된 땜납(Solder) 보이드.

BN Wafer [반도체]
Boron이 매우 높게 주입되어 있는 Wafer로서 Boron을 주입하려고하는 Wafer와 마주보게하여 확산공정을 진행할 때 사용하는 Wafer.

BN 보관로 [반도체]
BN Wafer를 보관하는 Tube로 375℃의 온도가 유지되며 N2가 흘러들어감

Boat [반도체]
확산로에 Wafer를 넣을 때 사용되는 것으로 석영이나 SiC 재질로 만들어져 있으며 Wafer가 한 장씩 세워지도록 홈이 파져 있음.

Boat Holder [반도체]
Boat가 외부 물질에 닿지 않도록 받쳐주는 것으로 석영 또는 Poly-Si 재질로 되어 있음.

Body Effect [반도체]
MOS Transistor에서 source와 substrate간의 reversebias에 의해 Threshold voltage가 shift되는 현상으로 substrate 농도에 관계한다.

BoH(Begining on Hand) [반도체]
작업초 갖고 있는 재고.

Bonding [반도체]
주로 wire bonding이라고 일컬어 지며 반도체 제품의 조립시 chip의 PAD와 외부단자를 도선으로 연결하는 작업임

Boiler 1 Ton [반도체]
100℃의 물 1000kg을 1시간 동안에 전부 100℃증기 1000kg으로 만들 수 있는 능력을 말하며 Boiler 용량표시의 척도가 된다

Bond Diode [반도체]
반도체 표면에 금선을 용접하고 전기펄스에 의해 접합을 형성하는 것.

Bonding Layor(접착증) [반도체]
다층기판의 밀착시 각각의 층들을 접착시켜서 결합시키는 층.

Bonding Pad [반도체]
Chip에 Wire를 Bonding 할때 본딩할 부분에 증착한 알루미늄 등의 금속 증착피막 부분을 말한다.

Bond Strength(접착력) [반도체]
기판의 인접한 두층을 분리시키는데 필요한 단위면적당 수직으로 작용하는 힘의 크기.

Boomerang Effect [반도체]
선진국이 개발도상국에 제공한 경제원조나 자본투자 결과 현지 생산이 이루어지고 이어서 그 생산제품이 현지 시장수요를 초과하게 되어 선진국에 역수출됨으로써 선진국의 해당산업과 경합하는 것.

Booting [반도체]
프로그램을 입력하는 방법의 하나로서 최초에 명령을 Read하기 위한 간단한 조작을 해두면 그 다음부터는 그 명령의 Reading을 순차적으로 행하여 최종적으로 완전한 프로그램이 기억장치내에 수용되도록 만들어진 루틴(절차).

Bottom Up Design [반도체]
트리구조를 아래에서 위로 구성해 나가는 방법으로써 Primitive Cell을 기본으로 Circuit Level, Logic Level, Architechure Level순으로 진행하는 IC 설계방식.

Boulder [반도체]
FAB 공정중 침적 또는 Diffusion 공정시 정상성장이 되지않고 비정상 성장이나 결정 덩어리에 의해 생겨난 비정상적 성장결정체.

Bow(휨) [반도체]
wafer 또는 wafer위에 증착된 flim의 인장력을 측정하기 위해 사용되는 휨정도를 의미함.

BPSG (Boron Phosphorus Silicate Glass) [반도체]
평탄화의 수단으로 사용하는 열에 대한 flow성(850℃에서 Viscosity가 급격히 변하는) 이 좋은 막질임. Oxide Film에 B, P 등의 불순물을 첨가시켜 낮은 온도에서 평탄화되도록 하는데 사용되는 절연막임.

BPT(Bond Pull Test) [반도체]
본드 인장력 시험으로서의 bondability 측정의 한 방법으로 GRAM weight gauge를 사용하여 ball과 stitch 중간을 들어올려 bond의 인장강도를 측정하는 시험.

Bread Board [반도체]
IC화 하기전에 개별부품을 사용하여 목적하는 IC회로와 동등한 기능을 갖는 회로를 만들어 그 IC회로의 모의 설계를 하는 것.

Break-Down [반도체]
PN 접합에 역방향 전압을 가하고 그 전압을 차츰 높여 가면 어떤 전압에서 역방향 전류가 급격히 증가하는 이른바 Breakdown의 현상이 일어난다. 이러한 현상이 일어나는 것은 공간 전하 영역의 전계 강도가 매우 커지기 때문이며, 그 기구로는 avalanche breakdown과 zener breakdown이 있다.

Breakdown Voltage [반도체]
P-N접합 Diode에서 두 접촉영역 사이로 역방향의 큰 전압을 걸어주면 역방향으로 많은 전류를 흐르게 되며 이때 가해 주는 전압을 Break-down 전압이라 한다.

Break-up [반도체]
Half Cutting된 Wafer를 Full Cutting 시키는 작업.

Bridging [반도체]
회로들간의 사이가 전도물질에 의하여 붙어버린 형태.

Broken(깨어짐) [반도체]
Wafer나 Quartzware가 깨어짐을 말함.

BSI(Business Survey Index) [반도체]
기업실사지수. 경기에 대한 기업가들의 판단, 장래의 전망 및 대비계획 등을 기업가들로부터 직접 조사, 지수화 함으로써 전반적인 경기동향을 파악하고자 하는 지표를 말한다.

BT Stress(Bias & Temperature Stress) [반도체]
소자의 신뢰도를 측정하는 방법의 일종으로 Bias(전압)인가와 동시에 온도를 높여서 하는 Stress 인가 방식.

BT Test(Bias and Temperature Test) [반도체]
TR, Diode 등의 반도체 소자를 고온에서 Bias를 건 상태로 해두는 시험이다.

Bubbler [반도체]
순수한 물(D-I Water)이 흘러나와 넘치면서 질소가 바닥으로부터 분출되어 Wafer 표면을 헹구어 주는 장치.

Bubble Memory [반도체]
합금, 석류석 등에 자계를 걸어주어 여러개의 거품같은 모양을 만들어 놓은 기억소자.

Buffer [반도체]
어떤 논리회로와 다른 논리회로를 결합할 때 그 직접결합에 의한 나쁜 영향을 피하기 위해 단간에 삽입하는 회로를 말한다.

Buffer Memory [반도체]
2개의 장치사이에서 동작속도가 다를 때 그 중간에 마련하여 양자의 속도, 시간의 조정 등을 하는 메모리를 말한다.

Build-up [반도체]
건물전체를 한 공조기로 하고 그 내부에 팬, 코일 및 필터를 설치하고 공기조화 하는 것.

Buried Layer [반도체]
Transistor에서 Collector 저항을 줄이기 위하여 Collector 하부에 형성하는 낮은 저항 영역.

Buried Via Hole [반도체]
완전히 관통이 되지 않고 중간이 막힌 비아홀.

Burr [반도체]
절단, Trim 공정시 발생하는 불량의 한 항목으로 Lead 끝이나 몸체에 혹처럼 찌꺼기가 붙어 있는 것.

Burn in [반도체]
제품의 잠재적인 불량을 초기에 발견하기 위하여 제품에 고온(85℃∼ 125℃)으로 Device에 열적 Stress를 인가하여 Test하는 것이며, IC가 실제 사용할 때 사용가능하도록 신뢰성(Reliability)를 높여주기 위해 실제 사용상태보다 높은 전압, 전류 등의 Parameter를 가하여 장시간 Over Stress를 행하는 Test.

Burner [반도체]
고압의 공기 또는 증기를 사용하여 고점도의 액체 연료를 무화시킨 후 분사시키는 장치.

Burnt [반도체]
Burn-in 중 Device 결함 혹은 외부의 과도한 전기적 Stress로 인하여 High Current가 Device내부를 흐름으로 인해 Device가 고온으로 가열되어 깨어지거나 변색되는 현상.

Bus [반도체]
정보전달 장치 사이에서 정보가 전달되기 위한 길.

Bus Clock [반도체]
Slot에 장착되는 기존의 ADD-ON Card에 호환성을 유지하기 위하여 I/O Channel에 공급되며, 24MHz의 주파수를 3분주시켜 8MHz를 Bus Clock으로 사용하고 있다.

BVcob(Collector-Base Breakdown Voltage with Emitter Open) [반도체]
에미터 단자 Open 상태의 콜렉터-베이스간 역전압, 에미터 회로를 개방하고 Collector와 Base 단자사이에 Breakdown이 일어나기 전까지 가할 수 있는 최대 역방향 바이어스 전압.

BVcer(Collector-Emitter Breakdown Voltage With Specified Resistance) [반도체]
베이스 단자와 에미터 단자간 일정한 저항을 연결한 상태에서의 콜렉터-에미터간 역전압.

BVces(Collecter-Emitter Breakdown Voltage With Emitter Short-Circuited to Base) [반도체]
베이스-에미터간을 Short한 상태에서의 콜랙터-에미터간 역전압.

BVcev(Collector-Emitter Voltage with Specified Reverse Voltage Betweem Emitter And Base) [반도체]
에미터-베이스간 역전압인가 상태에서의 콜렉터-에미터 전압.

BVebo(Emiitter-Base Breakdown Voltage With Collector Open) [반도체]
Collector 단자 open 상태에서의 에미터-베이스간 역전압.

Byte [반도체]
보통 8개의 Bit를 1Byte라 하며 Computer에서 한개의 숫자나 문자 또는 부호를 나타내는데 쓰이며 Word의 한 단위로 사용된다.

CAD(Computer Aided Design) [반도체]
컴퓨터에 기억되어 있는 설계 정보를 그래픽 디스플레이장치로 출력하여 화면을 보면서 설계하는것(컴퓨터을 이용하여 설계를 하고 도면을 그려내는 것).

CAD Software [반도체]
반도체 제품의 설계  및 개발업무에 관련된 CAD  Program을 총칭한다.

CAE(Computer Aided Engineering) [반도체]
CAD로 만든 모델의 성능을 컴퓨터 내에서 상세하게 검토하여 그 데이터를 토대로 모델을 수정하는  System(컴퓨터를 이용하여 모의 실험(Simulation)을 하는 Tools).

CAI(Common Air Interface). [반도체]

CAI(Computer Assisted Instruction) [반도체]
교재나  학습용 프로그램을 바탕으로 컴퓨터를 통해 대화식으로 학습하는 것을 말함.

Calibration [반도체]
최고 정도의 국가표준원기와의 소급성(Trace ability)유지를 위하여  하위급의 표준기기 또는 정밀 계측기기를 정밀한 정밀측정 절차에 따라 비교검사하여 하위계측기기의 정밀, 정확도에 대한 편이를
검출, 조정하고 수정하는 행위를 말함(교정).

Calibration Interval [반도체]
계측기기의 주어진 정밀, 정확도를 유지하기 위한  교정 유효 기간으로  교정일로부터 차기 교정일까지의 기간을 말함(교정 검사 주기).

Calibration Master Standard [반도체]
2차급 이하의 교정검사 기관 및 산업체가 유지 해야 할 표준기로써 공장용 기준기  및 정밀계측기기의 교정 및 검증에  사용되는 표준(교정 검사용).

CAM(Computer Aided Manufacturing) [반도체]
컴퓨터 이용에 의한 제조방법으로서, CAD System으로 설계한 설계도의 데이터를 토대로 NC(Numerical Control: 수치제어)공작 기계 등의 생산  설비를 제어하여 제품을 생산하는 장비.

Capacitance [반도체]
전하를 축적할 수 있는 용량.

Capatiance Voltage Characteris [반도체]
MOS 구조에 있어, 반도체 기판의 상태, 산화막 속의 오염상태, 반도체 기판과 산화막과의 계면상태  등을 알기 위하여 사용되는 용량과 전압의 특성. MOS 구조에 있어서는,  금속전극에 가한 전압에 의해, 산화 silicon막 아래의 반도체 표면상태가  축적상태, 공핍상태, 안정상태로 변화한다.

Capacitor [반도체]
전하를 저장할 수 있는 제품(콘덴서).

Capillary [반도체]
Wire Bonding 공정에서 Chip과  Lead Frame의 Load를 Wire로 연결시키는 도구.

CAPS(Computer Aided Publishing System) [반도체]
컴퓨터 출판 시스템.

Capture Center [반도체]
캐리어를 일시적으로 잡아두는 금지대 속의 에너지 준위.

Carrier [반도체]
전류를 구성하는 기본적인 주체(전자, 전공).

Carrier [반도체]
Wafer를 담는 용기로 25장을 담을 수 있는  홈이 있다. 종류로는 청색 캐리어(Blue Carrier), 흑색 캐리어(Black Carrier), 백색 캐리어(White Carrrier), 금속 캐리어(Metal Carrier)가 있다.
1) Blue Carrier : Poly Propylene 재질로 되어 있으며, 색은 청색임.                               화공약품에는 강하나 열에 약함.
2) White Carrier : Teflon 재질로 되어 있으며, 색은 백색임.
화공약품과 열에 모두 강하며 가격이 비싸고 무거움.

Carrier Generation [반도체]
열평형 상태에서 반도체에 있는 carrier들은  주위 온도에 대응하는 평균 열에너지를 가진다. 이 열에너지는  Valence Electron들중 일부를  Conduction Band로의 천이과정 속에서 Electron과 Hole의 쌍을 생산하게 된다. 이 과정을 Carrier Generation이라고 한다.

Carrier Handler [반도체]
Wafer를 취급하는 도구.

Cart  Wafer [반도체]
strage box를 운반하는 도구.

Cascade [반도체]
3단으로 되어 있는 작은 폭포로써 순수한 물(D-I  Water)이 흐르면서 바닥으로부터 질소가 분출되도록 만들어져 있어 Wafer를 헹구는 장치.

CASE  Computer Aided Software Engineering. [반도체]

Cash Memory [반도체]
Main memory와 CPU 사이에서 마련한 고속의 기억장치.

CAT(Category) [반도체]
Bin과 같은 개념임.

CATV(유선텔레비젼) (Cable Television) [반도체]
난시청을 해소하기 위한 대책으로 개발된 것. 동축 케이블 등으로 국과 가정을 연결하여 양질의 채널을 확보함으로써 방송 및 기타 정보 서비스에도 자주 이용된다.

Cavity [반도체]
금형내에 PKG를 형성하게끔 만드는 PKG 모양의 동공.

Cavitation [반도체]
운전중인 pump에서 물의 온도에 의하여 증기압보다 낮아져 물 속의  공기, 수증기가 분리, 기포가 발생하여 공동을 만드는 현상.

CBIC(Cell Based IC) [반도체]
MASK를 제작하여 공정을 거치게 하는 설계방식으로써 CAD software를 이용하여 Library를 배치·배선한다.

CBR(CAS Before RAS) [반도체]
RAS가 Low 되기전에 CAS가 Low되어 Refresh가 일어난다.

CC(LIM Central   Controller) [반도체]
STC로부터 공정간 반송  지령을  받아서 stocker간의 cassette 반송을  제어한다.

C&C(Computers and Communications) [반도체]
컴퓨터 기술과 통신기술의 완벽한 조합.

CCD(Charge Coupled Device)  전하결합소자(電荷結合素子). [반도체]
미국 벨연구소가 개발한 새로운 반도체 소자이다.  종래의 트랜지스터  소자와 달리 신호를 축적(기억)하고 전송하는  2가지 기능을 동시 갖추고 있다. 사람의 눈(目) 역할을  하는 전자 눈으로도 각광을 받고 있다.

CCM(Cell Control Manager) [반도체]
Factory Automation System에서 Host Level의 program군(群)으로서 일련의 공정들을 제어한다.

CCST(Constant Current Stress Time) [반도체]
Dielectric Film의  Life time을 측정하는 방법을 TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)라 하는 데  이는 일정한 시간을 측정하는 방법이다.  그 중 CCST는 보통 단위 면적당 100mmA/㎠ 의 일정한 전류를 Plate Poly에 가해 Dielectric  Film의 Breakdown이 일어나는 시간을 측정하는 방법.

CCTV(페쇄회로 텔레비젼 Closed Circuit Television) [반도체]
동축 케이블이나 마이크로 웨이브 링크(Micro Wave Link)등 제어접근이 가능한 다른 전송매체만을 방송신호로 사용하는 텔레비젼.

CD(Critical Dimension) [반도체]
사진공정과 식각공정을 진행한 후 규정된 규격에 의해 공정이 진행되었는지 점검할 때 사용.
1) ADI(After Develop Inspection) : Wafer 현상후 현상부위의 폭이나 가격을 잰값.
2) ACI(After Clean Inspection)   : Wafer 식각 및 Strip 후 식각부위의 폭이나 가격을 잰값.

CD-ROM(재생전용 Disk : Compact Disk Read Only Memory) [반도체]
CD(광디스크)처럼 공장에서 제조시 기록한 정보만을 읽을 수 있는 Disk.

CDI(Collector Diffusion Isolation)   바이폴라 IC에 필요한 분리법으로  IC의 집적도를 높이기위해  분리에 필요로 하는 면적을 되도록 작게 하는 방법이다. [반도체]

CDP(Career Development Plan) [반도체]
파벌이나 인간관계에 기초한 인사이동이 아니라 사원의 자기실현에 대한 희망, 장래의 목표 등을 듣고 능력이나 경험을 정확히 파악한 다음 계획적으로 직장의 훈련이나 연수를 진행시켜 가는 제도.

CDP  Compact Disk Player. [반도체]

Cell [반도체]
RAM이나 ROM 등 IC의 가장 작은  기억소자를 말하며 보통 Transistor,  Capacitor, Resistor 등으로 구성되어 있고 1Bit의 정보를 저장할 수 있다.

Cell [반도체]
급. 히스토그램의 축을 따라서 관측된 개별 값들을 정해진 경계치내로 집단화한 것을 말한다.

Cell Boundaries [반도체]
급경계. 급 내에 포함될 모든 값들을 포함하는  급의 양단 값을 말한다. 일반적으로 급경계치는 그려질 data 보다 더 중요한 의미를 갖는다.

Cell Deviations(d)  급간 편차. [반도체]
계산을 쉽게하기 위해, 보통  모든 급의 중심치로부터 상수 A를 빼는  방법에의해 data를 부호화하는 것이 바람직하다.  A와  같도록 선택된 급의 중심치 Xm은 급의 중앙을 나타낸다. 모든 다른  급들은 그들이  중앙 급으로부터 떨어져 있는 급의 수로 나타낸다. 중앙  급은 Xm=A이기 때문에 그 거리 d=o이다. A보다 큰 값을 갖는 급은 '+', A보다 작은 값을 갖는 급은 '-' 값을 갖는다.

Cell GAP [반도체]
LCD의 액정이 주입되는 앞  유리기판과 뒷 유리기판 사이의 폭, 즉 액정층의 두께를 의미한다.

Cell IMP [반도체]
Mask  ROM에 있어서  한 Bit의  저장정보 상태를  결정하여 주는 Implant 공정을 말하며, P-Well의 경우 Boron을 주입하여 TR을 compensate시켜 문턱전압을 상승시킴

Cell Interval(i) [반도체]
급 구간(간격). 급경계 사이의 거리를 말한다.

Cell Library [반도체]
고유의 function을 갖는 primitive cell인 NAND, NOR, XOR 등을 지칭하는 것으로서 각각의 Cell에는 Logic Symbol, Electrical data와 Layout이 한 조로 구성되어 있다.

Cell Midpoint(Xm)  급 중심치. [반도체]
두 급 경계치 사이의 평균값을 말한다. 일반적으로 급에서 관측된 모든 값들의 중심값을 말한다.

Ceramic [반도체]
비금속의 비정질 재료를  칭하는 것이나 일반적으로 유리를  포함하지 않는 것이 보통이다.

Cer-DIP(Ceramic Dual In-Line Package) [반도체]
재질이 Ceramic이며 Lead 배열이 양쪽인 PKG.

Certification [반도체]
교정된 계측기기가 주어진 기준치와 일치됨을 인정하거나 측정값을 보증하는 행위를 말함(검증).

Centeral Line  중심선. [반도체]
관리도상에서 오랜기간 동안의 평균을 표시하거나 관리도 위에 찍히는 통계적 측정치들의 기준이   되는 값.

Central Processing Unit(CPU) [반도체]
중앙처리장치.

CG(Computer Graphics) [반도체]
컴퓨터 그래픽스. 컴퓨터에 의한 화상처리.

CGA(Color Graphics Adapter) [반도체]
IBM PC용으로 제공된 최초의 2개의 디스플레이 보드들 중의  하나이다. (나머지  하나는 흑백 디스플레이/프린터 어댑터(MDA)) 최고 640*200그래픽스(흑백)를 가지고 있어 기껏해야 80행*25열의 텍스트만을 표현할 수 있다.

Chance Cause(Random Causes)  우연원인. [반도체]
일반적으로 다수이며, 개별적이고, 상대적으로 덜 중요한 요소이지만 산포에 영향을 끼치는 원인을 규명할 수 없는 요소들.

Chance Variation(Random Variation)   [반도체]
우연원인에 기인한 변동.

Channel [반도체]
MOS Transistor의 Gate아래 부분으로 다수 반송자를 형성하여 전류가 흐른 길.  P-Channel, N-channel 두가지가 있다.

Characterization Testing [반도체]
특성 분석을 의미하며, 제품이 전기적 규격을 만족하는지 여부보다 실제 측정치가 전압, 온도 등에 따라 어떠한 특성이 있는지 분석 시험하는 것을 말한다. 따라서  test time은 크게  부각되지 않으며,  가장 정확한 data를 얻는 것에 주안점이 있다.

Charge   [반도체]
전하.

Charge Coupled Device(CCD)   [반도체]
전하 결합소자.

Chip [반도체]
전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어있는 작은(한변길이  0.5-10㎜정도) 포장되기 직전의 얇고 네모난 반도체 조각(Die와 같다). 수동소자, 능동소자, 또는 집적회로가 만들어진 반도체.

Chip Select [반도체]
많은 LSI 칩중에서 특정의  칩하나를 선택하는데 사용되는 LSI의 입력단자나 신호.

Chip-Set [반도체]
System을 구성하는 다수의 component(TTL, Controller, PLL 등)를  여러개 혹은 하나의 chip으로 구현한 것. 따라서 chipset은 그에 맞는 다수의 system solution 및 software와 함께 제공되어진다.

Chiral [반도체]
거울에 비친 분자의 상이 원래의 상과 다른 것을 의미한다.

Chiral Nematic Phase [반도체]
액정상으로는 콜레스테릭 액정과 같은 것의  별칭이다. 당초 이 종의 액정상에는 cholestric 유도체 특징이 보임에 따라  콜레스테릭상이라는 명칭이 이용되었지만 그 후 네마틱상을 주는  화합물과 유사구조의 카이랄 화합물이 같은 콜레스테릭상을 주는 데서 명칭이 붙었다.

Chiral Pitch   네마틱 액정에 카이랄제를 첨가하면 분자 배열 나선 구조를 갖는다. 이 나선의 주기를 말한다. [반도체]

Chokralsky Method  Chokralsky가 고안한 단결정 반도체 제조방법. [반도체]

Chromaticity(色度) [반도체]
색 평가는 일반적으로 색상, 명도, 채도의 3요소로서  행해지지만, 이것들을 총칭해서 색도라고 부르고 있다.

Chrome Mask [반도체]
Mask의 한 종류로 유리 원판위에 chrome(금속) 박막으로 회로가 인쇄된 Mask.

Chuck [반도체]
공작 기기에서 작업물 또는 공구를 고정하기 위한 장치를 말하며,  반도체 공정에서는 Wafer Test시 Wafer를 고정시키고 적절한 온도를 가해주는 원형으로된  Prober의 특정부분을 의미한다.

Chuck Table [반도체]
절단작업을 하기 위하여 Wafer를 올려놓는 치구를 말함(진공으로 고정시킬 수 있게 되어 있음)

CHW(Chilled Water) [반도체]
냉동기에서 열을 빼앗겨 차거워지는 냉수로서 공기조화에 사용됨.

CIM(Computer Integrated Manufacturing) [반도체]
제조업체 있어서  기술, 생산, 판매의 제기능을 경영전략하에서 통합하는 정보시스템이다.

CIQ  Customs Immigration Quar의 약칭, [반도체]
출입국 때 반드시 쳐야 하는 3대  수속.

CISC(Complex Instruction Set Computer) [반도체]
여러 명령어가 복합적으로 존재하는 상태에서 동작이 전개되는 컴퓨터로서 종래부터 전통적으로 쓰여오고  있는 컴퓨터.

Clad [반도체]
비교적 얇은 금속층이 양쪽면에 결합이 된 기본재(Base Material)의 상태.

Claim [반도체]
수입업자가 상대방인 수출업자에 대해 계약을 완전하게 이행하지 않았다는 이유로 지불거절, 지불연기 또는 손해배상 등을 요구하는 것을 말한다.

Clamp Pressure [반도체]
조임쇠 압력, 상하 금형을 맞 물리는데 필요한 압력.

Clean Class(청정도) [반도체]
청정실내에 공급되는 공기중의 Particle 관리정도에 따라 등급을 정한것.  1M DRAM의 청정실은 0.1㎛의 Particle를 기준으로 결정.  통상 0.5㎛이상의 공중입자가 1ft3 체적내에 있는 Particle의 수를 말함.

Cleaness [반도체]
청정도. 먼지나 오염물질의 오염정도를 표시하는 기준.

Cleaning [반도체]
Wafer나 Carrier 등을 화공약품 및 순수한 물(D.I  Water)을 이용하여 깨끗하게 하는 것을 말함.

Clean Paper  먼지가 발생하지 않는 종이. [반도체]

Clean Room(청정실) [반도체]
공기의 온도, 습도 및 Particle이 작업공정에 적합하게 인위적으로 조절 관리되는 실내공간.

Clearance Hole [반도체]
기판기본재에 형성이 되어 있는 홀과 동일한 축을 형성하고 있으나  크기는 더 큰 전도성회로층에 형성되어 있는 Hole.

Clinched Lead [반도체]
기관의 홀속에 삽입되어 솔더링이전에 부품이 떨어져 나가는 것을 방지하는 역할을 하는 리드.

Clock Pulse [반도체]
논리회로에서 일정한 주기의 펄스를 게이트의 1개  입력단자에 가해두고  이 펄스와 AND를 잡음으로써 시간의 규제와 파형의  정형을 하는 경우가  많은 데 이와 같은 펄스를 Clock Pulse라고 한다.

Cluster [반도체]
터미날 또는 컴퓨터화된 시스템으로부터 일반적인 통신통로를 분배하는  입출력 장치들의 집단. 이것은 컴퓨터와 클러스터간의  설비사이에 정보의 흐름을 관리하는 로칼 클러스터 콘트롤러에 의해 운영된다.

C-MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) [반도체]
N Channel, P Channel의 두 MOS Transistor가 합해서 기능을 발하는 복합체로써  낮은 전력소모와 높은 Noise Margin 기타 신뢰성에 잇점이 있다.

C2MOS   [반도체]
Clocked CMOS. 시계용 CMOS.

C-Mos 외검 검사표 [반도체]
Lot 크기의 단위 및 불량 항목을 나타내는 표.

CMS(Central Monitoring System)  중앙 감시장치. [반도체]

Coating [반도체]
감광막, 절연막 또는  금속막을 Wafer 표면에 균일하게  증착하는 (바르는)과정.

COB(Chip on Board) [반도체]
PCB Board에 Die를 붙인 것.

Cob(Collector Capacitance) [반도체]
콜렉터 용량 Collector- Base 간의 PN접합 용량.

CO2 Bubbler  Wafer [반도체]
고압 세정시 정전기 발생을 억제하기 위하여 CO2를 공급하는 장치.

CO-Processor [반도체]
Main processor에서 제공하지 못하는 특정용도의  instruction을 가진  processor. Main processor와 함께 사용되어, floating-point 연산을  하는 match-coprocessor, graphic 기능을 하는 graphic coprocessor 등이 있다.

CODEC(Coder and Decodr) [반도체]
ADC와 DAC를 one chip화한 IC.

COG(Chip On Glass) [반도체]
액정 패널의 유리기판위에 드라이버  대규모 집적 회로를 직접 내장하는 방식으로, 초박형, 경량화로 인해 접속피치의 미세화에 대응하는  새로운 실장방식이다.

Cold Solder Joint(콜드솔더결합) [반도체]
불충분한 가열 및 솔더링의 불충분한 세척이나 솔더의 오염으로 인하여  솔더표면이 젖고 균일하지 못하며 구멍이 많은 상태의 솔더 결합.

Cold Test [반도체]
제품을 강제로 저온상태에서 검사하는 것 (-18℃ 이하).

Collector [반도체]
접합 Transistor에서 출력이 나오는 부분.

Collet [반도체]
Chip을 Lead Fram에 접착시키는데 Expanding Tape에 접착된 Chip을  Lead Frame에 붙이는 도구.

Color [반도체]
적(R) 녹(G) 청(B)의 색소를 가지는 표시체를 가리킨다. 각 화소가  0 또는 1의 무계조 혹은 저계조이면 multi 칼라라고  부르고, 계조수가 영상을 표현할 정도로 많으면(64 level이상) full 칼라라고 한다.

Column [반도체]
액화된 공기를 비점차에 의해 질소와 산소,  아르곤 등으로 분류시키는 정류탑.

Column성 Fail [반도체]
Device Test결과 일정한 Y Address, 변화하는 X Address를 갖는 Cell들이  연속적으로 Fail된 경우.

Combinational Circuit(조합회로) [반도체]
기본 게이트인 NAND, NOR 등을 조합한 비교적 기본적인 Digital 회로.

Common [반도체]
전기를 공급시키는 단자중 접지되는 공통단자를 의미함(Ground).

Comparator [반도체]
두 개의 입력을 받아서 그 진폭의 크기를 비교하여 요구되는 신호를 선정하는 비교증폭기.

Complementary Circuit(상보형 회로) [반도체]
바이폴라 또는 유니폴라로서 극성이 반대인 TR을 접속하여 하나의 기능을 갖게하는 회로를 말한다.

Compound [반도체]
선 연결된 반제품을 포장하고 성형 재료로서 화합물인 수지에  각종  배합제를 가하여 성형가공하기 쉽게 만든 열경화성 수지.

Compound Semiconductor  화합물 반도체. [반도체]

Component(컴포넌트) [반도체]
개개의 부품을 뜻함. 혹은 함계 결합되어지면 일정한 기능을 수행할 수  있는 부품들의 조화된 상태를 말함.

Component Density(컴포넌트 밀도) [반도체]
기관의 단위면적당 부품의 양.

Component Lead Hole(컴포넌트 리드 홀) [반도체]
부품단자를 전기적으로 연결시키거나 부착시키는 역할을 하는 홀.

Component Pin(부품핀) [반도체]
부품으로부터 연결이 되어 기계적이나 전기적인 연결을 한다.

Component Side(부품면) [반도체]
인쇄회로기판 중 대부분의 부품들이 실장되는 면.

Compound Device [반도체]
하나의 케이스속에 2개 이상의  회로소자를 포함하는 것을 복합부품이라고 한다.

Compressor  공기압축기. [반도체]

Computer Network  컴퓨터 네트워크. [반도체]
복수의  컴퓨터 혹은 1대의 초대형기와 다수의 단말기를 통신회선으로 연결하여 효율적인  데이터 전송을 하기 위한  통신망.

Computer Virus  컴퓨터 바이러스. [반도체]
정상적인 컴퓨터 내에  침입해 데이터나 파일을 파괴하거나  다른 프로그램을 못쓰게 만들어 버리는 악성 프로그램.

Condenser(콘덴서) [반도체]
기본적으로 2장의 전극사이에 유전체를 둔 구조.

Conductance [반도체]
저항의 역수로서 도전도라고 하며 전류가 흐르기 쉬운 정도를 말한다.  교류회로에서는 어드미텐스 Y가 Y-G-jB로 표시되는데 이식의 G가 컨덕텐스이다. 병력 컨덕텐스위 합성치는 각 컨덕텐스의 합이 되므로 병렬회로의 계산에 이용하면 편리하다.

Conduction Band(전도대) [반도체]
결정이 갖는 전자의 에너지  상태를 에너지대로 표현했을 때 가장  에너지 값이 작은, 즉 맨위에  있는 에너지대로서 수용 가능한 수의 전자로 충만되어 있지 않은 상태에 있는 에너지대.

Conductivity(전기 전도도) [반도체]
전기가 통하기 쉬운 정도를 나타내는 양으로 전기 저항의 역수이다.

Conductor(도체) [반도체]
전기가 통하는 것(비저항이 10E -6 ∼ -4㎝ 정도의 범위).

Conductor Side(회로면) [반도체]
단면 인쇄기판 중 회로를 포함하는 면.

Conductor Spacing(회로간격) [반도체]
회로면에 있어서의 회로와 회로의 간격.

Contact(TEST) [반도체]
통상 Continuity Test라고 칭하며, tester interface와 device  사이의 접촉 혹은 연결이 정확히 되었는가를 확인하는 것이다.  이 Test는 보통 각 IC pin의 protection diode에 순방향으로  전류를 인가하고 전압을 측정함으로써  가능하다.

Contact Potential(접촉전위) [반도체]
일반적으로 두 종류의 금속을 접촉시키면 한쪽에서 다른쪽으로 전자가  이동하여 두 금속간에 전위차가 생기는데 이 접촉 자체로부터 유기되는 두 물질간의 전위차를 접촉전위라고 한다.

Contrast Ratio [반도체]
디스플레이상에서 일정 조건의 빛을 조사할  때 액정 표시기의 밝은 부분과 어두운 부분의 정도의  명암의 대조를 의미한다. 즉  화면의 백과 흑 각각의 경우의 광의 투과량의 비에 의해 정의된다.

Concuctor Width(회로폭) [반도체]
기판의 위에서 회로를 내려다 보았을 때의 가장 넓은 부분.

Conformal Coating [반도체]
기판의 부품결합이 완전히 끝난상태에서 표면을 절연체로 실시하는 코팅.

Confounding [반도체]
교략. 타인자나 Block 인자 또는 교호작용에 의한 효과와 인자간의 미소한 효과나 인자의 주효과가 구분되지 않고 결합(혼합)되는 것을 말한다.

Connector Area(단자부) [반도체]
외부와 전기적으로 연결될 수 있도록 사용되는 부분.

Console [반도체]
컴퓨터 시스템의 일부분으로서 관리자 또는 조작원과 컴퓨터 사이에 대화(연락)을 할 수 있는 장치.

Contact Resistence [반도체]
Metal과 Wafer표면 접합부의 전기적 저항 크기.

Contact Spacing(접촉간격) [반도체]
인접단자 각각의 중간선 간의 거리.

Contact Spiking [반도체]
Al이 P/N 접합면과 Alloy 되었을 때 Junction이  매우 얇은  Junction을 침범하여 Spike 모양으로 Alloy된 현상을 말한다.

Contamination  오염. [반도체]

Control Chart [반도체]
공정이 통계적 관리상태 인지 아닌지를 평가하기 위한 도식적인  방법으로 관리한계와 통계적 측정치를 비교하여 관리상태를 판단한다.

Control Chart-Standard given  해석용 관리도. [반도체]
관리도상의 점들에 대해 적용 할 수 있도록 채택된 기준값을 근거로 한 관리한계선을 가지고 있는 관리도.

Control Gate [반도체]
2  Polysilicon Stacked   Structure를 가지는 Non-Valatile Memory중 실제적 Gate 역할을  하는 전극으로서, 이 Electrode의  Bias 상태에  의하여 소자의 Program과 Erase가 수행되어 진다.

Control Limit [반도체]
관리한계. data가 안정상태인가 아닌가를 판단하는 기준으로 또는 어떤 조치가 필요한지의 기준으로 사용되는 관리도상의 한계.

Continuous Sampling Plan [반도체]
연속 Sampling법. 개별단위체의  합·부판정을 포함하고 전수검사의  선택적 주기와 검사제품의 품질에  따라 sampling을 적용하는 개별 제품단위의 연속체에 적용하기 위한 sampling 계획을 말한다.

Conventional Memory [반도체]
DOS에 의해 인식되고 관리될 수  있는 Memory 영역을 말하며  640KB로 제한되며   Base  Memory라고도 한다.  그 이상의   영역은  Expanded Memory와 Extended Memory를 동시에 사용할 수 있다.

Converter [반도체]
1) 주파수 변환의 동작을 하는 회로.
2) 직류의 전압을 바꾸는 장치.

Cooker Test [반도체]
용기속에 물을 넣고 거기에 TR, Diode, IC 등을 함께 넣어서 뚜껑을 밀폐하여 가열하는 시험.

Coplanar Structure [반도체]
트랜지스터 공정에서 게이트와 소오스드레인 전극이 활성층의 위에 있는 구조.

Core [반도체]
Embedded IC에서 Micro-operation과 ALU 등의 CPU기능을 하는 핵심  Block을 주변회로(Peripherals)에 대응하여 Core라 한다.

Correlation [반도체]
검사장비의 상태를 점검하고 검사되는 제품이 정확히 검사되는지를  확인하기 위하여 점검하는 시점을 기준으로 그 이전의 장비상태를 비교하는 방법.

Correlation Coefficient 상관계수. [반도체]
두 변수들 간의 직선관계의 정도로 -1에서 1사이의 숫자로 나타난다.   +1이나 -1의 상관계수는 두 변수가 완전히 직선관계임을 나타내고  r=0이면 상관 관계가 전혀 없음을 나타낸다.

Corrosion(부식현상) [반도체]
Al식각 후 Etchant Gas에 의해 Al2O2가 되어 Metal이 부식되는 현상.

Cosmetic Appearance(외관 규격) [반도체]
액정 패널의 외관성의 규격을 결정하기 위한 것으로 액정 표시소자의  응용분야 및 고객의 요구 정도에 따라 A급, E급, B급 으로 나누어진다.  A급은 자동차용 Instrument panel 등 주요고객, E급은 산업용
(Car-audio), B급은 Game기용 등이다

Covalent Bond(공유결합) [반도체]
몇 개의 원자가 모여서 분자를 이룰 때 양쪽 원자에서 전자가 하나씩 쌍을 이루어 결합하게 되면 매우 안정하고 강한 결합력을 가지게 된다.  이것은 서로 상대방의 원자가 갖는 전자를 공유하는 결합상태이므로 공유결합이라 한다.

Covariance  공분산. [반도체]
(σxy는 모집단들, sxy는 시료들 사이의 공분산) 두변수들 사이의 상관관계 정도.

Cooling Water [반도체]
냉동기에서 냉매의 압축열을 흡수하는 냉각수(CW).

CP/M(Control Program For Micro-Computer) [반도체]
8비트 및 16비트  개인용 컴퓨터의 표준운영체제.

CPM(Central Particle Monitoring System) [반도체]
중앙집중식 먼지관리 System.

CPO(Customer Product Operation) [반도체]
소비자 요구 수준 만족을  위한 Device의 특수 Test를 말하며 이는 Customer의 Special Spec을 적용함.

CPS(Characters Per Second) [반도체]
1초간에 전송할 수 있는  숫자수, 주로 프린터가 1분간 프린트할 수 있는 능력(속도) 나타낸다.

CPU(Central Processing Unit) [반도체]
Computer의 일부분으로서 명령을 수행하기 위한 지시나 제어, 연산기능을  갖고 있는 부분으로 인간의 두뇌에 해당하는 부분.

Crack [반도체]
금감. 즉, 절단시 충격, 또는 Stress차에 의한 Chip, 막질 혹은  PKG 몸체에 금이 가는 현상.

Cradle [반도체]
Chip Mount를 연속적으로 하기위해 사용하는 금속 리본을 말하며 베이스 리본, 콘 따위와 같은 것이다.

Crazing [반도체]
밀착된 기초재의 내부에서 화이버교차시 교차부분에서 화이버가 분리되는 상태.

Critical Energy [반도체]
Ion 주입시 Beam Energy의 크기가  높아 불순물이 Mask막질을 투과하여 Implant되는 위험 Energy를 말함.

Cross Section(절단면) [반도체]
절단면을 말하며, 여러 가지 Layer로 형성된 Pattern의  모양을 관찰하기 위해 Layer의 수직방향으로 잘라놓은 단면모양.

Cross Talk [반도체]
시그날회로 사이에서의 에너지로 서로 영향을 미쳐 방해를  일으키는 상태.

Cross-over [반도체]
IC가 복잡해지면 배선을 입체적으로 교차시키는 것을 말한다.

Crow Feet [반도체]
WF 표면의 새 발자국 형태의 결함.

Crystal Osillator [반도체]
수정 진동자의 안정성과 압전현상을 이용하여 전자회로의 발진기를 형성시키는 것.

CTN(Complementary TN) [반도체]
각 화소의 액정분자에 두 가지 상반된  방향을 주어 보다 넓은 시야각을 가능케한 특수 유형의 LCD 결정.

CUM GRAPH(Cumulative Grapth) [반도체]
임의의 data를  통계적으로 관찰하기 위해 전체 data의 수를 정규화하고  data의  값에 따라 누적하면서  도식화한 그림.  Wafer내의 각 die에  관한 정보와 같은 행열 구조의 data를 통계적으로  관찰하기 위해 동일 위치의 die(element)의 data를 누적하여 전체  행열(wafer)의 분포를 볼 수 있게 한 그림.

Cumulative Frequency Distribution [반도체]
누적 도수분포. 특별한  급경계치보다 크거나 작은 발생 빈도를 갖는 개별 관측치들의 조합을 말한다.

Cure [반도체]
경화, 즉 PKG를 인쇄후나 성형후에 단단하게 굳히는 작업.

Custom IC [반도체]
고객(Custom IC)의 주문에 의한 사양으로 작성되는 IC.

Customer Layer [반도체]
ASIC process의 일부로서 수많은 gate를 array상에 배열하는  base array  process가 완료된 후  이를 user가 요구하는 기능에 맞추어 각 gate를 연결하는 배선 process라 할 수 있다.

CUT-OFF Frequency [반도체]
액정 소자가 어느 이상의 주파수로 인해 교류 구동으로 추종할 수 없게 되는 한계 주파수를 의미함.

Cut Stroke   [반도체]
절단범위.

CV(Cleaning Vacuum) [반도체]
청소용 진공으로서 라인내 청소시 사용된다.

CV(Count Variance)  수량차이. [반도체]

CVD(Chemical Vapor Deposition) [반도체]
APCVD 상압증착, LPCVD  저압증착방식 등으로 분자기체를 반응시켜  Wafer  표면위에 Poly나 Nitride, PSG,  BPSG, LTO 등의 막질을 형성시키는 공정.

C-V Plot(Capacitance Versus Voltage Plot) [반도체]
Wafer의 정전용량 특성을 도면화하여 산화막의 막질평가, 오염도(정전용량, 두께, 문턱전압,  농도)를 파악하는 기법.

CVST(Constant Voltage Stress Time) [반도체]
절연막의 신뢰성을 측정하는 한 방법으로 일정한 전압을 인가하여  절연막이 깨질때까지의 시간을 말함.

Cycle [반도체]
Function Test에서 패턴이나 벡터를 Device에 인가하고 다음번 패턴이나 벡터를 인가하기까지의 시간.

Cycle Time [반도체]
주기적으로 일어나는 연속동작의 최소시간 간격을 말한다.

CRT(Cdthode-Ray Tube) [반도체]
가장 고전적인 화상 전달방법으로 브라운관으로 알려져 있다.

Cryo-Pump [반도체]
고진공 펌프로써 극 저온에 의한 Gas 흡수 및 흡착식 펌프.

CQ(Conditional Qualification) [반도체]
조건부 양산 승인.

CT(Cardless Telephone) [반도체]

CTE(Coefficient of Thermal Expansion) [반도체]
열팽창 계수.

CTM(Clean Tunnel Module) [반도체]
천정  전체를 Hepa Filter를 사용하여  최적의 Clean Room을 유지시킬  수 있는 공조방식으로 A Class까지 유지할 수 있다. 풍속은 약 0.3m/s  정도이며 환기 회수는 약 700회/h정도이다. 바닥  Grating사용으로  Down Flow로 하는 것이 가장 좋은 Clean 유지를  할 수 있고, 그 외  수평형이나 Hepa Box를 사용한 난류형으로도 사용된다.

CTS(Computerized Typesetting System) [반도체]
전자식자 조판 시스템으로  설명되며 출판물의 제작에 있어  편집과  조판과정을 표준화하고 전산화하여  편집부와 조판부, 인쇄부를 컴퓨터로 연결하는 것이다.

CU(Control Unit) [반도체]
Timing, 제어신호를 생성.

Culvert [반도체]
용역동과 각 라인 및 기타동에 유틸리티를 공급.

D(Demerit) [반도체]
Quality score의 가중치를 얻기 위한 수단을 제공하기 위해서 사건이나 사상의 구분을 위해 정해놓은 가중치.

D-A 변환기(Digital to Analog  Converter) [반도체]
디지탈 신호를  입력으로 하여 Analog신호를 출력으로 꺼내는 회로를 말한다.

DA(Die Attach) [반도체]
Die를 Lead Frame에 접착시키는 공정.

DAC(Digital to Analog Converter) [반도체]
Digital 신호를 Analog  신호로 변환하는 변환기.

D. C Characteristic [반도체]
Device의 Status에 따라 흐르는 Current 특성을 말하며,  Device 동작 Status별로 구분되어 있음.

DAD(Digital Audio Disk) [반도체]
오디오 신호를 디지틀로 변화시켜  기록한 Disk를 말한다.

DAE(Dynamic Asian Economies) [반도체]
한국, 대만, 홍콩, 싱가포르 등 아시아 신흥 공업 경제권이란 말 대신 경제협력개발기구가 새롭게 사용한 용어이다.

Daisy Chain [반도체]
복수의 주변 LSI에 입력요구가 동시에 발생할  때 우선순위를 결정하는 회로.

Dambar [반도체]
PKG Lead의 상단 부분을 연결하는 가로축 Bar.

Dark Current(암전류) [반도체]
무신호시에 흐르는 전류로서 차단전류와 같은 것이다

D.A.T.A. [반도체]
미국 Derivation And Tabulation Associates Inc.에서 발행하고 있는  규격 일람표.

Data [반도체]
모든 정보 숫자, 문자 등으로 통신기기나 Computer에서 처리되는 자료.

Data Base [반도체]
데이터를 저장하는 곳으로써 주로 disk storage가 사용되며 저장하는  방법과 저장된 데이터를 꺼내는 방법에 따라 여러가지 DB가 있으며  오늘날 많이  사용되는 DB는 relational  data base나  object
oriented data base다.

Data Base Management system [반도체]
데이터 베이스를 관리해 주는 S/W 시스템을 말한다.

Data Compression [반도체]
영상이나 음성 등의 실제 데이터는 그 모양이 매우 크므로 저장이나 통신하기에 어려움이 있다. 그런 데이터의 양을 줄이는 기법을 일컬으며  그 방법에는 원래 데이터에 전혀 손실을 주지 않는 data lossless  compression과 사람의 시각이나 청각의 한계를 최대한 이용하여  눈과 귀가 인식 못하는 범위내의 데이터를 없애서 압축효과를 나타내는 data losssy compression이 있다.

Data Line [반도체]
매트리스 배열에  입력되는 신호가 들어가는 라인으로  어드레스선과 함께 화소의 on-off 구동한다.

Data-Log [반도체]
검사 진행중에 항목별 내용을 나타내는 것을 말함.

Data Retention Mode [반도체]
휘발성 메모리(DRAM/SRAM)에 데이터를  저장하는 형태로, 일반적으로 시스템  power-off 직후  battery  back-up circuit에 의해 데이터가 메모리 제품이 기억될 수 있도록 하는 최소한의 입력 조건의 상황.

DAT Recorder(Digital Audio Tape Recorder) [반도체]
Compact Disk에 못지 않게 완벽한 원음을 Digital로 Tape에 기록, 재생해  듣는 기기. CDP와는 달리  녹음이 가능하다.

DBF 파일 [반도체]
애쉬톤 테이트의 DBASE 프로그램들에 의해 사용되는 파일상태.

DBP(Deutsche Bundespost). [반도체]

DC(Document Control)   [반도체]
표준 사무국.

DC(Direct Current) [반도체]
반도체 소자의 직류 전압특성.

DC Characteristic [반도체]
Device의 Status에  따라 흐르는 current 특성을  말하며, Device 동작 Status별로 구분되어 있음.

DC Parametric Testing [반도체]
Steady state test로서 OHM의 법칙을 기본으로 하여 전기적 특성이  결정되는 것을 의미한다. 보통 주어진 전압/전류를 인가하고 전류/전압을  측정한다. DC test에는 소모전류(ICC),  누설전류(leakage test), 입력전압(VIL, VIH), 출력전압(VOL, VOH) 등이 있다.

DC PDP(Direct Current Plasma Display Panel) [반도체]
음극과 양극 사이에 프라즈마 가스(Ionized Neon-Argon Gas)를 봉합하고, 양 전극 사이에 직류를  가하여 프라즈마를 발광시켜 신호를 표시하는 소자.

DCW(Dry Cooling Water) [반도체]
FAB에서 순환되는 공기의 온도를 미세하게 조절하기 위하여  Cooling Coil내로 흐르는 물.

DD(Double Die) [반도체]
이중 Die.

Debug [반도체]
불량품, 불합격품을 제거하는 작업 일반.  Debugging, Screening, BURN-IN 이라고도 한다.

Debugging [반도체]
Test Plan에 의해 제시된 내용과 실제 소자에서 나타나는 차이점을  줄여 나가기 위한 일련의 작업이다.

Decay Time [반도체]
네가티브 표시의 경우 최대  콘트라스트비가 100%에서 10%까지  변화하는데 걸리는 시간.

Decel Mode [반도체]
가속에너지를 가하지  않고 추출전압만으로 Ion을 주입하는  형태(에너지 범위0-33kev).

Decoder [반도체]
2진법의 수를 해독(Decode)하여 특정의 출력(10진법의 수)을  선택해내는 회로를 2진-10진 Decoder이라 한다 ↔ Encoder.

DECT [반도체]
(Digital European Cordless Telephone).

Defect(결함) [반도체]
product나 service에 목적한 사용기능을 만족시키지 못하는 심각한 원인이  발생하여 제품의  특성이 목적한 수준이나 상태에서  벗어남. defect는 심각한 정도에 따라 다음과 같이 분류한다.
Class 1 매우심각 : 매우 심한 손상이나 대단히 큰 경제적 손실을 직접 초래
Class 2 심    각 : 중대한 손실이나 경제적 손해를  직접 초래
Class 3 중요결함 : 사용목적을 고려할 때 주요 문제점들과 관련된 결함
Class 4 미세결함 : 사용목적을 고려할 때 하찮은 결함

Deflash  Compound  [반도체]
찌꺼기 제거.

Defocus(촛점불량) [반도체]
사진 공정에서  사용되는 용어로써  감광 원판과 감광물질 (P/R)과의 형상이 불일치되는 촛점의 부정확도.

Delamination(층간들뜸) [반도체]
다층기관의 층간의 들뜸이나 표면동박과 내부기초재간의 들뜸.

Deming Prize [반도체]
미국의 품질고문인  W. EDWARDS DEMING의 이름을  따서 창설된 일본에 있어서의 품질관리상. 이 상의  선정기준은 품질통제방법에 대하여  구체적으로 정해져 있으며 그 기준은 '일본 학자  및 기술자 연합' (JUWSE)에 의해 정해진다.

Delay Time [반도체]
TR의 Switching특성을 스위칭 시간으로 나타낼  때 베이스에 입력 펄스가  가해진후 콜렉터에  흐르는 전류의  출력 펄스가  최대진폭(최종값)의 10%에 도달하기까지의 시간.

Demo [반도체]
미보유  장비에 대한  공정특성을 분석하기  위해  장비가 있는  곳으로  wafer를 반송하여 공정을 진행한 후, 반입하여 공정특성을 분석하는 행위.

Demultiplexer [반도체]
멀티플렉서와 반대로 직렬로 입력된 Data를 제어입력(선택입력)에 의해  Control하여 병렬로 변환해서 출력으로 꺼내는 회로이다.

Dent [반도체]
동박두께를 크게 손상시키지 않으면서 약간 짓눌려진 상태.

Depletion Device [반도체]
MOS FET의  일종으로  Gate 전압을   가하지 않아도 Channel이 형성되어 있는 반도체 장치.

Depletion Layer(공핍층) [반도체]
PN 접합에 역방향 전압을 걸면 P측에 있는  Hole과 N측에 있는 전자는  접합부분에서 멀어진다. 그리고 접합부근에는 캐리어가 매우 적은 부분이 생기는데 이것을 공핍층이라고 한다.

Depletion Mode [반도체]
전계효과 TR의 사용법 중 채널을 약하게 하는 방향으로 게이트에 Bias를 가하는 방법.

Depletion Type [반도체]
Channel을 Deplete하는  방향. 즉  약하게 하는  방향으로도 Channel 전류를  제어할 수 있는 형을 말한다.

Deposition [반도체]
상압  또는 저압상태에서  주로 CVD  방법에 의해,  Si 기관위에  Film(막)(Oxide, Nitride 등)을 성장시키는 것.

Deprocess [반도체]
공정을 끝마친 소자를 공정 순서와 반대로 한 층씩  strip back해가며 defect site를 분석하는 과정.

Descum [반도체]
현상 작업후 제거되지 않고  남아있는 미량의 감광액 찌꺼기(Scum)를  추가로 건식 제거하는 작업.

Design of Experiments [반도체]
실험계획법. 진행할 실험순서를 배열하고, 실험에 포 함될 하나 혹은  다수의 인자들의 수준을 선택한다.

Design Kit [반도체]
Electrical/Physical로  구별되며 ASIC  제품 설계시  전기적으로  Modelling과 Layout 정보를 포함한  Database를 이용하여 설계하는  Electrical Design Kit를 말한다.       (예 : Mentor Design Kit, Verilog Design Kit 등)

Design Rule [반도체]
반도체의 설계과정에서 공정능력과  설정된 제조방법의 한계성을 고려하여  반드시 지켜져야만 하는 설계규칙으로서 각 기능 부위 및 기능부위 간의 물리적 거리가 그 내용으로 포함된다.

Develop [반도체]
Mask를 Align한 후 자외선에 expose  했을 때 Pattern 모양에 따라  노광된 부분과 노광되지 않은 부분으로 화학반응이 일어난 것을  이용해 화공약품으로 현상하는 것.

Development [반도체]
현상, 사진 공정에서 감광액 도포 및 노광후 필요한 Pattern만을 남기고  불필요한 부분의 감광액을 제거하는 작업.

Device   [반도체]
품명(품종) (제품).

Dextrotatory(石示性) [반도체]
빛의 진행방향에 대해 관측자 쪽에서 본 경우 매질을 통과하는  빛의 편광면이 시계 회정방향으로 회전하고 있는 것.

Dewetting [반도체]
용해된 솔더가 표면에 도포되어 움푹들어가거나 들떠서 불쑥튀어  나온 상태이나 원래의 금속표면은 노출되지 않음.

DF(Die Fabrication) [반도체]
Wafer mount 공정부터 dicing saw 공정을 말함.

DGP(Data Gathering Panel) [반도체]
정보를 이송하는 단말이송장치.

Dichromated  Gelatin [반도체]
빛의  편광  상태에  따라  통과하는  파장이  다른  Dichromated  Gelatin 층을 통과할 때 채색이 되도록 하여 광을 착색하는 방법.

Dicing [반도체]
편도 절단이라고도 하며 Wafer 절단 방식의 하나로 단일 방향으로 절단하는 방식(왼쪽에서 오른쪽으로만 절단)

Dicing Saw [반도체]
Wafer를 절단하여 Die(Chip)를 분리하는 Diamond Wheel.

Die Attach [반도체]
각 Die를 Lead Frame에 붙이는 작업.

Die Business [반도체]
Probe Test 완료후  package를 하지 않고 Good  Die를 wafer 형태나  wafer를 자른후 Good Die만을 판매하는 것을 말함.

Die Bonder(다이본더) [반도체]
다이는 칩(Chip)을 말하며,  트랜지스터나 IC를 제조할 때 칩을 스템 또는 리이드 프레임에 붙이는 것을 다이본드  또는 본딩이라하며 이에 쓰이는 기계를 다이본더라고 한다.

Die Bonding [반도체]
IC를 제조할 때 Chip을 스템 또는 리이드 프레임에 붙이는 것을  다이본딩이라고 한다. 펠렛마운트, 마운트라고도 한다.

Die Coating [반도체]
Die위에 보호막을 씌우는 작업.

Die Collet [반도체]
Die 접착을 하기 위한 도구로서 진공으로 Die를 흡착 운반하여 접착하며 재질은 텅스턴 카바이드로 내마모 및 내열성이 요구됨. 모양은 피마밋 형.

Die Pocket [반도체]
이송 콜렛에 부착된 Die를 예방정열시키는  장소. 재질은 스텐레스스틸.

Die Sawing [반도체]
Wafer의 각 Chip을 조립하기 위하여 톱으로 자르는 작업.

Dielectric Constant(유전 상수) [반도체]
유전 분극의 강한 정도를 나타내는  계수로서 유전율이 이방성을 표시하면  전기장에 평행하려고 하는 유전율이 수직하려고 하는 유전율보다 클수록 액정입자가 일어서는 속도가 빠르다.

Dielectric Isolation [반도체]
반도체 IC의 분리방법의 하나로서 소자간의  저항이 높은 절연물로  Electrical하게 분리하는 것을  말한다. 절연재료로는 이산화규소(SiO2), Poly-Si, Ceramic 등이 있다.

Diffused Resistor [반도체]
불순물의 Diffusion에 의한 영역이 저항으로 사용되는 것.

Diffusion [반도체]
농도차에 따라 액체나 기체가 고농도에서 저농도쪽으로 이동함을  말하는  것으로 확산로 속에서 반도체  소자(Wafer)에 높은 온도를 가해 불순물  B(붕소)나 P(인) 등을 확산시키는 것을 말하며 반도체 특성을 결정하기 위한 것임.

Diffusion Capacitance [반도체]
Diffusion에 의해 형성된 Junction에서 생겨난 기생 Capacitor의 용량.

Diffusion Current [반도체]
외부 E-field의  영향없이  순수 농도차에  의해 흐르는 Current 농도가  높은 영역에서 낮은 영역으로 Carrier가 확산되면서 발생됨.

Diffusion Furnace [반도체]
확산 또는 산화에 필요한 고온의 확산로.

Diffusion Length [반도체]
Carrier가 주입되면 확산해 가는  도중에 상대의 Carrier와  재결합하여  차례로 소멸되어 가기 때문에 시간이 지나면 Carrier의 농도는 감소하게 된다. Life Time 동안 Carrier가 이동해간 확산거리를 Diffusion Length라고 한다.

Diffusion Pump [반도체]
기름을 가열하여 증발된 기름의 냉각시 진공내 gas를 흡수하는 방식의 고진공 펌프.

Diffusivity [반도체]
불순물의 확산도를 나타내는 단위.

Digital(DIC) [반도체]
Analog에  대응되는 말로  "1"과 "0"으로  표시될 수  있는 것(Digital IC).

Digitizing [반도체]
Mask를 만들기 위해 설계된 도형의 좌표를 결정해 주는 것.

Digital Memory [반도체]
디지탈량을 기억하는 메모리·보통 메모리라고 하는 경우는 이 Digital  Memory을 가리킨다.

Dimenrization(이량체화) [반도체]
두 개의 분자가 중합 또는 분자간의 힘에 의해  일체가 되어진 것.

Dimension   [반도체]
칫수.

DIMM(Dual In-Line Memory Module) [반도체]
PC에 사용되는 Memory module의 종류로 PCB 前面과 後面의 pin수는  같으나 pin들이  기능을 달리하는 제품을 말함.

Dimple [반도체]
Wafer표면 불량으로 오목하게 패인 결함.

Dimensional Stability(칫수안정성) [반도체]
온도, 습도, 화학적  처리, 외부의 압력에 의해 변화된 크기.

Dimensioned Hole(칫수홀) [반도체]
인쇄기판에 있어서 홀의 위치가 반드시 그리드 상에 위치하지 않고 좌표값에 의해 위치가 결정되는 홀.

DIN [반도체]
Deionized water로서 초순수를 말한다.

Diode [반도체]
di-electrode를 따서 만든 단어로 2극 소자를  말함. 진공관에서도 2극관을 다이오드라 하며 검파, 정류작용은 가지나, 증폭 작용은 없으며,  따라서 수동소자로 분류함.

Diode Array [반도체]
여러개의 다이오드를 하나의 펠렛에 조합하여 복합시키는 것.

Diode Ring Structure [반도체]
다이오드를 링 구조로  연결 순방향 특성을 이용한 구조.

DIP(Dual Inline Package) [반도체]
가장 보편적인 IC 포장의 한 형태로  직사각형 모형이며, 내부 회로(Chip)와의 연결도선이 옆면에 수직으로 붙어 있는 포장 형태.

Discolor Wafer [반도체]
육안 검사시 불량 항목의 하나로 FAB  공정중 또는 절단할 때 발생하는  Pad 변색.

Discrete [반도체]
집적회로(IC)에   반대되는 말로서  개별전자부품을  가리킨다. TR, Diode, 저항, 콘덴서 등의  부품은 각각 개별부품으로서의 기능밖에  가지고 있지 않으므로 이들은 모두 Discrete 부품이 된다.

Discretional Array Method [반도체]
LSI를 만드는 방법의 하나로서 웨이퍼속에 포함되는 수 10에서 수 100의  단위회로(Cell 또는 Unit Cell이라 부른다)의 모두를 검사하고 양호한  Cell만을 골라내어 그것을 상호배선하는 방법을 말한다.

Discrete Device [반도체]
단순한 개별소자로서 저항, Transistor 또는 Diode 같은 것.

Discrete Product [반도체]
개별소자는 diode, Transistor,  정류기(Rectifier), 트라이스터(Thyristor)등을 일컬으며, 이러한 소자들의 결합으로 구성된 집적회로에 대응하는 말.

Discretionary Wiring-Approach [반도체]
Wafer 내의 모든 기능 단위의 양·부를 미리 판정 기억하고 양품을  선택적으로 결선한 다음 그 Wafer를 이용하여  최종 상호배선 Pattern을 설계함으로써 LSI 등을 제작하는 방식을 말함.

Display Device [반도체]
숫자, 문자 등을 표시하기 위한 숫자.

DIW(Deionized Water) [반도체]
초순수로서 설비에서 복잡한 공정을  거쳐 수중의 이온 및 오염물질을 전부 제거한 순수. 생산라인의  Wet공정을 비롯하여 반도체 제조공정에서 광범위하게 사용됨.

D-I Water(De Ionized Water  또는 Semiconductor grade Water) [반도체]
이온이 함유되지 않은 물이란 뜻으로, 불순물을 제거시킨 순수(純水),  Wafer 세정 및 절단시 용수로 사용됨.

DLM [반도체]
2층 구조의 Metal  Layer를 갖도록 공정을 진행시켜  집적도를 향상시킬 수 있음. 1층 금속은 Power 및 Routing Line으로 사용하고 2층 금속은 Routing Line으로 사용하는 소자간의 배선기술.

D-MOS(Double Diffusion-Metal Oxide Semicondcutor) [반도체]
연속적으로 확산공정을 두 번 진행함으로써 channel length를 짧게 하고 이에 의해 고전압, 고전류를 인가하는데 장점을 갖는 MOS를 일컬음.

DMA(Direct Memory Access) [반도체]
주변장치와 주기억장치에서 CPU를  거치지 않고 직접 기억장치로 Data를  입출력할  수 있게 하는 것으로  DMAC(8237A)에 의하여 DMA 기능에 제어되며 고속으로 Data를 전송을 할 수 있다.

Domain [반도체]
동일 액정 cell내에 있어서, 기본이 되는 액정 분자의 배향 벡터가 하나의 모양으로 이어져 있는 액정의 영역이 복수로 존재하고 있는 상태.

Donor [반도체]
반도체 소자의 특성을 N-type으로 만들기  위하여 전도대에 자유전자를 주입하는 불순물 원소로 P, As, Sb 등이 있다.

Donor Level [반도체]
반도체 속에 불순물로서 혼입한  원자에 의해서 자유전자가 생겨 반도체가  N형으로 되는 불순물 원자를 Donor라고 한다. 이 상태를 에너지대의 그림으로 나타낼 때 도우너에 의해서 금지대(Forebidden band) 속에 생긴 에너지 level을 Donor Level이라고 한다.

DP(Dew Point) [반도체]
노점온도를 나타내며 공기중의 수증기가 응결되는 온도를 말한다.

Dopant [반도체]
Dope시 주입되는 불순물을 Dopant라 한다.

Dope [반도체]
반도체속에 불순물을 주입(확산, ION IMPLANTATION 등에 의해서)하는 것을  Dope라고 한다.

Doping [반도체]
반도체 재료(Wafer)에 불순물을 주입하여 P-type 또는 N-type의 반도체 특성을 만드는 것으로 박막이나 실리콘 기판에 불순물을 주입시켜 전도특성을 향상시킬 때 사용함.

Dope Oxide [반도체]
Doping된 layer위에서 성장된 Oxide.

DOS(Disk Operating System) [반도체]
컴퓨터를  제어하는 모니터나 프로그램 루틴 또는 라이브러리 등의  운영체제가 모두 자기 디스크에 의해 이루어지는 System.

Dosage [반도체]
불순물의 양을 말하는 것으로서  단위 면적당 투입되는 불순물  갯수를  나타냄.

Dose [반도체]
Ion Implantation  등 충격에 의해서  반도체에 불순물을 주입하는  것을  Dose라고 하며, ㎠당 불순물 갯수로 표현.

DP(Dew Point) [반도체]
이슬점을 말함.

DPM(Defect Per Milion)   [반도체]
Percent(%)×106

Dot-Clock Signal [반도체]
디스플레이 시스템에서 화소 비를 조절하는 신호.

DPLL(Dull Phase Locked Loop) [반도체]
PLL은 입력신호에  대해 주파수와 위상이 같은 신호를 발생시키는  폐회로로서, 무선통신에서  수신과 송신을 동시에 수행하기 위해  2개의 PLL을 사용하는데 이러한 두 개의 PLL  구조를 DPLL이라 하며,
이는 Digital PLL과는 구별된다.

DRAM(Dynamic Random Access Memory) [반도체]
Capacitor의 정전용량을  이용한 Cell 모양의 Device로써 읽기와 쓰기가  자유로우며 CAP.에 Charge를 시켜주기 위해 Refresh Cycle이 필요함.

Drain [반도체]
전계효과 TR(FET)의 전극의하나, 드레인은 주회로  전류가 흘러들어 가는 전극이며 통상의 사용법인 소오스  접지 방식에서는 출력을 꺼내는 전극이  된다. 따라서 드레인은 보통의 TR, 즉 접합형 TR의 콜렉터에 상당하는 전극이라고 할 수 있다.

DRC/ERC/LVS [반도체]
DVP-Circuit과  Layout의 내용의  일치성 및  Design Rule, 전기적 특성의 이상유무를 검사하는 작업.
가. DRC(Design Rule Check) - Layout Data의 규칙(Metal의 선폭, 등등)을  Check
나. ERC(Electrical Rule Check) - 전기적인 특성을 Check
다. LVS(Layout vs Schematic) - Layout Data와 Circuit의 차이점을  비교 출력.

Dressing  Wafer [반도체]
절단용 톱날(Blade)을 다듬어 주는 행위를 Dressing이라 함.

Drift [반도체]
주로 직류 증폭기에서 문제가 되며 입력 신호가 "0"인데도 출력전압이 변동하는 것을 말한다.

Drift Current [반도체]
균일하게 분포한 Extrinsic Semiconductor에서 외부 E-Field가 가해졌을 때 흐르는 Current Carrier의 Drift Velocity는 v=μE(μ:Moblity, E: Electric Filed)로 정의된다.

Drive-In [반도체]
Deposition된 B(붕소)나 P(인)을 Wafer 내부로 더 깊이 침투시키는  것을 말하며 확산로(Furnace)를 이용함.

Driver [반도체]
Device에 전압, 파형 등을 인가하는 전자 장치.

Driving Frequency [반도체]
액정 소자를 구동시키기 위해 인가하는 교류 전압의 프레임 주파수.

Driving Voltage [반도체]
액정 소자를 구동시키기 위해 인가하는 교류 전입의 피크 값.

DRO(Destructive Read-Out) [반도체]
파괴판독. 메모리 소자에서 기억내용을 판독할 때 이 판독 조작에 의해서  기록된 기억내용이 소멸되는 것을 말한다.

Dross(찌거기) [반도체]
용해된 솔더의 표면에 떠있는 오염물질.

DRT(Device Reliability Test) [반도체]
"신제품 신뢰성 시험"으로서 신제품에 대한 품질 인정검사(Quality Approval Test)를 말함.

Dry Etch [반도체]
건식 식각. 용액성 화학물질을 사용치 않고  활성화 된 Gas(Plasma)를 이용하는 식각 방법.

Dry Process [반도체]
플레이너 TR, IC 등의 사진식각기술에 있어서 가스플라즈마나  이온 beam을 에칭에 이용하는 방법.

DST(Die Share Test) [반도체]
Die 접착력 시험으로서 Die Attach 공정을 거친 중간  제품에 대해 Die와 Frame pad 접착 정도를 판정하기 위한 시험.

DT(Down Time) [반도체]
작업이 중단되는 시간.

DTAD [반도체]
Magnetic Tape을 이용하고 있는 Analog 음성 저장방법 대신에  Memory  chip과 Codec 등을 이용하여 Tape를 없앤 Digital Tapeless  Answering Device.

DTP(Desk Top Publishing) [반도체]
책상 위에서 책이 만들어진다는 뜻으로 PC를 이용해 원고의 작성에서부터  편집, 인쇄까지 일괄적으로 처리하는 형태.

Dual Gate MOS FET [반도체]
고주파용 MOS FET로서 2개의 Gate를 가진 것이다.

Duct [반도체]
공기(가스)의 이송시 사용하는 장비로서 직사각형 및 원통형으로 제작되고 이송하는 공기의 종류에 따라 아연도금철판, 스테인레스 및  PVC 등을 사용한다.

Dummy Frame [반도체]
금형을 세정하기 위해 사용되는 Chip이 붙어 있지 않는 상태의 Lead Frame.

Dummy Wafer [반도체]
Tube내에  공정의 Uniformity를  좋게 하기  위해 사용하는 Wafer 또는  생산 Wafer와 함께 투입되어 생산 Wafer의 제품특성의 균일성을 도모하기  위해 쓰이는 Wafer.

Dumping [반도체]
시장에서의 점유율을 높이기 위하여 정상이하의  염가로 상품을 판매하는 행위. 해외시장에서의 염가판매로 인한 손실을 국내시장에서의  초과이윤으로  메꾸어야하므로 수입품으로 부터의 국내 시장보호 필요에 따라서 덤핑은 수입제한 조치를 전제로 한 수출확대 정책.

Dumping-ZIG [반도체]
한쪽 Carrier에 담긴 wafer를 다른 carrier에 한꺼번에 옮겨 담을 수 있도록 하는 치공구.

Duplication [반도체]
유사한 조건하에서 1회 이상의 Treatment를 실행하는 것을 말한다.                                                  Note) 반복과 비교했을 때, Duplication은 실험의 단일요소로 언급된다.

DUT(Device Under Test) [반도체]
검사되고 있는 제품.  Test를 하기 위해 장착한 소자를 말하고, 이를 위해서는 DUT Board가 필요함.

Duty Cycle [반도체]
스크린상에서 각 화소를  재표시하는데 걸리는 시간으로 refrersh  rate가 60Hz 미만이 되면 인간이 깜박임을 인지할 수 있다.

Duty Ratio [반도체]
주기신호 체계에서 일정  주기에 대한 선택 신호가 발생하고  있는 기간의 비.

Dyed Poryides [반도체]
폴리이미드(polyimide) 기판에 색소를 녹여서 착색된 층에 빛을 통과시킴으로 착색하는 방법.

Dynamic Shift Register [반도체]
MOS 특유의 회로로서  동적으로 항상 동작하고 있는 Shif Register를 말한다.

Dynamic RAM(DRAM) (Dynamic Random Acccess Memory) [반도체]
용량성 충전(Capapcitance  Charge) 여부에 의하여 "1"  또는  "0"의 정보를 저장할 수 있는기억장치으로 재충천시켜야 기능을 유지함.

Dynamic Scattering Mode(동적 산란 모드) [반도체]
전기유체 역학적 불안정상태로서 네마틱상에 전계를 인가하면 전기유체 역학적 불안정성에 의해서  대류가 발생한다. 전계가 증가하면 잇달아  새로운 대류구조가 생겨 최종적인 난류로 변화한다. 난류상태가 되면 액정은 그 광학적 이방성과 유체운동에 의해 강하게 빛을 산란시킨다.

Dynascope  Wafer [반도체]
육안검사용 현미경의 하나로, 보통의 현미경과 다른 점은 투영기가 평면 유리로 되지 않고 디스크라고 하는 직경  0.1㎜의 미소렌즈가 무수하게  배열된 것을 사용하므로서, 선명하고  보기 쉬운 특징이 있다.
(육안의  피로가 적음) 절단 높이, 깊이, 전단 웨이퍼 두께 및 웨이퍼 외간 측정 등에 사용됨.

DW(Diffused Wafer)   [반도체]
확산 웨이퍼.

E/Post Simulation [반도체]
Simulation의 시행절차상에서 layout전에 estimated wire capacitance를 사용해서 실시하는  것을 Pre  Simulation이라 하고,  layout후에 actual wire capacitance를 사용해서 실시하는 것을 Post Simulation
이라 한다.

EA(Exhaust Air) [반도체]
공정중 장비에서  발생하는 GAS를 배출시키는 배기가스로 그 종류는 산, 일반, 유기, 비소, 가열, 열 및 긴급배기 등이 있다.

EAROM(Electrically Alterable ROM) [반도체]
EPROM의 일종으로 전기적인 자극으로 정보의 내용을 바꿀 수 있는 장치.

EBE(Electron-Beam Evaporation) [반도체]
전자 Beam으로 증착시키고자 하는 금속 덩어리를 녹여 금속입자를 Wafer(기판)상에 입히는 방법.

EBR(Edge Bead Removal) [반도체]
wafer 가장자리의 감광막을 제거시켜 particle 발생현상을 제거시켜주는 공정.

ECC(Error Check & Correction) [반도체]
ROM device의 repair에서 모든 column과 row는 각각 다르게 program되어  있어, RAM에서와 같은 Redency를  사용할 수 없다. 따라서  logic을  사용하여  프로그램된  column이나 row를  제작하여 fail된  column이나  row를 대체하는 기술이다. 시스템 동작시 발생되는 오류를 자동으로 체크 및 수정할 수 있는 기능을 말하며, MASK ROM 및 DRAM Module 제작시 사용됨.

ECC(Error Correction Code) (Error Checking Code) [반도체]
전송로,  기타 외부로부터의 간섭에 의해 부호구성이 어렵거나 부호 잘못이  생길 때  그 부호가 원부호와는 다른 잘못된 부호인 것을 판별 혹은 정정할  수 있도록 구성된 부호.

ECC Mode(Error Catch & Correction Mode) [반도체]
Memory  Module의 Parity Bit를 2 Bit로  구성하여 전송중 발생되는  Error를 찾아 수정  가능하도록 한 Memory Module 구성의 한 방식.

ECL(Emitter Coupled Logic) [반도체]
CML(Current Moded Logic)이라고도 불리어진다.  Bipolar 구조의 Transistor를 이용하는 논리소자(論理素子)의  일종.  Transistor의 구성원리인 Emitter가 복수연결되는 구조로 되어  있기 때문에 Emitter Coupled Logic이라고도 한다.

ECMA(European Computer Manufactures Association) [반도체]
유럽 컴퓨터 제조업자협회.

Edge Board Connector [반도체]
연쇄회로기판의 가장자리의  접점과 외부전선과의 사이에서 필요시  분리 가능토록 고안된 단자.

Edge Definition(회로요철도) [반도체]
작업용 film과 얼마나 유사하게 회로의 가장자리가 일직선으로  재생되었는가의 정도.

E/D MOS(Enhancement-Depletion MOS) [반도체]
Enhancement형 MOS에 Depletion형 MOS를 부하로한 기본 셀을 갖는 회로.

ED [반도체]
(Electronic Data Interchange)

Editing [반도체]
CAD System을 이용하여 CRT상으로  확인을 하면서 Layout 작업을 하거나 잘못된 부분을 수정하는 일련의 작업.

EDO(Extened Data Output) [반도체]
DRAM의 data access 방법중 fast page mode의 개선을 위하여 나타난 것으로  일반적인 동작방법은 /CAS signal이  inactive high로 전환시 valid data가  다음 /CAS signal의 low  active 전까지 data가 출력되도록 설계되었음.  이러한 동작특성은 fast page  mode의 전체적인 tPC(fast page mode cycle)를 줄일 수 있으므로 speed 개선효과를 얻을 수 있음. 일반적으로 비디오  카드 성능개선에 적용되고 있음.

EDPS(전자자료 처리조직)(Electronic Data Processing System) [반도체]
컴퓨터에 의하여 사무, 관리, 경영, 과학, 기술 등에  관한 자료를 처리하는 시스템체계.

EDS [반도체]
완성된 Wafer내의 소자의 전기적인 동작상태를 가려내는 작업.

EDS Test [반도체]
Wafer상에 있는 칩(Chip)의 전기적 특성을 검사하는 것.

EDS Yield [반도체]
EDS Test시 양품의 수율 : (Good Die/ Net Die)×100.

EECA(European Electronic Component Manufacturers Association) [반도체]
유럽 전자부품업자 협회.

E-E PROM(Electrically-Erasable PROM) [반도체]
전기적으로 소거와 쓰기가 가능하며 전원 전압이  OFF되어도 Data가 보존된다.   Parallel로 Data를  주고 받는 Intel Type과 Serial로 Data를 주고 받는  NEC Type으로 나뉜다. Tunneling을 이용하여 전기적으로 Erase와 Programming이  가능하기 때문에 사용자가 In-System 에서 정보 변경이 가능하다. 그러나 2개의  Transistor로서 1 cell을 구성해야 하기 때문에 EPROM에 비하여 면적이 크고 고가이다.

EIA(Electronic Industries Association) [반도체]
미국내 전자기기 메이커들로  구성된 단체로서 전자부품으로부터 항공,  우주, 군수용 전자에 이르기까지 폭 넓은  분야를 다루고 있다.

EIAJ(Electronic Industries Association of Japan) [반도체]
일본 전자 기계 공업 협회의 약칭.

Eight Nines [반도체]
9가 8개 있다는 뜻으로 반도체 결정순도를 나타낼 때 사용되는 용어이다. 즉 99.999999%를 뜻한다.

Effective Channel Length [반도체]
MOS의 Source와 Drain간의 실제 유효 channel 거리를 말하며 일반적으로 Gate length보다 적음.

EL(전계발광)  (ELECTRO-LUMINECENCE) [반도체]
물질에 전계를  가하여 빛을 내게하는 것으로 루미네센스의 일종. 1936년에 DESTRIAU가 형광층을 2장의 전극 사이에 끼워서 교류전압을  가하여 발광하는 것을 발견하고 이 현상을 엘렉트로 루미네센스라고 부름.

ELD(Electro Luminescent Display) [반도체]
PDP와 마찬가지로 자발광 소자인데, COLOR 및 동작전압 개선중인 소자임.

ELD [반도체]
형광체가 전기장에 의해서 일어나는 직접 여기에 의한 발광 현상을 이용하는 표시원리.

Electroless Deposition(무전해 부착) [반도체]
전류에 의하지 않고 자동촉매 도금용액에 의해 회로가 형성됨.

Electric Field [반도체]
전압이나 전류의 인가에 의하여 영향을 받고 있는 영역.

Electrical Test [반도체]
Process된 Wafer를 Passivation전 Test Pattern을 사용하여  Test하는 맨 첫 번째의 전기적 Test (즉 Wafer Mapping)

Electron Beam  Exposure System [반도체]
전자  Beam을 사용하여  mask 등에 pattern을 그리는 system·종래, mask의 제작에는 광학적으로 pattern을 발생하는 pattern generator가 사용되었으나, 미세화가 진전된 현재, 모든 묘화기에서 실행할 수 있다.  LSI의 pattern  data는 묘화기의 algorithm에  의해 변환되며, EBMT (묘화기용 자기 tape)가 되어  주사하는 전자  Beam을  on/off하거나,   aperture를 변화시켜   pattern을 그린다.  최근에는 ASIC의   보급으로,  소량의 sample을 단기간에 만드는 needs가 높아지고 있다. 따라서, 일일이  mask를 만들지 않고 직접 wafer상에 Beam으로 그리는 방식이 실용화되고 있다.

Element(소자) [반도체]
품 또는 장치를 하나의 기능체로서 본 경우 그 기능체를 구성하는 단위를  말한다.

Ellipsometer [반도체]
Thin Film 두께 측정장비로 박막표면에서 입사광과 반사광의 편광 (Polarization) 상태차이를 측정해 두께나 굴절율을 구하는 방식.

Electron Beam Exposure(전자비임 노광) [반도체]
현미경과 같은 원리로서 빛(자외선)을 이용한 Photolithography 기술이 한계점에 도달했기 때문에 파장이  짧은 전자비임을 사용하려는 것이다.

EM(Electromigration) [반도체]
높은 전류 및  온도로 Metal의 Quality를 특성화하기 위하여 사용되는 시험.

Emitter [반도체]
NPN, PNP 등 접합형 Transistor에서 최초로 신호가 입력되는 반도체 부분.

Embedded Controller [반도체]
시스템 제어를 위한 내장형 controller.

EMMI(Emission Microscope  Multilayer  Inspection) [반도체]
Electron과   Hole의 recombination에 의해 발생한 photon을 인식하여  leakage current의 경로를 점검하는 FA 장비의 한 종류.

Emulsion Mask [반도체]
Mask의 한 종류로, 유리원판 위에 Emulsion(유제)  박막으로  회로가 인쇄된 Mask.

EMS(Expanded Memory Specification) [반도체]
EMS에서는 MS-DOS의 기본 메모리 640KB의 한계성을 넘어 Expanded Memory와   Extended Memory에 대한 서비스를 해줄 수 있으며, DOS 응용프로그램에  Data처리 공간을 확장시켜주는 장점이 있다.

Emulator [반도체]
어떤 컴퓨터를 마치 다른 컴퓨터처럼 사용할 수 있게 하는 Software.

Encoder [반도체]
Decoder에 반대되는 말로서 특정의 코우드를 다른 코우드로 변환하는 회로이다(10진수→2진수로 변환하는 회로따위).

End Point Detection [반도체]
Etch공정이 진행되고 있는 동안에도 wafer의 상태  또는 plasma 상태를   maintain하여 변화가 감지되는  시점에서 Etch 공정의  stop reference로 활용하는 방법.

End Seal [반도체]
LCD에서 유리 기판사이에 액정을 채워 넣은후 액정 주입구를 봉하는 공정.

End Station [반도체]
Ion 주입을 위해서 Wafer를 담아서 대기하는 곳.

Endurance [반도체]
Data를 Program 및 Erase할 수 있는 횟수.

Energy Band [반도체]
반도체 제조의 기본 이론으로서 불순물들의 Energy 상태와 전도 이론을 설명하기 위한 개념적 이론설명 띠.

Energy Gap [반도체]
전도대와 충만대 사이에 전자를  취할 수 없는 금지대를 Energy  Gap이라고 한다.

Energy Level [반도체]
물질을 형성하고 있는 것은 원자와 이 원자핵 주위를 그 원자에 특유한 개수의 전자가 돌고 있다고 생각된다. 각 전자는 몇 개의 궤도로 나뉘어서  돌고 있으며 그 궤도의 크기에 대응하는 에너지 상태에 있다. 그래서  세로축에 에너지의 크기를 잡고 그 전자의  에너지에 상당하는 곳에  가로줄을 그어서  이것을 에너지 레벨 또는 에너지 준위라 부르고 있다.

Enhancement Device [반도체]
Gate에 전압이 인가되어야 Channel이 형성되는 MOSFET.

Enhancement Mode [반도체]
전계효과 TR(FET)의 사용법중 채널을 증대하는  방향으로 Gate에 Bias를 거는 방법을 말한다.

Entity(엔티티) [반도체]
공정을 진행하기 위한 장치 또는 장비를 총칭한다.

EOH(Ending on Hand) [반도체]
계산상에 있어야 할 실재고(이월될 계산상 재고).

EOTC(European Organization on Testing and Certification) [반도체]

EOP(End Of Point) [반도체]
식각 공정진행時 원하는 박막만을 식각시키기  위해 다른 박막이 드러날 때 plasma 분위기가 변하는 점.

EPD(Etch Pit Density) [반도체]
1) 결정결함의 일종인 Etch Pit의 밀도.
2) End Point Detect의 약자로 막질의 Etch시 Etch 상태를 파악하기 위해   Etch 되는 막질과 다른          막질이 드러나는 시점을 찾아내는 것.

Epi(Epitaxial Layer) [반도체]
반도체 소자 제조시 기판위에 단일결정의 반도체 박막을 형성한 것.
Bipolar Transistor는 보통 Epitaxial Layer내에 형성됨.

Epitaxial [반도체]
EPI-TAXIAL을 연결해서 만든말로써  "결정축을 따라서"라는 뜻이다.  Substrate위에 가스상태로부터 반도체 결정을 석출시키면 Substrate의  결정축을 따라서 결정이 성장 석출되는 현상을 말한다.

Epitaxial-Growth(에피성장) [반도체]
적절한 결정구조를 가진 동형의 혹은 다른  유형의 Substrate위에 단결정층을 성장시키는 방법.

EOS(European Quality System) [반도체]
유럽 품질시스템 평가인정위원회.

EPM(Electric Parameter Monitor) [반도체]
반도체 공정 진행후 소자의 전기적 특성 및 공정 진행 상태를  파악하기 위해 test pattern에 삽입된 단위 능동, 수동  소자의 특성을 측정하는 공정.

EPM Key Parameters [반도체]
각 생산  제품별 공정  및 특성에  따라 EPM  담당 Engineer가 선정한  중요 Parameter로써 통상 Tr 관련해서 VTN(P), ISATN(P),  DL2N(P)와  저항관련해서는 P1∼P4, N+(P+) Rs 및 CHN 저항 등을 말함.

EPM Standard Sub Program [반도체]
제조기술 담당  부서에서 EPM 업무와 관련하여 규격화시킨 측정 이론 및 측정기술 표준.

Epoxy [반도체]
Chip을 Lead Frame에 접착시키기 위한 전도성 수지.

Epoxy Dispenser [반도체]
일정한 공기압력으로 Epoxy를 내보내는 장치.

EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory) [반도체]
ROM의 일종으로서 사용자가 기억장치속에 저장된 정보의  내용을 지우거나 다시 넣을 수  있는 기억장치.

EPS(Experimental Plan Sheet) [반도체]
S/N을 발행할 때 RUN SPLIT 실험의 내용과 목적이 상세히 기록되어  있는 양식.

EQS(Equipment Server) [반도체]
Data 자동화와 관련된 사항으로  각 장비에서 발생한 Data를 자동적으로  Host에 올려보내주는 Program(오타의  위험제거 → Data 신뢰성 확보)

Equip(Equipment)  기계장비. [반도체]

Erase [반도체]
EPROM이나 EEPROM에서 Floating Gate에 Tunneling을 통하여 주입된 전자의 존재유무 상태에 따라 해당  Bit의 저장상태를 구분하는  상태이다.  EPROM에서는  Floating  Gate로부터 전자가 discharge된  상태를  말하며 EEPROM에서는 반대로 Floating Gate로 전자가 주입된  상태를 말한다.

Erase  Gate [반도체]
3  Polysilicon  Split  Gate를  가진  Flash  E(E)PROM에서 Erase시  interpoly-oxide간의  F-N Tunneling을 이용하여  Erase를  시키는 데 사용되는 Gate  Electrode.

ERC(Electrical Rule Check) [반도체]
전기적인 특성을 Check하는 것을 말함.

ERC(Electrical Rule Check) [반도체]
Layout상에서 전원의 함선, 단락 및 개별소자와  전원과의 연결상태를  점검하는 것.

ES(Expert System) [반도체]
전문가 시스템.

ESD(Electro Static Discharge) [반도체]
정전기 수준을 나타내는 말로써 정전기에 대해 어느정도까지  견딜 수 있는지의 정도를 나타냄.

ET Part(Extended Temperature Part) [반도체]
일반적인 Memroy Device의 사용온도 범위는 0℃∼70℃이나 산업용이나  실외에서 사용하는 Device -40℃∼85℃의 더 큰 온도 범위를 요구한다.

Etch Back [반도체]
홀의 내벽으로부터 일정깊이의 비금속부분을 제거하는 공정이며, 이것은 레진의 스메어를 제거하고 적절한 정도로 내부회로를 노출시킨다.

Etch Bias [반도체]
Photo 공정을 거친후 etch 공정을  행할 때 pattern 전사시의 손실 정도를 뜻함.

Etchant [반도체]
에칭(Etch)하는 약품.

Etching [반도체]
식각. Silicon  Wafer에 필요한 부분만을  남겨놓고 불필요한  부분을  chemical 또는 Gas로 녹여 내는 제작과정.

Etching Selectivity(식각 선택비) SX [반도체]
서로 다른 종류의 박막을 동일한 프라즈마(Plasma) 조건하에서 식각을  해 나갈 때 각각의 박막에  대한 식각 속도의 상대적인 비를 말한다.

Etch Factor(에치팩터) [반도체]
회로에 에칭된 측면의 크기에 대한 에칭깊이의 비율.

Etch Rate [반도체]
식각률. 단위시간당 식각되는 양으로, 통상Å/min 단위를 사용.

ETSI(European Telecommunications Standards Institute) [반도체]

E-Test(Electrical Test) [반도체]
Process된 Wafer를 passivation전 Test pattern을  사용하여 Test하는  맨 첫번째의  전기적 Test(i.e. Wafer mapping).

EUCATEL [반도체]
(European Conference of Associations of Telecommunications Industries).

EUREKA(European Research Coordination Agency) [반도체]
유럽 첨단기술연구 공동체 기구.

EVA-Chip(Evaluation Chip) [반도체]
실제 Main Chip의 검증용으로 Tool 및 Demo  Board 제작용으로 사용.

Evaporation [반도체]
Wafer 표면에 Al, Au(금) 등을 진공을 이용하여 증착시키는 것.

Evaporator [반도체]
전자 Beam이나 열저항 방식 등에 의해 금속박막을 Wafer상에 입히는 장치.

Event(이벤트) [반도체]
Entity에서  발생가능한  사건을 일컫는  말로서  Start, End,  Maintenance 등을 의미한다.

Evolutionary Operation(EVOP) [반도체]
진화적조업법. 정규 생산공정에서 생산을 진행시켜 최적의 공정조건을 찾기 위한 실험계획법을 말한다.

EWS(Engineering Work  Station) [반도체]
제품의  설계를 위하여  제공되는 CAD Design Tool들을 하나의  system에서 작업을 할 수 있도록 준비된 System.

EWS TFT-LCD [반도체]
엔지니어 워크 스테이션에 장착되는 디스플레이 패널로 12인치 이상의  판넬 크기에 화소수는 1024x768,  1024x1354, 1152x900, 1280x1024 등이 중심이고 피치 크기는 0. 21-0. 24mm, 20-60Hz의 표시 주파수를 갖는다.

Excess Electron(과잉전자) [반도체]
열평형 상태의 분포로 정해지는 전도 전자이 수보다 여분으로 생긴 전도전자를 과잉전자라고 한다.

Excite(여기) [반도체]
반도체 레이저에서는 레이저 발진을 일으키기 위해 캐리어의 방전 분포를  만들 필요가 있다. 이때 캐리어를 높은  에너지 준위로 천이시켜 방전분포를 만드는 것을 여기 또는 Pumping이라고 한다.

Exclusive Effect [반도체]
유한한 크기의 2개의 물체는 동시에 같은 장소를 점유할 수 없음으로  어떤 물체는 그 주위에 다른 물체를 들어오지 못하게  하는 영역을 갖고  있다. 이 영역의 체적을 배제체적이라 한다. 물질의 구성요소인 원자 분자 등은 서로 배제 체적속에 들어가지 않도록 하는 집단 상태만을 형성하는  효과를 말한다.

Exclusive or Circuit [반도체]
논리회로에 있어서 입력의 하나가 다른 "1", 다른하나가  "0"인 경우에 한해서 출력이 "1"이 되는 논리회로.

Expanded Memory [반도체]
DOS응용 Program  등이 사용할 수 있는  640KB이상의 Memory 영역을  말한다. 예를  들면, LOTUS  1-2-3, SYMPHONY  등 응용 Program의  Data영역으로 사용할 수 있다.

Expending Tape [반도체]
Wafer를 집착시킬 때 사용되는 테이프로 늘어남이  360°균일한 Tape임.

Expert System  Application Program using know-ledge base. [반도체]
오늘날 전문가 시스템은 오랜 경험과 전문성이 요구되는 분석이나 진단을  하는 데 많이 응용되고 있으며 Manufacturing에서도 scheduling, planning,  quality control 분야에서 연구 및 응용되고 있다.

Expose(노광) [반도체]
P/R이 도포된 wafer  위에 pattern을 형성하기 위해  aligner를 이용하여  빛을 노출하여 감광막의 구조를 변화시켜 주는 것을 말함.

External Visual Inspection [반도체]
반도체 제품의 외관상태를 육안검사하여  불량품을 제거하는 작업.

Esposure [반도체]
노광, 감광액을 도포한 WF 표면에 회로가 구성되어 있는 Mask를 정렬시켜  자외선 등을 쬐는 작업. 이후 현상작업에 의해 Mask의 pattern이 형성됨.

Extended Memory [반도체]
Computer의 Read Mode에서 동작하는 범위를 넘어서  실제 존재하는  Memory보다 더 많은 Memory를 사용하는 것처럼 할 수  있는 가상  메모리 기법. 1MB Memory 이상의 영역으로 Protected Mode에서 사용될  수 있는 직선적인 개념으로 메모리를 더하여 주는 Memory를 말한다.

Extraction Voltage [반도체]
Ion Source에서 Ion Beam을 추출하기  위하여 가해주는  전압.

Extrinsic Semiconductor [반도체]
진성 반도체(Intrinsic Semiconductor)과 상반되는 말로서 진성 반도체에  불순물(3가, 5가 그밖의 다른 원소)을 가첨가하여 전기적 특성을 변화시킨  반도체.

Eylet [반도체]
부품리드나 전기적 접촉을 기계적으로 지지하기  위하여 터미날이나 인쇄 기판에 삽입된 빈튜브.

F(Frequency)   [반도체]
주파수.

FA(Factory Automation) [반도체]
Factory Automation(공장자동화)란  사람이 하는 일을 기계(computer, robot, conveyer 등등)로 하도록 함으로써 생산성 향상, 품질향상 및 성력화를 가져오는데 목적이 있으며 남은 인력은 다른 분야에 투입내지는 활용함으로써 인력난을 해소하여 산업발달에 기여하는데 또 다른  목적이 있다.

FAB(Fablication) [반도체]
웨이퍼(Wafer)의 가공을 의미함.

2nFactorial Experiment [반도체]
2원배치법. 실현하고자 하는 n개의  인자의 수준수가  2인 Factorial 실험법을 말한다.

FAB Process(Fabrication 공정, 제조공정) [반도체]
고청정 상태에의 Wafer 가공, 또는 제조공정을 말하며 크게  Diffusion, Thin Film, Photo, Etch  4공정을 大分할 수 있다.

Factor [반도체]
인자. 실험결과에 영향을  미치는 원인으로 다른 수준의  인자들이 실험 내에 포함된다.
Note) 온도, 속도, 전압과 같은 계량 인자와 재료 및 촉매의 종류, 장비의 유형 등과 같은 계수 인자가      있다. 실험에 적용될 인자들을 "주요인자(Principal  Factor)라 부른다.

Version or Level of a Factor [반도체]
인자의 수준. 실험을 하기 위해 주어진 조건의 수를 말한다.
Example) 촉매의 유·무에 따라 2수준으로 구분한다. 가열 온도가 100℃,  120℃, 140℃, 160℃인      경우에는 4수준이라 한다.

Factorial Experiment(General) [반도체]
요인실험. 2수준이상의 두  개이상의 인자로부터 가능한 모든 실험 조합들을  구성하여 주효과 및 교호작용을 추정하기  위한 실험법을 말한다.

Fail Memory(페일 메모리) [반도체]
메모리 Device의 Function  Test時 Device에서 측정된 결과를 Device에  인가한 패턴과 동일한 스피드로 보관할 수 있는 테스터 메모리

Failure Limit(실격한계) [반도체]
TR 등의 전자부품을 수명시험할 때 불량이라고 판정할 수 있는 규격의 한계.

Failure Mode [반도체]
불량유형. Failure에 영향을 끼치는 결함의 종류.

Falg [반도체]
필드의 경계를 나타내기 위해 문자나 단어에 묻어 있는 정보 비트. 어떤  조건이 나타난 프로그램의 뒷부분을 설명하기 위해 쓰이는  지시어.  여러 가지 혼합된 집합에서 같은 종류임을 구별하기 위해 사용하는  식별자 단어표시와 같이 식별을 위해 상용되는 기호로서 태그(tag)와  비슷한 뜻으로 사용된다.

Fall Time(하강 시간) [반도체]
TR의 스위칭 특성을 스위칭 시간으로 나타낼 때 베이스의 입력이 OFF로  되어 Collector에 흐르는 출력전류가 ON상태일 때의 90%에서 10%로  되기까지의 시간.

Fan Coil Unit [반도체]
Coil내로 냉수 또는 온수를 통수시켜 사용목적에 적합한 온도를 유지시켜 주는 설비.

Fan Out Capability [반도체]
Device가 Data 출력시 Current Drive 능력을 말함.

Fan-in [반도체]
스위칭의 논리회로에서 입력측에 접촉할 수 있는 게이트의 수.

Fan-out [반도체]
논리회로에서 입력측에 접속 가능한 부하의 수.

Fast Page Mode [반도체]
컴퓨터 시스템이 데이터를 access하는 방법으로 가장 보편적으로 활용되고 있는/CAS signal의 toggling에 따라 데이터가 access 되는 방식.

Farad [반도체]
정전용량의 단위. 1F의 콘덴서에  걸리는 전압이 1volt/sec의 변화를 할  때 1A의 전류가 흐른다.

Fault Coverage [반도체]
Simulation 실시후 전체 Simulation Vector가 전체회로중 몇 %를 access하여 output 단자로  그 결과를 반영하는지를 수치로  나타낸 것으로서  얼마나 충실하게 Simulation Vector가 작성되었나를 나타내주는 지표.

FCC(Federal Communication Commision) [반도체]
전국연방통신위원회

FCU(Fan Coil Unit) [반도체]
송풍기, 냉, 온수 및 필터  등으로 함께 만들어진 실내용 공기 조화기.

FDD(Floppy Disk Driver). [반도체]

FDM(Function Data  Module) [반도체]
품명의  기능을 점검하기   위해 기능데이타(Function Data)를 실행시키는 Module.

FDMA(Frequency Division Multiple Access) [반도체]
주파수 분할 다원접속.

Feedback [반도체]
자기수정 또는 자기제어의 목적으로 기계, 처리 또는 시스템으로부터  출력되는 일부를 다른 위상(Phase)으로의 입력으로 컴퓨터에 되돌려  보내는 것.

Fermi Enery [반도체]
고체내의 전자는 모두 전자가  같은 energy를 가지고 있는 것이 아니라  여러 가지의 energy 값을 가지고 있다. 이 전자가 갖는 energy 상태를  페르미-디랙 분포라 하는데 이것은 확률분포를 하고 있다. 이  분포는  물질과 온도에 따라서 정해지는데 전자의 점유확률이 정확히 1/2로 되는   에너지 값을  페르미 에너지라고 하며 기호는 F로 나타낸다.

Fermi Level [반도체]
절대온도 0°K에서 전자가 점유할 수 있는 가장 높은 Energy  준위.  반도체에서 T〉0°K일 경우 전자의 점유확률이 ½되는 Energy 준위.

Fermi-Dirac 통계 [반도체]
개개의 Particle을 구별하지 않고 Pault  배타원리(한 State에 1Particle만 존재)를 적용한 통계방식. 이 통계는 Low Concentration과 High  Temperature일 경우, 고전 통계인 MaxWell-Boltzmann 통계와 같은 형태로 나타난다.

FET(電界效果 Transistor : Field Effect Transistor) [반도체]
전기전도(電氣傳導)에 기여하는 Carrier의 역할을 전자 또는 정공(正孔)의  어느 하나가  담당하는  Transistor. 전자도  정공도  Carrier의 역할을  하는  Bipolar에 대하여 Unipola(單極) Transisor라고 불리운다.

FFU(공조방식) [반도체]
Fan Filter Unit 공조방식. Fan과 Filter의 일체형으로 Filter상부에  설치된 Fan이 공기를 Clean에 공급.

Field oxide [반도체]
Active와 Active를 절연시켜 주는 산화막.

FIFO [반도체]
First in, First out 선입 선출.

FIL(Filament) [반도체]
이온 생성을 위해 전자를 방출시키는 소재.

Fill Factor [반도체]
어떤 주어진 시간에 조사되는 디스플레이 전체 면적의 백분율.

Filter(여과기) [반도체]
먼지 및 불순물 등 필요한 것 이외이 것을 걸러내는 장치.

Filter Paper [반도체]
Sawing 후 Wafer를 Break-Up할때 Chip을 보호하기 위해 Freon에 적셔 사용하는 여과기.

Final Test(조립/Class Test) [반도체]
조립된(Package) 제품에 대해 제품출하전 마지막으로 전기적 특성을  검사하는 것.

Finger Coat [반도체]
Wafer취급시 인체에 의한 오염을 방지하기 위하여 손에 착용하는 것.

Fire Damper(F.D) [반도체]
화재발생시 Duct를 통하여 화재의  확산방지용으로 설치된 Damper로써  기류온도가 70℃이상이면 날개지지용 Fuse가 녹아 자동적으로 기류를  폐쇄하는 Damper.

Firm Ware [반도체]
장비 제조회사가 그 장비에만 응용되게 특별히 고안한 Software이며  보통 ROM(Hardware) 속에 들어있는 경우가 많음.

First Article(사전검사) [반도체]
양산작업전에 사전에 작업조건을 점검하기  위해 부품을 결합하여 성능을 시험함.

First Bond [반도체]
금선의 볼이 형성된 것으로 캐필러리의 Inside Chamber에 의해서  Chip Pad에 형성된 Bond.

First Minimum [반도체]
Gooch & Terry 곡선에서 첫번째 투과율이 0이 되는 곳을 말한다.

FIT(Failure in Time) [반도체]
Life Test를 통하여 X2 분포를 이용, %/khr의 불량률과 109 device hour의 곱을 의미한다.

Fixture [반도체]
개별 소자의 수동 검사를 위한 기구.

Fixed Oxide Charge(Qf) [반도체]
Oxidation 분위기, 온도, Cooling 온도  및 Silicon 결정방향에 관계하는 Oxide내 Charge.

Flange [반도체]
Blade<웨이퍼 절단용 톱날>을 Spindle에 정착시키는 치구로서  이것의  외경이 Blade의 길이를 결정 지음.

Flat Pack [반도체]
IC의 겉모양에 따른 포장형태로 납작한 형태 IC형태를 말하며, 거의  평면과 동일하게 기판위에납땜을 할 수 있음.

Flat-Zone Aligner [반도체]
Carrier에 Loading되어 있는 wafer 평면(Flat-Zone)을 위로  맞추는 기계.

Flash EEPROM [반도체]
한 개의 트랜지스터로 이루어져 셀 면적이 작은 EPROM과 전기적 소거가 가능한 EEPROM의   장점을 조합하여  EPROM의  프로그램  방법과 EEPROM의  소거방법을 수행토록 만든  소자로서, EPROM, EEPROM과  유사한  설계와  공정을 거쳐 생산됨. 외부에서 고전압을 가해 데이터를 기입하며 전기적인
소거도 Memory Device 전체  또는 Block별로 가능하다.  이 Flash Memory는 NOR형, NAND형으로 대별되며 NOR형 EEPROM은  Hot Electron을 주입하는 기입방식을 적용하고, NAND형은 터널현상과  페이지 동작회로 기술을 조합하며 프로그램 속도가 빠르다. 기억된 정보는 전원이 꺼지더라도  없어지지 않아 비휘발성 메모리라 불리운다. 최근 Memroy 시장에서  hard disk를 대체할  소자라서 기대되고 있다.

Flat Zone(평평한 부위) [반도체]
Wafer의 방향 및 종류를 표시하기  위해 일정 방향으로 cut해 놓았는 데  그 면을 지칭.

FLC [반도체]
층상으로 분자 배열하는 스메틱 액정을 이용해서 강유전성 기능을 가진 것.  쌍안정상태의 메모리 기능과 스위칭 속도가 매우 빠르다. 크로스 토크가  없고,  시야각이 넓으며, 단순 매트릭스 구동이 가능하다.

Flexible Printed Circuit [반도체]
구부러질 수 있는 인쇄기판.

Flexural Strength [반도체]
휨. 강성.

Flip-Flop [반도체]
2진수(Binary)를 기억할 수 있는 기초 전자회로로서, 두가지의 안정 상태(ON 또는 OFF)을 갖고 있으며, 논리회로나 기억장치구성의 기본회로임.

Flicker(플리커) [반도체]
텔레비젼의 수상화면이나 형광 등의 깜박임과  같은 광도의 주기적인  변화가 시각으로 느껴지는 것을 말함.

Floating Gate [반도체]
MOS TR의 게이트 절연층 속에 매입된 금속 또는 다결정 실리콘으로 된  전극을 말하며 전기적으로 떠있으므로 Floating Gate라고 한다.

Floor Plan [반도체]
반도체 설계시 Chip을 Layout하기 전에 각 Block의 layout을 전체적으로 배치하여 layout상에 block의 위치와 배선을 결정하는 작업.

Flux [반도체]
금속을 솔더와 잘 접속시키기 위하여 물리적이나 화학적으로 활성화시키는  물질.

FMS(Facility Monitorng System) [반도체]
중앙집중식 환경관리 System으로 Line내의 온·습도, Particle,  Hepa filiter에 흐르는 공기의 속도(유속), 순수의  순도등을  측정하는 System.

Foot Print [반도체]
PCB와 Component를 납땜할 수 있도록 만들어 놓은 자리.

Forbidden Band(금지대) [반도체]
전자가 취할 수 있는 에너지의 폭이 띄엄띄엄이고 그 사이에는 전자가  취할 수 없는 에너지 폭이 있다. 이 전자가 취할 수 없는 에너지 값의 범위를 금지대라고 한다.

Forming Die  Forming I.C. [반도체]
lead frame의  lead를 요구하는 현상 즉, curl, Z form 등이 있으며,  clie Punch를 요구형상으로 제작하여 그 사이에 lead frame을 위치시켜  곡선을 따라 꺽는 작업을 말하며 이와 같은 금형을 포옴 다이라고 한다.

Forming Gas [반도체]
1) Die Attach 및 Wire Bonding시 재료의 산화를 방지하고 환원을  목적으로 H2와 N2를 일정비율로         혼합한 Gas.
2) FAB 제조공정(확산, 식각)에서 본래의 공정이 정상적으로 잘 진행하기 위하여 사용하는 분위기         Gas.

Forward(순방향) [반도체]
PN접합의 P쪽에 +, N쪽에 -의 전압을 가하는 방향을 순방향이라고 한다.

Forward Current(순방향 전류) [반도체]
PN 접합에 순방향  전압을 가했을 때 흐르는 전류를 말한다.

Forward Voltage(순방향 전압) [반도체]
PN전합에 순방향으로  전류가 흐르고 있을때 그 PN 접합의 양단에 걸려있는 전압을 말한다.

Four Layer Diode(4층 Diode) [반도체]
PNPN의 4층 구조를 갖는 Diode.

Four-Point Probe [반도체]
막질의 sheet 저항을 측정하는 장비.

FOX(Fast Oxidation) [반도체]
고압(0∼25기압)에서 증기 산화방식을 이용하여 산화막 성장속도를  빠르게 하는 장치로서 Hipox라고도 함. (High Presure oxidation)

FP(Flost Point)  이슬점. [반도체]

FPGA(Field Programmable Gate Array) [반도체]
미리 program할 수 있도록 제작된 chip에 사용자가 CAD를 이용하여  로직을 구현할 수 있도록 한 제품.

FPO(Finish Process Order) [반도체]
동일  품종의 Lot를 동일수준의 품질을  가지고 있다고 판단하여  여러 Lot를 1개의  Lot로 묶어 공정 flow  시키는 경우, 하나로 묶은 Lot를 FPO Lot라 한다. 작업능률 향상을 위해 사용.

FQ(Full Qualification) [반도체]
Customer의 요구조건을 충분히 만족시킨후 양산.

FQA(Final Quality Assurance) [반도체]
최종 품질 보증, 제품의 제품 창고 입고전이나 출하직적 실시하는  검사공정을 총칭하며, 불량제품의 사전 검출에 그 목적을 둠.

FR(Failure Rate) [반도체]
"제품의 불량율"로서 제품을  계속해서 사용했을 때 불량이  발생할 가능성을 나타냄.

Fractional Factorial Design [반도체]
일부실시법. 완전 Factorial 실험법에 필요한 조합의 적절히 선택된 분수.  Frame  Reticle/mask를 alignment할 수 있게 공정용 pattern 및 process상 필요한  item들을 sawing할 수 있는 scribe  line에 삽입하여 alignment할 수 있게  만든 형틀이다. 설계된 제품의 노광을 위해 한 번에 노광한 제품을 배열한  형틀로서 제품과  제품사이의 scribe  line내에는 노광장비에서  사용할  align   key 및  process inspection용 pattern을 포함하고 있다.

Frame Time [반도체]
화소의 데이터가 들어오는 시간 간격으로 Refreshing time과  같다.

Frame Ring [반도체]
Wafer를 완전 전달하기 위해 Tape에 접착시킬 때 지지하여 주는 틀.

Free Election(자유전자) [반도체]
전자중에 결합력이 약하여 결정  격자의 구성에 관여하지 않고  결정속에서 전계에끌려 자유로이 움직일 수 있는 전자.

Freon [반도체]
고열이 발생하는 부분의 열을 냉각시켜 주기 위하여 사용되는 냉각제.

Freedericks (전이) [반도체]
자화율 이방성이 양인 네마틱상에서 자계를 인가하면, 액정분자를  자계방향으로 배향하려고 한다. 그러나 표면에서의  액정의 배향을  일정하게 규제하는 것 같은 처리를 행한 기판의 평행한 유리기판에
액정을 넣고 기판의 배향 속박력에 의해서 액정분자를 일정한 방향에서  배향된 샌드위치  셀을 만들고 수직 자계를 가한 경우 Hc에서 자계 방향으로 배향이 일어나는 것을 말함.

Frequency Distribution [반도체]
도수분포. 개별 관측치 및 그  값이 시료나 모집단에서 발생한 빈도수를  나타낸 것을 말한다.

Frnak의 탄성정수 [반도체]
배향 벡터의 찌그럼짐에 관한 곡률 탄성의 탄성 정수.

From/To chart [반도체]
inter-bay 및 intra-bay의 작업 진행을  simulation하기 위하여 공정 진행 예정표를 작성하는 chart.

FSTN(Film Super Twist Nematic) [반도체]
DSTN과 유사하게 칼라  보상 액정셀 대신 폴리머된 매우 얇은 막을  사용한다. FSTN은 DSTN에 비해서 콘트라스트는 떨어지지만 큰 시야각이라든지 저 소비력이라는 큰 장점을 갖고 있다.

FTA.(Fixed To Aattempt Ratio) [반도체]
한 Wafer의 Repairable  소자들에 대해  Fuse Cutting 한후 양품화되는  소자의 수를 백분율로 환산한 값을 말한다.

FT(Current gain Band with product) [반도체]
차단 주파수.

Full-Auto [반도체]
장비가 HOST의 통제를 받으면서 AGV가 CST LOAD/UNLOAD를 수행하는 상태 및 그 표시.

Full Bar GOI Pattern [반도체]
GOI 측정을  위하여 ISO (Active) MASK와 PAD(Repair) MASK를 사용해서  단순히 Poly/Oxide(or ONO)/P-SUB 구조의 Capacitor를 형성시키는 공정 진행 과정.

Full Custom 제품 [반도체]
자동화된 tool을 사용하지 않고 원하는 chip의 특성에  맞게 설계하는  IC 설계방법. 회로설계시 MOS transister level부터 시작해서 회로구성,  simulation, optimization을 실시한 후 chip 전체의 area를 최적화하기  위해 수작업으로 layout하여 완성된 반도체 제품.

Full Cutting [반도체]
완전 절단. 테이프 절단(Tape Cutting)  과 같은 말로 Wafer를 완전 절단(95∼100%)함을 말함.

Fume(증기) [반도체]
화공약품의 증기를 말함.

Function Test [반도체]
Device의 동작이 진리표에 명시한 대로 동작하는지를 검사하는 것으로  테스터에서 패턴이나 벡터를 Formater나 Device를 통해 인가한다.

Furnace(확산로=tube) [반도체]
확산실에서 Deposition, Drive -In, Oxidation 혹은 Alloy를 하는 데  사용되며 긴  원형의 QZ를 이용하여 450℃에서 1250℃까지의 온도공정을  진행할 수 있으며 횡형과 종형이 있음.

Fazzy 이론 [반도체]
Fuzzy라는 의미는 '이해하다', '보호하다'는 의미로서 기존의  컴퓨터가  '0' or  '1' 또는  'Yes' or 'No'라고  극단적으로 판별밖에  할 수 없으나  Fuzzy이론을 활용하면 그 중간단계도 판별이 가능하며 인공지능의 역할에  접근하게 될 수 있다.

FW(Filter Water) [반도체]
일반 정수처리된 물.

F.W.W(Flouric Waste Water) [반도체]
불산폐수로서 약품중 불산을 사용하는 장비에서 배출되는 폐수를 말함.

G-Line Stepper [반도체]
사진공정시  사용되는 가시광선의   광원중 자외선  영역의  436nm 파장을 갖는 사진 장비.

GaAs(Gallium Arsenide) [반도체]
화합물 반도체로서 초고속 장치에 사용되며, 고주파에서의 이득과  대역폭 특성이 양호하여 차세대에 Silicon 대신 많이 이용되는 물질.

Gallium Phosphide(칼륨인) [반도체]
주기표 제Ⅲ측에 속하는 칼륨(Ca)과, 제Ⅴ족에 속하는(P)의 금속간 화합물로서 반도체로서의 성질을 가지고 있으므로  금속간 화합물 반도체라고 한다.

Gas Scrubber [반도체]
공기나 Gas중의 불순물 또는 분진을  물의 분사나 수막에 의하여 씻어 내리는 장치.

Gate [반도체]
1) 논리회로에서 몇 개의 Transistor를 조립하여 만든 계수형회로를  말하며, 2진 정보가 입력의          조합에 의해 형성되는 논리 회로.
2) 반도체 장치에서 MOS  Transistor에 입력을 가하기  위한 단자로서  Bipolar Transistor의          Base에 해당하는 단자.

Gate Array [반도체]
논리소자인 NOT-Gate,  AND-Gate,  OR-Gate,  NOR-Gate, NAND-Gate 등의  구성이 되어있거나,  구성할 수 있도록 Transisitor가  필요한  양만큼 만들어져 있는 Logic 소자로서 주문형 소자로 많이 사용됨.

Gate oxide [반도체]
TR이 형성되기 위한 제 2의 요소, insulator 역할을 하며,  MOS TR의 Gate 밑의 유전체로 사용.

GD Mark(Good Design Mark) [반도체]
우수 디자인 마크.  Gel  고분자 용액과 콜로이드 용액이 고화되어  제리상의  탄성을 갖는 고체로 된 것을 말한다.

Gel Time [반도체]
프리프레그레진이 가열되어 고체에서  액체상태를 거쳐 다시 고체로  변환되는데 소요되는 시간을 초로 표시한 것임.

Germanium [반도체]
게르마늄. 잘 알려진 반도체 재료중의 한가지.

Gettering(게터링) [반도체]
소수 캐리어의 수명개선, 접합에서의 누설전류를 줄이는 것,  Si-SiO2계 면에서 여러 가지 전하의  영역을 줄이는 것들을 말하며 아직 제대로  이해되지 않은 영역이다.

GIDL(Gate Induced Drain Leakage) [반도체]
얇은  gate oxide를 사용한 소자에서 breakdown voltage 이전에서  drain과 substrate간에 leakage current가  발생되는 것이 관찰되는 데 이는, gate와 drain 사이의  field에 의해 drain 부위가 deep
depletion되면서 band의 급격한 휨이 일어나게 되고, 전자의 band간  tunneling에 의해 drain junction을 빠져나간후 inpact ionization에  의한 EHP를  생성시켜 전자는 drain에 hole은 substrate로 빠져나가  leakage current를 형성하게 된다.

GIGO(Garbage In Garbage Out) [반도체]
컴퓨터  또는 Data Base에 과다  의존하는 것에 대한 경고의 의미로  Input Data가 좋아야 좋은 분석이나 결과를 얻을 수 있음을 나타낸다.

Glass Substrate [반도체]
아몰퍼스 실리콘용 트랜지스터 기판에는 무알칼리 유리가 이용된다.  알칼리이온에 의한 트랜지스터의 오염을 방지하기 위해서다.

Gm(Transconduction) [반도체]
Gate와 Source 사이의 전압 변화에 대한 Drain 전류의 변화 정도를  나타내는 양으로, Bipolar Tr의 증폭도(β)에 해당함.

GN2(General N2) [반도체]
용역동에서 생산되어  라인 장비에 직접  공급되는 N2 주로  Purge용으로 사용됨.

GO/NO-GO TEST [반도체]
제품검사시 각 항목이 규격에 합격(pass)인지 불합격(fail)인지 판정하여  다음항목을 검사하고(GO), 불합격이면 다음검사를 하지 않고 (NO- GO) 끝나는 검사방식으로 주로  양산검사시 많이 사용한다. Wafer에서의  Die나 Package를 이용하여 그 Device의 양/불량을 판단하는  Test를   말한다. 일반적으로 이때 사용하는 Test Program은 생산용 Program이다.

GOI(Gate Oxide Integrity) [반도체]
Gate Oxide의 품질정도를  말하며, 전압을 증가하면서 누설전류가  파괴전류가 될 때의 전압(BV, 파괴전압)으로 나타내다.

GOI 측정 [반도체]
System으로는 In-Line Diffusion 공정中 Oxidation 공정(ex: Init Ox,  Sac Ox, Gate Ox. . . etc)에 대한 Tube, Recipe, W/S 등의  상태를  점검하기 위하여 측정하는 Electrical  Stress Test로써  통상  HP System   또는 Kethley 236  System 등으로 구성된다.

GOI BV   Test [반도체]
일련의  GOI  측정 방법으로써   Voltage Forcing,  Current  Measuring으로 Gate Oxide Break Down Voltage를 측정한다.

GOI CUM Graph [반도체]
GOI측정 Data를  Normalized Gaussion 분포 Graph에  올려서 분석하는 통계적 분석용 Graph.

GOBI(Get off Burn-in) [반도체]
Infant mortality의 일정 goal을 설정하여 그 goal을 만족하였을 경우의 burn-in을 말함.

Grade Junction [반도체]
PN 접합은 하나의 반도체 단결정 속의 P형으로부터 N형으로 바뀌는 부분이다. 이 P형에서 N형으로 바뀌는 모양의  불순물 농도가 P형에서  N형으로 완만한 경사를 가지고 변화하는 것을 경사상 접합이라고 하며  확산형 접합이 이것에 해당한다.

Graeco-Latin Square [반도체]
그래코 Latin 방격. 4인자중의 어느  한 인자의 수준과 다른 세 인자의  수준의 조합들이 한번에 하나씩만 발생하도록 구성된  4인자 실험 계획법을 말한다.

Grain(미세입자) [반도체]
결정을 구성하는 가장 기본적인 조직을 의미한다.

Grating [반도체]
Clean공조방식 중 Down Flow Laminar Unit의  공조 흐름 유도용으로,   Floor에 구멍을 뚫어 공기가 빠져 나가도록 한 것. 이는 Access Floor 형식의 바닥구조에서 쓰일 수 있음. 일반 바닥 겔러리와는 다르므로  구별되어야 함. 또한 이것은 Aluminum으로 되어 있어 정전기를 방지함.  실내의 차압을 유지시키고 공기 유동을 원활하게 한다.

Grid [반도체]
인쇄기판상에 어떤 지점의 위치를 표시하기 위하여 직교되는 선.

Ground Gate(게이트 접지) [반도체]
전계효과TR(FET)에는 트랜지스터나 진공관과 같이 3가지 접지방식이  있으며 GATE를 입출력의  공통전극으로 하는 회로를 공통 게이트 (Common GATE)라고 한다. 공통 전극은 보통 교류적으로  접지하기 때문에 이것을 게이트 접지라고도 한다.

Grown Junction Diode(성장접합형 Diode) [반도체]
성장접합에 의해서 PN  접합을 형성시킨 접합형 다이오드의 일종이다.

GSP(Group Sampling Plan) [반도체]
소량 lot를 합쳐 대 lot로 구성하여 Sampling하는 제도.

Guard Ring(가아드 링) [반도체]
PNP 실리콘 TR을 플레이너  구조로 만들 때 P형 콜렉터 표면의 일부가  N형으로 변화하는 채널의  현상이 있어서 보호작용이 불완전해지는  결점이 있어 MOTOROLA사가 이 문제를 해결하기 위해 정규의 콜렉터·베이스 접합의 바깥쪽을 환상의 P형 영역으로 둘러싸서 콜렉터에  채널이 생성되는 것을 차단하는 방법을 고안해냈다. 이 P형 영역은  매우 높은 농도로 확산함으로써 이 부분에 채널이 생기지 않도록 하기때문에 트랜지스터로서 동작하는 부분은 완전히 산화피막의 아래에  들어가 버려 노출하지 않게 된다.  이 방법을 가이드링 또는 밴드 가아드(BAND GUARD)라고 부른다.

Guard Rings [반도체]
CMOS 경우 기생적으로 형성하는 Latch- up 현상 발생을 억제시켜주기  위해 넣어주는 pattern으로  둘레를 따라 Ring처럼 만들어 준다.

Guest-Host Effect [반도체]
액정 재료에 다색 색소를  혼입한 것은 액정 분자가 전계 인간에 의해  그 배열 방향이 바뀌는  것을 이용해서 색소 분자의 배향을 바꿀  수 있다. 이것에 의해 전계 인가로 액정 셀의 색을 변화시킬 수 있다.
액정 재료를 호스트, 색소를 게스트라 한다.

GUI(Graphical User Interface). [반도체]

Gunn Effect [반도체]
N형 GaAa 결정의 양단에 OHMIC 접속을하여 이 단자간에 직류전압을 가하고  그 전계를 차츰 증가시켜 가면 전류와 전계의  관계는 직선에서 벗어나  구부러지기 시작하며, 전계가 3000V/Cm 정도의 한계값을 넘으면 갑자기  전류가 진동을  하기 시작하여 마이크로파를 발진하는 현상이 일어난다.
이것을 Gunn Effect라 한다.

GY(Grave Yard)   [반도체]
야간 근무.

H2  Hydrogen  [반도체]
수소가스.

HA(홈 오토메이션 Home Automation) [반도체]
약칭 HA로 홈  일렉트로닉스(HOME ELECTRONICS)라고도 한다. 전자기술과 마이크로 컴퓨터를 가정생활의 모든 면에 보급시켜 괘적한 생활환경을 조성하고자 하는 시스템.

H.A.L(Hot Solder Air Leveling) [반도체]
P.C.B 표면 도금방법의 종류.

Handler [반도체]
Package화된  다량의 소자를  동시에 Test하기   위해 소자와 Test System과 연결시켜 주는 장비.

Handling [반도체]
(조작, 조작한다)

HDTV Projection [반도체]
TFT-LCD  고화질 TV의투사형 디스플레이로 최저 120만 이상의 화소수를 가지며 콘트라스트는 100:1이상의  고정세화, 풀칼라화된 디스플레이다.

Half Cutting [반도체]
Wafer를 70∼80% 절단함을 말함.

Halide [반도체]
Halogen 원소와 이보다 전기 음성도가 작은 원소와의 2원 화합물. 플로오르.

Hard Fail [반도체]
시험공정에서 규정된  여러조건에 관계없이 불량이 나는  경우 보통 defect에 의한 경우가 대부분이며 이와 같은 불량현상을 말한다.

Hardware [반도체]
물리적 형태를 가진 또는 그  일부를 지칭하는 것으로, Computer에서 Software와 대응하는 기능을 말하는 기계구조 자체를 의미함.

HB(Heater Block)  열전판. [반도체]

HCT(High Speed C-MOS TTL) [반도체]
고속의 C-MOS TTL이며 기존의 LSTTL 제품이 지니는 단점(고 소비전력)을 보완한 것으로서, Comuter  및 Computer 기술을 필요로 하는 각  전자부품내의  CPU, Memory, 주변기기 주요 IC들과  함께 내장되어 각 기능을 상호 연결시켜 주는 역할을 수행하는 제품.

HDD(Hard Disk Drive). [반도체]

H/D(Handler) [반도체]
조립(Package)된 제품을 검사하기 위해 Tester와  연결되는 설비.

Heat Sink Plane(방출판) [반도체]
기판표면이나  내층에서 열에 민감한  부품들로부터 열을 제거하여 주는 역할을 하는 평면.

Hepa Box [반도체]
Clean 공조의 말단에 Room내에 Hepa Filter를 장치한 Box.

HEPA Filter(High Efficiency Particulate Air Filter) [반도체]
Clean Room에 설치된 고수율정밀 filter로서 기류가 수직방향으로 흐른다. (0.1㎛-99.9995%)

HEMT(High Electron Moblitty Transistor) [반도체]
고전자 이동도 트랜지스터.

Hermetic seal [반도체]
기밀 봉지라고도 하며  공기나 습기가 들어가지 않도록  밀폐한 용기.

Hetero Junction [반도체]
하나의 반도체 결합속에서 P형으로부터 N형으로 바뀌어 가는 부분이 있을 때 그 접합 부분을 PN Junction이라고 한다. 대부분의 경우 P형부분이나 N형부분 모두 같은 종류의 반도체로 되어 있다.  그러나, 하나의 단결정이면서 2개의  종류가  다른 반도체를  포함하는  경우가 있는 데   이것을 HETERO Junction이라고 한다.

Hertz [반도체]
주파수의 단위로서 cycle/second를 나타내며 Hz로 표시한다.

High Power Inspection [반도체]
wafer 가공상 생긴  die 표면과 각 회로상의 불량을 고배율 현미경을 사용하여 검사하는 작업.

Hfe(DC Current Gain) [반도체]
Emitter접지 상태에서 직류 전류 이득.

HGC(Hercules Graphics Card) [반도체]
MDA를 에뮬레이트하고  동일한 흑백 TTL 디스플레이에서 실행되지만  CGA보다 높은 해상도를 가진  흑백 그래픽 기능들을 추가.

Hidden Refresh [반도체]
CBR과 같은 Refresh 형태이며 Data를 보면서 Refresh가 가능하다.

Hierarchy [반도체]
LSI Design시 주요 뼈대부분부터 세밀한  부분까지 차례로 Design 해 나가는 방법.

High Pressure Cleaner [반도체]
절단된 Wafer 세정  장비로서, CO2가 함유된 고압의  D-I Water로 세정하는 것.

Hillock [반도체]
산화막 위에 금속 박막을 증착시켜 열처리 할 때 열팽창 계수차에 의해  생겨나며 상어 등 지느러미 모양의 솟아 오른 형태를 가짐.

HMDS(Hexa Methyl Di Silazane 처리) [반도체]
감광액과 Wafer 표면의 접착력을 높이기 위해 감광액 도포전 Wafer에  주는 Primer(접착강화제) 중의 대표적인  한  종류.

H-MOS(High-performance MOS) [반도체]
단자 소자의 크기를 줄임으로서 MOS IC의 속도를 증가시키는  고성능  N-NOS 제조기술  또느 이것으로  이룩된 고성능  MOS.

Hold Time [반도체]
기준 신호에 대하여 Data가 최소한 유지되어야 하는 시간으로 기준 신호에 따라 tCAH(Column Address  Hold Time) tRAH(Row  Address Hold Time), tDH(Data Hold Time) 등이 있다.

Hole [반도체]
반도체 속에서 가전자대에 있는 전자의  이동으로 생기는 비어 있는 전자의  준위를 말하며 정공이라고 함.

Hole Density(홀밀도) [반도체]
단위면적당의 홀의 개수.

Hole Pull Strength(홀인장력) [반도체]
도금된 도통홀을  홀의 수직방향으로 끌어당겨서 찢어내는데 소요되는 힘.

HOPL(High Temperature Operating Life Test) [반도체]
"고온동작 수명시험"으로서, 125℃ Oven속에서 7.5(V)  Bias, 1000시간을 가하여 시험하는 "수명시험"을 말함.

Host Computer [반도체]
주 컴퓨터 또는 전체 컴퓨터를 제어하며 데이터 교환을 규제하는 Software를 가지고 있는 컴퓨터.

Hot Carrier [반도체]
gate 및 Drain 등에 의한 electric field로 인해 가속된 Carrier들의  연쇄적 충돌로 발생된 보다 높은 Energy를 가진  Carrier를 말한다.

Hot DI Water [반도체]
뜨거운 D·I Water(85℃). 웨이퍼(Wafer) 세정시 사용.

Hot Electron [반도체]
결정에 전계를 가하면 결정속의 전자가  전계해서 에너지를 얻는다.  보통의 상태(전계가 그다지 강하지 않은 상태)에서는 전자가 얻은  에너지를 결정을 구성하고 있는 원자에 줌으로  전자와 결정의 원자는
같은 정도의  에너지를 갖게 된다. 그러나 전계가 강해지면  전자는  얻은 에너지를 원자에  나누어 줄 수 없게 되어 결정보다 전자에  에너지쪽이 높은 상태로 된다. 이러한 상태에 있는 전자를  Hot Electron이라한다.

Hot Press [반도체]
실 프린팅(Seal Printing)과 액정 주입후 앞과 뒷 유리를 붙이기  위해서 상온하에서 가압하는 것. 상판 유리와 하판 유리를 정착시키는 것을 말함.

Hot RUN [반도체]
RUN(LOT)들 중에서 특별한 목적을 위해 다른 RUN에 우선해서 진행시켜야 하는 것들이 있는데 이를 가르키는 것으로 작업의 신속화를  위해 Normal RUN보다 빨리 공정을 진행함이 요구되는 RUN.

Hot Test [반도체]
제품을 고온상태에서 검사하는 것.

HP4145 [반도체]
Wafer Level 반도체의 DC 특성을 여러 가지 조건을 변화시켜 주면서  그 결과를 Graphic 또는 도표로 표시하여 주는 Bench Test tool.

H/S(Heat Sink) [반도체]
방열판, 즉 PKG에 붙어  있어 열을 방출시키는 작용을 하는  판.

HSPICE [반도체]
Unix Language를 이용한 Analog 회로 Simulatior로써 Berkly SPICE,  ASPEC 및 기타 Simulator들을 기초로 만들어졌으며, Steady State,  Transient 및 Freguency 등에 대한 전기회로들을 Simulation 할 수  있는 Tool.

HTO(High Temperature Oxidation) [반도체]
고온산화. 실리콘 표면에  산화막을 형성하는데 있어서 가장 많이  쓰이는 방법의 하나이다. 고온도속(900℃)에서 Si웨이퍼를 넣고  이것에 산소, 수증기와 같은 산화성가스를 보내서 Si  웨이퍼 표면을 산화하여 SiO2를 만드는 방법.

HTRB(High Temperature Reverse  Biase) [반도체]
"고온  역 Bias  시험"으로서 Device에 Bias를 인가하여 고온의  Oven 속에서 진행되는 시험을 말함.

HTS(High Temperature Storage) [반도체]
"고온  보관 시험"으로서, 고온(125℃)의 Oven속에서 Device를 저장하는 환경 시험을 말함.

HUB [반도체]
제어패널 또는 플러그 보드 위의 소켓으로, 신호를 전송하기 위해  전기 단자나 플러그 와이어를 연결할 수 있으며 특히 신호를 여러  다른 선으로 분산시켜 내보낼 수 있는 기기.

Humidity  습기, 습도. [반도체]

HVAC Heating Ventilation and Air Conditoining(空氣調和  시스템) [반도체]
실내공기의 온·습도 조절 및 통풍(순환)을 포함한 공기처리 시스템.

Hybrid-Circuit [반도체]
한 기판 위에 여러 종류의 능동조사,  수동소자 또는 집적회로  등을 부착시킨 전자회로를 말하며, 혼성집적 회로라고도 함.

Hybrid I. C [반도체]
반도체 기술과 박막(THIN FILM)  또는 후막(THICK FILM) 기술의 양쪽을  혼성하여 만들어지는 I. C를 말하며 반도체  기술에 의해 다이오드나  트랜지스터 등을 만든 기판위에 다시 절연층을 만든후 박막기술 및  후막기술에 의해 배선이나 저항, 콘덴서 부분 등을 만들어내는  혼성형 I. C를 말함.

I-Line Steeper [반도체]
사진 공정시 사용되는 가시광선의 광원중, 자외선  영역의 365㎚의 파장을 갖는 사진 장비.

Iagc(AGC Current)   [반도체]
AGC 전류.

Ib(Base Current)   [반도체]
베이스 전류.

IC(Collector Current)   [반도체]
콜렉터 전류.

IC Memory [반도체]
종래의 자성체 대신에 바이폴라 TR이나  MOS TR로 F-F를 구성하여 기본 Memory(Cell)를 만든 IC 회로.

IC 카드(Integrated Circuit Card) [반도체]
집적회로(IC)를 내장한 카드의 명칭. 종래의 카드에 비해 기억용량과  안전성이 한층 향상되어 금융, 유통, 의료 등 응용분야가 넓고  다기능적인 역할을 가진 다음 세대의 카드로 기대된다.

Icc(Circuit Current)  제품공급 전류. [반도체]

ICCE(International Conference on Consumer Electronics) [반도체]

ICE(In Circuit Emulator) [반도체]
Program 개발시 전 Debugging 과정을  통제하는 H/W System.

ICOT(Institute for new Generation Computer Technolgy) [반도체]
일본에서 82년 차세대 컴퓨터를 개발하기 위해 설립한 연구소.

IC Tester(집적회로 검사장치 Integrated  Circuit Tester) [반도체]
출하직전  IC의 전압이나 저항 등의 전기적  특성을 검사하고 불량품을  제거하는  장치. 불량품과 양품(良品)을 자동적으로 구별하는  ATE(Automatic  Test Equipment=전자동검사장치)가 주류를 이루고 있음.

ID-TV(Improved Definition TV) [반도체]
현행 TV  방식에서 수상기만을 개조하여 고화질을 추구한 방식.  가격  경쟁력이 없어 향후 제품으로서의  방향은 불투명한 상태임.

IDP(Integrated Data Processing) [반도체]
EDPS(전자정보처리시스템) 방식을  더욱 발전시켜 지역적으로 분산해서  발생하는 데이터를 집중처리하는 방식.

I·D Card(Indentification Card) [반도체]
(소지인이 누구인가를 가리키는) 신분 증명서.

Ids [반도체]
MOS TR에서 동작시 Source와 Dran간에 흐르는 전류.

Ie(Emitter Current) [반도체]
에미터 전류.

IEC(International Electrotechnical Commission) [반도체]
국제전기 표준회의.

IEC(Integrated Equipment Computer) [반도체]
앞으로의 집적회로가 지향하는 추이로서, 모든 장비의 기능이  하나의 반도체 집적회로로 구성되는 것.

IEEE(Insitute of Electrical and Electronics Engineers) [반도체]
미국의 전기 전자 공학회로서 전세계에 회원이 분포되어 있고, 각종 학술관계 간행물을 발간하고 있음.

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors). [반도체]

IGFET(Insulated-Gate-Field-Effect-Transistor) [반도체]
(MOSFET의 다른 명칭).

I2L(Integrated Injection Logic) [반도체]
저항 대신 Bipolar Transistor 형태의 구조인 PNP형 Transistor 부하와  역 동작을 하는  NPN형 Transistor를 이용한 논리회로로 전력소모가  적고 속도가 빠름.

I3L(Isoplanar Integrated Injection Logic) [반도체]
I2L의 개량된 기술로 이루어진 논리회로로, 각 소자사이를 산화막으로 격리시켜 집적도를 상승시킨 것.

ILT(Infant Life Test) [반도체]
초기수명시험(신뢰성) 48시간 Burn In과 같음.

Image Sticking(잔상) [반도체]
동일 화면을 장시간 켜 두었을 때 화면이 바뀌어도 상이 남아있어 오랜동안 없어지지 않고 남아있는 것을 말하며, ghost 효과라 한다.

IMO(Inter Metal Oxide) [반도체]
Multi Level Metal Process를 적용하고 있는 공정에서, 각 Metal  Layer간의 절연을 위하여  사용되는 Oxide를 말함.  주로 Low  Temperatare에 의한 PECVD Oxide(TEOS 및 SiH4계)가 사용.

Impact Ionization [반도체]
고체격자 내에서 Electric field에 의해서 가속된  electron과  atom이 충돌하여 electron-hole Pair를 생성시키는 현상을 말함.

Implanter(이온 주입기) [반도체]
불순물을 강제로 Wafer에 주입시키는 장치로써 고전류,  중전류, 저전류 이온 주입기 등 3 종류가 있다.

Implanting(이온주입) [반도체]
Wafer 내부로 B(붕소)나 P(인) 등을 Implanter를 이용해 주입시키는 것을 말함.

Impurity [반도체]
반도체의 전기흐름에 기여하는 각종 원소를 말하며,  P형과 N형 불순물로 나눔.
P형 : B, Al, Ga, In 등
N형 : P, As, Sb 등

Incomplete Block Design [반도체]
불완비 Block 계획법. 실험공간이 실험의 반복 수행에 필요한  실험단위가 모두 포함되어  있지 않은 Block 상태로  분리되어 있는 실험계획법을 말한다.

In-Control Process [반도체]
평가되고 있는 측정치가 통계적 관리상태에 있는 공정.

Index Feeding [반도체]
작업대 위에서 작업을 하거나, 작업이 종료된 Lead Frame이나  이송되는 자재를 이동시키는 것.

Index Register [반도체]
메모리내의 Address를 지정하기 위한 Register.

Induced Cholesteric Phase [반도체]
네마틱상에  액정상을 갖는 광학 활성인  카이랄 분자를 가하면  콜레스테릭상이 나타난다. 이를 유도 콜레스테릭상이라 한다.

Induced Smectic Phase [반도체]
혼합 액정에 있어서 제각기 성분  단독으로 스메틱상을 만들지 않는  경우에도 혼합계에서는 어떤 성분비의 범위로는  스메틱상을 만드는 데, 이를 유도 스멕틱상이라 한다.

Indum arsenide  InAs, [반도체]
Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중의 하나임.

Initial Oxide [반도체]
Si과 Nitride가   상이한 열팽창계수를 갖고  있어  이로 인한  Tensile Stress(1×109 DYNE/㎠)로 인해 이후 열처리 공정에서  결정결함의 발생 확률이 높으며, 이의 방지를 위해  사용하는   Buffered Oxide의 구실을 한다.  또, 이 Oxide의 두께는  향후 Bird's Beak에 영향을 끼치기도 한다.

Injection(주입) [반도체]
PN 접합면에 있어서 각 영역의 다수 캐리어가 반대쪽 영역으로  소수 캐리어로 되어 흘러 들어가는 현상.

Ink [반도체]
불량을 표시할 때 사용도는 액체.

Inker [반도체]
Wafer 검사시 불량품에 Ink를 찍는 장치.

Inking [반도체]
Package 공정에서 양품의 제품에 대해서만 Package하도록 Wafer 상태에서 불량인 제품에 대해 Inking을하여 양품과 불량품을 나누는 공정.

Inorganic Filter [반도체]
특별한 파장의 빛에 광학적 간섭이 강하게 나타나도록 무기물을 사용하여 얇은 막을 만들어서 광을 통과시켜 착색하는 방법.

Inprocess Inspection [반도체]
공정중의 결함(defect) 유무를 검사.

Input Buffer [반도체]
외부 Signal에 대하여 반도체 소자내부의 Voltage Level에 맞도록 조정하여 받아들이는 회로. Logic Level이 결정되는 Logic Low라고 인식하는 최고 전압이 가능한 높은 전압을 갖는 것이 바람직하다.

Input Level [반도체]
Device에 가해주는  외부 파형들의 전위로서 Device가  특정상태(High, Low)를 인식하게 딘다.

INSEC(International Semiconductor Cooperation Center) [반도체]
반도체 국제 교류센터(일본).

Inspection(Normal) [반도체]
보통검사. 공정이 합격품질수준 또는 그보다 다소 나은 상태에서  진행되었을 때, sampling법에 의해 적용되는 검사를 말한다.

Inspection(100Percent) [반도체]
전수검사. Lot 혹은 Bath 내의 모든 단위체를 검사한다.

Inspecion(Rectifying) [반도체]
선별형 검사. 불합격 판정된 Lot이나 Batch에서, 특정 수 또는 모든  단위체에 대한 검사를 실시하는 동안 불량품의 교체 및 제거하는 검사를 말한다.

Inspection(Tightened) [반도체]
까다로운 검사. 정규(보통) 검사에서 적용했던  기준보다 더 엄격한  합격판정 기준을 사용하는  sampling 검사방법을 말한다. 까다로운  검사(Tightened Inspection)는 제시된 품질수준이 상당히 나쁠 때,  불합격 Lot의 확률을 증가시키기 위한 보호수단으로 사용된다.

Insulator   [반도체]
도체와 도체를 연결시켜 주는 부도체 물질을 말함.

Interaction    [반도체]
교호작용. 하나이상의 인자의 각 수준들에 있어서, 한 인자의 각 수준에 대한 결과를 세밀히 비교하기 위한 측정치(방법)를 나타내는 말이다.

Inter-bay [반도체]
Bay와 bay간 물류이동을 말하며 clean way(AGV,  Track)가 많이 사용되고 있다.

Interface [반도체]
Amp 및 Computer 등에 사용되는 것으로서, 주변기기를 서로 연결할 때  동일한 조건으로 상호 교류가 가능하도록 해주는 일종의 신호변환 장치.

Interface Trap Charge(Dit or Qit or Nit) [반도체]
Silicon과 SiO2 계면 사이에 존재하는 State로써 불순물이나 Radiation  Damage, Lattice 격자 결함 등에 의해 발생된다. 이 Charge들을  Fast Surface State라고도 한다.

Interlaced Scan [반도체]
모니터 혹은 TV 등의 화면 Scanning에 관한 주사방식으로 주사할 화면에  대하여  상단부터 하단까지 홀수 화면과 짝수 화면으로 구분하여 주사하는 방식. (참조 : Non-Interlaced)

Interleave  Mode [반도체]
메모리  사용속도를  높이기  위해  사용하는   메모리  Read/Write에  대한 방식이며 System 전체의 성능을 향상시킨다. 이 방식은 2개 이상의  메모리 Access가 이루어지는 동안 다른   Bank는 Rrecharge  Time동안  RAS  신호를 Active시켜   메모리 Access함으로써 메모리 사용속도를
높인다.

Inter Metallic Compound(금속간화합물) [반도체]
두종류 이상의 금속이 결합하는 일종의 화합물로서 그 결합비율이  일정한(MOL)비로 되는 점이 합금과 다르다.

Internal Clock Switching [반도체]
CPU에 공급되는 CLK의 Speed를 High에서 Low로 Low서 High로  전환하는  것으로  Seat CHIPSET에서는  CLK 2IN과  AT CLK에서 하나를 CLK  Source로 선택 사용하여 CLK 주파수를 변환시킨다.

Internal Memory(내부 메모리) [반도체]
전자계산기에 있어서 사람의 손을 거치지 않고 자동적으로 이용할 수  있는 메모리. 레지스터, 콘트롤 메모리, 메인 메모리를 가리킨다.

Intra-bay [반도체]
Bay 안에서 장비간 물류이동을 뜻하고 AGV나 track이 사용된다.

Intrinsic [반도체]
P형 혹은 N형의 전기적인 성질을 나타내지 않는 것을 나타내며, 이러한 영역에는 P형 혹은 N형의 불순물이  없거나 동일한 양의 불순물이  있어  서로 상쇄되어 전기적인 성질의 나타나지 않는 영역을 나타냄.

Inversion [반도체]
MOS FET에서 Gate전압에 의해서 생긴 P→N-type 변환이나 N→P-type 변환을 말함.

Inversion Wall(반전벽) [반도체]
열 평형 상태에서도 질서상이 체계 전체에 걸쳐  존재 하지 않고,  어느 정도 축된 상태가 공존하여 존재하는 경우가 많다. 이러한 상태간의 경계를 벽이라 하는데, 여기의 좁은 뜻으로는 위상 만큼 차이나는  상태간의 벽을 의미한다.

Inverted Staggered(역적층) [반도체]
비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 주로 이용되는 구조로 게이트  전극이 제일 밑에 있고 소오스와 드레인 전극이  활성층 위에 존재하는 구조를 말한다.

Inverter [반도체]
Digital Circuit에서 1→0, or 0→1로 변환시키는 회로.

I/O(Input Output) [반도체]
정보를 전달하거나 수신하는 곳 또는 입출력 장치를 말함.

Ion Beam Lithgraphy [반도체]
기존의 Optic, X-ray, electron beam을 이용하는 방법보다 더 발전된  형태의 Lithography  방식으로서 보다 정밀한 해상도를 얻을 수 있음.

Ionizer [반도체]
이온,  이온을 순차적으로 발생시켜 대기중에 발생된 정전기를  제거하는 장치(대전물에 존재하는 이온을 중화시킴).

Ion Implantation [반도체]
반도체 소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록  반도체 기판 위에  필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을 물리적으로 주입하는 것.

Ion Injection [반도체]
Silicon 등에  확산법에 의해 불순물을  넣어 주는 것이  아니라  Ion을 쏘아서 원하는 깊이, 원하는 갯수만큼의 불순물을 주입하는 것.

Ion Shell(이온각) [반도체]
최외각 전자를 제외한 나머지 전자와 원자핵의 결합.

Ionization Energy(이온화 에너지) [반도체]
원자를 이온화하는데 필요한 Energy.

I·R Oven [반도체]
적외선 오븐.

IPA(Iso Propyl Alcohol) [반도체]
세정하거나, 휘발성을  이용하여 건조시킬때 사용되는 화학물질임.

IPO(Inter Poly Oxide) [반도체]
도체인 Poly Si과 Poly Si 사이의 절연을 위한 oxide.

ISA(Industry Standard Architecture) [반도체]
원형 PC와 AT 컴퓨터에서 사용되는 버스신호와 Timing에 관한 것.

IS/B(Secondary Breakdown Current) [반도체]
2차 항복 전류.

ISDN(Integrated Services Digital Network) [반도체]
전기통신망(電氣通信用)의 장래  형태로서 전기, Facsimile, 화상, Date,  전보, Telex 등 복수 서비스를  제공할 수 있는 종합적인 Digital 교통망을 ISDN(=Digital 종합 통신망)이라고 부른다.

ISO(International Standardization Organization) 국제 표준기구. [반도체]

ISO-Planar [반도체]
Planer 보다 평탄하게 형성시킬 수 있는 기술.

Isolation [반도체]
반도체 집적회로는 한 Chip속에 TR, Diode, 저항 등의 회로소자를 조립해 넣으므로 이들 소자를 먼저 각각 분리하여 고립된 상태를  만들어 놓는 데 이를Isolation이라 한다.

Isolation Diffusion [반도체]
일반적으로 N형의 Epi층을 통하여 P형 Substrate까지 통하도록 진행함.  같은 유형의 Epi층 위에서 다른 전기적 성질을  갖는 영역들을 고립시키도록 하는 목적으로 사용됨.

Isolation in IC [반도체]
반도체 집적회로에서 소자끼리 전기적으로 영향을 받지 않도록 하는 것.

Isotropic [반도체]
물질의 성질이 방향에 따라 다르지 않는 것. 액정 물질은 TNI 온도이상이 되면 등방성이 된다.

Isotropic Etching [반도체]
등방성 식각. 식각  반응이 수직 및 수평(측면)양  방향으로  진행되는 식각 형태.

Isotropic Phase(등방상) [반도체]
물질이 거시적인 물리적 성질이 방향에  따르지 않을 경우, 그 물질은   물리적 성질에 대해 등방적이라고 하며, 외부의 장이 존재하지 않고  열 평행 상태에 있는 모든 물리적 성질에 대해 등방적일 때, 그 상태를  등방상 이라 한다. 이는 가늘고 긴분자 구조에서 분자의 축 방향과  직각 방향에서 물리적 성질을 달리하기 때문이다.

Isotropic Texture(등방성 조직) [반도체]
일정한 수직 배향구조의 네마틱상이나 스메틱 A상 등은 편광 현미경하에서  광학적으로 마치 등방성과 같이 보이기 때문에 그와 같은 배향 구조의  조직을 등방성 조직이라 한다.

ISU(Internatinal System of Units) [반도체]

ITO(Indium Tin Oxide) [반도체]
전기 전도성을 가진 투명도전막. 인듐과 산화 주석의 화합물 (In2O3, SnO2)로 된 막으로 주로 스파터링 방법으로 만듬.

ITR(Inspection Trouble Report) [반도체]
공정상의 Monitor를 통하여 일정한 Criteria 이상으로  발생하였을 경우, 이 Report가 issue되며, 그와 관련된 공정을 Shut-down하여  Corrective action이 완료된 후 정상 가동 가능.

ITU(국제전기통신연합 International Telecommunications Union) [반도체]
국제연합의 전기통신  전문기관, 범세계적으로 주파수 할당, 무선방송의 규제 표준화된 통신절차 및 규격을 정하기 위해 설립.

IV Group Element [반도체]
원소 주기표에서  원자가가 4가인 원소, 게르마늄, 실리콘  등.

IWS(Intel Workmanship Standard)  Operator의 Visual 작업표준. [반도체]

JEDEC(Joint Electron Device  Engineering Council) [반도체]
반도체 제품의 Pin 및 Package 등의 제품설계 spec.을 정하는 위원회.  미국 EIA(Electronic  Industries Association)의 산하기관이며 미국의  전자업체 및 반도체 메이커로 조직 되어 있는 단체로서 업계 품종을 결정한다.

JEIDA(Japan Electronic Industry Developement Association) [반도체]
일본 전자공업표준 협회.

JESSI(Joint European Submicron Silicon Initiative) [반도체]

J-FET(Junction FET) [반도체]
Depletion Mode만을 사용하며 Source-Drain 영역사이에 Ion 주입 혹은 확산 공정에 의한 Gate 전극을 만들고 Gate에 걸어주는 전압 에 의한 Drain 전류를 제어하는 FET(Field Effect Transistor)를 일컬음.

Jig [반도체]
제품별로 검사 또는 작업을 하기 위해 조사 및 작업 조건환경에 맞게 만들어 주는 장치이며, 제품과 검사 장비간에 연결기능을 가짐.

JIS(Japan Industrial Standard) [반도체]
일본공업규격. 합격품에는 JIS 마크가  붙여진다. 1980년부터 외국제품에 JIS 마크를 인정키로 했다.

JIT(Just In Time) [반도체]
생산시점과 구매시점에서의 부품  필요량을 일치시켜 재고를 최소화하기 위한 재고 및 생산관리시스템.

JPEG(Joint Picture coding Experts Group) [반도체]
정지화상처리 국제표준스펙을 정하는 국제 단체.

Junction [반도체]
하나의 단결정속에 물리적 특성이 다른 부분의 접합면을 JUNCTION이라고 한다.

Junction Depth(Xj) [반도체]
Silicon 표면에서부터 Diffused Layer의 농도가 Background 농도와  같은 지점까지의 거리를 말한다.

Junction Diode [반도체]
PN접합을 이용한 Diode.

Junction Transistor(접합형 TR) [반도체]
3층 구조(PNP 또는 NPN)으로 된 TR.

Junction spiking [반도체]
Metal-Silicon contact에서 Metal이 Silicon을 파고 들어가는  현상을 말함.

Jungle-Box [반도체]
확산로 내로 필요한 Gas를 필요한 양만큼 주입시키기 위하여 Gas  Flow meter(MFC)가 부착되어 있어 Gas량을 조절할 수 있도록 한 것.

Kerf   [반도체]
절단 자국(흔적).
Blade로 절단하였을 때 절단된 자국의 폭을 의미.

Keying Slot [반도체]
인쇄기판이 해당장비에만 삽입되고 기타의 장비에는 삽입될 수 없도록 고안된 슬롯.

Know-How [반도체]
어떤 사람이 그가 가지고 있는  기술을 최고의 조건하에서 실시하는데 필요로 하는 지식.

KS(Korean Standard) [반도체]
공업표준화를 위해 제정된 공업규격.

Kurtosis [반도체]
분포의 뾰족한 정도. γ2가 양이면 분포는  정규분포보다 더 긴꼬리를  갖고 반대로 음이면 정규분포보다 짧은 꼬리를 갖는다. 정규분포에서  γ2=0이다.

Labelling(명명) [반도체]
Wafer에   RUN번호를 기록하거나   확산 Tube에   번호를 Diamond pen으로 기록하는 것을 말함.

Laevoratatory(左示性) [반도체]
빛의 진행방향에 대해 관측자  쪽에서 본 경우 매질을  통과하는 빛의 편광면이 시계 회전 반대방향으로 회전하고 있는 것.

Laminar Flow [반도체]
공기가 유동하면서 서로  충돌하지 않고 일정한 유선을 그리는 층류이동.

Laminar Flow Station [반도체]
먼지를 제거한 순수한 공기만이 흐르게  되어 있는 작업대를 말하며, Filter를 통해 공기가 정화유입됨.

Laminate Vold [반도체]
정상적으로는 레진이 있어야 할 곳에 레지니 없는 상태.

LAN [반도체]
Local Area Network(Ethernet, Arcnet, Token ring, …)

Laptop [반도체]
TFT-LCD  기본적으로 전지를 포함, 중량 3.5kg 이하의 포터블 PC인  Laptop PC에 장착되는 디스플레이 판넬로 보통 8-14인치의 540x600  또는 640x480의 그래픽 모드를 가지며 pitch 0.24, 0.33㎜정도이다.

LASER   [반도체]
(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation).

Laser Diode [반도체]
반도체  레이저에서 레이저 발진을  일을키는 하나의 방법으로서  PN접합에 큰 전류를 흘려서 소수캐리어를 다량으로  주입하는 방법이  있다. 이것을 반도체 접합형 레이저 또는 주입형 레이저라 하며  이것에 쓰이는 PN접합을 레이저 다이오드라 한다.

Laser Interference Method [반도체]
Etch 공정시 Wafer 표면에 주사시키는 Laser의 반사파를 추적하여  반사파의 파장이 노출되는 박막의 종류에 따라  변화되는 신호를 기준점으로 활용하는 방법.

Laser Recrystallization [반도체]
엑시머 레이저를  이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로  재결정화 시키는 방법을 말한다.

Laser Repair [반도체]
반도체 제품에서 Data 저장소의 일부(혹은 회로일부)가 제조공정 에 의해 그 기능을 제대로 발휘하지 못할 경우 LASER를 사용해서  일정부분의 회로를 끊어 다른 Data 저장장소(혹은 다른회로)로 대체하여 제품기능에 이상부위를 정상으로 동작할 수 있도록  회로를 교체해 주는 것.

Laser Scriber [반도체]
반도체 Wafer로부터 Die를 잘라내는데레이저 광선으로 금을 긋는 장치를 Laser Scriber 또는 Laser Cutter 이라고 한다.

Laser Test [반도체]
Yield 향상을 위해 Fuse를 Laser로 끊어내는 작업.

Lasera [반도체]
유도 방출에 의한 빛의 증폭.

Latch [반도체]
신호의 일시 기억용으로 사용되는 회로.

Latch Up [반도체]
CMOS 구조에서 외부의 전압, 변동이나, 전기적 잡음 또는 ionizing  radiation 등으로 Turn on되어 소자의 동작을 방해 또는 파괴시키는  동작을 말한다.

Latin Square [반도체]
Latin 방격. 세 인자중의 한 인자의 수준수와  다른 두인자의 수준수의 조합이 한번에 1회씩 나타나는(발생하는) 실험법을 말한다.

Lawer Cutter  [반도체]
LASER SCRIBER.

Layer [반도체]
반도체 IC를 만들기  위해서는 Si-Wafer위에 순차적으로  층(Insulator,  Conductor 등)을 쌓아가면서 Photo/Etch 공정을 거치면서 원하는 Pattern을 형성하게 되는데 이러한 층들을 의미한다.

Layout [반도체]
Simulation을 통하여 축출된 Circuit을 실제의 제품생산을 위해 Design  Rule 및 공정 조건에 의하여 그린 설계 도면.

Layout Plot [반도체]
Layout을  육안 검사하기 위해  전체 혹은 일부를  배율조정해서  Hard Copy로 출력한 도면으로 C-MOS  LSI 등에 있어, 어떤 특정한  상태에서 기생하는 THYRISTOR 또는 TRANSISTOR가 도통하고 전원단
자간에 대전류가  흐르며, 회로 동작이 고장상태가 되기도 하여,  IC가 전류에 의해 파괴되는 현상을 말한다. C-MOS에서는 미세화에  따르지 않는 이상동작이 문제가 되고 있다.

L/B(Loadboard) [반도체]
Test System에서 사용되는 일종의 Jig.

LC(Local Controller) [반도체]
공정간 반송에서 vehicle에 주행지시를 한다.

LC(Liquied Crystal) [반도체]
물질이 가열되어 고체에서 액체로 변화될  때의 어떤 특정의 유기재료에  나타나는 중간상태를 가리킨다. 이  상태에서는 고체처럼 분자가 어떤  특정한 질서를 갖고 배열하며  점성이 낮은 액체와 같은 유동성을  겸비하고 있다. 이것이 액상결정 즉 "액정"이다.

LCD(Liquid Crystal Display) [반도체]
액정(liquid crystal)을 이용한  문자나 숫자 표시판으로, 두 개의  유리판 사이에 액정을 넣고 전압에 의하여 원하는 문자를 표시하도록 한 장치.

LCL(Lower Control Limit) [반도체]
하한관리 한계선.

LD(Laser Diode) [반도체]
초소형화시킨 레이저로서 가장 높은 효율을 보이며 P-N 접합을 형성시켜  전류주입으로 레이저에 필요한 이득을 얻는다. LD로 얻을 수 있는  Power는 1W이하가 대부분이며 10mW급이 통상적으로 사용되고 있다.

LDD(Lightly Doped  Drain) [반도체]
Doping이 낮게   되는 영역(N-)을  이용하여 Device의 동작 전압을 향상시킬 목적으로 사용하는 공법.

LDMOS(Lateral Diffused  MOS) [반도체]
고전압 회로에  응용하기  위하여 기존 MOSFET를 변형한 구조로  Source와  Drain 확산 사이가  채널영역과 표동영역(drift region)으로 분리되어 높은 항복전압 특성을 나타낸다.

Lead Finishing [반도체]
반도체 제품의 Lead 표면을 대기중 산화와 부식으로부터 보호하고  납땜 신뢰도를 높히기  위해 주석도금(Tin), 납땜(Soldering) 혹은  납 도금(Soler Plating)하는 공정.

Lead Frame [반도체]
TR,  diode, I.C 등의  반도체 제품을  조립시 Sawing된 Die를  Attach 시키는 머리빗 모양으로  정형된 얇은 금속판. 재질별로  Alloy 42, Copper, Kovar, Steel  등으로 구분되며 형태별로는  IDF와 TTT형이 있음.

Leak [반도체]
세그먼트와 세그먼트 사이 또는 pin과  pin 사이에 도전성을 지닌 이물질 등에 의해 이상전류가 흘러  불량이 일어나는 상태.

Leak Current [반도체]
누설전류라고도 하며 원래 전류가 흐르지 않아야 할 곳에 전류가  흐르는 것을 말한다.

Leakage [반도체]
보통의 input나 tristated output은 open circuit같이 high impedance로서 표현될 수 있다. leakage는 규정된 voltage가 인가되었을 때  input과 triasted  output에 누설되는 current양를 말하며,   input leakage와 triasted leakage가 있다.

LED(Light Emission Diode) [반도체]
반도체 소자로서 전류가 통과할 때만 빛을 발산하는 Diode(PN 접합형 반도체).

Legend(식자) [반도체]
정상적으로 작동할 수 있도록 기판상에 글자나 숫자나 기호를 표시하여  부품의 위치를 표시하는 것.

LF(Lead Frame) [반도체]
Chip을 접착시킬 수 있는 금속.

LG(Leader Girl)   [반도체]
조장.

LG(Letter of Guarantee). [반도체]

Library [반도체]
Gate Array와 Standard Cell 방식으로 제품을 설계시 배치 배선의 효율성을 높이기 위해 미리 준비된 각종 논리블록의 집합체.

LIM(Liner Induction Motor) [반도체]
일반형 유도 전동기를 축에 따라서 분리하여 1차측 고정자, 2차측 회전자 및 공극을 가각 직선으로 펼친 비회전형 motor이다.

Life Time  Carrier 주입후의 수명. [반도체]

Limited Calibration [반도체]
제한교정. 계측기기의 본래의 정밀도  보다 낮거나, 기능상의 일부분만 교정 검사하는 것.

Linear IC(L-IC) [반도체]
계수형 IC(Digital IC)에 반대되는 것으로, 입력의 크기에 따라 출력이  선형적으로 변화하는 집적회로로, 증폭기, 정전압기 등이 있음. Analog형 증폭을 말함.

Linear Circuit [반도체]
입력에 비례한 출력이 얻어지는 회로이며 Analog 회로라는  용도도  이것과 같은 뜻이다.

Linear regression equation [반도체]
직선회귀  방정식. 두변수들 사이의  직선관계를 나타내는 식.

LIPAS(Line Item Performance Against Schedule) [반도체]
계획대비 항목별 달성율.

Liquid Crystal(액정) [반도체]
액체의 유동성과  결정의 광학적 성질을 겸비한  액체나 고체의 중간적 성질을 갖는 물질이다.

Liquid Phase Epitaxy(액상 에피택셜) [반도체]
주로 화합물 반도체에 사용하는 에피택셜법이다. 고온도속에서  Ga,  Sn 등의  용매  금속에 화합물 반도체(이를테면 GaAs 등)를 용해시켜 두고 다음에 이것을 과포화 상태로하여  기판위에 단결정을 성장시키는 방법이다.

Lithography [반도체]
IC, LSI 등의 Micro Fabrication에 쓰이는 기본적인 기술로서 석판인쇄술이라고 한다.

LN2(Liquified N2) [반도체]
액화된 N2 GAS, 저온을 필요시 사용.

Load [반도체]
카드 리더나 디스크 장치 등의 주변장치로부터 Program이나 Data를  중앙 처리장치 내의 내부 Memory에 기억시키거나, 내부  Memory에 기억되어 있는 명령 Code나 Data를 중앙처리장치 내의 Resistor에 기억시키는 것.

Loader [반도체]
Stocker의 공정간(입출공정간) 반송 정지 station 사이에서 cassette를 주고 받는데 사용되는 Unit.

Load Circuit [반도체]
Test시 Device에 실제 Application과 유사한 환경을 인위적으로  조성하기 위해 출력단에 저항, Capacitance를 가해 주는 Circuit.

Loading [반도체]
Wafer를 Carrier 혹은 Boat에 Tweezer 또는 기계를  사용하여 담는 것을 말함.

Loading Effect(전계효과) [반도체]
식각 공정시에 발생되는 문제로 Pattern 밀도의 차이 및 Pattern 크기에 따라 식각 속도가 달라지는 현상.

Loading fixture [반도체]
Lead Frame을 성형할 때 편리하도록 만들어진 기구.

Local [반도체]
Line에 있는 장비를 operator가 직접 Control하는 상태.

Local Oxidization of Silicon [반도체]
선택산화.  산소나 수증기의 확산에 대하여 큰 저지효과를 갖는 막 (예를들면 질화 silicon막)을 남긴 영역과  제거한 영역들을 동일 silicon 기판상에 형성하고, 이들 영역에서의 열산화막 성장속도의
차이를 이용하여 선택적으로 특정영역에만 두꺼운 산화 silicon막을  형성하는 방법으로, 일반적으로 질화 silicon막의 아래에는 변형에 의한 결정결함이 발생하는 것을 방지하기 위하여 산화 silicon막이
설치된다.

LOCOS(Local Oxidation of Silicon) [반도체]
PHILIPS사에 의해서 개발된 것으로 Si2N4을 산화마스크에 사용하는 것이다. Cell간의 절연을 목적으로 사용된다.

Log [반도체]
기록대장. 즉 현장에서 전달사항 및 Data를 기록해 높은 Note.

LO2Gas(Liquid Oxygen Gas) [반도체]
액체 산소 가스.

Logic Analyzer [반도체]
Hardware의 functionality를 조사하는데 사용하며 Hardware의 logic level을 검색할 수 있는 장비.

Logic Circuit(논리회로) [반도체]
취급신호를 전압이 높은 상태와 낮은 상태만으로하여 이것을 2진수로   대응시켜 논리연산, 기억, 전송, 변환 등의 조작을 하는 것이다.

Logic Unit [반도체]
AND, NAND, OR, NOR회로에 있어서  논리 동작을 하는 회로의 기본단위를 말한다.

Logistics [반도체]
군사용어로서 병참학이라고 한다. 기업의  생산에서 판매에 이르기까지 원재료 및 완제품을 합리적으로 관리하기 위한 운송, 보관하는 것을  일컫는 용어이다. Material Tracking(Tracking, Trackout).

Logic Simulation [반도체]
IC 설계과정중의 하나로 functionality를 검증하기 위해  logic value 값을 이용하여 수행하는 실험절차.

Logic  Synthesis [반도체]
HDL로  기술된  Netlist를  입력으로하여  Logic  level schematic를 합성하는 설계의 한 방법. 설계하려는 시스템의 구성을 하드웨어 기술언어의 일종인 VHDL을 이용하여 기술하여 주면 Logic이 생성된다.

Login [반도체]
사용자가 시스템에 등록하는 절차로서 사용자 확인, 등록 관리, 사용자와  시스템간의 네트워크 정보의 교환 등의 처리절차.

Loopback Test [반도체]
EQS를 띄우기 전에 HOST와 장비간의 통신을 Simulator하는 방법.

Loss(6大) [반도체]
① 고정정지로스 : 폭발적, 만성적으로 발생되고 있는 고장정지에  수반되는 시간적인 로스
② 작업준비·조정로스 : 준비작업 기종대체에 수반하  는 시간적인  로스. 생산을 정지하고 나서          다음 품종으로  대체, 최초의 양품이 되기까지의 정지시간
③ 공전·순간정지 로스 : 일시적인 트러블에 의한 설  비의 정지 또는 공전에 의한 로스
④ 속도 저하로스 : 이론 사이클  타임과 실제 사이클 타임과의 차를 로스로써 포착한다
⑤ 불량로스 : 공정중에 불량이 되는 물량적 로스
⑥ 초기유동관리 수율로스 : 초기생산시에 발생되는 물량적 로스
(태업시나 작업준비 기종대체시에 발생되는 로스)

Lot [반도체]
Sampling 목적으로, 균일한 조건하에서 누적되는 재료나 제품의 정의된 량.

Lot [반도체]
Wafer의 한 묶음.

Lot-by-Lot [반도체]
Inspection  개별검사. 일련의 Lot들로 제공된  제품의 검사를 말한다.

Low Power  Part [반도체]
정상적인  Power 소모량보다  월등히 소모전력을  줄인 Device로서 Portabel형 장비에 많이 사용됨.

Low Tolerance Limit(LTL) [반도체]
products나 service의 개별단위에  대한 적합기준의 낮은 쪽의 경계를 정의한 허용한계.

LP(Lens Paper) [반도체]
Lens 세척용 종이.

LPCVD(Low Pressure CVD) [반도체]
상압보다 낮는 압력에서 Wafer  위에 필요 물질을 Deposition하는 공정에서 사용반응 Gas들의 화학적 반응방법을 이용하여 막을 증착시키는 방법으로서 확산공정에서 사용.

LRR(Lot Reject Rate) [반도체]
Gate에서의 lot reject 비율.

LSB(Least Significant Bit) [반도체]
최소 유효자리 비트(바이트)↔MSB의 반대.

LSI(Large Scale Integration) [반도체]
논리 회로의  기본 소자인 Transistor 100개 이상으로 형성된 집적 회로.

LSIC(Large Scale Integrated Circuit) [반도체]
소자 수 1,000개 이상,  Gate수 100개 이상의 고집적회로.

LTO(Low Temperature Deposition of Oxide, 저온 산화막 증착) [반도체]
LPCVD 방식으로 400∼450℃의 비교적 저온에서 산화막을 증착하는 방법.

LTP(Low Temperature Passivation) [반도체]
일본 HITACHI사에서 발표한 Silicon TR의 제조법.

LTPD(Lot Tolerance Precent Defective) [반도체]
Lot 허용 불량율. 계수 선별형 Sampling 검사로서 Lot 품질 보증이란, 개개의 Lot의 품질을  보증하는 것으로, 그렇게 하기 위해서는 미리 받아 들이고 싶지 않은 Lot(Sampling 검사에서 불합격으로 하고 싶은 Lot)의 한계 불량율을 정하여 둘 필요 가 있음. 이 한계 불량율을  Lot 허용 불량율이라고 하고, 기호로서 Pl 또는 Pt로 쓰기도 함.

LTS(Low Temperature   Storage) [반도체]
"저온  보관시험"으로서  저온(-40℃)의 Oven속에서 Device를 시험하는 환경시험.

Lumieuous Effciency [반도체]
시스템에 들어간 전력에 대해 빛의  출력으로 사용되는 전력의 단위를 말함. 단위 입력  전력당 출력되는 Lumen(광도의 단위)의  값으로 얼마만한 전력이 빛을 내는데 순순히 사용되었는가 하는 효율을 나타낸다.

Luminescence [반도체]
고온의 상태에 있는 물질은 그 온도에 특유한  스펙트럼을 가진 파장의 빛을 복사하는데, 온도에  의해서 정해지는 스펙트럼과 다른  파장의 빛을  나타내는 현상.

LVS(Layout Versus Schematic) [반도체]
Layout이 회로 설계도와  동일하게 그려졌는지의 여부를 점검하는 것.

Lyotropic LC [반도체]
물 또는 유기용매의 혼합에 의해 특정 용액에서 액정상이 출현하는 액정으로 생체 조직에 관계 있음.

Lyotropic Nematic [반도체]
농도에 의해서 등방상·네마틱상의 상전이를  일으키는 액정을 말한다.

Macro Cell [반도체]
기본적인 논리회로를 금속배선을 구현한 Library로서 회로의  내부에 사용되는  Core Macrocell과  외부와의 Interface에  사용되는 Input/Output  Macrocell로 구분된다.
(Inverter, NAND, NOR, TTL Input buffer)

Macro Function [반도체]
Macrocell의 집합체로 Macrocell보다 복잡한  기능을 수행하며 고정된  Library로  구성된 것이  아니라  CAD software를   사용하며 기존의 Library를 조합해서 사용하는 Library.

Macro Loading Effect [반도체]
Wafer 전체  표면적에서 etch해야 하는 면적의  비에 의해 크게 영향을 받는 것을 말함.

Magazine [반도체]
Lead Frame을  한 Strip씩  받아 넣어 취급시  안정하게 보호하는  Carrier로서 재질은 알류미늄.

Magneto Diode(자기 Diode) [반도체]
전기적 특성이 외부에서 가해지는 자계에 의해서 변화하는 Diode.

Main Effect [반도체]
주효과. 실험에서 다른 인자의 모든 수준에  대해 평균화된 각 인자의 순주에 대한 결과를 비교하기 위한 측정치를 나타내는 말이다.

Main Frame [반도체]
⑴ 크기와 기억용량이 큰 컴퓨터
⑵ 컴퓨터 회로판
⑶ 컴퓨터의 중심부분으로서 중앙처리장치, 주기억장치, 입출력 장치와  파워팩(Power Pack)으로          구성되는 것.

Main Memory [반도체]
어(語)마다 어드레스(번지)가 붙여지며 CPU(중앙제어장치)로 붙어  직접 Read, Write를 할 수 있는 Memory를 말한다.

Maintenance Mode [반도체]
BC 및 operatator로부터의 반송 지령에 따라서 stocker의  입·출고 및 공정내 반송을 실행하지 못하며 독립 운전을 행한다.

Magnetic Ink(자기 잉크, 자성 잉크) [반도체]
자석에 붙는  성질을 가진 Ink, TR이나 IC 등을 Wafer의 상태로  특성체크를 할 때 양품과 불량품을 구별하여 이 잉크로 표시를  해두었다가 스크라이브해서 분리할 때 이 표시에 의해서  불량품을  폐기한다.

Magnetic Memory(자기 메모리) [반도체]
자기 메모리는 자화가 비교적 용이하고 또한 전류자기를 안정하게 유지할 수 있는 자성 재료를 써서 메모리를 구성시킨 것이다.

Major [반도체]
경결점. 재생시킬 수 있는 불량.

Majority Carrier(다수 캐리어) [반도체]
불순물 반도체에서 전기전도의 역할을 하는 캐리어인 전자와 정공의  어느 한쪽의 수가 많다. 이  많은 수의 캐리어를 다수 캐리어라 한다.

Manual Station [반도체]
Handler로  검사하지 않고  수동으로 제품을 검사하기  위해  Tester에 부착된 장치.

Mask [반도체]
반도체 소자 혹은 집적회로의  구조를 크롬이 칠해진 유리판위에  형성한  것으로, 사진술을 이용하여 유리판의 구조를 복사하여 반도체를 제조하기 위해 반도체 소자 회로가 인쇄된 유리 원판.

Mask Epitaxial Method [반도체]
반도체 기판에 필요한 부분만을 선택해서 단결정층을 성장시키는 것을 Mask 에피택설법이라고 한다.

Mask Layout [반도체]
집적회로용 Mask를 만드는데 있어서 소자, 재료, 분리개소, 도통 개소 등의 크기, 형태, 위치 등을 전기적,  자기적, 열적 및 기타 여러가지 면에서 고려하여 가장 효과적인 배치가 되도록 마스크를 설계하는 것을 말한다.

Mask ROM [반도체]
일반적으로 Memory는 user가 read/write하는데  사용하지만, 반도체 메이커가 미리 내용을 write하는  memory를 제조할 때 사용하는  Mask에 ROM 정보를 심어넣어 제작하기 때문에, 이러한 이름이 붙었다.  Mask를 특별히 제작하기 때문에 개발하는데는 많은 비용이 들지만,  일반적으로는 제품을 대량으로 생산하기 때문에 1개당 가격은 낮아진다.  한자 ROM 등 범용성이  있는 대용량 ROM에 사용된다.

Mask Tooling Information [반도체]
Reticle/mask 제작을 위한  Information으로서 내용으로는 PG Data 정보,  Frame 구성 및  PIE 좌표 Scrbe  Line내에 포함된 Align Key에 대한  Information을 포함하고 있어 Vendor에서는  이 정보에 따라 제작한다.

Mass Cylinder [반도체]
눈금이 새겨진  원통형의 용기로써 용액의 부피를  측정하는 데  사용.

Mass Globalization   [반도체]
NEC 국제화 전략의 기본이념으로써, 面의 국제화에 의한  세계적 관점에서의 생산, 공급 구도 전략임.

Master Drawing   [반도체]
전도성이나 비전도성 부품들의 위치,  크기, 형태, 홀의 위치 등을 포함하여 기판상의 모든 부품의 위치 및 기판의 크기를 나타내는 문서.

Maxwell-Boltzmann  [반도체]
통계   개개의 Particle이  구별되며 어떤  P/T도  같은  State(Energy 준위)에 존재할 수 있다는 고전통계방식. P/T가 적고 온도가  높을 경우 이 통계를 따른다.

MBE(Molecular Beam Epitaxy)   [반도체]
각종 파라미터를 정밀하게 제어한  고급 진공 증착법.

MBPS(Mega Bits Per Second)   [반도체]
초당 비트의 전송속도.

MCA(Micro Channel Architecture)   [반도체]
ISA를 대체하기 위해 IBM사가 내놓은  Bus Architecture이나 기존 카드와의 비호환성과 로얄티 문제로 인하여 제한적으로 수용되고 있다.

MCC(Motor Control Center)   [반도체]
Motor의 기동, 정지를 손쉽게  하고, Motor이  상시 사전 차단시켜 소손을 방지키 위한 목적으로 설치한 Panel.

Mcdonnell Switch(맥도넬 스위치)   [반도체]
저수위 차단장치. Boiler의 수면이 위험수위보다 낮아져 전열면이 화염 또는  고온 Gas에 노출되었을 때  과열되어 일어나는  사고를 미연에 방지하기 위해서 Boiler가 위험수위에 도달하기  전에 신호를 발신하는 장치.

MCM(Multi Chip Module)   [반도체]
다중칩 모듈이라고도 불리고 있는 이 모듈은 각기  다른 기능을 가지고 있는 여러 개의 칩들이 한 개의  플라스틱내에 패키화된 것을  말함. MCM의 목적으로 시스템의  면적 축소, 가격절감과 스피드  개선을 위하여 만들어졌으나, 칩동작시 발생되는 과도한 열발생을  감소시키기 위한 노력이 시도되고 있다.

MCU(Micro Controller Unit)   [반도체]
특정 시스템을 제어하기 위한 전용 프로세서.

MDA(Monochrome Display   Printer Adapter)     [반도체]
PC의 원형   Display Option들 중의 하나다. 2개의 디스플레이 강도로 높은 잔상율의  TTL 흑백 모니터를 사용하는 MDA는 80*25 텍스트를 표현한다.

MDS(Microcontroller Development System) [반도체]
MICOM응용 Program의 개발을 위해 지원되는 모든 종류의 Tool.

MDSS(Management Decision Support System)    [반도체]
경영의사결정 지원 시스템.

ME 혁명(Microelectronics Revolution)   [반도체]
IC(집적회로) 등 반도체기술의 진보에 의해 초래된 정보혁명의 제2단계를 가리킨다.

Measling   [반도체]
기판내부의 섬유성분이 교차하는 부분에서  글라스화이버가 분리되는  형태.

Mechanical Pump   [반도체]
저진공에 사용되는 진공 펌프로서 고정체에  대한 회전체의  회전에 의해 밀폐된 공간으로부터 Gas를 뽑아내는 장치.

Median(Med)   [반도체]
중앙치. 홀수 개수인 units를 크기 수으로 나열했을 때의 중앙앙치. x1, x2, x3 일때 Med=x2 짝수개수를 나열했을 때 Median은 두개 중앙치이 평균이다. x1, x2, x3, x4 일때 Med=(x2+x3)/2이다.

Mega Cell   [반도체]
RAM, ROM 등의 Memory 블록과 PC  주변연결회로인 82 Series와 같이 크기가 큰 Logic을 Macrocell과 같은 Library. (counter)

Mega Function   [반도체]
Megacell과 같은 기능을 수행하는 Library를 Macrofunction과 같이 CAD software를 사용하여 조합하는 Library로서 Megafunciton Libr-ary를 사용하면 Disk의 공간을 줄이고 사용자가 원하는 형태로 만들 수 있다.

Memory Cell   [반도체]
Memory IC에서 Data 정보를 축적한 부분. RAM에서는 SRAM,  DRAM, SRAM Cell은 Latch로 구성되며,  DRAM은 Condenser에 의하여 구성된다. SRAM은   구조가 복잡하여  대용량 제품을   만드는데 어렵지만,  반대로  Access, 사용방법의 용이함 등의 장점을 갖는다. DRAM은 Condenser의 전하유무를 Bit 정보로 하고 있다. 구조가 간단하기 때문에 대용량화가 가능하다. 전하가
Leak 등으로 방전되기 때문에, 수시로 Data를 읽어내어 Rewrite하는 조작(Refresh)이 필요하며, 그것을 위한   회로가 필요하다. ROM에서는   Transistor의 유무 (MASK ROM), Transistor의 Th-reshold 전압의 고저, Bit Line으로서의 접속유무로 정보를 기억한다.

Memory Effect   [반도체]
액정 표시에 있어서 전기 광학 효과 등에 의한 표시 상태가 外場을 제거한 후에도 유지되는 현상을 말한다.

Memory Module [반도체]
단일 Memory를 여러개 조합하여 보다 큰 Memory 제품을  말함. (주로 Byte Wide 및 Memory 확장에 응용)

Memory [반도체]
데이터나 프로그램의 명령 등을 정보로 기억하는  장치로서 반도체 메모리, 플로피 디스크, 카세트 데이프 등이 있다.

Mesogen [반도체]
액정 분자에서 중간상 형성 분자.

Metal Gate [반도체]
게이트 전극으로 금속(Al을 주로 사용)을  사용한 절연게이트형  전계효과 TR로서 일반적으로 흔히 볼  수 있는 MOS FET 또는 그와 같은 MOSFET을 소자로 하는 IC를 말한다.

Metallization [반도체]
반도체 소자와 소자를 전기적으로 상호 연결시켜 주는 것.

Metering Pump [반도체]
CH3OH와 H2O를 원료로 혼합된 수소연료를 일정량 수소발생 장치로 이송시키는 Pump.

Methanol Crackng Method [반도체]
Methanol과 Deionized Water를 Mixing하여 촉매에 의해 고온 고압의  상태에서 순수한 수소 Gas를 생성하는 방법.

Method of Least Squares [반도체]
최소제곱범.   e2의 값을 최소화하기 위한  변수의 추정기법을 말한다.  여기서 e는 측정값과 가상모형으로부터의 추정값 사이의 차이를 나타낸다.

MFC(Mass Flow Controller) [반도체]
가스 유량 제어장치.

Micro Bridge [반도체]
Pattern과 Pattern 사이에서 생긴 Bridge로 아주 미세하여 일반 Scope를  이용하여 볼 수 없을 정도이며, 일반적으로 Current level 보다는 Scope상에서의 크기를 기준으로 함.

Micro IC [반도체]
마이크로파 영역에서 동작하도록 설계된 집적 회로.

Microemulsison [반도체]
양친매성 분자의 수용액에  기름(탄산수소)을 가용화시킨 계,  또는 양친매성 분자의 수용액에 물을 가용화시킨 계.

Micron [반도체]
Micrometer 길이의 단이로 1/1,000,000meter를 의미함.

Microprocessor [반도체]
Computer의 CPU에 해당하는 기능을 수행하는 1개의 집적회로(Chip)

Microscope(현미경) [반도체]
Wafer, Chip 상태, 방제품 또는 완제품  외관검사를 검사할 때 사용함.

Midrange [반도체]
범위의 중앙치. 관측치 중 가장 큰수와 가장 작은수의 산술평균.

Mil [반도체]
길이의 단위 1/1,000Inch. 약 25.4㎛.

Mil-Std-202 [반도체]
미군용  표준의 하나로서  'Test  Methods for  Electronic and  Electrical Component Parts'의 표제가 있는 것이다. 개정판이 나올 때마다 뒤에 알파벳의 첨자가 붙는다.

Miller Capacitance [반도체]
MOS 구조에서  Source 및 Drain의 Gate  Overlap 으로 발생되는  Capacitance이다.

Minority Carrier(소수 캐리어) [반도체]
불순물 반도체에서 전자나 정공중에  작은 쪽의 캐리어를 소수 캐리어라 한다.

MIPS(Million Instructions Per Second) [반도체]
컴퓨터가 1초간에 몇 백만개의 명령을 실행할 수 있는가의 처리속도를 나타내는 단위.

MIS(Metal Insulator Semiconductor) [반도체]
금속·절연막·반도체의 구조로 되어있으며 금속성 전극에 전압을  가하고 절연물을 통해서 반도체의  표면을 제어하는 Device의 총칭임.

MIS(경영정보시스템 Management Information System) [반도체]
경영의 내외 전반에 관한 정보를 통합적으로 확보하여 각 분야에서의 의사결정을  신속히 수행하는 동시에 기업을 종합시스템으로 통합관리 운영하는데 필요한 정보를  산출하여 의사결정과 의사 조정을 유기적으로  관련시키는 시스템.

Mis-Align [반도체]
감광 원판(mask)의 형상과 wafer의 형상간에  부정확한 정열이  이루어진 것.

Mixing Pump [반도체]
수소 제조에 필요한  원료인 CH3OH와 H2O를 63.5%:36.5%로  혼합시키는 두개의 Head로 구성된 Pump.

MLM(Multi-Layer Metal) [반도체]
IC의 집적도가 증가함에 따라 metal 1 layer의 배선으로는 무리가 생긴다.  따라서 절연층을 사이에 두고 금속 배선을 2중, 3중으로 하여 집적도를  증가시키는 배선 기술을 다층 배선이라 한다. 금속배선이 2중인 것을 DLM(Double  layer  Metal), 금속배선이  3중인  것을 TLM(Triple-Layer  Metal)이라 한다.

MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) [반도체]
마이크로파 대역의 회로를 wafer상에 집적시킨 IC로서 기판상에 Inductor,  Capacitor, 저항, Transistor 등 을 만들어 마이크로파용 배선으로 상호연결하여 제작한다.

MO Tape(MASK ORIGINAL TAPE) [반도체]
설계가 완료되어 실제 mask를 제작한 data를 말한다.

Moble Ionic Charge [반도체]
Mobile Charge의 대부분을 Na+이며, 다른  유동 양이온인 Li+, K+도 비슷한 효과를 나타낸다. MOS Capacitor에서 Na+의 존재는 고온에서 Bias를 준 상태에서 Shift하는 C-V PLOT의 이동으로 알 수 있다.

Mobility [반도체]
기체, 액체, 고체 속의 전자, 음이온, 양이온 등이 전계의 작동에 의해서만 이동할 경우 단위전계강도 10/ m당의  평균속도이며 이동도라고도  한다. 단위기호는 ㎡/vs이다.

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) [반도체]
MOVPE라고도 부르며 Epi층을 성장시키는 장비이다. 원리는 성장에 필요한  source들을 함유한 기체를 열분해시켜 반응물질을 기판에 달라붙게하는  것으로서 통상적으로 원자 5층 이하의 두께까지 조정이 가능하다.

Mode [반도체]
최빈수. 변수중 가장 빈번히 나타나는 수.

Mode  하나의 기계, 장치, 회로, 시스템 등이 Operation의 방법에 따라서 다른 상태가 되는 것. [반도체]

Model Parameter [반도체]
회로 Simulation하기 위한 목적으로서  공정을 통해 제작된 소자의  전기적 특성을 추출하여 계수화한 값의 집합.

MODEM(Modulator와 Demodulator) [반도체]
데이터 전송용으로 사용되는 변조장치와 복조장치의 총칭.

Module [반도체]
규칙성과 분리성을 가진 몇개의 부품 또는 소자로  구성되며 어떤 정해진  기능을 다하는 단일 부품단위로 간주되는 조립회로이다.

Module 공정 [반도체]
제품특성을 분석하기 위하여 특정 단위공정을 연속적으로 하는 공정.

Molding [반도체]
성형을 말하며 플라스틱을 일정한 형틀(금형)에서 성형하여 제품을  만드는 것이다. 반도체 공정에서는 Wire Bonding된  각각의 제품을 플라스틱 몰딩 컴파운드(성형재료)로 성형하는 공정이며 package
성형시  컴파운드는 고주파가 열기로 예열시킨 후 사용.

Molding Compound [반도체]
Wire Bonding된 반제품을 성형하는 성형재료로서, 고분자 화합물인  수지에 각종 배합제를 가하여 쉽게 만든 열 경화성 수지.

Molding Die [반도체]
규격치 모형에 형을 만들어 놓고 열 경화성 합성수지를 압입시켜  경화된 형 모형에 제품을 만들어 내는 틀.

Monitoring [반도체]
공정 흐름을 감시 및 점검하는 업무.

Monolithic IC [반도체]
1개의 반도체 결정핀으로 된 회로를 가리킨다.

MOP(Metal Oxide Passivation) [반도체]
금속 산화막에 의한 표면 안정화.

MOP(Master Operating Program) [반도체]
Computer 운용체계 Program. Program의 실행을 제어하고 입출력 제어,  컴파일, 기억영역 할당, Data 관리 및 디버그 등 제반 Service등 제공하는 Software.

MOS(Metal Oxide Semiconductor) [반도체]
반도체 위에 산화막을 형성하고 그 위에 도선(금속)을 입힌 것으로,  N-MOS와 P-MOS등이 있음.

MOS FET(Field Effect Transistor) [반도체]
전계효과 TR중에서 절연막을 산화막으로 형성시킨 절연 게이트형 FET의  대표적인 것이다.

MOS IC [반도체]
MOS FET를 사용한 IC.

MOS TR [반도체]
Metal-Oxide Semiconductor로  구성되어 있으며, Oxide  절연체를  통해 전압을 인가해 줌으로써 Channel 전류를 억제하는 Transisiter.

Mosaic Array(모자이크 배열) [반도체]
칼라를 특징짓는 R G·B 화소의  배열 방식으로 각 화소에 해당하는  트랜지스터 및  칼라 필터의 화소 배열을 1단씩  어긋나게 교대 반복하여 배열하는 방식.

Movement [반도체]
한 RUN이 하나의 단위공정으로 진행된 것을 1 MOVEMENT라 한다.

MPEG(Moving Picture coding Experts Group) [반도체]
동화성 처리 국제표준스펙을 정하는 국제 단체.

MPT(Marking Permanency Test) [반도체]
인쇄  지워짐  검사,  인쇄의 경화(Curing) 상태를 판정하는 검사.

M-Pyrol [반도체]
금형내에 존재한 수지찌꺼기, 이 형체의 성분, 기타 유지성분 등을  제거하기 위하여 사용되는 화공약품.

MPU(Micro Processor Unit) [반도체]
마이크로 컴퓨터의 중앙제어기능을 수행하며 그 구조에 따라  해당  시스템에 가장 적합한 궁극적인 응용분야를 결정한다.

MRB(Material Review Board) [반도체]
제품의 신뢰성을 통하여 일정한 Criteria로부터 벗어날 경우,  제공 및 Stock된 제품  등을 포함하여 전반 공정의 Shut-Down을 의미하여, 24hr이내 Corrective Action을 요구.

MRP Ⅱ [반도체]
Management Resource Planning은  수주에서 출하하기까지 resource를 관리 계획하는 System이다.

MRP System(Material Requirement Planning System) [반도체]
협의의 MRP는 자재 소요량 계획으로 직역할 수 있지만 최근에는   원재료부터 최종 제품에 이르는 모든 사물의 흐름을 종합적으로  관리하는 Total 정보 관리 시스템으로 광의의 해석을 택하고 있다.    MRP System은 계획 중심의  시스템인 동시에 Formal한 시스템이며  Just in Time 시스템이기도 하다.

MSB(Most Significant Bit) [반도체]
컴퓨터의 1워드를 구성하는 비트  중 가장 비중이 큰 Bit 즉 가장 왼쪽에 있는 Bit.

MS-DOS(Micro Soft  Disk Operationg   System) [반도체]
8086을 기반으로 한 CP/M 클론인 86-DOS(SEATTLE COMPUTER PRODUCTS사)에 그 기원을 두고 있다.

MSI(Medium Scale Integration) [반도체]
100개  이하  또는  10개  이상의 논리 Transistor로 구성된 집적회로.

MT(Magnetic Tape 자기 테이프) [반도체]
Computer의 보조기억장치인 Disk에 있는 Data를 반영구적으로 보관하기  위한 매체.

MTO(Medium Temperature Deposition of Oxide) [반도체]
LPCVD 방식으로 약 800℃ 정도의 온도에서 산화막을 증착하는 방법.

MTBF(Mean Time Between Failure) [반도체]
고장이 발생하기까지의 평균시간을 나타내며, 불량율(FR)의 역수가 됨.

Multi-Chip [반도체]
복합소자나 집적회로(IC)를 만들 때 2개 이상의 Chip을 사용한 것을 Multi-Chip이라 한다.

Multi-Bit Test Capability [반도체]
고집적화된 Memory의 각 Cell의  이상유무를 파악시 장시간이 소요되는 것을 해결하기 위해 여러개의 Cell들을 Parrallel로 Test 하여 Cell의 이상유무를 파악할 수 있는 특별 기능.

Multi-Processing [반도체]
여러 개의 마이크로 프로세서가 한 개의 시스템에 장착되어 각각 서로  다른 일을 독립적으로 시행하는 상태를 말함.

Multiple Diode [반도체]
하나의 케이스속에 2개 이상의 Diode를 포함한 것.

Multiplex [반도체]
공용 통신로를 각각의 통신로를 구성하는 좁은 대역에 송신 주파수대역을 분할하거나(주파수 분할) 또는  각각의 간헐적인 통신로를  구성하기 위해서 순차 분배하는(시분할 다중) 등 둘 이상의 통신로로 사용하는 것.

Multiplexer [반도체]
병렬로 입력된 데이터를  제어입력(선택입력)에 의해 Control하여  직렬로 변환해서 출력으로 꺼내는 회로이다.

Multi Port [반도체]
Random Access Port에 Serial Access Port를 추가한 Memory, Frame Buffer 등의 표시용 Memory로서 사용된다. 일반적으로  Dynamic  RAM으로 Frame Buffer를 구성했을 경우, 표시를 위한 Read 기간중에는  묘화를 위한 Access는 불가능하다. Dual Resister에게로  한 번 Data를  전송해  버리면, Data를 표시하고 있는 동안에 묘화를 위한 Access가  가능하다.  그만큼 묘화속도의 향상이 가능하다. 64K × 4Bit 구성  제품에서는 1회의 RAS에 1024Bit를 내부의 Serial 입출력용 Register에
전송할 수 있다. Dual Port Memory 제어기능을 추가한 Graphic Controller LSI에는   87286(인텔),  TMS34010(TI),  AM95C60 (AMD) 등이 있다.

Myelin Figure [반도체]
스메틱A상의 상태에 있는 어떤 양친매성 분자의 2 분자층이 원주상 구조로 되어 있는 구조체 조직.

N+ [반도체]
N형 반도체에 있어서 특히 도우너 불순물의 농도가 높은 부분이 있다는 것을  나타낼 때 N+를 사용한다.

N- [반도체]
N형 반도체 영역에 있어서 불순물 농도가 특히 낮은 부분을 나타낼 때 쓰인다.

Nail Heading [반도체]
다층기판의 내층회로에 있어서 홀드릴에 의하여 회로가 퍼진  상태.

NAND [반도체]
논리회로중 논리 부정 회로와 AND 논리적 회로를 하나로 만든 것.

Nano [반도체]
단위(10의 -9승).

Nano Line [반도체]
빛의 간섭효과를 이용하는 것으로 입사광의 파장변화에 따른 반사광의 Intensity를 측정해서 박막의 두께 및  반사도를 측정하는 장비.  Wafer의 CD 값을 측정하는 기구로써, 사진이나 식각 공정에서 사용

Nano Spec [반도체]
Wafer위에 입혀진 물질의 두께를  측정하는 장비로서, 확산, 박막, 사진, 식각공정에서 사용.

Narrow Width  Effect [반도체]
MOSFET의 TR   width가 작아지면서  Threshold voltage가 증가하는 현상을  말하며, 이는 Gate  induced space charge의  일부가  fringing field에 의해 작아지므로 같은 양의  depletion charge를
얻기 위해서는 voltage가 증가해야 하는  것과 channel stop dopant  및 bird's beak에  의해  activeedge쪽 gate 아래 substrate가  상대적으로 high density, thick gate oxide 양상을 보이는 것으로  설명될 수 있다.

National Reference Standard [반도체]
원기에 의하여  교정되는 표준기기로 2차급의 표준기기를 교정하는 데 사용되는 것.

National Standard [반도체]
계측 분야별 7개 기본 단위·유도단위 및 기타 특수단위에 대하여 최고 정도를 갖는 국가의 현시용 및 유지용 표준기기.

Navigation TFT-LCD [반도체]
LCD의 일종으로 항법 장치에 사용되는 디스플레이로 경량, 박형이며  인명에 관계된 것이기 때문에 고신뢰성이 요구된다.

N- Channel [반도체]
P형 기판에 확산 영역을 형성한  절연게이트형 FET에 있어서 소오스, 드레인간을 흐르는 전류의 통로인 채널이 전자에 의해서 형성되는 것을 N-Channel이라고 한다.

NC(No Connecton) [반도체]
아무것도 접속하지 않는다는 것을 나타냄.

Neat Phase [반도체]
일반적으로 물을 그다지 함유하지 않은 표면 활성제, 비누, 복합지질 등의 계가 두 개의 분자층사이에 균등하게 물을  함유한 Lamella 구조의  상태를 말함.

Necking [반도체]
Interconnect line이 가늘어지는 현상.

Negative LCD [반도체]
Normally black라고도 하며 검은바탕에 흰문자가 나타난다.

Negative Resistance [반도체]
전압을 증가시킨 경우 전류가 감소하는 특성이  있을 때 Negative Resistance라고 한다. 지금까지  알려진 부성저항은 어떤  한정된 전압  범위에서 발생하며 전압을 계속 증가시킨다고 해서 전류가 계속 감소하는 것은 아니다.

NEMA(National Electrical Manufacturer Association) [반도체]
미국 전기 제조자 협회. EIA(전자공업회)와 합동으로 JEDEC 설립.

Mematic LC [반도체]
분자의 장축을 대개  일정방향으로 배향하고 분자의 중심이 랜덤하게 분포되어 있는 역동성(易動性)을 가진 액정.

NET(Normes Europeennes de Telecommunications) [반도체]
유럽 전기통신규격.

Net Die [반도체]
Wafer 內에서 실제로 만들어지는 Total Die 수.

Netlist [반도체]
회로 설계가 끝난후 Simulation 혹은 layout을  하기 위해 그려진 회로도에서 사용된 소자 종류, 크기, 소자와 소자의 연결상태, 그리고  Signal  name이 추출되어 수록된 file.

Nibble [반도체]
4Bit로 이루어진 단어.

Nibble Mode [반도체]
컴퓨터 시스템이 데이터를 Access하는 중 Past fage mode의 변형형태로서  스피드 개선을  목적으로 만들어짐.  시스템이 1개의 데이터  Access  signal을 발생시 4개의 데이터가 연속적으로 출력되는 상태를 말함.

N-Butyl Acetate [반도체]
Rinse 용액으로 현상(Develop) 후 녹은  감광액을 없애는데 사용.

N-CH Field Implant [반도체]
Field Region의 VT를 증가시켜 Cell과 Cell간의 절연성을 높이기 위하여   Field Oxide가 성장할 부위와 같은 종류의 ION을 주입한다.

NICS(Newly Industrializing Conntries) [반도체]
신흥공업국 또는 중진국. 1970년대를 통해 개발도상국 가운데 금속한  공업화를 이룩하여 GNP에서 차지하는 공업점유율이 25∼45%로 거의  선진공업국에 가까운  비율에올라선 나라를 통칭하는 말이다.

NF(Noise Figure) [반도체]
잡음지수.

Nitride [반도체]
유전상수 및 밀도가 높은 Amorphous 상태의 절연막으로 실리콘의 PN 접합 표면을 안정화하는 방법의 하나. 반도체 용어로는 주로 질화 실리콘(Si3 N4)을 가리킨다.

Nm3 [반도체]
0℃, 760mmHg 때의 가로 1m, 세로 1m, 높이  1m 크기의 기체의 부피.

NMI(Non-Maskable Interrupt) [반도체]
NMI는 메모리에 문제가  발생할 경우 CPU에서 처리를 요구하는 신호이며  Interrupt  Mask의 영향을 받지 않는 가장  높은 우선 순위있는  Interrupt이며 Parity Error 발생시 NMI가 발생된다.

No  Calibration Required [반도체]
교정검사가 요구되지 않은 계측기기.

Node   [반도체]
마디.

Nodule [반도체]
작은 돌출부·평탄해야 할 Si표면에서 Si이 석출되어 위로 올라온것.

Noise(Useless Signal)  불필요한 신호(잡음). [반도체]

Noise Test [반도체]
잡음, 어떤 System이나 회로 등에 정규의 신호(원하는 신호) 이외에 혼입하는 모든 신호(전압, 전류) 성분을 말함.

Noise Immunity(잡음 여유도) [반도체]
논리 진폭에 대한 잡음  여유의 크기를 %로 나타낸 것.

Noise Margin(잡음 여유) [반도체]
논리회로에서는 전압의 고저에 따라서 1과 0을 정하고 있는데 잡음이  발생하면 전압 Level이 변동하여 '1'과 '0'이 바뀌고 말기 때문에  이것을 방지하기 위하여  논리전압이 여유 (Margin)를 갖게할 필요가
있는데 이를 잡음여유라 한다.

N-MOS [반도체]
MOS TR의 한 종류로서, 음전하인 전자에 의해 Channel 전류가 형성되는 반도체.

Nonconformity [반도체]
불일치. product나 service가 요구규격을 만족하지 못하므로서  목적한 수준이나 상태로부터 품질수준을 벗어남.

Non-Pass. Test [반도체]
보호막을 입히기 전에 행하여지는 EDS Test(Non passivation Test).

Non-Volatile(불 휘발성) [반도체]
Memory를 기억 유지한다는 점에서 분류하면 불휘발성(Non-Volatile)과  휘발성(Volatile)으로 나눌 수 있다. Non-volatile이라 Memory의 power가 off되어도 기억내용이 소멸되지 않고 유지되는 성질을 말한다.

Non-Volatile Memory [반도체]
전원을 끊어도  지워지지 않는   Memory. 반도체의 Memory에 기억했던  data는 일반적으로 전원을 끊으면  지워져버린다. 그렇기 때문에,  data를 지우지 않기 위해서는 hard disk나 floppy disk 등의 다른  media로 옮기든가 반도체의 memory를 battery로 back up 해두어야 한다.  그러나, 특수한 구조(NMOS 등)로 하면 전원을 끊더라도 지워지지 않는   Memory가  가능하다. 그것을 불휘발성 Memory라고 한다.  NMOS Transistor에서는 두가지 level의 threshold 전압 Vth을  갖고 있어서 전원을 끊더라도  VTH는 변화하지 않기 때문에, "1", "0"을  두 개의 VTH에 대응시켜 기억한다. 전자 Tunner에서의 최적 주파수기억 등에 사용되고 있다.

Nonzero Fixed Oxide Charge [반도체]
MOS  System의 MS 다음으로 가장 중요한  Nonideal Effect로 Oxide-Semiconductor의 Interface에서   주로 Positive  Charge으로  존재한다.  이것은 Oxidation Process 자체에 의해 생성된 것으로 Oxidation후에  남아 있는 Silicon  Dangling Bond의 영향이다. Dangling  Si Bond는   Silicon Oxide Interface의 Oxide Side에 200Å정도의 두께로 분포하고 있다.